JP2005294826A - 電界プログラム可能記憶素子を有するメモリ・セル、およびそれを作動させる方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】アクセス・トランジスタおよび電界プログラム可能双安定素子を有するメモリ・セルを提供する。
【解決手段】アクセス・トランジスタ12は、電界プログラム可能双安定素子14へ結合されたゲート16、ソース18、またはドレイン20領域を有するMOSFETであり、電界プログラム可能双安定素子14の選択的および制御可能なプログラミングおよび読み出しを容易にする。更に、複数の別個の電界プログラム可能双安定素子14が共通アクセス・トランジスタに接続するメモリ・セル、相補的データ状態を記憶する差動メモリ・セルを開示する。
【選択図】図3A
【解決手段】アクセス・トランジスタ12は、電界プログラム可能双安定素子14へ結合されたゲート16、ソース18、またはドレイン20領域を有するMOSFETであり、電界プログラム可能双安定素子14の選択的および制御可能なプログラミングおよび読み出しを容易にする。更に、複数の別個の電界プログラム可能双安定素子14が共通アクセス・トランジスタに接続するメモリ・セル、相補的データ状態を記憶する差動メモリ・セルを開示する。
【選択図】図3A
Description
本発明はメモリ・セル、アレイ、および/またはデバイス、並びにメモリ・セル、アレイ、および/またはデバイスを制御および/または作動させる方法に関し、更に具体的には、1つの態様において、メモリ・セル、および複数のそのようなメモリ・セルを含むアレイおよび/またはデバイスに関する。ここで、メモリ・セルの各々は電界プログラム可能薄膜を含み、データ状態を表す電荷を貯蔵する。
メモリ・セル、アレイ、およびデバイスの多くの異なったタイプおよび/または形態が存在する。そのようなデバイスは、一般的に、2つの異なったタイプ、即ち、揮発性(たとえば、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)およびスタティック・ランダム・アクセス・メモリ(SRAM))、および不揮発性(たとえば、読み出し専用メモリ(ROM)、電気的にプログラム可能な読み出し専用メモリ(EPROM)、および電気的に消去可能でプログラム可能な読み出し専用メモリ(EEPROM))へ分類することができる。通常のメモリ・セル、アレイ、およびデバイスは、典型的には、1平面アプローチで製造され、現在では無機物質、たとえば、単結晶およぴ多結晶シリコンから製造される。(たとえば、特許文献1および特許文献2を参照)。
そのようなメモリ・セルを含むデバイスは、技術的および商業的に成功したものであったが、多くの欠点を有する。それらの欠点の中には、たとえば、複雑なアーキテクチャ、密度の制約、および比較的高い製造コストが含まれる。更に、幾つかの揮発性タイプのメモリ・デバイスでは、「リフレッシュ」回路を組み込んで、定常的/周期的に情報を再記憶しなければならない。これは、熱の消散、タイミング、および電力の消費に関連する問題を提起しうる。更に、或る程度の集積密度を達成することができるが、そのようなデバイスは、メモリ・セルのサイズに関して制限または限定される傾向がある。
たとえば、通常のDRAMでは、メモリ・セルは、典型的には単結晶シリコン・ウェーハの表面に作られたアクセス・トランジスタ、および、たとえば、誘電体(酸化物、チッ化物、またはこれらの組み合わせなど)によって分離された2つのシリコン・ベース導体を含むキャパシタから構成される。キャパシタは、双安定メモリ状態を表す電荷を貯蔵する。アクセス・トランジスタは、キャパシタの充電および放電、並びにキャパシタへの論理状態の読み出しおよび書き込み(即ち、キャパシタの充電または放電)を制御するスイッチとして働く。従来の技法は、スタックおよび/またはトレンチ・キャパシタ・アプローチを使用する。その場合、メモリ・セルによって占拠される2次元区域を縮小するため、キャパシタは部分的にアクセス・トランジスタの上および/または下に配置される。したがって、1トランジスタ・1キャパシタ・メモリ・セルを使用する従来のDRAMは、メモリ・セルのサイズおよび単一平面レイアウトに関して制限または限定される傾向がある。
不揮発性半導体デバイスは、揮発性半導体デバイスで一般的に起こる或る種の問題を回避しているが、多くの場合、セルおよび回路設計が複雑になる結果として、データ記憶能力、容量、および/または密度が低減するという欠点を有する。(たとえば、特許文献1および特許文献3を参照)。複雑性が増すと、多くの場合、生産コストは大きくなる。たとえば、従来のEEPROMでは、メモリ・セルは複数のゲートを有するトランジスタを含み、前記複数のゲートは、単結晶半導体基板の上に配置され、高度に制御された厚さを有する薄い絶縁体によって分離される。具体的には、コントロール・ゲートがフローティング・ゲートの上に配置され、フローティング・ゲートは半導体基板の中のチャネル領域の上に配置される。フローティング・ゲートは、典型的には、ヘビードープされたシリコンまたは金属層(たとえば、アルミニウム)を含み、高度にコントロールされた薄い絶縁体を介してチャネル領域から分離される。前記絶縁体は、使用/時間と共に劣化する傾向がある。
ユビキタスな無機結晶性半導体ベース・デバイスに加えて、電流または他のタイプの入力をデバイスへ加えることによって高インピーダンス状態と低インピーダンス状態との間で変換される双安定素子を使用する代替的電子メモリおよびスイッチング・デバイスが存在する。電子メモリおよびスイッチング・デバイスでは、有機質および無機質の薄膜半導体物質、たとえば、アモルファス・カルコゲニド半導体有機電荷転送コンプレックスの薄膜、たとえば、銅−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン(Cu−TCNQ)薄膜、および有機マトリックスの中の或る無機酸化物が使用されてよい。注意すべきは、これらの物質は不揮発性メモリの潜在的候補として提案されたことである。
幾つかの揮発性および不揮発性メモリ素子は、様々な双安定物質を使用して実現された。しかし、現在知られている多くの双安定薄膜は、蒸着方法によって製造される非均質多層複合構造である。蒸着方法は費用がかかり、多くの場合、コントロールするのに困難である。更に、これらの双安定薄膜は、コンフォーマル(conformal)からプレーナ(planar)までの形状で薄膜を製造する好機を与えない。ポリマー・マトリックスおよび微粒子物質を使用して製造された双安定薄膜は一般的に非均質であり、したがってサブマイクロメートルおよびナノメートル尺度の電子メモリおよびスイッチング・デバイスを製造するためには適していない。
更に、標準的産業方法によって、他の双安定薄膜を制御可能に製造することができるが、それらの作業はグリッド交点で高温の溶融およびアニールを必要とする。そのような薄膜は、一般的に熱管理の問題が煩わしく、高電力消費要件を有し、「導通」状態と「非導通」状態との間に、小さな程度の差異しか与えない。更に、そのような薄膜は高温で作動するので、高密度のメモリ記憶を可能にするスタック・デバイス構造を設計することは困難である。
更に、標準的産業方法によって、他の双安定薄膜を制御可能に製造することができるが、それらの作業はグリッド交点で高温の溶融およびアニールを必要とする。そのような薄膜は、一般的に熱管理の問題が煩わしく、高電力消費要件を有し、「導通」状態と「非導通」状態との間に、小さな程度の差異しか与えない。更に、そのような薄膜は高温で作動するので、高密度のメモリ記憶を可能にするスタック・デバイス構造を設計することは困難である。
したがって、電界プログラム可能双安定薄膜を使用するメモリ・セル、アレイ、および/またはデバイスであって、従来の双安定薄膜を使用する従来のメモリ・セル、アレイ、および/またはデバイスの欠点の1つ、幾つか、および/または全てを克服する改善されたメモリ・セル、アレイ、および/またはデバイスの必要性が存在する。多様な基板、および単一平面および/または多数平面アーキテクチャを含む多様な画定可能形状を含むか、それらに適した電界プログラム可能双安定薄膜を実現する改善されたメモリ・セル、アレイ、および/またはデバイスの必要性が存在する。
更に、従来の集積回路製造技法を使用して容易に製造されうる電界プログラム可能双安定薄膜を使用するメモリ・セル、アレイ、および/またはデバイスの必要性が存在する。更に、従来のメモリ・セル、アレイ、および/またはデバイスよりも比較的安価な(たとえば、ビット当たりベースで)電界プログラム可能双安定薄膜を実現するメモリ・セル、アレイ、および/またはデバイスの必要性が存在する。更に、ロジックまたは他の回路を埋め込まれた電界プログラム可能双安定薄膜を実現するメモリ・セル、アレイ、および/またはデバイスであって、製造に必要とされる集積ステップおよび/またはマスクが少ないメモリ・セル、アレイ、および/またはデバイスの必要性が存在する。
第1の態様において、少なくとも第1のデータ状態および第2のデータ状態を有するメモリ・セルが開示される。このメモリ・セルは、半導体トランジスタ(たとえば、PチャネルまたはNチャネル・トランジスタ)、および半導体トランジスタに接続された電界プログラム可能双安定素子を含む。1つの実施形態では、半導体トランジスタは第1および第2の領域を含み、各々の領域は第1の導電型を提供する不純物を有する。半導体トランジスタは、更に、第1の領域と第2の領域との間に配置されたボディ領域を含む。ボディ領域は、第2の導電型を提供する不純物を含む(ここで、第2の導電型は第1の導電型とは異なる)。ゲートは、ボディ領域から間隔を空けられ、ボディ領域と電気的に結合される。
メモリ・セルの電界プログラム可能双安定素子は、第1および第2の電極、並びに第1の電極と第2の電極との間に配置された少なくとも1つの電界プログラム可能薄膜を含む。ここで、メモリ・セルの第1のデータ状態は電界プログラム可能薄膜の第1の抵抗を表し、第2のデータ状態は電界プログラム可能薄膜の第2の抵抗を表す。
1つの実施形態では、第1の電極は、トランジスタのドレイン領域である第1の領域へ接続される。他の実施形態では、第1の電極は、トランジスタのソース領域である第2の領域へ接続される。更に他の実施形態では、第1の電極は半導体トランジスタのゲートへ接続される。
第1の電極は半導体トランジスタの第1の領域に配置されうる。更に、第1の電極は、半導体トランジスタの第1の領域の上に配置され、ゲートの少なくとも一部分にわたって(上か下のいずれかに)延長されうる。実際、第1の電極は半導体トランジスタの第1の領域の少なくとも一部分でありうる。
本発明のこの態様における1つの実施形態では、第1の電極は半導体トランジスタのゲートの上に配置される。他の実施形態では、第1の電極は半導体トランジスタのゲートである。
他の態様において、(少なくとも第1のデータ状態および第2のデータ状態を有する)メモリ・セルが開示される。このメモリ・セルは、トランジスタ、およびトランジスタへ接続された複数の電界プログラム可能双安定素子を含む。1つの実施形態では、半導体トランジスタは第1および第2の領域を含み、各々の領域は第1の導電型を提供する不純物を有する。半導体トランジスタは、更に、第1の領域と第2の領域との間に配置されたボディ領域を含む。ボディ領域は第2の導電型を提供する不純物を含む(ここで、第2の導電型は第1の導電型とは異なる)。ゲートは、ボディ領域から間隔を空けられ、ボディ領域へ電気的に結合される。注意すべきは、半導体トランジスタがPチャネルまたはNチャネル・トランジスタであってよいことである。
この態様のメモリ・セルは、更に、半導体トランジスタへ接続される第1および第2の電界プログラム可能双安定素子を含む。各々の電界プログラム可能双安定素子は、第1の電極、第2の電極、および第1並びに第2の電極の間に配置された少なくとも1つの電界プログラム可能薄膜を含む。電界プログラム可能薄膜は、第1の抵抗状態および第2の抵抗状態を含む少なくとも2つの抵抗状態を含む。
この態様のメモリ・セルは、第1の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第1の状態にあり、第2の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第2の状態にあるとき、第1のデータ状態にある。メモリ・セルは、第1の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第2の状態にあり、第2の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第1の状態にあるとき、第2のデータ状態にある。
この態様の1つの実施形態では、第1の領域は半導体トランジスタのドレイン領域であり、第1の電界プログラム可能双安定素子の第1の電極はドレイン領域へ接続される。他の実施形態では、第2の領域は半導体トランジスタのソース領域であり、第1の電界プログラム可能双安定素子の第1の電極はソース領域へ接続される。
更に、1つの実施形態では、第1の電界プログラム可能双安定素子の第1の電極は、半導体トランジスタの第1の領域に配置される。他の実施形態では、第1の電界プログラム可能双安定素子の第1の電極は、半導体トランジスタの第1の領域の上に配置され、半導体トランジスタのゲートの上に延長される。第1の電極は、更に、半導体トランジスタの第1の領域の一部分であってよい。
