JP2005226065A - 高分子錯体化合物およびそれを用いた高分子発光素子 - Google Patents

Abstract

【課題】 三重項発光錯体の構造を高分子の側鎖に含む錯体化合物であって、発光性能に優れる化合物を提供する。
【解決手段】 下記式（１）で示される繰り返し単位を含み、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０³〜１０⁸であることを特徴とする高分子錯体化合物。

〔式中、Ａｒ¹は、酸素原子、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、リン原子、ホウ素原子、硫黄原子、セレン原子およびテルル原子からなる群から選ばれる原子を一つ以上有する２価の複素環基を表し、該Ａｒ¹は、−Ｌ―Ｘで示される基１個以上４個以下を有し、Ｘは、三重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を含む１価の基を表し、Ｌは、単結合、−Ｏ−，−Ｓ−等を表し、Ｒ¹、Ｒ²は、水素原子、アルキル基等を表し、ｎは０または１である。〕

【選択図】 なし

Description

本発明は高分子錯体化合物、及び高分子発光素子（以下高分子ＬＥＤということがある。）に関する。

発光素子の発光層に用いる発光材料として、３重項励起状態からの発光を示す金属錯体（以下、３重項発光錯体ということがある）を発光層に用いた素子が知られている。

そして、主鎖に芳香族炭化水素環を有する高分子の側鎖に、三重項発光錯体の構造を含む錯体化合物につき検討がなされており、その例として、繰り返し単位として、フルオレン構造を有する高分子化合物の側鎖に、下記のような３重項発光錯体の構造を有する化合物が知られている。
（非特許文献１）。

Ｊ.Ａｍ.Ｃｈｅｍ.Ｓｏｃ.,２００３,ｖｏｌ.１２５,Ｎｏ．３,６３６−６３７．

しかしながら、上記の高分子錯体化合物を用いた発光層を有する素子は、その発光効率等の発光性能が未だ不十分であった。
本発明の目的は、三重項発光錯体の構造を高分子の側鎖に含む錯体化合物であって、発光性能に優れる化合物を提供することにある。

本発明者等は、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、繰り返し単位として、酸素原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子、硫黄原子、セレン原子およびテルル原子からなる群から選ばれる原子を有する２価の複素環基を有し、該複素環基が、三重項発光錯体の構造を側鎖に有する高分子錯体化合物が、発光性能に優れることを見出し、本発明に到達した。

即ち本発明は、下記式（１）で示される繰り返し単位を含み、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０³〜１０⁸である高分子錯体化合物を提供するものである。

〔式中、Ａｒ¹は、酸素原子、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、リン原子、ホウ素原子、硫黄原子、セレン原子およびテルル原子からなる群から選ばれる原子を一つ以上有する２価の複素環基を表し、該Ａｒ¹は、−Ｌ―Ｘで示される基を１個以上４個以下有し、Ｘは、三重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を含む１価の基を表し、Ｌは、単結合、−Ｏ−，−Ｓ−，―ＣＯ−，−ＣＯ₂−、−ＳＯ−，―ＳＯ₂―，−ＳｉＲ³Ｒ⁴−，ＮＲ⁵−，−ＢＲ⁶−，−ＰＲ⁷−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ⁸）―、置換されていてもよいアルキレン基、置換されていてもよいアルケニレン基、置換されていてもよいアルキニレン基、置換されていてもよいアリーレン基、または置換されていてもよい２価の複素環基を表し、該アルキレン基に含まれる−ＣＨ₂−基の一つ以上が−Ｏ−、−Ｓ−、―ＣＯ−、−ＣＯ₂−、−ＳＯ−、―ＳＯ₂―、−ＳｉＲ⁹Ｒ¹⁰−、ＮＲ¹¹−、−ＢＲ¹²−、−ＰＲ¹³−および−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ¹⁴）―からなる群から選ばれる基と置き換えられていてもよく、該アルケニレン基および該アルキニレン基が−ＣＨ₂−基を含む場合、該アルケニレン基に含まれる−ＣＨ₂−基の一つ以上、および該アルキニレン基に含まれる−ＣＨ₂−基の一つ以上がそれぞれ、−Ｏ−、−Ｓ−、―ＣＯ−、−ＣＯ₂−、−ＳＯ−、―ＳＯ₂―、−ＳｉＲ⁹Ｒ¹⁰−、ＮＲ¹¹−、−ＢＲ¹²−、−ＰＲ¹³−および−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ¹⁴）―からなる群から選ばれる基と置き換えられていてもよい。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基およびシアノ基からなる群より選ばれる基を示す。Ａｒ¹は、―Ｌ−Ｘで示される基以外にさらにアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい。Ａｒ¹が複数の置換基を有する場合、それらは同一であってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。ｎは０または１である。〕

本発明の高分子錯体化合物を用いた発光素子は、発光効率等の発光性能に優れる。したがって、本発明の高分子錯体化合物は高分子ＬＥＤの発光材料などに好適に用いることができる。

本発明の高分子錯体化合物は上記式（１）で示される繰り返し単位を含み、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０³〜１０⁸であることを特徴とする。

式中、Ａｒ¹は、２価の複素環基を表し、該Ａｒ¹は、−Ｌ―Ｘで示される基を１個以上４個以下有する。

−Ｌ−ＸにおけるＸは、三重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を含む１価の基を表す。

Ｘとしては、下記式（Ｘ−１）で示されるものがあげられる。

式中、Ｍは、原子番号５０以上の原子で、スピン−軌道相互作用により本高分子錯体化合物において１重項状態と３重項状態間の項間交差を起こし得る金属を示す。Ａｒは、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子または燐原子の１つ以上を含み、該原子の１つ以上を介してＭと結合する配位子である。Ｌ¹は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、アルケン、アルキン、アミン、イミン、アミド基、酸イミド基、イソニトリル配位子、シアノ基、ホスフィン、ホスフィンオキシド配位子、亜リン酸エステル、スルホン配位子、スルホキシド配位子、スルホネート基、スルフィド、複素環配位子、カルボキシル基、カルボニル化合物およびエーテルが挙げられ、これらを組合わせた多座の配位子であってもよい。

ここにＭは、通常、原子番号５０以上の原子で、該錯体にスピン−軌道相互作用があり、１重項状態と３重項状態間の項間交差を起こしうる金属である。好ましくは金、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム、タングステン、ユーロピウム、テルビウム、ツリウム、ディスプロシウム、サマリウム、プラセオジウム、ガドリニウム、イットリビウム原子であり、より好ましくは金、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム、タングステン原子であり、さらに好ましくは金、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム原子であり、もっとも好ましくは金、白金、イリジウム、レニウム原子である。

Ａｒは、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子の１つ以上を含み、該原子の１つ以上を介してＭと結合する配位子であり、Ｌ¹がＬと結合手をもたない場合、ＡｒのＭと結合しない任意の位置に、Ｌと結合する結合手を有する。

Ａｒとしてはたとえば、ピリジン環、チオフェン環、ベンゾオキサゾール環などの複素環類やベンゼン環が結合して構成された配位子が挙げられる。
好ましいものとしては、Ａｒが、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれる２つの原子で、Ｍと結合して５員環を形成する２座配位子である場合：
フェニルピリジン、２-(パラフェニルフェニル)ピリジン、７−ブロモベンゾ[ｈ]キノリン、２−(４−チオフェン−２−イル)ピリジン、２−(４−フェニルチオフェン−２−イル)ピリジン、２−フェニルベンゾオキサゾール、２-(パラフェニルフェニル)ベンゾオキサゾール、２−フェニルベンゾチアゾール、２−(パラフェニルフェニル)ベンゾチアゾール、２−(ベンゾチオフェン−２−イル)ピリジンなど
Ａｒが、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれるいずれか３つの原子でＭと結合する３座配位子である場合：
２，２’：６’，２”−ターピリジン、１，３−ジ（２−ピリジル）ベンゼンなどが挙げられる。
Ａｒが、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれるいずれか４つの原子でＭと結合する４座配位子である場合：
４つのピロール環が環状につながった配位子である7,8,12,13,17,18-ヘキサキスエチル-21H,23H-ポルフィリンなどが挙げられる。
Ａｒは置換基を有していてもよく、その例として、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基、１価の複素環基が挙げられる。
Ａｒが、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれる２つの原子で、Ｍと結合して５員環を形成する２座配位子である場合、Ｍが少なくとも１つの炭素原子と結合するとさらに好ましく、Ａｒが下記式（９）、（１０）、（９−１）、（９−２）で示される２座配位子である時、より好ましい。

