JP2005311334A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 半導体の結晶化を助長する金属元素を用いて結晶化された半導体層にレーザ光を照射する第１工程と、
   前記レーザ光が照射された前記半導体層の表面にケミカルオキサイドを形成する第２工程と、
   前記ケミカルオキサイドが表面に形成された前記半導体層に加熱処理を行うことによって、前記レーザ光を照射することによって生じた前記半導体層の歪みを低減する第３工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 半導体の結晶化を助長する金属元素を用いて結晶化された第１の半導体層にレーザ光を照射する第１工程と、
   前記レーザ光が照射された前記半導体層の表面にケミカルオキサイドを形成する第２工程と、
   前記ケミカルオキサイドが表面に形成された前記半導体層に加熱処理を行うことによって、前記レーザ光を照射することによって生じた前記半導体層の歪みを低減する第３工程と、
   前記歪みを低減した前記半導体層上にバリア層を形成する第４工程と、
   前記バリア層上に希ガス元素を含む半導体からなるゲッタリングサイトを形成する第５工程と、
   前記半導体層中に含まれる前記金属元素を前記ゲッタリングサイト中にゲッタリングさせる第６工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記第３工程の前記加熱処理を行うことによって、前記半導体層中に含まれる前記金属元素を、前記ケミカルオキサイド中または前記半導体層と前記ケミカルオキサイドとの界面に移動させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記第３工程の前記加熱処理は、前記半導体層が４００℃〜１０００℃の温度に加熱されるように行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記第３工程の前記加熱処理は、前記半導体層が瞬間的に４００℃〜１０００℃の温度に加熱されるように行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記第３工程の前記加熱処理は、強光を照射する熱処理、炉を用いた熱処理、又は加熱されたガス中に前記半導体層を投入する熱処理のいずれかであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記第１工程の後であって前記第２工程の前に、パターニングを行うことにより前記半導体層を所望の形状に加工することを特徴とする半導体装置の作製方法。