メモリ・セルは、第3および第4のデータ状態を含むことができる。この点に関して、第1の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第1の状態にあり、第2の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第1の状態にあるとき、メモリ・セルは第3のデータ状態にある。第1の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第2の状態にあり、第2の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第2の状態にあるとき、メモリ・セルは第4のデータ状態にある。
更に他の態様において、少なくとも第1および第2のデータ状態を有するメモリ・セルは、複数の半導体トランジスタおよび複数の電界プログラム可能双安定素子を含む。メモリ・セルは、第1および第2の領域を有する第1の半導体トランジスタを含み、第1および第2の領域の各々は第1の導電型を提供する不純物を有する。第1の半導体トランジスタは、更に、第1の領域と第2の領域との間に配置されたボディ領域を含み、ボディ領域は第2の導電型を提供する不純物を含む(ここで、第2の導電型は第1の導電型とは異なる)。ゲートは、第1の半導体トランジスタのボディ領域から間隔を空けられ、ボディ領域へ電気的に結合される。
メモリ・セルは、更に、第1の半導体トランジスタへ接続される第1の電界プログラム可能双安定素子を含む。電界プログラム可能双安定素子は、第1および第2の電極、並びに第1および第2の電極の間に配置された少なくとも1つの電界プログラム可能薄膜を含む。電界プログラム可能薄膜は、第1の抵抗状態および第2の抵抗状態を含む少なくとも2つの抵抗状態を含む。
更に、この態様のメモリ・セルは第2の半導体トランジスタを含む。第2の半導体トランジスタは、第1の導電型を提供する不純物を有する第1および第2の領域、並びに第1の領域と第2の領域との間に配置されたボディ領域を含む。ボディ領域は第2の導電型を提供する不純物を含む(ここで、第2の導電型は第1の導電型とは異なる)。ゲートは、第2の半導体トランジスタのボディ領域から間隔を空けられ、ボディ領域へ電気的に結合される。
この態様のメモリ・セルは、更に、第2の半導体トランジスタへ接続された第2の電界プログラム可能双安定素子を含む。第2の電界プログラム可能双安定素子は、第1および第2の電極、並びに第1および第2の電極の間に配置された少なくとも1つの電界プログラム可能薄膜を含む。第2の電界プログラム可能素子の電界プログラム可能薄膜は、第1の抵抗状態および第2の抵抗状態を含む少なくとも2つの抵抗状態を含む。
第1の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第1の状態にあり、第2の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第2の状態にあるとき、メモリ・セルは第1のデータ状態にある。第1の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第2の状態にあり、第2の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第1の状態にあるとき、メモリ・セルは第2のデータ状態にある。
注意すべきは、第1の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第2の状態にあり、第2の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第2の状態にあるとき、メモリ・セルが第3のデータ状態にあることである。更に、第1の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第1の状態にあり、第2の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第1の状態にあるとき、メモリ・セルは第4のデータ状態にある。
1つの実施形態では、第1の半導体トランジスタはNチャネル・トランジスタであり、第2のトランジスタはPチャネル・トランジスタである。他の実施形態では、第1の半導体トランジスタはNチャネル・トランジスタであり、第2のトランジスタはNチャネル・トランジスタである。更に他の実施形態では、第1の半導体トランジスタはPチャネル・トランジスタであり、第2のトランジスタはPチャネル・トランジスタである。
1つの実施形態では、第1の電界プログラム可能双安定素子の第1の電極は、第1の半導体トランジスタの第1の領域へ接続される。この第1の領域は第1の半導体トランジスタのドレイン領域である。他の実施形態では、第1の電界プログラム可能双安定素子の第1の電極は、第1の半導体トランジスタの第2の領域へ接続される。この第2の領域は第1の半導体トランジスタのソース領域である。更に他の実施形態では、第1の電界プログラム可能双安定素子の第1の電極は、第1の半導体トランジスタのゲートへ接続される。
第1の電界プログラム可能双安定素子の第1の電極は、第1の半導体トランジスタの第1の領域の上に配置されてよい。更に、第1の電界プログラム可能双安定素子の第1の電極は、半導体トランジスタの第1の領域の上に配置され、ゲートの少なくとも一部分にわたって(上または下のいずれかに)延長されてよい。実際、第1の電界プログラム可能双安定素子の第1の電極は、半導体トランジスタの第1の領域の少なくとも一部分であってよい。
この態様の1つの実施形態では、第1の電界プログラム可能双安定素子の第1の電極は、第1の半導体トランジスタのゲートの上に配置される。他の実施形態では、第1の電界プログラム可能双安定素子の第1の電極は、第1の半導体トランジスタのゲートである。
以下の詳細な説明の過程で、添付の図面が参照される。これらの図面は、本発明の異なった態様を示し、適切な場合には、同様の構造、構成要素、物質、および/または要素を異なった図面で示す参照数字は同じように符号が付けられる。特別に示されるもの以外、構造、構成要素、物質、および/または要素の様々な組み合わせが考えられ、本発明の範囲の中に入ることが理解される。
第1の態様において、アクセス・トランジスタおよび電界プログラム可能双安定素子を有するメモリ・セルが開示される。アクセス・トランジスタは、電界プログラム可能双安定またはマルチ安定(multi−stable)素子(今後は、特に明白に断らない限り、まとめて「電界プログラム可能双安定素子」と呼ぶ)へ結合されたゲート、ソース、またはドレイン領域を有する(NチャネルまたはPチャネル)MOSFETトランジスタであってよい。アクセス・トランジスタは、電界プログラム可能双安定素子の選択的および制御可能なプログラミングおよび読み出しを容易にする。
1つの実施形態において、電界プログラム可能双安定素子は、2つ以上の異なった抵抗特性を提供する。各々の抵抗特性は1つのデータ状態(たとえば、アナログまたはディジタル状態)を表す。電界プログラム可能双安定素子は、電子ドナーおよび/または電子アクセプタおよび/または電子ドナー・アクセプタ・コンプレックスを含む1つまたは複数の電界プログラム可能薄膜を含んでよい。コンプレックスは2つ以上の電極の間に配置されてよい。
電界プログラム可能双安定素子は、メモリ・セルのデータ状態を表す抵抗を電流フローへ与える。電界プログラム可能双安定素子は、少なくとも1つの電極へ適切な電圧を印加して電界を誘導することによってデータ状態の1つにプログラムされる。即ち、この電界によって、たとえば、電子ドナーおよび/または電子アクセプタおよび/またはコンプレックスの中の電子ドナー・アクセプタは、データ状態の1つを示すように電荷を交換、整列、再整列、配列、または再配列する。
電界プログラム可能双安定素子は、文献、たとえば、特許文献4、特許文献5、非特許文献1、および非特許文献2で説明および例示される1つまたは複数の電界プログラム可能薄膜を使用してよい。電界プログラム可能薄膜の典型的製造プロセスについては、これらの参考文献を参考にすることができる。
図1A〜図1Cを参照すると、本発明の第1の態様のメモリ・セル10は、アクセス・トランジスタ12および電界プログラム可能双安定素子14を含む。アクセス・トランジスタ12は、ゲート16、ソース18、およびドレイン20を含む。例示的実施形態において、ボディ領域はソース18とドレイン20との間に配置され、ゲート16からは間隔を取られる。ゲート16は、アクセス・トランジスタ12のボディ領域へ、たとえば、直接的、容量的、および/または誘導的に電気結合される。
或る実施形態では、アクセス・トランジスタ12のゲート16は信号線22へ接続される。信号線22は、アクセス・トランジスタ12へ制御信号を与え、電界プログラム可能双安定素子14からのデータの読み出し、またはデータの書き込みを容易にする。(たとえば、図1Aおよび図1Cを参照)。この点に関して、信号線22に印加された制御信号は、トランジスタ12の「オン」および「オフ」状態を制御する。
他の実施形態では、ゲート16は電界プログラム可能双安定素子14へ接続される(たとえば、図1Bを参照)。電界プログラム可能双安定素子14はアクセス・トランジスタ12のゲート16へ接続される。この実施形態では、信号線22に印加された信号は電界プログラム可能双安定素子14へ直接印加され、電界プログラム可能双安定素子14からのデータの読み出し、またはデータの書き込みを容易にする。
アクセス・トランジスタ12のソース18は、電界プログラム可能双安定素子14へ接続され、電界プログラム可能双安定素子14からのデータの読み出し、またはデータの書き込みを可能にする(図1Aを参照)。或る実施形態では、アクセス・トランジスタ12のソース18は信号線24へ接続される。信号線24は、たとえば、メモリ・セル10へ参照電圧を与える。(たとえば、図1Bおよび図1Cを参照)。
図1Aおよび図1Cを参照すると、或る実施形態では、アクセス・トランジスタ12のドレイン20はセンス/プログラム信号線26へ接続される。センス/プログラム信号線26は読み出し/書き込み回路(図示されず)へ選択的および制御可能に接続される。他の実施形態では、ドレイン20は電界プログラム可能双安定素子14へ接続される。電界プログラム可能双安定素子14はセンス/プログラム信号線26へ接続される。(たとえば、図1Cを参照)。図1A〜図1Cの実施形態において、データ状態(即ち、電界プログラム可能双安定素子14によって呈示された電流フローへの抵抗)は、センス/プログラム信号線26を介してメモリ・セル10へ記憶されるか、そこから読み出される。
注意すべきは、アクセス・トランジスタ12は、対称または非対称のデバイスであってよいことである。アクセス・トランジスタ12が対称である場合、ソース18およびドレイン20は本質的に交換可能である。しかし、アクセス・トランジスタ12が非対称デバイスである場合、アクセス・トランジスタ12のソース18またはドレイン20は、異なった電気的、物理的、ドーピング濃度および/またはドーピング・プロフィール特性を有する。したがって、非対称デバイスのソースまたはドレイン領域は、典型的には交換可能ではない。
前述したように、電界プログラム可能双安定素子14は、電界プログラム可能薄膜の特許文献4で説明および例示された1つまたは複数の電界プログラム可能薄膜であってよい。1つの実施形態において、電界プログラム可能双安定素子14は、非破壊読み出しを提供し、双安定スイッチングまたは双安定抵抗特性を含む。更に、電力が存在しない場合、メモリ・セルのデータ状態は電界プログラム可能双安定素子14の中に維持されるという点で、電界プログラム可能双安定素子14は不揮発性メモリ・セルを提供する。
図2を参照すると、1つの例示的実施形態において、第1の電圧が電界プログラム可能双安定素子14へ印加されたとき、電界プログラム可能双安定素子14は第1のデータ状態へプログラムされる(それによって、第1の抵抗特性を呈示する)。(図2の点28を参照)。第2の電圧が電界プログラム可能双安定素子14へ印加されたとき、電界プログラム可能双安定素子14は第2のデータ状態へプログラムされるか(それによって、第2の抵抗特性を呈示する)、第1のデータ状態を「消去」する。(図2の点30を参照)。第1の電圧が電界プログラム可能双安定素子14へ再び印加されるまで、電界プログラム可能双安定素子14は第2のデータ状態に維持される(第2の抵抗特性を有する)。(点28を参照)。
第1のデータ状態では、電界プログラム可能双安定素子14は比較的低い抵抗を電流フローへ与え、第2のデータ状態では、電界プログラム可能双安定素子14は比較的高い抵抗を電流フローへ与える
アクセス・トランジスタ12および電界プログラム可能双安定素子14を含むメモリ・セル10を製造するためには、多くの物質および技法が存在する。たとえば、基板がバルク型シリコン・ウェーハである場合、アクセス・トランジスタ12は、ソース18(第1の導電率タイプの不純物を有する)、ドレイン20(第1の導電率タイプの不純物を有する)、およびボディ領域(第2の導電率タイプの不純物を有する)を含む。ゲート16(導電タイプの物質、たとえば、金属、金属化合物、またはヘビードープされたポリシリコン)は、ボディ領域へ電気的に結合される(たとえば、直接的、容量的、および/または誘導的に)。アクセス・トランジスタ12は、従来の物質および従来の半導体製造技法を使用して製造されてよい。