式（９）中、Ｒ^a〜Ｒ^hは、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基、１価の複素環基を示す。Ｌ¹がＬとの結合手をもたない場合、Ｒ^a〜Ｒ^hのうち少なくとも１つはＬとの結合手である。

式（１０）中、ＴはＳまたはＯであり、Ｒⁱ〜Ｒⁿは、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基、１価の複素環基を示す。また、ＲⁱとＲ^jは環を形成していても良く、その場合、縮環したベンゼン環であってもよい。Ｌ¹がＬとの結合手をもたない場合、Ｒⁱ〜Ｒ^jのうち少なくとも１つはＬとの結合手である。また、ＲⁱとＲ^jは環を形成していても良く、その場合、縮環したベンゼン環であってもよい場合、縮環したベンゼン環上の置換基の少なくとも１つがＬとの結合手であってもよい。

式（９−１）中、Ｒ^a1〜Ｒ^j1は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基、１価の複素環基を示す。Ｌ¹がＬとの結合手をもたない場合、Ｒ^a1〜Ｒ^j1のうち少なくとも１つはＬとの結合手である。

式（９−２）中、Ｒ^a2〜Ｒ^j2は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基、１価の複素環基を示す。Ｌ¹がＬとの結合手をもたない場合、Ｒ^a2〜Ｒ^j2のうち少なくとも１つはＬとの結合手である。

Ａｒが、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれるいずれか３つの原子でＭと結合する３座配位子である場合、Ａｒが下記式（９−３）または（９−４）で示される３座配位子である時、より好ましい。

式（９−３）中、Ｒ^a3〜Ｒ^k3は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基、１価の複素環基を示す。Ｌ¹がＬとの結合手をもたない場合、Ｒ^a3〜Ｒ^k3のうち少なくとも１つはＬとの結合手である。

式（９−４）中、Ｒ^a4〜Ｒ^k4は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基、１価の複素環基を示す。Ｌ¹がＬとの結合手をもたない場合、Ｒ^a4〜Ｒ^k4のうち少なくとも１つはＬとの結合手である。

Ａｒとしては、以下のものが例示される。

ここに、Ｒ’’は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基、１価の複素環基を示す。Ｒ’’は互いに結合して環を形成してもよい。溶媒への溶解性を高めるために、Ｒ’’の少なくとも１つが長鎖のアルキル基を含むことが好ましい。但し、ＡｒがＬとの結合手をもつ場合、Ｒ"の少なくとも１つがＬとの結合手であってもよい。

Ｒ’’におけるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、よう素が例示される。

アルキル基としては、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、 ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが挙げられ、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。

アルコキシ基としては、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基などが挙げられ、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。

アルキルチオ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、 ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、 ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、シクロペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基などが挙げられ、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。

アリール基は、置換基を有していてもよく、炭素数は通常６〜６０程度であり、具体的には、フェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基（Ｃ₁〜Ｃ₁₂は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ペンタフルオロフェニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基が好ましい。

アリールオキシ基としては、芳香環上に置換基を有していてもよく、炭素数は通常６〜６０程度であり、具体的には、フェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基、ピリジルオキシ基、ピリダジニルオキシ基、ピリミジルオキシ基、ピラジルオキシ基、トリアジルオキシ基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基が好ましい。

アリールチオ基としては、芳香環上に置換基を有していてもよく、炭素数は通常６〜６０程度であり、具体的には、フェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、ピリジルチオ基、ピリダジニルチオ基、ピリミジルチオ基、ピラジルチオ基、トリアジルチオ基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルチオ基が好ましい。

アリールアルキル基は、置換基を有していてもよく、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基が好ましい。

アリールアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基が好ましい。

アリールアルキルチオ基としては、置換基を有していてもよく、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基が好ましい。

置換アミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基および１価の複素環基から選ばれる１または２個の基で置換されたアミノ基があげられ、アルキルアミノ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、モノアルキルアミノ基でもジアルキルアミノ基でもよく、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。炭素数は該置換基の炭素数を含めないで通常１〜６０程度であり、好ましくは炭素数２〜４８である。

具体的には、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ｉ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｉ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基などが挙げられ、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基が好ましい。また、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基などが例示される。

置換シリル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基および１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリル基があげられ、炭素数は通常１〜６０程度であり、好ましくは炭素数３〜４８である。アルキルシリル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。

具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ジメチル−ｉ−プロピリシリル基、ジエチル−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基等が挙げられ、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチルジメチルシリル基が好ましい。また、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基などが例示される。

アシル基は、炭素数は通常２〜２０程度であり、具体的には、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基などが例示される。

アシルオキシ基は、炭素数は通常２〜２０程度であり、具体的には、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基などが例示される。

イミン残基としては、イミン化合物（分子内に、−Ｎ＝Ｃ-を持つ有機化合物のことをいう。その例として、アルジミン、ケチミン及びこれらのＮ上の水素原子が、アルキル基等で置換された化合物があげられる）から水素原子１個を除いた残基があげられ、通常炭素数２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８である。具体的には、以下の構造式で示される基などが例示される。

アミド基は、炭素数は通常２〜２０程度であり、具体的には、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基などが例示され、スクシンイミド基、フタル酸イミド基などのイミド類も含まれる。

アリールアルケニル基としては、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルケニル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルケニル基が好ましい。

アリールアルキニル基としては、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキニル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキニル基が好ましい。

１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常４〜６０程度であり、具体的には、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基などが例示され、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基が好ましい。

上記式（Ｘ−１）中、ｏは、０〜５の整数を示し、ｐは、１〜５の整数を示す。

上記式（Ｘ−１）中、Ｌ¹は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、アルケン配位子、アルキン配位子、アミン配位子、イミン配位子、アミド基、酸イミド基、イソニトリル配位子、シアノ基、ホスフィン配位子、ホスフィンオキシド配位子、亜リン酸エステル配位子、スルホン配位子、スルホキシド配位子、スルホネート基、スルフィド配位子、複素環配位子、カルボキシル基、カルボニル配位子、エーテル配位子が挙げられ、これらを組合わせた多座の配位子であってもよい。

Ｌ¹において、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基については、上記Ｒ''に記載の基が例示される。

アルケン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、エチレン、プロピレン、ブテン、ヘキセンまたはデセン等が挙げられる。

アルキン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、アセチレン、フェニルアセチレンまたはジフェニルアセチレン等が挙げられる。

アミン配位子としては、窒素原子でＭと配位結合するものであり、例えばトリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリベンジルアミン、トリフェニルアミン、ジメチルフェニルアミン、メチルジフェニルアミンなどのモノアミン、１，１，２，２−テトラメチルエチレンジアミン、１，１，２，２−テトラフェニルエチレンジアミン、１，１，２，２−テトラメチル−ｏ−フェニレンジアミンなどのジアミンが例示される。

イミン配位子としては、窒素原子でＭと配位結合するものであり、例えばベンジリデンアニリン、ベンジリデンベンジルアミン、ベンジリデンメチルアミンなどのモノイミン、ジベンジリデンエチレンジアミン、ジベンジリデン−ｏ−フェニレンジアミン、２，３−ビス（アニリノ）ブタンなどのジイミンが例示される。

アミド基としては特に限定されるものではないが、上記Ｒ''に記載の基が例示される。

酸イミド基としては、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基があげられ、通常炭素数２〜６０程度であり、好ましくは炭素数２〜４８である。具体的には以下に示す基が例示される。

イソニトリル配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、ｔ−ブチルイソニトリルまたはフェニルイソニトリル等が挙げられる。

ホスフィン配位子としては、Ｍとリン原子で配位結合するものであって、トリフェニルホスフィン、トリ−ｏ−トリルホスフィン、トリ−ｔ−ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパンが例示される。

