JP2005260253A5 - - Google Patents
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- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005107055A JP2005260253A (ja) | 2005-04-04 | 2005-04-04 | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005107055A JP2005260253A (ja) | 2005-04-04 | 2005-04-04 | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000052436A Division JP4068781B2 (ja) | 2000-02-28 | 2000-02-28 | 半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005260253A JP2005260253A (ja) | 2005-09-22 |
| JP2005260253A5 true JP2005260253A5 (enExample) | 2007-02-01 |
Family
ID=35085611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005107055A Pending JP2005260253A (ja) | 2005-04-04 | 2005-04-04 | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2005260253A (enExample) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5088465B2 (ja) * | 2006-07-12 | 2012-12-05 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド | 不揮発性半導体メモリ |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01184949A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0225090A (ja) * | 1988-07-14 | 1990-01-26 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 片面薄銅箔張回路基板の製造法 |
| JP2615876B2 (ja) * | 1988-07-13 | 1997-06-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH03283570A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP3548984B2 (ja) * | 1991-11-14 | 2004-08-04 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH06125090A (ja) * | 1992-10-14 | 1994-05-06 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
| JP2713115B2 (ja) * | 1993-10-06 | 1998-02-16 | 日本電気株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
| JP3444687B2 (ja) * | 1995-03-13 | 2003-09-08 | 三菱電機株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
| JPH0922952A (ja) * | 1995-07-06 | 1997-01-21 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| WO1998044567A1 (en) * | 1997-03-28 | 1998-10-08 | Hitachi, Ltd. | Nonvolatile semiconductor storage device and method for manufacturing the same and semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2000031395A (ja) * | 1998-07-13 | 2000-01-28 | Nec Corp | 半導体装置とその製造方法 |
| JP2000223596A (ja) * | 1999-02-03 | 2000-08-11 | Sony Corp | 半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法 |
| JP3878361B2 (ja) * | 1999-06-29 | 2007-02-07 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
| JP3457223B2 (ja) * | 1999-07-23 | 2003-10-14 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
| JP4068781B2 (ja) * | 2000-02-28 | 2008-03-26 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造方法 |
-
2005
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