代替的に、基板は、シリコン・オン・インシュレータ(SOI)タイプのウェーハであってよく、アクセス・トランジスタ12は、部分空乏型(PD)トランジスタ、完全空乏型(FD)トランジスタ、マルチ・ゲート・トランジスタ(たとえば、ダブルまたはトリプル・ゲート)および/またはフィン型電界効果トランジスタ(Fin−FET)であってよい。これらの実施形態では、アクセス・トランジスタ12は、更に、従来の物質および従来の半導体製造技法を使用して製造されてよい。
トランジスタ12は、更に、ポリシリコンまたはアモルファス・シリコンから製造されるか、それらの中に存在してよい。このようにして、(基板に加えて、または基板の代わりに)1つまたは複数の層がトランジスタを含みうるメモリの3次元アレイが製造されてよい。(たとえば、図23A〜図23Cの層68を参照)。実際、ポリシリコン層の中で配置または製造されたトランジスタの動作特性を向上させるため、基板上に配置されたポリシリコン層を再結晶化するのが有利でありうる。このようにして、メモリの3次元アレイは、(基板に加えて、または基板の代わりに)1つまたは複数の単結晶シリコンまたは半導体層を含むことができ、そのような層は、その中に配置または製造されるトランジスタを有する。
注意すべきは、後述するように、トランジスタ12は、有機であれ無機であれ任意の半導体物質から製造されてよいことである。そのような半導体物質は、たとえば、炭化シリコン、ヒ化ガリウム、またはペンタセンを含む。トランジスタは、デプリーション・モードまたはエンハンスメント・モードで作動されてよい。トランジスタは、更に、接合を有するか有しないように製造されてよい。現在知られているか後で開発されるかを問わず、トランジスタ12(および、そこで使用される物質)を製造する全ての方法は、本発明の範囲に含まれることを意図される。
電界プログラム可能双安定素子14は、たとえば、前述した参考文献で説明される電界プログラム可能薄膜の任意のものを使用して製造されてよい。
物質および製造技法に加えて、メモリ・セル10は、多数のレイアウトおよび構成で配列されてよい。たとえば、図3A〜図3Cを参照すると、図1Aで概略的に示されるメモリ・セル10は、異なった物質、技法、およびレイアウトを使用して製造されてよい。具体的には、図3Aおよび図4を参照すると、1つの実施形態において、メモリ・セル10はバルク型半導体ウェーハ32の中および/または上に製造される。前述したように、アクセス・トランジスタ12は、周知または従来の物質および技法から、およびそれらを使用して製造されてよい。
アクセス・トランジスタ12が製造された後、コンタクト34および36、並びにセンス/プログラム信号線26が、従来の周知の物質(たとえば、アルミニウムまたは高度にドープされたポリシリコン)および従来のデポジション、リソグラフィ、およびエッチング技法を使用して、形成および/またはパターン化されてよい。その後で(または、センス/プログラム信号線26の形成と同時に)、電界プログラム可能双安定素子14の電極38aが形成および/またはパターン化されてよい。電極38aは、導電型の物質(たとえば、ヘビードープされた半導体(たとえば、ポリシリコン)または金属、たとえば、アルミニウム、クロム、金、銀、モリブデン、プラチナ、パラジウム、タングステン、チタン、および/または銅)であってよい。電極38aは、従来または周知の製造技法を使用して、堆積、形成、および/またはパターン化されてよい。
次に、電界プログラム可能薄膜40は、電界プログラム可能薄膜の特許文献4で説明される技法の任意のものを使用して、電極38aの上に堆積されてよい。その後で、電極38bが堆積されうる。電極38aと同じように、電極38bは、導電型の物質(たとえば、ヘビードープされた半導体(たとえば、ポリシリコン)または金属、たとえば、アルミニウム、クロム、金、銀、モリブデン、プラチナ、パラジウム、タングステン、チタン、および/または銅)であってよい。電極38bは、従来の製造技法を使用して、堆積、形成、および/またはパターン化されてよい。
したがって、この実施形態では、電界プログラム可能双安定素子14は、電極38aと38bとの間に配置された電界プログラム可能薄膜40を含む。コンタクト34は、電界プログラム可能双安定素子14(および、特に、電極38a)をアクセス・トランジスタ12のソース領域18へ接続する。コンタクト34および電極38aは、良好な電気接続を容易にし、電界プログラム可能薄膜40と、たとえば、アクセス・トランジスタ12のソース領域18との間の電気経路に低い抵抗を提供する。
電界プログラム可能薄膜40の物理的および電気的特性に対するインパクトを低減および/または最少にする物質および製造技法を使用するのが有利でありうる。この点に関して、電極38b(および電極38a)を製造する場合、電界プログラム可能薄膜40の電気的および物理的特性にインパクトを与えない(または損害を与えない)物質および技法を使用するのが有利である。たとえば、電界プログラム可能薄膜40のサーマルバジェットより下の温度を使用して堆積および/または形成される物質(たとえば、アルミニウム)を使用することは、電界プログラム可能薄膜40の堆積/適用の後に、その電気的および/または物理的完全性を確保するであろう。
注意すべきは、各々の電極38は、同一または異なった製造技法を使用して同一または異なった物質から製造、堆積、および/または形成されてよいことである。1つの実施形態では、サーマルバジェットは、より大きな温度の製造、堆積、および/または形成を必要とする第1の技法および第1の物質を使用して、電極38aを製造、堆積、および/または形成することを可能にする。電界プログラム可能薄膜40を設けた後、比較的、より低い温度での製造、堆積、および/または形成が可能な第2の技法および/または第2の物質を使用して、電極38bを製造、堆積、および/または形成してよい。このようにして、電極38bが堆積/適用された後、電界プログラム可能薄膜40の電気的および/物理的完全性が向上または維持される。
他の実施形態では、電極38aおよび38bの各々は、異なった電気特性を提供する物質を含んでよい。この点に関して、電極38aは、電極38bの物質とは異なる仕事関数を有する物質から製造されてよい。このようにして、電界プログラム可能双安定素子14は、非対称の応答または振る舞いを含むことができる。
更に、電界プログラム可能双安定素子14の電流能力を向上するため、大きな区域を有する電界プログラム可能双安定素子14を提供することが有利であるかも知れない。したがって、電界プログラム可能双安定素子14は、アクセス・トランジスタの上に配置され、ゲート16の有意部分の上へ延長されてよい。このようにして、電界プログラム可能双安定素子14の電気特性は、メモリ・セル10の全体的寸法に(あるとすれば)有意のインパクトを与えることなしに向上される。
図3Bを参照すると、他の実施形態において、電界プログラム可能薄膜40は、アクセス・トランジスタ12のソース領域18の上に直接配置される。この実施形態では、ソース領域18は、更に、電界プログラム可能双安定素子14の電極として機能または作用する。したがって、この実施形態は、図3Aのレイアウトと比較して、より少ない製造ステップを使用する比較的、よりコンパクトなレイアウトを提供しうる。更に、この実施形態は、比較的大きな厚さの電界プログラム可能薄膜40を提供する。このことは、メモリ・セル10の間で電界プログラム可能双安定素子14の電気特性の均一性を向上させうる。
更に、他の例示的実施形態では、図3Cを参照すると、電極38aは、ソース領域18と直接接触してゲート16の上に延長されるように、形成および/またはパターン化されてよい。この実施形態では、アレイの中のメモリ・セル10は、(図3Aおよび図3Bの実施形態よりも)電界プログラム可能双安定素子14の電気的性能/レスポンスの点で、より大きな一貫性を有しうる。そのような一貫性は、たとえば、所定の仕様に合わせて容易に製造および制御することのできる電界プログラム可能薄膜40の比較的大きな表面区域および比較的大きな厚さに起因する。
注意すべきは、図3A〜図3Cのレイアウトは、図1Cで概略的に示されたメモリ・セル10へ等しく適用できることである。この点に関して、電界プログラム可能双安定素子14は、アクセス・トランジスタ12のドレイン領域20へ接続される。説明を簡単にするため、それらの説明は反復されない。アクセス・トランジスタ12のゲート16へ接続された電界プログラム可能双安定素子14を有するメモリ・セル10の実施形態(図1Bで概略的に示される)は、更に、異なった物質、技法、およびレイアウトを使用して製造されてよい。たとえば、図5Aを参照すると、1つの実施形態では、メモリ・セル10はバルク型の半導体ウェーハ32の中および/または上に製造される。アクセス・トランジスタ12は、周知または従来の物質および技法を使用して製造されてよい。
アクセス・トランジスタ12を製造した後(または、製造と同時に)、コンタクト34および36,信号線24、およびセンス/プログラム信号線26が、導電性物質(たとえば、アルミニウムまたは高度にドープされたポリシリコン)から製造され、従来のデポジション、リソグラフィ、およびエッチング技法を使用して形成および/またはパターン化されてよい。次に、電界プログラム可能双安定素子14の電極38aが、導電型物質(たとえば、ヘビードープされた半導体(たとえば、ポリシリコン)または金属、たとえば、アルミニウム、クロム、金、銀、モリブデン、プラチナ、パラジウム、タングステン、チタン、および/または銅)から形成および/またはパターン化されてよい。電極38aは、従来または周知の製造技法を使用して、堆積、形成および/またはパターン化されてよい。
その後で、電界プログラム可能薄膜40が、電界プログラム可能薄膜の特許文献4で説明された技法の任意のものを使用して、電極38aの上に堆積されてよい。次に電極38bが堆積される。電極38aと同じように、電極38bは、導電型物質であってよい。電極38bは、従来の製造技法を使用して堆積、形成、および/またはパターン化されてよい。
したがって、この実施形態では、電界プログラム可能双安定素子14は、アクセス・トランジスタ12の上に配置され、電極38aと38bとの間に配置された電界プログラム可能薄膜40を含む。電気コンタクトは、電界プログラム可能双安定素子14(および、特に、電極38a)をアクセス・トランジスタ12のゲート16へ接続する。
前述したように、電界プログラム可能薄膜40の堆積および形成に続く製造ステップでは、電界プログラム可能薄膜40の物理的および電気的特性に対するインパクトを低減および/または最少にする物質および製造技法を使用することが有利でありうる。この点に関して、電極38bを製造するための物質(たとえば、アルミニウム)および技法(電界プログラム可能薄膜40のサーマルバジェットより下の温度を使用する堆積および/または形成技法)を使用することは、電界プログラム可能薄膜40の堆積/適用の後で、電界プログラム可能薄膜40の電気的および/または物理的完全性に対するインパクトを最少にする。
更に、上述したように、各々の電極38は、同一または異なった製造技法を使用して同一または異なった物質から製造、堆積、および/または形成されてよい。1つの実施形態では、サーマルバジェットは、より大きな温度の製造、堆積、および/または形成を必要とする第1の技法および第1の物質を使用して、電極38aを製造、堆積、および/または形成することを可能にしうる。電界プログラム可能薄膜40を設けた後、電極38bは、相対的に、より低い温度での製造、堆積、および/または形成を容易にする第2の技法および/または第2の物質を使用して、製造、堆積、および/または形成されてよい。こうして、電極38bの堆積/適用の後、電界プログラム可能薄膜40の電気的および/または物理的完全性が向上または維持されうる。
図5Bを参照すると、他の実施形態では、電界プログラム可能薄膜40は、アクセス・トランジスタ12のゲート16の上に直接配置される。この実施形態では、ゲート16は、更に、電界プログラム可能双安定素子14の電極として機能する。
簡単に言えば、アクセス・トランジスタ12を製造した後、コンタクト34および36が形成されてよい。その後で、電界プログラム可能薄膜40が、たとえば、前記の参照文献で説明された技法の任意のものを使用して、ゲート16の上で堆積、形成、および/またはパターン化されてよい。
信号線24およびセンス/プログラム信号線26は、従来のデポジション、リソグラフィ、およびエッチング技法を使用して、導電性物質(たとえば、アルミニウムまたは高度にドープされたポリシリコン)から堆積、形成、および/またはパターン化されてよい。その後で(または、それと同時に)電極38が堆積されうる。堆積、形成、および/またはパターン化プロセスの間、電界プログラム可能薄膜40の物理的および電気的完全性を維持する物質および技法を使用することが有利でありうる。前述したように、電極38は、導電型物質(たとえば、ヘビードープされた半導体(たとえば、ポリシリコン)または金属(たとえば、アルミニウム、クロム、金、銀、モリブデン、プラチナ、パラジウム、タングステン、チタン、および/または銅))であってよい。