ホスフィンオキシド配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、トリブチルホスフィンオキシドまたはトリフェニルホスフィンオキシド等が挙げられる。

亜リン酸エステル配位子としては、Ｍとリン原子で配位結合するものであって、トリメチルホスファイト、トリエチルホスファイト、トリフェニルホスファイト、トリベンジルホスファイトが例示される。

スルホン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、ジメチルスルホンまたはジブチルスルホン等が挙げられる。

スルホキシド配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、ジメチルスルホキシドまたはジブチルスルホキシド等が挙げられる。

スルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基が例示される。

スルフィド配位子としては、Ｍと硫黄原子と配位結合するものであって、ジメチルスルフィド、ジフェニルスルフィド、チオアニソールが例示される。

複素環配位子としては、０価でも１価でもよく、０価のものとしては例えば、２，２‘−ビピリジル、１，１０−フェナントロリン、２−(４−チオフェン−２−イル)ピリジン、２−(ベンゾチオフェン−２−イル)ピリジンなどから水素原子１個を除いた原子団が例示され、１価のものとしては例えば、フェニルピリジン、２-(パラフェニルフェニル)ピリジン、７−ブロモベンゾ[ｈ]キノリン、２−(４−フェニルチオフェン−２−イル)ピリジン、２−フェニルベンゾオキサゾール、２-(パラフェニルフェニル)ベンゾオキサゾール、２−フェニルベンゾチアゾール、２−(パラフェニルフェニル)ベンゾチアゾールなどから水素原子１個を除いた原子団が例示される。

カルボキシル基としては特に限定されるものではないが、例えば、アセトキシ基、ナフテネート基または２−エチルヘキサノエート基等が挙げられる。

カルボニル配位子としては、Ｍと酸素原子で配位結合するものであって、一酸化炭素やアセトン、ベンゾフェノンなどのケトン類、アセチルアセトン、アセナフトキノンなどのジケトン類が例示される。

エーテル配位子としては、Ｍと酸素原子で配位結合するものであって、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタンなどが例示される。

これらが結合した多座の配位子（２座以上の基）としてはフェニルピリジン、２-(パラフェニルフェニル)ピリジン、２−フェニルベンゾオキサゾール、２-(パラフェニルフェニル)ベンゾオキサゾール、２−フェニルベンゾチアゾール、２−(パラフェニルフェニル)ベンゾチアゾール、１，３−ジ（２−ピリジル）ベンゼンなど、複素環とベンゼン環が結合した基、２−(４−チオフェン−２−イル)ピリジン、２−(４−フェニルチオフェン−２−イル)ピリジン、２−(ベンゾチオフェン−２−イル)ピリジン、２，２’：６’，２”−ターピリジン、2,3,７,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリンなど、２つ以上の複素環が結合した基、アセチルアセトナート、ジベンゾメチラート、テノイルトリフルオロアセトナートなどのアセトナート類が例示される。

ＡｒがＬとの結合手をもたない場合、Ｌ¹がＬとの結合手を有し、その場合、Ｌ¹としては、上記具体例から選ばれるものから水素原子１個を除いた原子団である。従って、Ｌ¹がＬとの結合手を有する場合には、Ｌ¹としては、水素原子、ハロゲン原子は除かれ、例えば、以下のものが挙げられる。

複素環配位子としては、０価でも１価でもよく、０価のものとしては例えば、２，２‘−ビピリジル、１，１０−フェナントロリン、２−(４−チオフェン−２−イル)ピリジン、２−(ベンゾチオフェン−２−イル)ピリジン、２，２’：６’，２”−ターピリジンなどから水素原子１個を除いた原子団が例示され、１価のものとしては例えば、フェニルピリジン、２-(パラフェニルフェニル)ピリジン、７−ブロモベンゾ[ｈ]キノリン、２−(４−フェニルチオフェン−２−イル)ピリジン、２−フェニルベンゾオキサゾール、２-(パラフェニルフェニル)ベンゾオキサゾール、２−フェニルベンゾチアゾール、２−(パラフェニルフェニル)ベンゾチアゾール、１，３−ジ（２−ピリジル）ベンゼンなどから水素原子１個を除いた原子団が例示され、アセチルアセトン、アセナフトキノンなどのジケトン類、アセチルアセトナート、ジベンゾメチラート、テノイルトリフルオロアセトナートなどのアセトナート配位子などから水素原子１個を除いた原子団が例示される。アルケン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、エチレン、プロピレン、ブテン、ヘキセンまたはデセン等から水素原子１個を除いた原子団が挙げられる。アルキン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、アセチレン、フェニルアセチレンまたはジフェニルアセチレン等から水素原子１個を除いた原子団が挙げられる。

この配位子のＭとの結合は、配位結合でも、共有結合でもよい。また、これらを組合わせた多座配位子であってもよい。

−Ｌ-Ｘにおける Ｌは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、―ＣＯ−、−ＣＯ₂−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＳｉＲ³Ｒ⁴−、−ＮＲ⁵−、−ＢＲ⁶−、−ＰＲ⁷−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ⁸）−、置換されていてもよいアルキレン基、置換されていてもよいアルケニレン基、置換されていてもよいアルキニレン基、置換されていてもよいアリーレン基、または置換されていてもよい２価の複素環基を表し、該アルキレン基に含まれる−ＣＨ₂−基の一つ以上が−Ｏ−、−Ｓ−、―ＣＯ−、−ＣＯ₂−、−ＳＯ−、―ＳＯ₂―、−ＳｉＲ⁹Ｒ¹⁰−、ＮＲ¹¹−、−ＢＲ¹²−、−ＰＲ¹³−および−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ¹⁴）―からなる群から選ばれる基と置き換えられていてもよく、該アルケニレン基および該アルキニレン基が−ＣＨ₂−基を含む場合、該アルケニレン基に含まれる−ＣＨ₂−基の一つ以上、および該アルキニレン基に含まれる−ＣＨ₂−基の一つ以上がそれぞれ、−Ｏ−、−Ｓ−、―ＣＯ−、−ＣＯ₂−、−ＳＯ−、―ＳＯ₂―、−ＳｉＲ⁹Ｒ¹⁰−、ＮＲ¹¹−、−ＢＲ¹²−、−ＰＲ¹³−および−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ¹⁴）―からなる群から選ばれる基と置き換えられていてもよい。Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基およびシアノ基からなる群より選ばれる基を示す。
ここでＲ³〜Ｒ¹⁴の具体例としては、上記Ｒ''で示したものと同じものが例示される。

Ｌが置換されていてもよいアルキレン基の場合、その炭素数は通常１〜１２程度であり、その置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基等があげられる。
また、該アルキレン基が−ＣＨ₂−基を２個以上含む場合、該アルキレン基に含まれる−ＣＨ₂−基の一つ以上が、−Ｏ−、−Ｓ−、―ＣＯ−，−ＣＯ₂−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＳｉＲ⁹Ｒ¹⁰−、−ＮＲ¹¹−、−ＢＲ¹²−、−ＰＲ¹³−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ¹⁴）−からなる群から選ばれる基と置換されていてもよい。ここに、Ｒ⁹〜Ｒ¹⁴の具体例としては、Ｒ³〜Ｒ¹⁴の具体例として上記Ｒ''で示したものと同じものが例示される。アルキレン基の好ましい例としては、−Ｃ₃Ｈ₆−、−Ｃ₄Ｈ₈−、−Ｃ₅Ｈ₁₀−、−Ｃ₆Ｈ₁₂−、−Ｃ₈Ｈ₁₆−、−Ｃ₁₀Ｈ₂₀−等が挙げられる。

Ｌが置換されていてもよいアルケニレン基の場合、その炭素数は通常１〜１２程度であり、その置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基等があげられる。
該アルケニレン基が−ＣＨ₂−基を含む場合、該アルケニレン基に含まれる−ＣＨ₂−基の一つ以上が、−Ｏ−，−Ｓ−，―ＣＯ−，−ＣＯ₂−、−ＳＯ−，―ＳＯ₂―，−ＳｉＲ⁹Ｒ¹⁰−，ＮＲ¹¹−，−ＢＲ¹²−，−ＰＲ¹³−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ¹⁴）―からなる群から選ばれる基と置換すされていてもよい。ここに、Ｒ⁹〜Ｒ¹⁴の具体例としては、Ｒ³〜Ｒ¹⁴、の具体例として上記Ｒ''で示したものと同じものが例示される。アルケニレン基の好ましい例としては、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ₂−等が挙げられる。

