JP2005306617A - ダイヤモンド薄膜およびその製造方法 - Google Patents

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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009091234A (ja) * 2007-09-18 2009-04-30 Tokyo Univ Of Science 導電性ダイヤモンド膜が形成された基板及び導電性ダイヤモンド膜が形成された基板の製造方法
JP2009120929A (ja) * 2007-11-19 2009-06-04 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 基板への種付け処理方法、ダイヤモンド微細構造体及びその製造方法
JP2010070405A (ja) * 2008-09-17 2010-04-02 Sumitomo Electric Hardmetal Corp ダイヤモンド膜及びその製造方法
CN109097754A (zh) * 2017-06-20 2018-12-28 深圳先进技术研究院 一种表面具有高致密纳米金刚石薄膜的工件及一种高致密纳米金刚石薄膜的制备方法
WO2019017330A1 (ja) 2017-07-21 2019-01-24 株式会社Sumco ダイヤモンド積層シリコンウェーハの製造方法およびダイヤモンド積層シリコンウェーハ
KR20200065604A (ko) * 2018-11-30 2020-06-09 한국과학기술연구원 다음극 직류전원 플라즈마 화학 증착 장치를 이용한 다이아몬드 단결정 성장 방법
WO2020129371A1 (ja) * 2018-12-19 2020-06-25 株式会社Sumco 多結晶ダイヤモンド自立基板の製造方法
CN111334779A (zh) * 2018-12-18 2020-06-26 深圳先进技术研究院 掺硼金刚石薄膜及其制备方法、油水分离元件、水处理电极及其制备方法与水处理装置
JP2022166059A (ja) * 2016-03-08 2022-11-01 トゥー‐シックス・インコーポレイテッド 積層基板
WO2023095698A1 (ja) * 2021-11-24 2023-06-01 株式会社ダイセル ダイヤモンド被膜を備えた構造体及びその製造方法
WO2023238391A1 (ja) * 2022-06-10 2023-12-14 株式会社東芝 太陽電池およびその製造方法
WO2024120540A1 (zh) * 2022-12-05 2024-06-13 浙江工业大学 高电导率高迁移率n型金刚石薄膜及其制备方法

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009091234A (ja) * 2007-09-18 2009-04-30 Tokyo Univ Of Science 導電性ダイヤモンド膜が形成された基板及び導電性ダイヤモンド膜が形成された基板の製造方法
JP2009120929A (ja) * 2007-11-19 2009-06-04 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 基板への種付け処理方法、ダイヤモンド微細構造体及びその製造方法
JP2010070405A (ja) * 2008-09-17 2010-04-02 Sumitomo Electric Hardmetal Corp ダイヤモンド膜及びその製造方法
JP7685976B2 (ja) 2016-03-08 2025-05-30 コヒレント コーポレイション 積層基板
JP2022166059A (ja) * 2016-03-08 2022-11-01 トゥー‐シックス・インコーポレイテッド 積層基板
US11891691B2 (en) 2016-03-08 2024-02-06 Ii-Vi Delaware, Inc. Method of forming a multilayer substrate comprising a layer of silicon and a layer of diamond having an optically finished (or a dense) silicon-diamond interface
CN109097754A (zh) * 2017-06-20 2018-12-28 深圳先进技术研究院 一种表面具有高致密纳米金刚石薄膜的工件及一种高致密纳米金刚石薄膜的制备方法
WO2019017330A1 (ja) 2017-07-21 2019-01-24 株式会社Sumco ダイヤモンド積層シリコンウェーハの製造方法およびダイヤモンド積層シリコンウェーハ
KR20200065604A (ko) * 2018-11-30 2020-06-09 한국과학기술연구원 다음극 직류전원 플라즈마 화학 증착 장치를 이용한 다이아몬드 단결정 성장 방법
KR102133963B1 (ko) 2018-11-30 2020-07-15 한국과학기술연구원 다음극 직류전원 플라즈마 화학 증착 장치를 이용한 다이아몬드 단결정 성장 방법
CN111334779B (zh) * 2018-12-18 2023-08-15 深圳先进技术研究院 掺硼金刚石薄膜及其制备方法、油水分离元件、水处理电极及其制备方法与水处理装置
CN111334779A (zh) * 2018-12-18 2020-06-26 深圳先进技术研究院 掺硼金刚石薄膜及其制备方法、油水分离元件、水处理电极及其制备方法与水处理装置
JP2020100517A (ja) * 2018-12-19 2020-07-02 株式会社Sumco 多結晶ダイヤモンド自立基板の製造方法
JP7172556B2 (ja) 2018-12-19 2022-11-16 株式会社Sumco 多結晶ダイヤモンド自立基板の製造方法
WO2020129371A1 (ja) * 2018-12-19 2020-06-25 株式会社Sumco 多結晶ダイヤモンド自立基板の製造方法
WO2023095698A1 (ja) * 2021-11-24 2023-06-01 株式会社ダイセル ダイヤモンド被膜を備えた構造体及びその製造方法
WO2023238391A1 (ja) * 2022-06-10 2023-12-14 株式会社東芝 太陽電池およびその製造方法
JPWO2023238391A1 (https=) * 2022-06-10 2023-12-14
WO2024120540A1 (zh) * 2022-12-05 2024-06-13 浙江工业大学 高电导率高迁移率n型金刚石薄膜及其制备方法

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