注意すべきは、図5Bの実施形態は、図5Aのメモリ・セル10よりも少ない製造ステップを使用しながら、よりコンパクトなメモリ・セル10のレイアウトを提供することである。更に、図5Bの実施形態は比較的大きな厚さの電界プログラム可能薄膜40の実現を容易にしうる。このことは、メモリ・アレイのメモリ・セル10で、電界プログラム可能薄膜40の双安定電気特性の一貫性および/または均一性を向上させうる。
読み出し、書き込み、および/または消去動作は、アクセス・トランジスタ12および電界プログラム可能双安定素子14へ印加される電圧の振幅およびタイミングを制御することによって実行されてよい。たとえば、図6Aおよび図7Aを参照すると、メモリ・セル選択回路42を介して信号線22が選択され、それによってアクセス・トランジスタ12を可動に、または最初に「オン」にし、電界プログラム可能双安定素子14をセンス/プログラム信号線26へ電気的に結合した(アクセス・トランジスタ12を介して)とき、メモリ・セル10のデータ状態を読み出すことができる。(図7Aの50を参照)。注意すべきは、メモリ・セル10がメモリ・アレイの中の多数または複数のメモリ・セルの1つである場合、メモリ・セル選択回路42は従来のワード線デコーダ/ドライバであってよいことである。実際、任意のワード線デコーダ/ドライバが、現在知られているか後で開発されるかを問わず、本発明の範囲の中にあることを意図される。
センス増幅器44(たとえば、従来のクロスカップル型センス増幅器)は、メモリ・セル10のデータ状態を検出するためセンス/プログラム信号線26へ接続される。この点に関して、1つの実施形態では、センス増幅器44は、入力44aおよび44bへ印加された電圧を比較することによってメモリ・セル10のデータ状態を検出する。センス増幅器44の入力44aへ印加された電圧は、電界プログラム可能双安定素子14(これは、以下で説明するようにして前もってプログラムされている)の抵抗特性に大きく依存する。入力44bに印加された電圧は、参照回路46によって提供または出力される参照電圧に依存する。
1つの実施形態において、参照回路46は電圧参照または電流源であってよい。参照回路46が電流源である場合、電流源の出力電流はセンス増幅器44の入力44bに適切な電圧または電流を提供し、センス増幅器44が電界プログラム可能双安定素子14のデータ状態を検出することを可能にする。即ち、1つの実施形態では、電流出力の量は電界プログラム可能双安定素子14の高データ状態および低データ状態に等しい電流量の間にある。好ましい実施形態では、電流量は電界プログラム可能双安定素子14の高データ状態および低データ状態に等しい電流量の合計の半分にほぼ等しい。
他の実施形態では、参照回路46は少なくとも2つの参照メモリ・セル(図示されず)を含み、各々の参照メモリ・セルは参照アクセス・トランジスタおよび参照電界プログラム可能双安定素子を含む。この実施形態では、参照メモリ・セルの1つは高データ状態へプログラムされ、参照メモリ・セルの1つは低データ状態へプログラムされる。参照回路46は、1つの実施形態において、2つの参照メモリ・セルの合計の半分にほぼ等しい電圧を入力44bに提供する。メモリ・セル10は、電界プログラム可能双安定素子14を入力44aへ結合し、参照回路46によって生成された参照電圧を入力44bへ結合することによって読み出される。
動作条件の変化(たとえば、温度変動および/または電力変動)または製造条件の変化(たとえば、ウェーハの膜厚変動)に起因するメモリ・セル特性の変動を追跡および/または処理するため、前述した参照メモリ・セル構成を使用することが有利でありうる。
したがって、メモリ・セル10のデータ状態を読み出すために使用される回路(たとえば、センス増幅器44および参照回路46)は、電圧または電流センス技法を使用してメモリ・セル10に記憶されたデータ状態をセンスする。そのような回路および回路構成は当技術分野で周知である。(たとえば、特許文献6および特許文献7を参照)。実際、メモリ・セル10のデータ状態をセンス、サンプリング、検出、または決定するための任意の回路またはアーキテクチャは、現在知られているか後で開発されるかを問わず、本発明の範囲の中にあることを意図される。
参照電圧回路48は、1つの実施形態において、安定した参照電圧(たとえば、グラウンド電位またはゼロ・ボルト)を提供する回路であってよい。他の実施形態では、参照電圧回路は、良好に画定された電圧レベルおよびタイミング特性を有する或る一定の制御信号を提供する。
注意すべきは、パス・ゲートおよび/または列スイッチ回路(図示されていない)を使用し、アクセス・トランジスタ12(電界プログラム可能双安定素子14)をセンス増幅器44へ選択的に接続して、メモリ・セル10のデータ状態の読み出し動作を容易にし、および/または実現できることである。
図6Bおよび図7Bを参照すると、メモリ・セル10のデータ状態は、電界プログラム可能双安定素子14をセンス/プログラム信号線26へ結合し、電界プログラム可能双安定素子14の電界プログラム可能薄膜へ適切な電圧を印加することによってプログラムされてよい。この点に関して、メモリ・セル選択回路42は、信号線22に十分な高さの電圧(Nチャネル・デバイスの場合)を印加することによって(図7Bの50を参照)、アクセス・トランジスタ12(即ち、順方向バイアス・トランジスタ12)をオンにする。このようにして、電界プログラム可能双安定素子14は、センス/プログラム信号線26へ電気的に結合される。
アクセス・トランジスタ12が「オン」である間、プログラミング回路52は適切な電圧を印加して、論理高または論理低のいずれかを記憶する。この点に関して、図2を参照すると、電界プログラム可能薄膜40に約4.5ボルトの電圧差を提供または印加すると、電界プログラム可能双安定素子14に論理高が記憶される。(図7Bを参照)。対照的に、電界プログラム可能薄膜に約2ボルトの電圧差を提供または印加すると、論理高が消去され、それによって電界プログラム可能双安定素子14に論理低が記憶される。(図7Cおよび/または図7Dを参照)。2ボルトの電圧差は、制御信号線24および26へ印加される電圧を制御することによって提供されてよい。
注意すべきは、パス・ゲートおよび/または列スイッチ回路(図示されず)を使用して、アクセス・トランジスタ12をプログラミング回路52へ選択的に接続し、メモリ・セル10のプログラミング動作を容易にし、および/または実現できることである。更に、スイッチ(たとえば、トランジスタなど)を使用して、選択/アドレスされたメモリ・セル10の信号線24へ参照電圧回路を接続することができる。
消去および書き込み動作を実現するためには、多くの異なった技法(および、そのための回路)が存在する。全てのそのような技法および回路は、既知であるか後で開発されるかを問わず、本発明の範囲の中に入ることを意図される。たとえば、プログラミング回路52は、グラウンドまたは参照へ結合された1つの「端子」を有するスイッチ(たとえば、トランジスタによって実現される)であってよい。このようにして、参照電圧回路48は、適切な電圧を制御信号線24へ印加することによって、プログラムする(消去または書き込む)ことができる。
メモリ・セル10は、多くの場合、複数のメモリ・セル10を有するメモリ・アレイ56の中で使用または実現される。図8Aを参照すると、1つの実施形態において、メモリ・セル10aa〜10xxは、行58a〜58xおよび列60a〜60xのマトリックスの交差点に置かれる。制御信号をメモリ・セル10aa〜10xxへ提供し、メモリ・セル10aa〜10xxからの読み出しおよび書き込みのような動作を実現および/または容易にするため、周辺回路62(たとえば、クロック整列回路、アドレス・デコーディング、ワード線ドライバ、行ドライバ、出力ドライバ、センス増幅器、および参照電圧回路)を含めることができる。注意すべきことに、図8Bを参照すると、メモリ・デバイスは、複数のメモリ・アレイ(またはサブアレイ)、たとえば、アレイ56a〜56dを含むことができる。実際、メモリ・アレイ56のメモリ・セル10aa〜10xxは、任意のアーキテクチャまたはレイアウトで配列または構成されてよい。そのようなアーキテクチャまたはレイアウトは、既知であるか後で開発されるかを問わず、たとえば、アレイ、サブアレイ、およびアドレシング・アーキテクチャまたはレイアウトを含む。
他の態様では、本発明は複数のメモリ・セルを含み、各々のメモリ・セルは一意的な、異なったおよび/または別個の電界プログラム可能双安定素子および共通のアクセス・トランジスタを有する。本発明のこの態様において、メモリ・セルの電界プログラム可能双安定素子は、アクセス・トランジスタを「共有」する。即ち、複数のメモリ・セルは、共通のアクセス・トランジスタおよび一意的な、異なったおよび/または別個の電界プログラム可能双安定素子を含む。
図9を参照すると、1つの実施形態において、1つのアクセス・トランジスタ12が複数の電界プログラム可能双安定素子14a〜14nへ結合される。電界プログラム可能双安定素子14a〜14nの各々は、個別にアドレス可能なデータを記憶する。この点に関して、信号線22、24a〜24n、および26の電圧レベルを制御することによって、電界プログラム可能双安定素子14a〜14nへデータ状態を個別に書き込み、また読み出すことができる(順次に、または並行して)。
図9の複数のメモリ・セル10a〜10nは、多数の技法を使用して製造されてよい。更に、メモリ・セル10a〜10nは、多数の異なった構成およびレイアウトを含んでよい。たとえば、図10Aおよび図10Bを参照すると、少なくとも1つの実施形態では、電界プログラム可能双安定素子14a〜14cは、スタック配列でアクセス・トランジスタ12の上に配置されてよい。このようにして、本発明のこの態様を含むメモリ・デバイスの密度を向上させることができる。
具体的には、図10Aの参照を続けると、メモリ・セル10a〜10cは、それぞれ電界プログラム可能双安定素子14a〜14cおよび共有または共通アクセス・トランジスタ12を含む。電界プログラム可能双安定素子14aは、電極38a1〜38a2の間に配置された電界プログラム可能薄膜40aを含む。電極38a1は、コンタクト34を介してアクセス・トランジスタ12のソース18へ電気的に接続される。電極38a2は、信号線24a(図示されず)へ接続される。実際には、1つの実施形態において、電極38a2は信号線24aである。
電界プログラム可能双安定素子14bは、電極38b1と38b2との間に配置された電界プログラム可能薄膜40bを含む。導電性バイアV1は、アクセス・トランジスタ12のソース18へ電極38b1を電気的に接続する(電極38a1およびコンタクト34を介して)。電極38b2は信号線24b(図示されず)へ接続される。
同様に、電界プログラム可能双安定素子14cは、電極38c1と38c2との間に配置された電界プログラム可能薄膜40cを含む。導電性バイアはアクセス・トランジスタ12のソース18へ電極38c1を電気的に接続する(電極38a1および38b1、導電性バイアV1、およびコンタクト34を介して)。電極38c2は信号線24c(図示されず)へ接続される。
注意すべきは、1つの実施形態において、電極38a1、38b2、38c2は、それぞれ、信号線24a〜24cであってよいことである。
図10Bを参照すると、本発明のこの態様において、メモリ・セル10の他の例示的レイアウトは、図10Aにおいて示されるよりも稠密な構成を含む。この点に関して、電界プログラム可能双安定素子14aおよび14bは電極38abを「共有」する。同様に、電界プログラム可能双安定素子14cおよび14dは電極38cdを「共有」する。このようにして、より少ない製造プロセスおよび物質を使用して、よりコンパクトで稠密なメモリ・アレイが提供されうる。注意すべきこととして、本発明のこの態様におけるメモリ・セル10の全てのレイアウトは、既知であるか後で開発されるかを問わず、本発明のこの範囲に入ることを意図される。
したがって、図10A、図11A、および図11Bを参照すると、本発明のこの態様におけるメモリ・セル10a〜10cは、スタックされたレイアウト構成を含む。即ち、アクセス・トランジスタ12は基板32の中に配置され、電界プログラム可能双安定素子14a〜14cは、それぞれメモリ・アレイ56の層64a〜64cに配置される。メモリ・アレイ56の各々の層64a〜64cは、基板32の中または上に配置されたアクセス・トランジスタ12および層64の電界プログラム可能双安定素子14を有する複数のメモリ・セル10aa〜10xxを効果的に含む。(図11Bを参照)。
注意すべきは、前述したように、トランジスタ12は、単結晶基板に対して異なった(たとえば、「より高い」)平面または層中に製造、形成、配置、および/または設置されてよいことである。この点に関して、トランジスタ12は、ポリシリコン、アモルファス・シリコン、または他の非結晶物質から、またはその中で製造されてよい。この状況では、1つまたは複数の層が、(基板に加えて、または基板の代わりに)アクセス・トランジスタ(および/または周辺回路)を含みうるメモリの3次元アレイが製造されてよい。(たとえば、図23A〜図23Cの層68を参照)。したがって、電界プログラム可能双安定素子14は、そのようなトランジスタの上および/または下にある層または平面中に形成、配置、および/または設置されてよい。更に、トランジスタ12は、トランジスタ12が形成、配置、および/または置かれる層および/または平面の上および/または下にある層または平面中に形成、配置、および/または置かれた電界プログラム可能双安定素子14に関連づけられてよい。(たとえば、図23Bおよび図23Cを参照)。