Ｌがアルキニレン基の場合、その炭素数は通常１〜１２程度であり、その置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基等があげられる。
該アルキニレン基が−ＣＨ₂−基を含む場合、該アルキニレン基に含まれる−ＣＨ₂−基の一つ以上が、−Ｏ−，−Ｓ−，―ＣＯ−，−ＣＯ₂−、−ＳＯ−，―ＳＯ₂―，−ＳｉＲ⁹Ｒ¹⁰−，ＮＲ¹¹−，−ＢＲ¹²−，−ＰＲ¹³−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ¹⁴）―からなる群から選ばれる基と置換していてもよい。ここにＲ⁹〜Ｒ¹⁴の具体例としては、上記Ｒ''で示したものと同じものが例示される。アルキニレン基の好ましい例としては、−Ｃ≡Ｃ−、‐ＣＨ₂−Ｃ≡Ｃ−ＣＨ₂−等が挙げられる。

Ｌが置換されていてもよいアリーレン基の場合、この、アリーレン基の具体例としては、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素の芳香環から水素原子２個を除いた原子団があげられ、好ましくはベンゼン環から水素原子２個を除いた原子団が例示され、該芳香環に置換されていてもよい置換基としてはＣ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基が好ましい。

Ｌが置換されていてもよい２価の複素環基の場合、該複素環基に置換されていてもよい置換基としてはＣ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基が好ましい。炭素数は通常４〜６０程度であり、好ましくは４〜２０である。なお、複素環化合物基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。具体的には、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基などが例示され、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基が好ましい。

また、Ｌの中では、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−が好ましい。

−Ｌ―Ｘで示される基の具体例としては、例えば、従来から３重項励起状態からの発光を示す金属錯体（三重項発光錯体：例えば、燐光発光や、この燐光発光に加えて蛍光発光が観測される錯体も含まれる。）配位子から１個の水素原子を除いた残基または配位子上の置換基から１個の水素原子を除いた残基が、Ｘであるものがあげられる。
ここに ３重項発光錯体としては、例えば、従来から低分子系のEL発光性材料として利用されてきたものがあげられる。これらは、例えば、Nature, (1998), 395, 151、Appl. Phys. Lett. (1999), 75(1), 4、Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. (2001), 4105(Organic Light-Emitting Materials and DevicesＩＶ), 119、J. Am. Chem. Soc., (2001), 123, 4304、Appl. Phys. Lett., (1997), 71(18), 2596、Syn. Met., (1998), 94(1), 103、Syn. Met., (1999), 99(2), 1361、Adv. Mater., (1999), 11(10), 852等に開示されている。

また、上記式（Ｘ-１）の具体的な構造としては、下記構造式（ＰＬ−１）〜（ＰＬ−３７）で示す３重項発光錯体の具体例のそれぞれから、１つのＲ’または、Ｒ’中の１つの水素を除いた残基があげられる。

ここで、Ｒ'は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基、１価の複素環基を示す。溶媒への溶解性を高めるためには、アルキル基、アルコキシ基が好ましく、また置換基を含めた繰り返し単位の形状の対称性が低いことが好ましい。

式（１）中Ａｒ¹は、酸素原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子、硫黄原子、セレン原子またはテルル原子からなる群から選ばれる原子を一つ以上有する２価の複素環基を表し、該Ａｒ¹は、−Ｌ―Ｘで示される基１個以上４個以下を有する。

Ａｒ¹としては、
下記式（２−１）、（２−２）または（２−３）であるものが挙げられる。

〔式中、Ａ環、Ｂ環およびＣ環はそれぞれ独立に芳香環を示し、式(２−1)、(２−２)および(２−３)はそれぞれ、−Ｌ-Ｘで示される置換基を１個以上４個以下有し、Ｌ、Ｘは前記と同じ意味を表し、ＹはＯ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、Ｔｅ原子、下記式（１−Ａ）（１−Ｂ）、（１−Ｃ）、（１−Ｄ）、（１−Ｅ）または（１−Ｆ）を示す。

また、Ａｒ¹としては下記式（３−１）または（３−２）であるものが挙げられる。

〔式中、Ｄ環、Ｅ環、Ｆ環、およびＧ環はそれぞれ独立に芳香環を表し、式(３−1)および(３−２)はそれぞれ、−Ｌ-Ｘで示される置換基を１個以上４個以下有し、Ｌ、Ｘ、Ｙは前記と同じ意味を表す。〕

Ｙとしては以下の構造が挙げられる。

（式中、Ｒ^Aは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリールアルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールアルキルオキシ基またはアリールオキシ基または−Ｌ−Ｘで示される基を示す。）

（式中、Ｒ^Bはアルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、１価の複素環基または−Ｌ−Ｘで示される基を示す。）

（式中、Ａ₁はＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎを表し、Ｒ^C、Ｒ^Dはそれぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、アシルオキシ基、アミド基、１価の複素環基または−Ｌ−Ｘで示される基を表す。ｌは１または２を表す。）

（式中、Ｒ^Eは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子または−Ｌ−Ｘで示される基を示す。）

（式中、Ａ₂はＯまたはＳを表し、Ｒ^F、Ｒ^Gはそれぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、アシルオキシ基、アミド基、１価の複素環基または−Ｌ−Ｘで示される基を表す。）

式（２−１）の具体例として、以下の基の芳香環上に−Ｌ−Ｘが１個以上４個以下置換したものがあげられる。

式（２−２）の具体例として、下の基の芳香環上に−Ｌ−Ｘが１個以上４個以下置換したものがあげられる。

式（２−３）の具体例として以下の基の芳香環上に−Ｌ−Ｘが１個以上４個以下置換したものがあげられる。

式（３−１）の具体例として、以下の基の芳香環上に−Ｌ−Ｘが１個以上４個以下置換したものがあげられる。

式（３−２）の具体例としては、以下の基の芳香環上に−Ｌ−Ｘが１個以上４個以下置換したものがあげられる。

上記式（１）、（２−１）、（２−２）、（２−３）、（３−１）、（３−２）で示される構造を含む繰り返し単位は、―Ｌ−Ｘで示される基以外にさらにアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい。また、置換基が複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

また、（１−Ａ）、（１−Ｂ）、（１−Ｃ）、（１−Ｄ）、（１−Ｆ）における置換基Ｒ^A〜Ｒ^Gの具体例としては、上記Ｒ''で示したものと同じものが例示される。

上記式（１）中のＡｒ¹で、（３―１）が好ましく、下記式（５−１）、（５−２）、（５−３）、（５−４）または（５−５）で示される構造がより好ましく、（５−１）で表される構造がさらに好ましい。

式（３−１）の具体例としては、下記式において、それぞれのＲのうち１個以上４個以下が−Ｌ―Ｘで示される基であるものが例示される。

ここでＲはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基、−（Ｌ−Ｘ）で示される基等である。その具体例としては、上記Ｒ''で示したものと同じものが例示される。
上記Ａｒ¹の例において、１つの構造式中に複数のＲを有しているが、それらは同一の基であってもよいし、異なる基であってもよく、それぞれ独立に選択される。但し、Ａｒ¹が水素原子以外の置換基を４個以上有する場合には、そのうち１個以上４個以下が、−Ｌ−Ｘで示される基である。また、Ａｒ¹が水素原子以外の置換基を４個未満有する場合には、そのうち１個以上、置換基の最大数以下の基が、−Ｌ−Ｘで示される基である。

Ａｒ¹の例としては、上記式（２−１）〜（２−３）、（３−1）、（３−２）に属するものの他に、下記構造式で示され、それぞれのＲのうち１個以上４個以下が−Ｌ―Ｘであるものが例示される。

ここでＲはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基、−（Ｌ−Ｘ）で示される基等である。上記Ａｒ¹の例において、１つの構造式中に複数のＲを有しているが、それらは同一の基であってもよいし、異なる基であってもよく、それぞれ独立に選択される。Ａｒ¹が水素原子以外の置換基を４個以上有する場合には、そのうち１個以上４個以下が、−（Ｌ−Ｘ）で示される基である。また、Ａｒ¹が水素原子以外の置換基を４個未満有する場合には、そのうち１個以上、置換基の最大数以下の基が、−（Ｌ−Ｘ）で示される基である。

上記Ｒにおいて、置換カルボキシル基は、通常炭素数２〜６０程度であり、好ましくは炭素数２〜４８である。アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基で置換されたカルボキシル基をいい、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ｉ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基、などが挙げられる。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換カルボキシル基の炭素数には該置換基の炭素数は含まれない。

上記置換基の例のうち、アルキル鎖を含む置換基においては、それらは直鎖、分岐または環状のいずれかまたはそれらの組み合わせであってもよく、直鎖でない場合、例えば、イソアミル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロヘキシル基、４−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシクロヘキシル基などが例示される。また、２つのアルキル鎖の先端が連結されて環を形成していても良い。さらに、アルキル鎖の一部のメチル基やメチレン基がヘテロ原子を含む基や一つ以上のフッ素で置換されたメチル基やメチレン基で置き換えられていてもよく、それらのヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子などが例示される。

さらに、置換基の例のうち、アリール基や複素環基をその一部に含む場合は、それらがさらに１つ以上の置換基を有していてもよい。

上記式（２−１）、（２−２）、（２−３）、（３−１）または（３−２）において、Ａ環、Ｂ環、Ｃ環、Ｄ環、Ｅ環、Ｆ環およびＧ環が芳香族炭化水素環である場合が好ましい。

上記式（２−１）で示される繰り返し単位が、下記式（４−１）〜（４−５）から選ばれる繰り返し単位であることが好ましい。

〔式中、Ｌ、Ｘ、Ｙは前記と同じ意味を表す。〕

上記式（３−１）で示される繰り返し単位が、下記式（５−１）〜（５−５）から選ばれる繰り返し単位であることが好ましく、（５−１）であることがより好ましい。

〔式中、Ｌ、Ｘ、Ｙは前記と同じ意味を表す。ｍ₁およびｍ₂は０または１であり、少なくとも、どちらか一方は１である。〕。

上記式（１）において、ＹがＯ原子またはＳ原子であることが好ましい。

上記式（１）において、Ｘは金、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム、タングステン、ユーロピウム、テルビウム、ツリウム、ディスプロシウム、サマリウム、プラセオジウム、ガドリニウム、イットリビウム原子を含む錯体構造であることが好ましく、金、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム、タングステン原子を含む錯体構造であることがより好ましく、金、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム原子を含む錯体構造がさらに好ましく、白金、イリジウム、レニウム原子を含む錯体構造が特に好ましい。

上記式（１）においてｎは０または１である。

上記式（１）においてＲ¹およびＲ²は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を表す。
ここでＲ¹、Ｒ²におけるアルキル基、アリール基、１価の複素環基の具体例としては、上記Ｒ''で示したものと同じものが例示される。

上記式（１）で示される繰り返し単位の合計の量は通常、本発明の高分子錯体化合物が有する全繰り返し単位の合計の０．０１モル％以上１００モル％以下である。好ましくは、０．０１モル％以上５０モル％以下である。さらに好ましくは、０．１モル％以上１０モル％以下であることが好ましい。

なお、本発明の高分子錯体化合物は、蛍光特性や電荷輸送特性を損なわない範囲で、上記式（１）で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでいてもよい。また、これらの繰り返し単位や他の繰り返し単位が、非共役の単位で連結されていてもよいし、繰り返し単位にそれらの非共役部分が含まれていてもよい。結合構造としては、以下に示すもの、および以下に示すもののうち２つ以上を組み合わせたものなどが例示される。ここで、Ｒは前記のものと同じ置換基から選ばれる基であり、Ａｒ⁸は炭素数６〜６０個の炭化水素基を示す。

上記式（１）で示される繰り返し単位としては、例えば以下のものが挙げられる。

上記具体例において、Ｙは、上記で示されるものと同じ意味を表し、Ｒ'''の具体例としては、上記Ｒ''で示したものと同じものが例示される。
す。

上記式（１）で示される繰り返し単位の合計の量は通常、本発明の高分子錯体化合物が有する全繰り返し単位の合計の０．０１モル％以上１００モル％以下である。好ましくは、０．０１モル％以上５０モル％以下である。さらに好ましくは、０．１モル％以上１０モル％以下であることが好ましい。

本発明の高分子錯体化合物は、発光効率を高めたり、素子駆動電圧を低減させるなどの観点から、上記式（１）の繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでいてもよい。
本発明の高分子錯体化合物が含んでいてもよい繰り返し単位としては、例えば、
下式（６）、（７）、（８）が挙げられ、中でも、（１）に加えて（６）または（７）を含むものが好ましい。また、（１）に加えて、（８）を含むものが好ましい。
（１）に加えて、（６）または（７）と（８）とを含むものがさらに好ましい。

［式中、Ａｒ²およびＡｒ³は、それぞれ独立に３価の芳香族炭化水素基または３価の複素環基を表し、Ｒ¹⁵は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換基を有していてもよいアリール基または１価の複素環基を表し、Ｚは単結合、

〔式中Ｒ¹⁶は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ｒ¹⁶が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕

〔式中、Ａｒ⁴およびＡｒ⁵はそれぞれ独立にアリーレン基、２価の複素環基を示す。Ａｒ⁶はアルキル基、アリール基もしくは１価の複素環基を示す。Ｒ¹⁷は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。ｑは１〜４の整数を示し、ｒは０〜５の整数を示す。〕

〔式中、Ａｒ⁷は、アリーレン基または２価の複素環基を表し、Ｒ¹⁸およびＲ¹⁹は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を表し、ｓは０または１である。〕

上記式（６）につき、説明する。
上記式（６）におけるＡｒ²およびＡｒ³は、それぞれ独立に３価の芳香族炭化水素基または３価の複素環基を表す。
ここに３価の芳香族炭化水素基とは、ベンゼン環または縮合環から水素原子３個を除いた残りの原子団をいう。その具体例を以下に示す。
下記例示式中において、３本ある結合手の内、隣り合うオルト位の関係にある結合手が、一般式（６）で示されるＺおよびＮとそれぞれ結合していることを表す。

なお、上記の３価の芳香族炭化水素基は芳香族環上に１個または２個以上の置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基が例示される。
３価の芳香族炭化水素基の環を構成する炭素原子の数は、通常６〜６０、好ましくは６〜２０である。

また、３価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子３個を除いた残りの原子団をいう。

ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。

３価の複素環基としては、例えば以下のものが挙げられる。下記例示式中において、３本ある結合手の内、隣り合うオルト位の関係にある結合手が、一般式（６）で示されるＺおよびＮとそれぞれ結合していることを表す。

なお、上記の３価の複素環基は環上に１個または２個以上の置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基が例示される。
３価の複素環基の環を構成する炭素原子の数は、通常４〜６０、好ましくは４〜２０である。
上記式中、Ｒ^Xは、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子（例えば、塩素、臭素、よう素）、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。
Ｒ^Yはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、置換シリル基、アシル基、または１価の複素環基を示す。
上記置換基の具体例としては、前記で示したものと同じものが例示される。

有機溶媒への溶解性を高めるためには、Ａｒ²、Ａｒ³が置換基を有することが好ましく１つ以上に環状または長鎖のあるアルキル基、アルコキシ基が含まれることが好ましく、シクロペンチル基、シクロへキシル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ペンチルオキシ基、イソアミルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が例示される。

また、２つの置換基が連結されて環を形成していてもよい。さらに、アルキル鎖の一部の炭素原子がヘテロ原子を含む基で置き換えられていてもよく、それらのヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子などが例示される。

本発明において、上記式（６）におけるＺは、単結合、

〔式中Ｒ¹⁶は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ｒ¹⁶が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕を示す。
中でも、単結合、

