JP2005268555A - 熱電素子とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 p型熱電半導体からなる複数のp型柱状素子とn型熱電半導体からなる複数のn型柱状素子と、各p型柱状素子と各n型柱状素子の両端面に設ける接合電極と、複数の基板電極を備える2枚の基板とを有し、接合電極と基板電極とを半田を介して互いに接合することで一体化される熱電素子であり、さらに隣り合う柱状素子の柱間には第1保護層を有し、第1保護層と基板の間には第2保護層を有する。
【選択図】図1
Description
分は上下に押さえ込まれる形となり強度が向上する。この場合、第2保護層は硬化収縮率の大きいものであるとさらに効果的である。
子4とで、縦溝1のピッチを同一にし、かつ一方のブロックの縦溝1幅が他方のブロックの縦隔壁2幅よりも大きくなるようにする。ここではp型熱電半導体としてBiSbTe合金の焼結体、n型熱電半導体としてBiSeTe合金の焼結体を用いた。加工は、ダイシングソーあるいはワイヤーソーなどを用いて行う。
極30の接合のために必要な部材であるので、この後説明する基板40の製造工程の最後に形成しても良い。
2 縦隔壁
3 p型櫛歯素子
4 n型櫛歯素子
5 一体化櫛歯素子
6 熱電ブロック
10 p型柱状素子
11 n型柱状素子
20 接合電極
30 基板電極
40 基板
50 半田
60 第1保護層
70 第2保護層
Claims (4)
- p型熱電半導体からなる複数のp型柱状素子とn型熱電半導体からなる複数のn型柱状素子と、前記各p型柱状素子と各n型柱状素子の両端面に設ける接合電極と、複数の基板電極を備える少なくとも2枚の基板とを有し、前記接合電極と前記基板電極とを半田を介して互いに接合することで一体化される熱電素子であり、隣り合う柱状素子の柱間には第1保護層を有し、該第1保護層と前記基板の間には第2保護層を有する熱電素子。
- 前記第1保護層と前記第2保護層は樹脂材料からなり、前記第2保護層は前記第1保護層より硬化収縮率が大きいことを特徴とする請求項1に記載の熱電素子。
- p型熱電半導体からなる複数のp型柱状素子とn型熱電半導体からなる複数のn型柱状素子とを第1保護層を介して固定する工程と、前記p型柱状素子とn型柱状素子の端面に接合電極を形成する工程と、基板に基板電極を形成する工程と、前記接合電極と前記基板電極とを所定の位置で対向させ、半田を用いて接合する工程と、前記第1保護層と前記基板との間隙に第2保護層を形成する工程とを有する熱電素子の製造方法。
- 前記第1保護層と前記第2保護層は樹脂材料からなり、前記第2保護層は前記第1保護層より硬化収縮率が大きいことを特徴とする請求項3に記載の熱電素子の製造方法。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007266138A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Yamaha Corp | 熱電モジュール |
JP2012044029A (ja) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Fujitsu Ltd | 熱電変換装置およびその製造方法 |
WO2017074002A1 (ko) * | 2015-10-27 | 2017-05-04 | 한국과학기술원 | 유연 열전소자 및 이의 제조방법 |
JP2017152715A (ja) * | 2017-04-05 | 2017-08-31 | 株式会社Kelk | 熱電発電モジュール |
US10224472B2 (en) | 2013-08-30 | 2019-03-05 | Kelk Ltd. | Thermoelectric power module |
CN113285009A (zh) * | 2021-05-26 | 2021-08-20 | 杭州大和热磁电子有限公司 | 一种通过沉积金锡焊料组装的tec及制备方法 |
EP4265333A1 (en) * | 2022-04-22 | 2023-10-25 | Epinovatech AB | A semiconductor structure and a microfluidic system thereof |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000183409A (ja) * | 1998-12-11 | 2000-06-30 | Seiko Instruments Inc | 熱電変換装置 |
JP2003008087A (ja) * | 2001-04-18 | 2003-01-10 | Suzuki Sogyo Co Ltd | 熱電素子モジュール及びその製法 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000183409A (ja) * | 1998-12-11 | 2000-06-30 | Seiko Instruments Inc | 熱電変換装置 |
JP2003008087A (ja) * | 2001-04-18 | 2003-01-10 | Suzuki Sogyo Co Ltd | 熱電素子モジュール及びその製法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007266138A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Yamaha Corp | 熱電モジュール |
JP2012044029A (ja) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Fujitsu Ltd | 熱電変換装置およびその製造方法 |
US10224472B2 (en) | 2013-08-30 | 2019-03-05 | Kelk Ltd. | Thermoelectric power module |
WO2017074002A1 (ko) * | 2015-10-27 | 2017-05-04 | 한국과학기술원 | 유연 열전소자 및 이의 제조방법 |
JP2017152715A (ja) * | 2017-04-05 | 2017-08-31 | 株式会社Kelk | 熱電発電モジュール |
CN113285009A (zh) * | 2021-05-26 | 2021-08-20 | 杭州大和热磁电子有限公司 | 一种通过沉积金锡焊料组装的tec及制备方法 |
EP4265333A1 (en) * | 2022-04-22 | 2023-10-25 | Epinovatech AB | A semiconductor structure and a microfluidic system thereof |
WO2023202993A1 (en) * | 2022-04-22 | 2023-10-26 | Epinovatech Ab | A semiconductor structure and a microfluidic system thereof |
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