図11Aおよび図11Bのメモリの3次元アレイ56のメモリ・セル10は、既知であるか後で開発されるかを問わず、任意のアーキテクチャまたはレイアウトで配列または構成されてよい。たとえば、サブアレイおよび/またはサブアレイ・セクションの方位は3次元または2次元であってよい(垂直面または水平面のいずれか)。このようにして、サブアレイおよび/またはサブアレイ・セクションの方位は、アドレシング、読み出し、書き込み、および/または消去動作を向上、たとえば、生起させるように選択されてよい。
更に、サブアレイおよび/またはサブアレイ・セクションの方位は、周辺回路を最少にするように選択されてよい。たとえば、サブアレイは基板32の表面に直角の垂直面で定義されてよく、周辺回路は基板32の大部分の区域に配置され、その区域を消費することができる。
メモリ・セル10a〜10nの書き込みまたはプログラミング動作は、アクセス・トランジスタ12および信号線24a〜24nへ制御電圧を印加し、それによってアクセス・トランジスタ12を動作可能またはオンにし、電界プログラム可能双安定素子14に適切なデータ状態を記憶することによって実行される。図12Aを参照すると、メモリ・セル10aのデータ状態は、たとえば、電界プログラム可能双安定素子14aをセンス/プログラム信号線26へ結合し、プログラミング回路52および参照電圧回路48を介して電界プログラム可能双安定素子14aの電界プログラム可能薄膜に適切な電圧を印加することによってプログラムされてよい。この点に関して、メモリ・セル選択回路42は、信号線22に適切な正電圧を印加することによって(Nチャネル・トランジスタの場合)、アクセス・トランジスタ12を可動にするかオンにする。このようにして、電界プログラム可能双安定素子14aは、センス/プログラム信号線26へ電気的に結合される。
その後で、アクセス・トランジスタ12が「オン」である間、プログラミング回路52は適切な電圧(参照電圧回路48によって信号線24に印加される電圧との関連で)を印加し、電界プログラム可能双安定素子14aに論理高または論理低のいずれかを記憶する。たとえば、1つの実施形態において(たとえば、図2の例示的薄膜の電流・電圧特性を参照)、電界プログラム可能双安定素子14aの電界プログラム可能薄膜に約4.5ボルトの電圧差を提供または印加すると、論理高が記憶される。対照的に、電界プログラム可能双安定素子14aの電界プログラム可能薄膜に約2ボルトの電圧差を提供または印加すると、論理高が消去され、それによって論理低が記憶される。2ボルトの電圧差は、制御信号線24および26へ適切な電圧を印加することによって提供されてよい。(たとえば、図7Cおよび図7Dを参照)。
図12Bを参照すると、1つの実施形態において、メモリ・セル10aのデータ状態は、アクセス・トランジスタ12を可動または最初に「オン」にすることによって(メモリ・セル選択回路42を介して信号線22に制御信号を印加することによって)読み出される。これは、電界プログラム可能双安定素子14aを(アクセス・トランジスタ12を介して)センス/プログラム信号線26へ電気的に結合する。注意すべきは、参照電圧(たとえば、グラウンド)が、参照電圧回路48によって信号線24aへ印加されることである。
前述したように、センス増幅器44(たとえば、従来のクロスカップル型センス増幅器)は、メモリ・セル10のデータ状態を検出するためセンス/プログラム信号線26へ接続される。説明を簡単にするため、それらの説明は反復されないが要約される。センス増幅器44は電圧または電流ベースの増幅器であってよい。センス増幅器44は、入力44aおよび44bに印加された電圧または電流を比較することによって、メモリ・セル10aのデータ状態を検出する。たとえば、センス増幅器44の入力44aへ印加される電圧は、電界プログラム可能双安定素子14aの抵抗特性に大いに依存する。入力44bに印加された電圧は、参照回路46の出力である参照電圧に依存する。
注意すべきは、パス・ゲートおよび/または列スイッチ回路(図示されず)を使用して、アクセス・トランジスタ12(電界プログラム可能双安定素子14a)をセンス増幅器44へ選択的に接続し、メモリ・セル10aのデータ状態の読み出し動作を容易にし、および/または実現できることである。
前述したように、本発明のこの態様におけるメモリ・セル10a〜10nの読み出し、書き込み、および/または消去動作を実行するためには、多くの異なった技法(および、そのような技法を実現する回路)が存在する。全てのそのような技法、およびそのための回路は、既知であるか後で開発されるかを問わず、本発明の範囲の中に入ることを意図される。
更に、前述したように、メモリ・セル10a〜10nは、多数の異なった構成およびレイアウトを含んでよい。実際、電界プログラム可能双安定素子14a〜14cは、異なった電気特性、たとえば、異なった「オン」および/または「オフ」抵抗、書き込みおよび/または消去電圧を含んでよい。この点に関して、1つの実施形態において、電界プログラム可能双安定素子14a〜14cの各々のサイズは、或る一定の制御信号へ異なった応答を提供するように異なることができる。このようにして、電界プログラム可能双安定素子14a〜14cのデータ状態は、(逐次読み出し/書き込み/消去の実施形態と比較して)より迅速および/または同時に読み出されてよい。なぜなら、たとえば、電界プログラム可能双安定素子14a〜14cを含むメモリ・セル10の応答は異なるからである。したがって、図12Aおよび図12Bを参照すると、制御信号線24a〜24nを使用して、メモリ・セル10a〜10nへデータ状態を書き込むことができる。
図12Cおよび図12Dを参照すると、メモリ・セル10a〜10nのデータ状態を読み出すとき、制御信号線24a〜24nが同一または類似の電圧レベルに置かれ(たとえば、一緒にショートされ)、トランジスタ12が「オン」にされ、図12Cのように、結果の電流または電圧が、異なった参照入力46a〜46nを有する多数のセンス増幅器44a〜44nによって読み出されて、結果がデータ出力線(出力A〜N)に置かれうるか、図12Dのように、結果の電流または電圧がアナログ/ディジタル変換器(ADC)によって読み出されて、結果がデータ出力線(出力A〜N)に置かれうる。これらおよび他の方法は、メモリ・セル10a〜10nによって出力された多数の電圧(または電流)信号またはレベルを識別することができる。したがって、複数のメモリ・セル10に記憶されたデータ状態は、同時または逐次に読み出されてよい。
本発明のこの態様におけるメモリ・セル10a〜10nは、たとえば、図1A〜図1C、図2、図3A〜図3C、図4、図5A、および図5Bで説明および例示されるメモリ・セル10に関して前に説明したものと同一の技法および物質を使用して製造されてよい。説明を簡単にするため、それらの説明は反復されない。
更に、本発明のこの態様におけるメモリ・セル10a〜10nは、図1A〜図1C(前に説明および例示した)のメモリ・セル10の構成で配列されてよい。たとえば、図13を参照すると、電界プログラム可能双安定素子14a〜14nはゲート16へ接続されてよい。注意すべきは、この実施形態のトランジスタ12および電界プログラム可能双安定素子14a〜14nは、組み合わせられて、論理ORまたは論理NOR構成を形成することである。この実施形態において、メモリ・セル10a〜10nは、更に、スタックされたレイアウト構成を使用することができる。その場合、アクセス・トランジスタ12は基板32の中または上に配置され、電界プログラム可能双安定素子14a〜14nは電界プログラム可能薄膜40の層に配置され、これらの層はアクセス・トランジスタ12(および基板32)の上に配置される。(図14Aおよび図14Bを参照)。したがって、電界プログラム可能薄膜40の各々の層64a〜64nは、(アクセス・トランジスタ12と組み合わせられて)複数のメモリ・セル10を「効果的に」含み、アクセス・トランジスタ12は基板32の中または上に配置され、電界プログラム可能双安定素子14は層64の中に配置される。(たとえば、図11B、図14A、および図14Bを参照)。
図13のメモリ・セル10a〜10nは、電界プログラム可能双安定素子14の電界プログラム可能薄膜40に印加される電圧を選択的に制御することによってプログラムされてよい。この点に関して、メモリ・セル選択回路42は、信号線22a〜22nに制御信号を印加して、電界プログラム可能双安定素子14a〜14nのデータ状態(または、記憶された情報)のプログラミング(および、読み出し)を容易にする。具体的には、図15Aおよび図15Bを参照すると、メモリ・セル10は、1つまたは複数の信号線22a〜22nへ(所定の電圧レベルを有する)第1の制御信号を印加することによって選択的にプログラムされる。(所定の電圧レベルを有する)第2の制御信号は、プログラミング回路52によってノード66に印加される。図2を参照すると、1つの実施形態において、メモリ・セル選択回路42およびプログラミング回路52は、適切な電圧を印加して、1つまたは複数の選択されたメモリ・セルに論理高または論理低のいずれかを記憶する。この点に関して、電界プログラム可能薄膜40に約4.5ボルトの電圧差を提供または印加すると、電界プログラム可能双安定素子14に論理高が記憶される。対照的に、電界プログラム可能薄膜に約2ボルトの電圧差を提供または印加すると、論理高が消去され、それよって電界プログラム可能双安定素子14に論理低が記憶される。2ボルトの電圧差は、制御信号線24および26へ適切な電圧を印加することによって提供されてよい。注意すべきは、メモリ・セル10a〜10nは、直列または並列にプログラムされてよいことである。
図13のメモリ・セル10a〜10nに記憶されたデータ状態は、メモリ・セル選択回路42によって信号線22へ印加される制御信号によってメモリ・セル10a〜10nを選択または可動にし、アクセス・トランジスタ12の電流または電圧応答をセンスすることによって読み出されてよい。具体的には、図15Cを参照すると、1つの実施形態において、たとえば、メモリ・セル10aのデータ状態は、メモリ・セル選択回路42を介して信号線22aに読み出し電圧を印加することによって読み出されてよい。メモリ・セル選択回路42は、電界プログラム可能双安定素子14aに記憶されたデータ状態(即ち、前にプログラムされた電界プログラム可能薄膜の抵抗特性に起因する)を表す電圧をアクセス・トランジスタ12のゲート16に印加する。アクセス・トランジスタ12のゲート16の電圧はアクセス・トランジスタ12の動作特性を決定し、これは(ノード44aを介して)センス増幅器44へ印加されてセンスされる。
センス増幅器44(たとえば、従来のクロスカップル型センス増幅器)は、メモリ・セル10のデータ状態を検出する。この点に関して、1つの実施形態において、センス増幅器44は、入力44aおよび44bに印加された電圧を比較することによって、メモリ・セル10のデータ状態を検出する。センス増幅器44の入力44aへ印加される電圧は、少なくとも大いに、電界プログラム可能双安定素子14aの抵抗特性に依存し、そのインパクトはアクセス・トランジスタ12の動作特性に依存する。入力44bに印加される電圧は、参照回路46の出力である参照電圧に依存する。
前述したように、参照回路46は電圧参照または電流源であってよく、参照電圧回路48は、1つの実施形態において、安定した参照電圧(たとえば、この実施形態では、Nチャネル型トランジスタであるアクセス・トランジスタ12をオンにするか可動にするため、安定および高度に制御可能な正電圧)を提供する回路であってよい。説明を簡単にするため、それらの説明は、ここでは反復されない。
注意すべきは、メモリ・セル10a〜10nのデータ状態を読み出すために使用される回路(たとえば、センス増幅器44および参照回路46)は、周知の回路、構成、および技法を使用してよいことである。メモリ・セル10a〜10nのデータ状態をセンス、サンプリング、検出、または決定する任意の回路、アーキテクチャ、または技法は、既知であるか後で開発されるかを問わず、本発明の範囲の中に入ることを意図される。
注意すべきは、パス・ゲートおよび/または列スイッチ回路(図示されず)を使用して、アクセス・トランジスタ12(電界プログラム可能双安定素子14a)をセンス増幅器44へ選択的に接続し、メモリ・セル10のデータ状態の読み出し動作を容易にし、および/または実現してよいことである。
他の態様では、本発明は相補的データ状態を記憶するように構成された複数のメモリ・セルを有する差動メモリ・セルを含む。この点に関して、図16を参照すると、差動メモリ・セル100は第1のメモリ・セル10aおよび第2のメモリ・セル10bを含み、第1のメモリ・セル10aは第2のメモリ・セル10bに対して相補的状態を維持する。メモリ・セル10aおよび10bの各々は、アクセス・トランジスタ12および電界プログラム可能双安定素子14を含む。したがって、プログラムされたとき、メモリ・セルの1つ(たとえば、10a)は論理低を記憶し、他方のメモリ・セル(この例では、10b)は論理高を記憶する。