で示される構造がより好ましく、単結合が更に好ましい。

上式（６）で示される繰り返し単位のうち、好ましくは、式（６−１）、（６−２）、（６−３）、（６−４）、（６−５Ａ）、（６−５Ｂ）、（６−６Ａ）、（６−６Ｂ）であり、より好ましくは、（６−１）、（６−４）、（６−５Ａ）、（６−５Ｂ）、（６−６Ａ）、（６−６Ｂ）である。式（６−６Ａ）、（６−６Ｂ）が更に好ましい。

〔式中、Ｚ、Ａｒ²およびＡｒ³は、上記と同じ意味を表す。Ｒ²⁶、Ｒ²⁷、Ｒ²⁸、Ｒ²⁹、およびＲ³⁰は、上記と同じ意味をあらわす。〕

〔式中、Ｒ²⁶、Ｒ²⁷、Ｒ²⁸、Ｒ²⁹、Ｒ³⁰およびＺは上記と同じ意味を表す。Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ³³、Ｒ³⁴、Ｒ³⁵およびＲ³⁶とは、同じ意味を表す。〕

〔式中、Ｒ¹⁵、Ａｒ²およびＡｒ³は、上記と同じ意味を表す。〕

〔式中、Ｒ²⁶、Ｒ²⁷、Ｒ²⁸、Ｒ²⁹、Ｒ³⁰、Ａｒ²およびＡｒ³は、上記と同じ意味を表す。〕

〔式中、Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ³³、Ｒ³⁴、Ｒ³⁵、Ｒ³⁶およびＲ¹⁵は上記と同じ意味を表す。〕

〔式中、Ｒ²⁶、Ｒ²⁷、Ｒ²⁸、Ｒ²⁹、Ｒ³⁰、Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ³³、Ｒ³⁴、Ｒ³⁵およびＲ³⁶は上記と同じ意味を表す。〕

置換基Ｒ¹⁵、Ｒ²⁶〜Ｒ³⁶の具体例としては、上記Ｒ''で示したものと同じものが例示される。

上記式（７）で示されるＡｒ⁴、Ａｒ⁵において、アリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子２個を除いた原子団であり、通常炭素数は６〜６０程度であり、好ましくは６〜２０である。ここに芳香族炭化水素としては、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接またはビニレン等の基を介して結合したものが含まれる。
アリーレン基としては、フェニレン基（例えば、下図の式１〜３）、ナフタレンジイル基（下図の式４〜１３）、アントラセン−ジイル基（下図の式１４〜１９）、ビフェニル−ジイル基（下図の式２０〜２５）、ターフェニル−ジイル基（下図の式２６〜２８）、 縮合環化合物基（下図の式２９〜３５）、フルオレン−ジイル基（下図の式３６〜３８）、スチルベン−ジイル（下図の式Ａ〜Ｄ），ジスチルベン−ジイル（下図の式Ｅ，Ｆ）などが例示される。中でもフェニレン基、ビフェニレン基、フルオレン−ジイル基、スチルベン−ジイル基が好ましい。

また、２価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常３〜６０程度である。
ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。

２価の複素環基としては、例えば以下のものが挙げられる。
ヘテロ原子として、窒素を含む２価の複素環基；ピリジンージイル基（下図の式３９〜４４）、ジアザフェニレン基（下図の式４５〜４８）、キノリンジイル基（下図の式４９〜６３）、キノキサリンジイル基（下図の式６４〜６８）、アクリジンジイル基（下図の式６９〜７２）、ビピリジルジイル基（下図の式７３〜７５）、フェナントロリンジイル基（下図の式７６〜７８）、など。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基（下図の式７９〜９３）。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基：（下図の式９４〜９８）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、セレンなどを含む５員環縮合複素基：（下図の式９９〜１１０）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている基：（下図の式１１１〜１１２）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基：（下図の式１１３〜１１９）が挙げられる。
ヘテロ原子として酸素、窒素、硫黄、などを含む５員環縮合複素環基にフェニル基やフリル基、チエニル基が置換した基：（下図の式１２０〜１２５）が挙げられる。

上記の式１〜１２５で示した例において、Ｒはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子（例えば、塩素、臭素、よう素）、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。また、式１〜１２５の基が有する炭素原子は、窒素原子、酸素原子または硫黄原子と置き換えられていてもよく、水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。

上記式（７）の単位について説明する。上記式（７）で示される構造の中では、下記式（７−１）で示される構造が好ましい。

〔式中、Ｒ¹⁷、Ｒ³⁷およびＲ³⁸は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。ｘおよびｙはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。ｚは１〜２の整数を示す。aaは０〜５の整数を示す。〕

上記式（７−１）におけるＲ¹⁷としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基が好ましい。置換アミノ基としてはジアリールアミノ基が好ましく、更に好ましくは、ジフェニルアミノ基である。

置換基Ｒ¹⁷、Ｒ³⁷〜Ｒ³⁸の具体例としては、上記Ｒ''で示したものと同じものが例示される。

次に上記式（８）の単位について説明する。上記一般式(８)におけるＡｒ⁷は、アリーレン基または２価の複素環基である。該Ａｒ⁷はアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、置換アミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、シアノ基等の置換基を有していてもよい。該Ａｒ⁷は３重項発光を阻害しないものが好ましい。
上記の置換基の定義、アリーレン基、２価の複素環基は上述したものと同様である。

上記式(８)におけるｓは０または１である。

上記式（８）で示される構造におけるＡｒ⁷としては、下記式（８−１）、（８−２）または（８−３）で示される構造

〔式中、Ａ'環、Ｂ'環、およびＣ'環はそれぞれ独立に芳香環を示す。これらの繰り返し単位は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい。Ｙ'は、置換基として−Ｌ−Ｘを含まないこと意外はＹと同じ意味を示す。〕；

下記式（８−４）または（８−５）で示される構造

〔式中、Ｄ'環、Ｅ'環、Ｆ'環およびＧ'環はそれぞれ独立に芳香環を示す。 これらの繰り返し単位は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい。Ｙ'は、置換基として−Ｌ−Ｘを含まないこと意外はＹと同じ意味を示す。〕；
が挙げられ、
上記式（８−４）または（８−５）で示される構造が好ましく、更に好ましくは（８−５）で示される構造が好ましい。

上記式（８）中のＡｒ⁷が、（８―４）であることが好ましく、下記式（８−６）、（８−７）、（８−８）、（８−９）または（８−１０）で示される構造がより好ましく、（８−６）で表される構造がさらに好ましい。

〔式中、Ｒ³⁷、Ｒ³⁸、Ｒ³⁹、Ｒ⁴⁰、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³、Ｒ⁴⁴、Ｒ⁴⁵およびＲ⁴⁶は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、または置換カルボキシル基を示す。aおよびｂはそれぞれ独立に０〜３の整数を示す。ｃ、ｄ、ｅおよびｆはそれぞれ独立に０〜５の整数を示す。ｇ、ｈ、ｉおよびｊはそれぞれ独立に０〜7の整数を示す。Ｒ³⁷、Ｒ³⁸、Ｒ³⁹、Ｒ⁴⁰、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³、Ｒ⁴⁴、Ｒ⁴⁵およびＲ⁴⁶がそれぞれ複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｙ’は前記と同じ意味を示す。〕

さらに、アリール基や複素環基は、それらがさらに１つ以上の置換基を有していてもよい。

また、溶媒に対する溶解性の観点から、a＋ｂ、ｃ＋ｄ、ｅ＋ｆ、ｇ＋ｈ、ｉ＋ｊは１以上が好ましい。

上記式（８）において、Ｙ'がＯ原子またはＳ原子であることが好ましい。

また、Ａｒ⁷としては、従来からＥＬ発光性材料として利用されてきたすべての材料に含まれるアリーレン基または２価の複素環基であってもよく、３重項発光を阻害しないモノマーであれば好ましい。これらの材料は例えば、WO99/12989 WO00/55927 WO01/49769A1 WO01/49768A2 、WO98/06773 US5,777,070 WO99/54385 WO00/46321 US6,169,163B1に開示されている。