差動メモリ・セル100のメモリ・セル10aおよび10bは、本明細書で記載される本発明の態様のいずれかの実施形態に関して説明および例示されたように、製造、構成、および/または制御されてよい。更に、メモリ・セル10aおよび10bは、本明細書で記載される本発明の態様のいずれかの実施形態に関して説明および例示されたようなレイアウトを含んでよい。(たとえば、図18A〜図18Cを参照)。説明を簡単にするため、それらの詳細、説明、および例示は反復されない。
簡単に言えば、2トランジスタ差動メモリ・セル100のデータ状態は、差動メモリ・セル100の各々のセル10に記憶された論理状態をサンプリング、センス、測定、および/または検出することによって読み出され、および/または決定されてよい。即ち、メモリ・セル100は、電界プログラム可能双安定素子14aおよび14bに記憶または呈示された抵抗値の差をサンプリング、センス、測定、および/または検出することによって読み出されてよい。メモリ・セル100の第1の論理状態では、メモリ・セル10aは論理低を記憶し、メモリ・セル10bは論理高を記憶する。対照的に、差動メモリ・セル100の第2の論理状態では、メモリ・セル10aは論理高を記憶し、メモリ・セル10bは論理低を記憶する。抵抗値の差は、電流または電圧ベースの技法を使用してサンプリング、センス、測定、および/または検出されてよい。
図16および図17Aの参照を続けると、差動メモリ・セル100の状態は、センス増幅器(比較器)44によって読み出され、および/または決定されてよい。センス増幅器44は、電圧または電流型比較器(たとえば、クロスカップル型センス増幅器)であってよい。この点に関して、センス増幅器44は、電流または電圧を比較する(これは、電界プログラム可能双安定素子14aおよび14bに記憶または呈示された抵抗値に依存する)。センス増幅器44によってセンスされた電流または電圧は、メモリ・セル10aおよび10bに記憶された異なる論理状態を表す。
したがって、本発明のこの態様の差動メモリ・セル100は、本発明の他の態様のメモリ・セル10と比較して幾つかの利点を含みうる。それらの利点の中には、たとえば、(i)論理状態はメモリ・セル10aおよび10bの状態の差によって決定されるので、読み出し動作はバイナリ状態の値の変動に敏感でないこと、(ii)たとえば、図6の参照回路46は必ずしも必要ではないこと、(iii)差動メモリ・セル100は、より大きい読み出し窓を含みうること(たとえば、図1A〜図1Cに関して説明されたメモリ・セルと比較して)が含まれる。
図17Bを参照すると、1つの実施形態において、アクセス・トランジスタ12aおよび12bが「オン」である間、プログラミング回路52は適切な電圧を印加し(逐次的にまたは同時に)、論理高または論理低のいずれかを記憶する。この点に関して、図2を参照すると、電界プログラム可能薄膜40に約4.5ボルトの電圧差を提供または印加することは、電界プログラム可能双安定素子14に論理高を記憶する。対照的に、電界プログラム可能薄膜に約−2ボルトの電圧差を提供または印加することは、論理高を消去し、それによって電界プログラム可能双安定素子14に論理低を記憶する。これは、制御信号線24および26を介して、電界プログラム可能双安定素子14へ、そのような電圧差を印加することによって提供されてよい。
1つの実施形態において、メモリ・セル10aおよび10bは同一または類似の特性を有する。メモリ・セル10aおよび10bが同一または類似の特性を有するように設計された場合、メモリ・セル10aおよび10bを物理的または空間的に接近させて置くことが有利でありうる。こうして、製造中に、メモリ・セル10aおよび10bは、プロセス変動または差が、ほとんどまたは全くないように製造され、したがって(i)メモリ・セル10aおよび10bのアクセス・トランジスタ12aおよび12bは、それぞれ同一または類似の電気的、物理的、ドーピング濃度および/またはプロフィール特性を有するようになり、(ii)メモリ・セル10aおよび10bの電界プログラム可能双安定素子14aおよび14bは、それぞれ同一または類似の電気的特性を有するようになる。実際、メモリ・セル100のメモリ・セル10aおよび10bは、温度および時間について同一または類似の様式で変化するようになる。
メモリ・デバイスは、差動メモリ・セル100のアレイを含むことができる(即ち、反復パターンで配列された複数のメモリ・セル)。(たとえば、図22Aおよび図22Bを参照)。メモリ・セル100は、多くの異なった方法でアレイ内に配列されてよい。たとえば、メモリ・セル100は、複数の層64を有するスタック構成で製造されてよい。層の各々は、本発明の第2の態様に関して前に説明した「共有」または共通アクセス・トランジスタへ結合された電界プログラム可能双安定素子を含む。(図22Aを参照)。この実施形態において、電界プログラム可能薄膜40の各々の層は、(共有アクセス・トランジスタ12と組み合わせられて)複数のメモリ・セル100aa〜100xxを「効果的に」含み、アクセス・トランジスタ12は基板32の中または上に配置され、電界プログラム可能双安定素子14は複数の層64の1つに配置される。
1つの実施形態において、差動メモリ・セル100は、アクセス・トランジスタおよび第1の層64aに配置された電界プログラム可能双安定素子を含んで成る第1のメモリ・セルを含みうる。メモリ・セル100は、同一のアクセス・トランジスタおよび第2の層64bに配置された電界プログラム可能双安定素子を含んで成る第2のメモリ・セルを含みうる。(たとえば、図10A、図10B、図14A、および図14Bのレイアウトを参照)。このようにして、差動メモリ・セル100のメモリ・セルは、空間的に相互に近接して置かれる。これは、第1および第2のメモリ・セルの間の環境(即ち、温度)および/またはプロセス変動を最小にし、低減し、または除去することができる。なぜなら、各々のメモリ・セルは共通のアクセス・トランジスタを含み、差動メモリ・セル100の電界プログラム可能双安定素子は隣接層64に置かれるからである。
他の実施形態では、差動メモリ・セル100は、(1)アクセス・トランジスタおよび電界プログラム可能薄膜の第1の層に配置された電界プログラム可能双安定素子を含んで成る第1のメモリ・セル、(2)第1のメモリ・セルのアクセス・トランジスタに隣接したアクセス・トランジスタおよび電界プログラム可能薄膜の第1の層に配置された電界プログラム可能双安定素子を含んで成る第2のメモリ・セルを含みうる。このようにして、差動メモリ・セル100のメモリ・セルは、空間的に相互に近接して置かれる。これは、前述したように、第1および第2のメモリ・セルの構成部分の間の環境(即ち、温度)および/またはプロセス変動を最小にし、低減し、または除去することができる。
更に、前述したように、トランジスタ12は、基板32とは異なった(たとえば、「より高い」)平面または層で製造、形成、配置、および/または設置されてよい。この点に関して、トランジスタ12は、ポリシリコン、アモルファス・シリコン、または他の非結晶物質から、またはそれらの中に製造されてよい。この状況では、1つまたは複数の層(基板に加えて、または基板の代わりに)がトランジスタを含みうるメモリの3次元アレイが製造されうる。(たとえば、図23A〜図23Cの層68を参照)。したがって、電界プログラム可能双安定素子14は、そのようなトランジスタの上および/または下にある層または平面で形成、配置、および/または設置されてよい。(たとえば、図23Bおよび図23Cを参照)。
実際、ポリシリコン層の中に配置または製造されたトランジスタの動作特性を向上させるため、基板の上に配置されたポリシリコン層を再結晶化することが有利であろう。このようにして、メモリの3次元アレイは、(基板に加えて、または基板の代わりに)1つまたは複数の単結晶シリコンまたは半導体層を含むことができ、そのような層の中にトランジスタが配置または製造される。
注意すべきは、メモリ・デバイスのメモリ・セル100は、更に、非スタック構成で製造されてよいことである。非スタック構成では、単一の層64に配置された電界プログラム可能双安定素子が、基板32に配置された関連アクセス・トランジスタへ結合される。(図22Bを参照)。
電界プログラム可能双安定素子に関連づけられたアクセス・トランジスタの全てのレイアウト構成は、既知であるか後で開発されるかを問わず、本発明の範囲の中にあることを意図される。(たとえば、図16および図18A〜図18Cを参照)。たとえば、1つのレイアウトにおいて、メモリ・セル10aおよび10bは、それぞれ別個のセンス線24aおよび24bを有するように構成される。(図16と図18Aとを比較されたい)。
他の実施形態において、差動メモリ・セルは複数のメモリ・セルを含むことができ、これらのメモリ・セルは、1つのアクセス・トランジスタおよび2つ以上の電界プログラム可能双安定素子14を含んで成り、相補的データ状態を記憶するように構成される。この点に関して、図19を参照すると、差動メモリ・セル100は第1のメモリ・セル10aおよび第2のメモリ・セル10bを含み、第1のメモリ・セル10aは第2のメモリ・セル10bに対して相補的状態を維持する。メモリ・セル10aおよび10bはアクセス・トランジスタ12を「共有」する。更に、メモリ・セル10aおよび10bの各々は、それぞれ電界プログラム可能双安定素子14aおよび14bを含む。
注意すべきは、図19の差動メモリ・セル100は、図16で示されたメモリ・セル100よりも稠密またはコンパクトなメモリ・セルを呈示することである(アクセス・トランジスタの共有に起因する)。
図19の参照を続けると、差動メモリ・セル100のメモリ・セル10aおよび10bは、本発明のいずれかの態様の実施形態に関して説明および例示されたようにして、製造、構成、および/または制御されてよい。更に、メモリ・セル10aおよび10bは、本明細書に記載される本発明のいずれかの態様の実施形態に関して説明および例示されたようなレイアウトおよび構成を含んでよい。(たとえば、図9〜図18Cを参照)。この点に関して、電界プログラム可能双安定素子14aおよび14bは、ゲート16、ドレイン20へ接続され、または図19で例示されるようにソース18へ接続されてよい。説明を簡単にするため、それらの詳細、説明、および例示は反復されない。
図16の差動メモリ・セル100の読み出し、プログラム、および消去動作に関する説明は、図19で示された差動メモリ・セル100へ等しく適用される。説明を簡単にするため、それらの説明は反復されないが、簡単に要約される。
図20Aを参照すると、1つのトランジスタ差動メモリ・セル100のデータ状態は、各々のメモリ・セル10aおよびメモリ・セル10bに記憶された論理状態をサンプリング、センス、測定、および/または検出することによって読み出され、および/または決定されてよい。即ち、メモリ・セル100は、電界プログラム可能双安定素子14aおよび14bに記憶または呈示された抵抗値の差をサンプリング、センス、測定、および/または検出することによって読み出されてよい。この点に関して、1つの実施形態において、制御信号線22はVppへ起こされ(メモリ選択回路42を介して)、制御信号線24は0Vに維持される。0Vは(参照電圧回路48を介する)共通電圧および/または参照電圧である(たとえば、図7Aを参照)。抵抗値の差は、電流または電圧ベースの技法を使用して(センス増幅器44を介して)サンプリング、センス、測定、および/または検出されてよい。注意すべきは、メモリ・セル100の第1の論理状態では、メモリ・セル10aは論理低を記憶し、メモリ・セル10bは論理高を記憶することである。対照的に、差動メモリ・セル100の第2の論理状態では、メモリ・セル10aは論理高を記憶し、メモリ・セル10bは論理低を記憶する。
図20Bを参照すると、1つの実施形態において、1つのトランジスタ差動メモリ・セル100のデータ状態は、アクセス・トランジスタ12を「オン」にし(メモリ選択回路42および参照電圧回路48を介して)、順次または同時に、適切な電圧を制御信号線26aおよび26bへ印加し(プログラミング回路52を介して)、論理高または論理低のいずれかを記憶することによってプログラムおよび/または消去されてよい。たとえば、トランジスタ12のゲート16へV+を印加し(メモリ選択回路42を介して)、ソース18へ0Vまたは共通電圧を印加しながら(参照電圧回路48を介して)、信号線26aへ4.5Vを印加し、信号線26bへ2.5Vを印加したことに応答して、論理高が差動メモリ・セル100に記憶される。対照的に、トランジスタ12のゲート16へV+を印加し(メモリ選択回路42を介して)、ソース18へ0Vを印加しながら(参照電圧回路48を介して)、信号線26aへ2.5Vを印加し、信号線26bへ4.5Vを印加したことに応答して、論理低が差動メモリ・セル100に記憶される。
再び、図16の差動メモリ・セル100の読み出し、プログラム、および消去動作に関する説明は、図19に例示される差動メモリ・セル100へ等しく適用可能である。
他の態様において、本発明は相補的メモリ・セルを含み、相補的メモリ・セルは、Nチャネル型メモリ・セルおよびPチャネル型メモリ・セルを有し、少なくとも4つの異なったデータ状態を記憶する。この点に関して、図21A〜図21Cを参照すると、相補的メモリ・セル200は、Nチャネル・アクセス・トランジスタ12aおよび電界プログラム可能双安定素子14aを有する第1のメモリ・セル10a、およびPチャネル・アクセス・トランジスタ12bおよび電界プログラム可能双安定素子14bを有する第2のメモリ・セル10bを含む。この実施形態では、Nチャネル・アクセス・トランジスタ12aおよびPチャネル・アクセス・トランジスタ12bのゲート16aおよび16bは、それぞれ共通信号(ワード)線22によって一緒に接続および/または制御される。
相補的メモリ・セル200のメモリ・セル10aおよび10bは、本明細書に記載される本発明のいずれかの態様の実施形態に関して説明および例示されたようにして、製造、構成、および/または制御されてよい。更に、メモリ・セル10aおよび10bは、本明細書に記載される本発明のいずれかの態様の実施形態に関して説明および例示されたようなレイアウトを含んでよい。説明を簡単にするため、それらの詳細、説明および例示は反復されない。
簡単に言えば、2トランジスタ相補的メモリ・セル200のデータ状態は、相補的メモリ・セル200の各々のメモリ・セル10に記憶された論理状態をサンプリング、センス、測定、および/または検出することによって読み出され、および/または決定されてよい。即ち、相補的メモリ・セル200は、電界プログラム可能双安定素子14aおよび14bに記憶または呈示された抵抗値の差をサンプリング、センス、測定、および/または検出することによって読み出されてよい。
相補的メモリ・セル200の状態は、センス増幅器(比較器)によって読み出され、および/または決定されてよい。このセンス増幅器は電圧または電流型の比較器(たとえば、クロスカップル型センス増幅器)であってよい。この点に関して、センス増幅器は、メモリ・セル12aまたは12bの1つ(これは、電界プログラム可能双安定素子14aおよび14bに記憶または呈示された抵抗値に依存する)の電流または電圧を、(たとえば、参照回路46を介して提供された)参照電圧または電流と比較する。センス増幅器44によってセンスされた電流または電圧は、メモリ・セル10aおよび10bに記憶された異なる論理状態を表す。
具体的には、メモリ・セル10aは、アクセス・トランジスタ12aのゲートへの印加Vppを起こし(制御信号線22を介して)、トランジスタ12aを「オン」にすることによって読み出されてよい。このようにして、電界プログラム可能薄膜14aの抵抗はセンス増幅器44によってセンスされてよい。アクセス・トランジスタ12bのゲートへ低電圧(たとえば、0ボルトまたはグラウンド/共通)を印加し、トランジスタ12bを「オン」にすることによって、メモリ・セル12bが読み出されてよい。このようにして、電界プログラム可能薄膜14bの抵抗は、センス増幅器44によってセンスされてよい。
相補的メモリ・セル200の状態は、アクセス・トランジスタ12aおよび12bの1つが「オン」である間に、適切な電圧を印加して論理高または論理低のいずれかを記憶することによって、プログラミング回路52によって書き込まれるか消去されてよい。この点に関して、制御信号線22はVppへ起こされてアクセス・トランジスタ12aを「オン」にし、電界プログラム可能薄膜40に約4.5ボルトの電圧差を提供または印加することによって、論理高が電界プログラム可能双安定素子14aに記憶されてよい(図2を参照)。対照的に、電界プログラム可能薄膜14aに約2ボルトの逆電圧差を提供または印加する(トランジスタ12aが「オン」である間に)ことは、論理高を消去し、それによって電界プログラム可能双安定素子14aに論理低が記憶される。2ボルトの電圧差は、制御信号線24および26へ印加される電圧を制御することによって提供されてよい。
アクセス・トランジスタ12bのゲート16bへ(制御信号線22を介して)十分に低い電圧(たとえば、0ボルト)を印加してアクセス・トランジスタ12bを「オン」にし、電界プログラム可能薄膜40に約4.5ボルトの電圧差を提供または印加することによって、論理高が電界プログラム可能双安定素子14bに記憶されてよい。(図2を参照)。代替的に(トランジスタ12bが「オン」である間に)、電界プログラム可能薄膜14bに約2ボルトの電圧差を提供または印加することによって、電界プログラム可能双安定素子14bの中に論理低が記憶されてよい(または、論理高が消去されてよい)。前述したように、2ボルトの電圧差は、制御信号線24および26へ印加される電圧を制御することによって提供されてよい。
前述した差動メモリ・セル100のアレイを有するメモリ・デバイスと同じように、メモリ・デバイスは、相補的メモリ・セル200のアレイ(即ち、反復パターンで配列された複数のメモリ・セル)を含んでよい。(たとえば、図22Cおよび図22Dを参照)。相補的メモリ・セル200は、多くの異なった様式でアレイへ配列されてよい。たとえば、相補的メモリ・セル200は複数の層64を有するスタック構成で製造されてよい。複数の層64の各々は、本発明の第2の態様に関して前に説明したように、対応するアクセス・トランジスタへ結合された電界プログラム可能双安定素子を含む。(図22Cを参照)。この実施形態では、電界プログラム可能薄膜40の各々の層は、(アクセス・トランジスタ12と一緒になって)複数のメモリ・セル200aa〜200xxを「効果的に」含み、アクセス・トランジスタ12(NチャネルおよびPチャネルの双方)は基板32の中または上に配置され、電界プログラム可能双安定素子14は複数の層64の1つに配置される。
更に、前述したように、トランジスタ12は、基板32とは異なった(たとえば、「より高い」)平面または層に製造、形成、配置、および/または設置されてよい。この点に関して、トランジスタ12は、ポリシリコン、アモルファス・シリコン、または他の非結晶物質から、またはそれらの中に製造されてよい。この状況では、1つまたは複数の層(基板に加えて、または基板の代わりに)がトランジスタを含みうるメモリの3次元アレイが製造されうる。(たとえば、図23A〜図23Cの層68を参照)。したがって、電界プログラム可能双安定素子14は、そのようなトランジスタの上および/または下にある層または平面に形成、配置、および/または設置されてよい。更に、1つの層または複数の層(たとえば、基板32、または基板32の上または下)の中にNチャネル・アクセス・トランジスタを製造し、1つまたは複数の異なった層(たとえば、基板32、または基板32の上または下)の中にPチャネル・アクセス・トランジスタを製造するのが有利であろう。
注意すべきは、メモリ・デバイスのメモリ・セル200が非スタック構成で製造されてよいことである。非スタック構成では、単一の層64の中に配置された電界プログラム可能双安定素子が、基板32の中に配置された関連アクセス・トランジスタへ結合される。(図22Dを参照)。電界プログラム可能双安定素子に関連づけられたアクセス・トランジスタ(NチャネルまたはPチャネル型のアクセス・トランジスタのいずれか)の全てのレイアウト構成は、既知であるか後で開発されるかを問わず、本発明の中に入ることを意図される。(たとえば、図21A〜図21Eを参照)。
本発明の或る種の実施形態、特徴、物質、構成、属性、および利点が説明および例示されたが、本発明の多くの他の、また異なったおよび/または類似の実施形態、特徴、物質、構成、属性、構造、および利点が、説明、例示、およびクレイムから明らかであることを理解すべきである。したがって、ここで説明および例示された本発明の実施形態、特徴、物質、構成、属性、構造、および利点は全部を尽くされたものではなく、本発明のそのような他の類似した、および異なった実施形態、特徴、物質、構成、属性、構造、および利点は、本発明の範囲の中に入ることを理解すべきである。
たとえば、前述したメモリ・セル10(およびメモリ・セル100)の電界プログラム可能薄膜40は、複数の薄膜を含むことができる。即ち、電界プログラム可能薄膜40は、電界プログラム可能薄膜の特許文献4で説明されている2つの分離/層状電界プログラム可能薄膜を含むことができる。
更に、この説明のかなりの部分が、Nチャネル・アクセス・トランジスタに向けられた詳細(たとえば、消去、書き込み、および読み出し電圧)を含むが、ここで説明される本発明(および、その実施形態)は、Pチャネル・アクセス・トランジスタへ全面的に適用可能である。更に、メモリ・アレイの周辺にある回路(たとえば、ここでは例示されないワード線デコーダ/ドライバ、および比較器)は、Pチャネルおよび/またはNチャネル型トランジスタを含んでよい。そのようなトランジスタを制御する電圧は、この開示に照らして当技術分野で周知である。したがって、説明を簡単にするため、それらの説明は反復されない。
更に、前述したように、メモリ・セル10およびメモリ・セル100からデータを読み出し、データを書き込む多くの異なった技法(および、そのような技法を実現する回路)が存在する。全てのそのような技法、およびそのための回路は、既知であるか後で開発されるかを問わず、本発明の範囲に入ることを意図される。たとえば、別個のワード信号線22を含ませることによって、図17Aおよび図17Bのメモリ・セル100の電界プログラム可能双安定素子14aおよび/または14bについて、読み出しおよび書き込み動作、または読み出しおよび消去動作を順次または並行に(および独立して)実行してよい。
前述したように、トランジスタおよび電極は、標準の製造技法(たとえば、スピンオン、スパッタリング、蒸着、およびフォトリソグラフィ)を使用して製造されてよい。しかし、非標準製造技法も使用されてよい。そのような非標準または非従来的技法は、電気的にプログラム可能な薄膜および電極構造を作成、提供、および/または形成するのに有利であろう。たとえば、ナノ・インプリンティング、パッチ・ダイ・コーティング、スロットまたは突き出しコーティング、スライドまたはカスケード・コーティング、カーテン・コーティング、ロール・コーティング、たとえば、ナイフ・オーバー・ロール(ドクター・ブレード)コーティング、順方向および逆方向ロール・コーティング、グラビア・コーティング、ディップ・コーティング、スプレー・コーティング、メニスカス・コーティング、スピン・コーティング、ブラッシュ・コーティング、エア・ナイフ・コーティング、シルク・スクリーン・プリンティング・プロセス、静電プリンティング・プロセス、熱プリンティング・プロセス、インクジェット・プリンティング・プロセス、直接移転、たとえば、キャリアからのレーザ支援切除、自己アセンブリまたは直接成長、電解堆積、非電解堆積、電解重合、CVD、MOCVD、およびPVDは、電極および/または電界プログラム可能薄膜が有利に堆積、形成、構造化、パターン化、および/または提供される全ての技法である。
電極および/または電界プログラム可能薄膜の更なる構造化またはパターン化は、リフトオフ技法、または化学的、物理的、電気的、または光分解エッチング、除去、または切除(たとえば、レーザ切除)によるパターン化によって実現および/または取得されてよい。実際、電極、電極物質、および電界プログラム可能薄膜のタイプ、組成、堆積、形成、構造化、パターン化、および修飾は、結果のデバイスの性能に影響を与えるかも知れない。したがって、性能および信頼性の見地からは、電極物質の範囲、たとえば、有機物質、無機物質、有機金属、金属、金属酸化物、チッ化物、カルコゲニド、ニクチド(pnictides)、および半導体から選択するのが有利であろう。
更に、たとえば、(1)電極、電界プログラム可能薄膜、またはこれら双方の表面を化学的に修飾することによって、および/または(2)電極、電界プログラム可能薄膜、またはこれら双方の表面を物理的に修飾することによって、および/または(3)電極と電界プログラム可能薄膜との間のコンタクトの物理特性を修飾する1つまたは複数の追加層、たとえば、結合層、拡散障壁、および/またはバッファ層を導入することによって、および/または電極と電界プログラム可能薄膜との間のコンタクトの電気特性を修飾する1つまたは複数の追加層、たとえば、特定の仕事関数を有する金属または金属酸化物の層を導入することによって、1つまたは複数の方法で電極と電界プログラム可能薄膜との間のインタフェースを修飾、調整、および/または制御するのが有利であるかも知れない。
更に、電界プログラム可能薄膜および/または電極は、インタフェースの或る特性を改善、向上、および/または変更するため、追加物質、たとえば、フローおよびウェット助剤、接着促進剤、および/または防食剤を組み込んでよい。物質の選択および修飾は、化学的、物理的、機械的、熱的、または電気的適合性のような特性を改善し、それによってデバイスの性能を改善するように、有利に働くかも知れない。
前述したように、トランジスタ12は任意の半導体物質から、またはその中で製造されてよい。そのような半導体物質は、たとえば、炭化シリコン、ヒ化ガリウム、または有機物質、たとえば、ペンタセンを含む。(たとえば、図23A〜図23Cの層68を参照)。トランジスタ12(および、そこで使用される物質)を製造する全ての方法は、既知であるか後で開発されるかを問わず、本発明の範囲に入ることを意図される。たとえば、トランジスタ12はポリシリコンまたはアモルファス・シリコンの中で製造されてよい。そのような構成は、基板32の上に配置された1つまたは複数の層(基板に加えて、または基板の代わりに)がトランジスタ12を含みうるメモリの3次元アレイを容易にしうる。実際、ポリシリコン層の中に配置または製造されたトランジスタ12の動作特性を向上させるか密度を増進するため、基板32の上に配置されたポリシリコン層を再結晶化するのが有利であるかも知れない。