本高分子錯体化合物は、上記式（１）で示される繰り返し単位の単独重合体でも良いし、それ以外の繰り返し単位との共重合体でも良い。

上述の中で、好ましい組合せは、上記式（３−１）と上記式（６−２）、（６−５）、（６−６）、（７−１）から選ばれる１種以上と（８−４）とを含む組合せが好ましく、さらに好ましくは式（３−１）と式（６−６）、（７−１）から選ばれる１種以上と（８−４）とを含む組合せである。
上記式（３−１）および（８−４）で示される構造において、ＹおよびＹ'がＳ原子またはＯ原子であることが更に好ましい。

また、本発明において、一般式（３−１）で表される繰り返し単位は０．０１モル％以上１００モル％以下であり、０．０１モル％以上５０モル％以下であることが好ましく、０．１モル％以上１０モル％以下がさらに好ましい。一般式（６）、（７）、（８）で示される繰り返し単位の合計が５０モル％以上９９．９９モル％以下が好ましく、９０モル％以上９９.９モル％以下がさらに好ましい。

また、本発明の高分子錯体化合物は、ランダム、ブロックまたはグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。蛍光の量子収率の高い高分子蛍光体を得る観点からは完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロックまたはグラフト共重合体が好ましい。主鎖に枝分かれがあり、末端部が３つ以上ある場合も含まれる。

また、本発明の高分子錯体化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていてよい。主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、例えば、炭素―炭素結合を介してアリール基または複素環基と結合している構造が例示される。具体的には、特開平９−４５４７８号公報の化１０に記載の置換基等が例示される。

本発明の高分子錯体化合物のポリスチレン換算の数平均分子量は１０³〜１０⁸であり、好ましくは１０⁴〜１０⁶である。また、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１０³〜１０⁸であり、好ましくは５×１０⁴〜５×１０⁶である。

本発明の高分子錯体化合物に対する良溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ｎ−ブチルベンゼンなどが例示される。高分子錯体化合物の構造や分子量にもよるが、通常はこれらの溶媒に０．１重量％以上溶解させることができる。

次に本発明の高分子錯体化合物の製造方法について説明する。
本発明の高分子錯体化合物の合成法としては、例えば該当するモノマーからＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法（ケミカル レビュー(Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．)，第９５巻，２４５７頁（１９９５年））、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、山本重合法により重合する方法（プログレッシブ ポリマー サイエンス（Ｐｒｏｇ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．）,第１７巻,１１５３−１２０５頁，１９９２年）、ＦｅＣｌ₃等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、あるいは適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法などが例示される。ランダム重合法（ランダム共重合体を得ることができる重合法）としては、山本重合法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、ＦｅＣｌ₃等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法などがあり、中でも山本重合法で重合することが特に好ましい。
山本重合法においては、通常ゼロ価ニッケル錯体を用い、テトラヒドロフラン、１、４−ジオキサンなどのエーテル系溶媒、または、トルエンなどの芳香族炭化水素系溶媒中でハロゲン化物を反応させる。ゼロ価ニッケル錯体としては、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）、（エチレン）ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（０）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）ニッケルなどが例示され、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）が好ましい。

この場合、中性配位子を添加することが、収率向上、高分子量化の観点から好ましい。
ここに、中性配位子とは、アニオンやカチオンを有していない配位子であり、２，２’−ビピリジル、１，１０−フェナントロリン、メチレンビスオキサゾリン、Ｎ，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン等の含窒素配位子；トリフェニルホスフィン、トリトリルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェノキシホスフィン等の第三ホスフィン配位子などが例示され、汎用性、安価の点で含窒素配位子が好ましく、２，２’−ビピリジルが高反応性、高収率の点で特に好ましい。

また、中性配位子を使用する場合には、その使用量としては、反応収率とコストの点からゼロ価のニッケル錯体１モルに対して、０．５〜１０モル程度が好ましく、０．８〜１．５モルがより好ましく、０．９〜１.１モルがさらに好ましい。

特に、重合体の高分子量化の点から、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を含む系に中性配位子として２，２’−ビピリジルを加えた系が好ましい。

ゼロ価のニッケル錯体の使用量は、重合反応を阻害しない程度ならば、特には限定されないが、使用量が過少だと分子量が低い傾向にあり、使用量が過大であると後処理が繁雑になる傾向がある。そのため、モノマー１モルに対して、０．１〜１０モルが好ましく、1〜５モルがより好ましく、２〜３.５モルがさらに好ましい。

本発明の高分子錯体化合物を高分子ＬＥＤの発光材料として用いる場合、その純度が発光特性に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製したのちに重合することが好ましく、また合成後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。なお、本発明の高分子錯体化合物は、発光材料として用いることができるだけでなく、有機半導体材料、光学材料、あるいはドーピングにより導電性材料として用いることもできる。

本発明の高分子錯体化合物は例えば、Ｘ₁−Ａ−Ｘ₂で示される単量体（ここにＸ₁、Ｘ₂はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシまたはアリールスルホニルオキシ基を示す。−Ａ−は、３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を有する繰り返し単位を示す。）とＸ₃−Ｄ−Ｘ₄（ここにＸ₃、Ｘ₄はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基を示す。Ｄは３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を含まない繰返し単位を示す。）とをＮi触媒の存在下反応させて得ることができる。

上記において、高分子錯体化合物が上記式（１）で示される金属錯体構造を有する繰り返し単位以外に、実質的に、（６）、（７）、（８）で示される繰り返し構造単位を含む場合には−Ｄ−が上記式（６）、（７）、（８）で示される単位である単量体を用いる。

上記において、−Ａ−を具体的に構造式で例示すると、上記式（１）で示される金属錯体構造を有する繰り返し単位や前記で例示される３重項発光錯体のＲ'のうち、何れか２個が隣接する繰り返し単位との結合手となった２価の基等が挙げられる。

また、本発明の高分子錯体化合物は、Ｙ₁−Ａ−Ｙ₂（ここにＹ₁、Ｙ₂はそれぞれ独立に−Ｂ（ＯＨ）₂またはホウ酸エステル基を示す。）で示される単量体と、Ｚ₁−Ｄ−Ｚ₂で示される単量体（Ｚ₁、Ｚ₂はハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基を示す。Ｄは前記と同じ。）とをＰｄ触媒の存在下反応させて得ることができる。

さらに、本発明の高分子錯体化合物は、Ｙ₃−Ｄ−Ｙ₄（ここにＹ₃、Ｙ₄はそれぞれ独立に−Ｂ（ＯＨ）₂またはホウ酸エステル基である。Ｄは前記と同じ。）で示される単量体と、Ｚ₃−Ａ−Ｚ₄で示される単量体（Ｚ₁、Ｚ₂はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基を示す）とをＰｄ触媒の存在下反応させて得ることができる。

中でも、Ｘ₁−Ａ−Ｘ₂で示される単量体、Ｙ₁−Ａ−Ｙ₂で示される単量体またはＺ₃−Ａ−Ｚ₄で示される単量体が単量体全体に対して、０．０1モル％以上１０モル％以下であることが好ましい。

Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃、Ｘ₄、Ｚ₁、Ｚ₂、Ｚ₃、Ｚ₄で示されるハロゲン原子としては、よう素、臭素、塩素、などが例示される。また、アリールスルホニルオキシ基としては、ペンタフルオロフェニルスルホニルオキシ基、パラトルエンスルホニルオキシ基などが、アルキルスルホニルオキシ基としては、メタンスルホニルオキシ基トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、などが例示される。

Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃、Ｙ₄で示されるホウ酸エステル基としては、ジメチルホウ酸エステル、エチレンホウ酸エステル、トリメチレンホウ酸エステルなどが例示される。

Ｐｄ触媒の存在下反応させる例としては、例えば、上記Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応が挙げられる。
パラジウム触媒としては、酢酸パラジウム、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］錯体、ビス(トリシクロヘキシルホスフィン)パラジウム錯体などが例示される。