更に、他の実施形態では、複数の薄い単結晶ウェーハを結合して、複数のメモリの3次元アレイを提供することができる。このようなメモリの3次元アレイは、「基板」の「上」の層または「基板」から間隔を空けられた層に配置または製造されたトランジスタを有する。メモリの3次元アレイを提供するため、そのような薄い単結晶ウェーハ(Nチャネルおよび/またはPチャネル・トランジスタを含む)の中または間に、電界プログラム可能双安定素子14(電極38および電界プログラム可能薄膜40を含む)を配置することができる。
更に注意すべきは、「回路」の用語は、特に、能動的および/または受動的であって、所望の機能を提供または実行するため一緒に結合される単一の構成要素または複数の構成要素(集積回路形式であるかどうかを問わず)を意味しうることである。「回路」の用語は、特に、回路(集積回路形式であるかどうかを問わず)、そのような回路のグループ、プロセッサ、プロセッサ実現ソフトウェア、または回路(集積回路形式であるかどうかを問わず)の組み合わせ、そのような回路のグループ、プロセッサおよび/またはプロセッサ実現ソフトウェア、プロセッサおよび回路、および/またはプロセッサ並びに回路実現ソフトウェアを意味しうる。「データ」の用語は、特に、アナログ形式であれディジタル形式であれ、電流または電圧信号を意味しうる。「測定」の用語は、特に、サンプリング、センス、検査、検出、モニタ、および/または捕捉を意味する。「サンプリング」または「サンプル」などの語句は、特に、記録、測定、検出、モニタ、および/またはセンスすることを意味しうる。
10、10a、10b、10c、10d、10n、10aa、10xx メモリ・セル
12、12a、12b アクセス・トランジスタ
14、14a、14b、14c、14d、14n 電界プログラム可能双安定素子
16 16a、16b ゲート領域
18 18a、18b ソース領域
20、20a、20b ドレイン領域
22、22a、22b、22i、22n 信号線
24、24a、24b、24i、24n 制御信号線
26、26a、26b、26i センス/プログラム信号線、制御信号線
28、30 点
32 バルク型半導体ウェーハ
34、36 コンタクト
38、38a、38b、38c、38d、38a1、38a2、38b1、38b2、38c1、38c2、38ab、38cd 電極
40、40a、40b、40c、40d 電界プログラム可能薄膜
42 メモリ・セル選択回路
44 センス増幅器
44a、44b 入力
44n センス増幅器
46、46a、46n 参照回路
48 参照電圧回路
52 プログラミング回路
56、56a、56b、56c、56d メモリ・アレイ
58a、58x 行
60a、60x、60a1、60a2、60x1、60x2 列
62 周辺回路
64 レイアウト、層
64a、64b、64c、64d、64e、64f、64g、64h レイアウト、層
66 ノード
68、68a、68b 層
100、100aa、100xx 差動メモリ・セル
200、200aa、200xx 相補的メモリ・セル
12、12a、12b アクセス・トランジスタ
14、14a、14b、14c、14d、14n 電界プログラム可能双安定素子
16 16a、16b ゲート領域
18 18a、18b ソース領域
20、20a、20b ドレイン領域
22、22a、22b、22i、22n 信号線
24、24a、24b、24i、24n 制御信号線
26、26a、26b、26i センス/プログラム信号線、制御信号線
28、30 点
32 バルク型半導体ウェーハ
34、36 コンタクト
38、38a、38b、38c、38d、38a1、38a2、38b1、38b2、38c1、38c2、38ab、38cd 電極
40、40a、40b、40c、40d 電界プログラム可能薄膜
42 メモリ・セル選択回路
44 センス増幅器
44a、44b 入力
44n センス増幅器
46、46a、46n 参照回路
48 参照電圧回路
52 プログラミング回路
56、56a、56b、56c、56d メモリ・アレイ
58a、58x 行
60a、60x、60a1、60a2、60x1、60x2 列
62 周辺回路
64 レイアウト、層
64a、64b、64c、64d、64e、64f、64g、64h レイアウト、層
66 ノード
68、68a、68b 層
100、100aa、100xx 差動メモリ・セル
200、200aa、200xx 相補的メモリ・セル
Claims (11)
- 少なくとも第1のデータ状態および第2のデータ状態を有するメモリ・セルであって、
半導体トランジスタ、および半導体トランジスタへ接続された電界プログラム可能双安定素子を具備し、
半導体トランジスタが、
第1の導電型を提供する不純物を有する第1の領域と、
第1の導電型を提供する不純物を有する第2の領域と、
第1の領域と第2の領域との間に配置されたボディ領域であって、第2の導電型を提供する不純物を含み、第2の導電型が第1の導電型とは異なるボディ領域と、
ボディ領域から間隔を空けられ、ボディ領域へ電気的に結合されたゲートと
を含み、
電界プログラム可能双安定素子が、
第1の電極と、
第2の電極と、
第1および第2の電極の間に配置された少なくとも1つの電界プログラム可能薄膜であって、メモリ・セルの第1のデータ状態が電界プログラム可能薄膜の第1の抵抗を表し、第2のデータ状態が電界プログラム可能薄膜の第2の抵抗を表す電界プログラム可能薄膜と
を含む
メモリ・セル。 - 第1の領域が半導体トランジスタのドレイン領域であり、第1の電極がドレイン領域へ接続される、請求項1に記載のメモリ・セル。
- 第2の領域が半導体トランジスタのソース領域であり、第1の電極がソース領域へ接続される、請求項1に記載のメモリ・セル。
- 第1の電極が半導体トランジスタのゲートへ接続される、請求項1に記載のメモリ・セル。
- 複数の電界プログラム可能双安定素子を含み、また、少なくとも第1のデータ状態および第2のデータ状態を有するメモリ・セルであって、
半導体トランジスタ、半導体トランジスタへ接続された第1の電界プログラム可能双安定素子、および半導体トランジスタへ接続された第2の電界プログラム可能双安定素子を具備し、
半導体トランジスタが、
第1の導電型を提供する不純物を有する第1の領域と、
第1の導電型を提供する不純物を有する第2の領域と、
第1の領域と第2の領域との間に配置されたボディ領域であって、第2の導電型を提供する不純物を含み、第2の導電型が第1の導電型とは異なるボディ領域と、
ボディ領域から間隔を空けられ、ボディ領域へ電気的に結合されたゲートと
を含み、
第1の電界プログラム可能双安定素子が、
第1の電極と、
第2の電極と、
第1および第2の電極の間に配置された少なくとも1つの電界プログラム可能薄膜であって、第1の抵抗状態および第2の抵抗状態を含む少なくとも2つの抵抗状態を有する電界プログラム可能薄膜と
を含み、
第2の電界プログラム可能双安定素子が、
第1の電極と、
第2の電極と、
第1および第2の電極の間に配置された少なくとも1つの電界プログラム可能薄膜であって、第1の抵抗状態および第2の抵抗状態を含む少なくとも2つの抵抗状態を有する電界プログラム可能薄膜と
を含み、
(1)第1の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第1の状態にあり、第2の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第2の状態にあるとき、メモリ・セルが第1のデータ状態にあり、(2)第1の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第2の状態にあり、第2の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第1の状態にあるとき、メモリ・セルが第2のデータ状態にある
メモリ・セル。 - 第3および第4のデータ状態を有し、
第1の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第1の状態にあり、第2の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第1の状態にあるとき、メモリ・セルが第3のデータ状態にあり、
第1の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第2の状態にあり、第2の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第2の状態にあるとき、メモリ・セルが第4のデータ状態にある、
請求項5に記載のメモリ・セル。 - 複数の半導体トランジスタおよび複数の電界プログラム可能双安定素子を含み、少なくとも第1のデータ状態および第2のデータ状態を有するメモリ・セルであって、
第1の半導体トランジスタ、第1の半導体トランジスタへ接続された第1の電界プログラム可能双安定素子、第2の半導体トランジスタ、および第2の半導体トランジスタへ接続された第2の電界プログラム可能双安定素子とを具備し、
第1の半導体トランジスタが、
第1の導電型を提供する不純物を有する第1の領域と、
第1の導電型を提供する不純物を有する第2の領域と、
第1の領域と第2の領域との間に配置されたボディ領域であって、第1の半導体トランジスタのボディ領域が、第2の導電型を提供する不純物を含み、第2の導電型が第1の導電型とは異なるボディ領域と、
第1の半導体トランジスタのボディ領域から間隔を空けられ、ボディ領域へ電気的に結合されたゲートと
を含み、
第1の電界プログラム可能双安定素子が、
第1の電極と、
第2の電極と、
第1の電極と第2の電極との間に配置された少なくとも1つの電界プログラム可能薄膜であって、第1の抵抗状態および第2の抵抗状態を含む少なくとも2つの抵抗状態を有する電界プログラム可能薄膜と
を含み、
第2の半導体トランジスタが、
第3の導電型を提供する不純物を有する第1の領域と、
第3の導電型を提供する不純物を有する第2の領域と、
第1の領域と第2の領域との間に配置されたボディ領域であって、第2の半導体トランジスタのボディ領域が、第4の導電型を提供する不純物を含み、第4の導電型が第3の導電型とは異なるボディ領域と、
第2の半導体トランジスタのボディ領域から間隔を空けられ、ボディ領域へ電気的に結合されたゲートと
を含み、
第2の電界プログラム可能双安定素子が、
第1の電極と、
第2の電極と、
第2の電界プログラム可能双安定素子の第1の電極と第2の電極との間に配置された少なくとも1つの電界プログラム可能薄膜であって、第1の抵抗状態および第2の抵抗状態を含む少なくとも2つの抵抗状態を有する、第2の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜と
を含み、
(1)第1の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第1の状態にあり、第2の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第2の状態にあるとき、メモリ・セルが第1のデータ状態にあり、(2)第1の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第2の状態にあり、第2の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第1の状態にあるとき、メモリ・セルが第2のデータ状態にある
メモリ・セル。 - 第1の半導体トランジスタのボディ領域がN型半導体物質であり、第2のトランジスタのボディ領域がP型半導体物質である、請求項7に記載のメモリ・セル。
- 第1の半導体トランジスタのボディ領域がN型半導体物質であり、第2のトランジスタのボディ領域がN型半導体物質である、請求項7に記載のメモリ・セル。
- 第1の半導体トランジスタのボディ領域がP型半導体物質であり、第2のトランジスタのボディ領域がP型半導体物質である、請求項7に記載のメモリ・セル。
- 第3および第4のデータ状態を有し、
第1の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第2の状態にあり、第2の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第2の状態にあるとき、メモリ・セルが第3のデータ状態にあり、
第1の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第1の状態にあり、第2の電界プログラム可能双安定素子の電界プログラム可能薄膜が第1の状態にあるとき、メモリ・セルが第4のデータ状態にある、
請求項7に記載のメモリ・セル。
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