本発明の高分子錯体化合物を構成するモノマー化合物としては、
下式（３−Ａ１）、（３−Ａ２）または（３−Ａ３）で示されるものが挙げられる。

〔式中、Ｙ⁵、Ｙ⁶、Ｙ⁷、Ｙ⁸、Ｙ⁹およびＹ¹⁰は、それぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、−Ｂ（ＯＨ）₂、ホルミル基、シアノ基、ビニル基を示す。Ｌ、Ｘ、Ｙ、ｍ₁、ｍ₂は前記と同じ意味を表す。〕

例えば、上記式（３−Ａ１）で示される化合物は、下記式（３−Ｂ１）で示される化合物を用いて製造することができる。

〔式中、Ｖ¹、Ｖ²は、それぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、−Ｂ（ＯＨ）₂、ホルミル基、シアノ基、ビニル基、ヒドロキシル基を示し、Ｙ⁵、Ｙ⁶、Ｙ、は前記と同じ意味を表す。〕

本発明は下記式（ａ）で示される化合物を提供するものである。

〔式中、Ｘ₁およびＸ₂はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基、スルホウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、−Ｂ（ＯＨ）₂、ホルミル基またはビニル基を表し、Ｌ、Ｘ、Ｙは前記と同じ意味を表す。ｍ₁およびｍ₂は０または１であり、少なくとも、どちらか一方は１である。〕

上記、（３−Ａ１）、（３−Ａ２）、（３−Ａ３）、式（ａ）において、ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が例示される。

アルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基などが例示される

アリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基などが例示される。

アリールアルキルスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基などが例示される。

ホウ酸エステル基としては、下記式で示される基が例示される。

スルホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ２ＳＭｅ₂Ｚ、−ＣＨ２ＳＰｈ₂Ｚ （Ｚはハロゲン原子を示す。）

ホスホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ₂ＰＰｈ₃Ｚ （Ｚはハロゲン原子を示す。）

ホスホネートメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ₂ＰＯ（ＯＲ^Z）₂
（Ｒ^Zはアルキル基、アリール基またはアリールアルキル基を示す。）

また、本発明の高分子錯体化合物の製造方法としては、上述のように式（1）の単位に対応する重合活性基を有するモノマーを原料として使用して重合することにより製造することができる。
また、上記ＡｒまたはＬ¹で示される配位子の基と重合活性基を有するモノマーを原料として使用して重合して重合体を得、該重合体を、該３重項発光錯体の中心金属と反応させてもよい。

次に本発明の高分子錯体化合物の用途について説明する。
本発明の高分子錯体化合物は、固体状態で蛍光または燐光を有し、高分子発光体(高分子量の発光材料)として用いることができる。また、該高分子錯体化合物は優れた電子輸送能を有しており、高分子ＬＥＤ用材料や電荷輸送材料として好適に用いることができる。該高分子発光体を用いた高分子ＬＥＤは低電圧、高効率で駆動できる高性能の高分子ＬＥＤである。従って、該高分子ＬＥＤは液晶ディスプレイのバックライト、または照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイ等の装置に好ましく使用できる。
また、本発明の高分子錯体化合物はレーザー用色素、有機太陽電池用材料、有機トランジスタ用の有機半導体、導電性薄膜、有機半導体薄膜などの伝導性薄膜用材料としても用いることができる。
さらに、蛍光や燐光を発する発光性薄膜材料としても用いることができる。

次に、本発明の高分子ＬＥＤについて説明する。
本発明の高分子ＬＥＤは、陽極および陰極からなる電極間に、有機層を有し、該有機層が本発明の高分子錯体化合物を含むことを特徴とする。
有機層は、発光層、正孔輸送層、電子輸送層等のいずれであってもよいが、有機層が発光層であることが好ましい。

ここに、発光層とは、発光する機能を有する層をいい、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層をいい、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層をいう。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。

有機層が発光層である場合、有機層である発光層がさらに正孔輸送材料、電子輸送材料または蛍光材料を含んでいてもよい。

正孔輸送材料、電子輸送材料、蛍光材料から選ばれる少なくとも１種類以上の材料と本発明の高分子錯体化合物を含有する組成物は、発光材料や電荷輸送材料として用いることができる。
本発明の高分子錯体化合物と正孔輸送材料と混合する場合には、その混合物全体に対して、正孔輸送材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。本発明の高分子材料と電子輸送材料を混合する場合には、その混合物全体に対して電子輸送材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。さらに、本発明の高分子錯体化合物と蛍光性材料を混合する場合にはその混合物全体に対して蛍光性材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。本発明の高分子錯体化合物と蛍光材料、正孔輸送材料および／または電子輸送材料を混合する場合にはその混合物全体に対して蛍光材料の混合割合は１ｗｔ％〜５０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜４０ｗｔ％であり、正孔輸送材料と電子輸送材料はそれらの合計で１ｗｔ％〜５０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜４０ｗｔ％であり、本発明の高分子錯体化合物の含有量は９９ｗｔ％〜２０ｗｔ％である。

混合する正孔輸送材料、電子輸送材料、蛍光材料は公知の低分子化合物や高分子化合物が使用できるが、高分子化合物を用いることが好ましい。 高分子化合物の正孔輸送材料、電子輸送材料および蛍光材料としては、ＷＯ９９／１３６９２、ＷＯ９９／４８１６０、ＧＢ２３４０３０４Ａ、ＷＯ００／５３６５６、ＷＯ０１／１９８３４、ＷＯ００／５５９２７、ＧＢ２３４８３１６、ＷＯ００／４６３２１、ＷＯ００／０６６６５、ＷＯ９９／５４９４３、ＷＯ９９／５４３８５、ＵＳ５７７７０７０、ＷＯ９８／０６７７３、ＷＯ９７／０５１８４、ＷＯ００／３５９８７、ＷＯ００／５３６５５、ＷＯ０１／３４７２２、ＷＯ９９／２４５２６、ＷＯ００／２２０２７、ＷＯ００／２２０２６、ＷＯ９８／２７１３６、ＵＳ５７３６３６、ＷＯ９８／２１２６２、ＵＳ５７４１９２１、ＷＯ９７／０９３９４、ＷＯ９６／２９３５６、ＷＯ９６／１０６１７、ＥＰ０７０７０２０、ＷＯ９５／０７９５５、特開平２００１−１８１６１８、特開平２００１−１２３１５６、特開平２００１−３０４５、特開平２０００−３５１９６７、特開平２０００−３０３０６６、特開平２０００−２９９１８９、特開平２０００−２５２０６５、特開平２０００−１３６３７９、特開平２０００−１０４０５７、特開平２０００−８０１６７、特開平１０−３２４８７０、特開平１０−１１４８９１、特開平９−１１１２３３、特開平９−４５４７８等に開示されているポリフルオレン、その誘導体および共重合体、ポリアリーレン、その誘導体および共重合体、ポリアリーレンビニレン、その誘導体および共重合体、芳香族アミンおよびその誘導体の（共）重合体が例示される。
低分子化合物の蛍光材料としでは、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセンもしくはその誘導体、ペリレンもしくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエンもしくはその誘導体、またはテトラフェニルブタジエンもしくはその誘導体などを用いることができる。
具体的には、例えば特開昭５７−５１７８１号、同５９−１９４３９３号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。

本発明の高分子ＬＥＤが有する発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

発光層の形成方法としては、例えば、溶液からの成膜による方法が例示される。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。
印刷法等で用いるインク組成物としては、少なくとも１種類の本発明の高分子錯体化合物が含有されていればよく、また本発明の高分子錯体化合物以外に正孔輸送材料、電子輸送材料、蛍光材料、溶媒、安定剤などの添加剤を含んでいてもよい。
該インク組成物中における本発明の高分子錯体化合物の割合は、溶媒を除いた組成物の全重量に対して２０ｗｔ％〜１００ｗｔ％であり、好ましくは４０ｗｔ％〜１００ｗｔ％である。
またインク組成物中に溶媒が含まれる場合の溶媒の割合は、組成物の全重量に対して１ｗｔ％〜９９．９ｗｔ％であり、好ましくは６０ｗｔ％〜９９．５ｗｔ％であり、さらに好ましく８０ｗｔ％〜９９．０ｗｔ％である。
インク組成物の粘度は印刷法によって異なるが、インクジェットプリント法などインク組成物中が吐出装置を経由するもの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が２５℃において１〜１００ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましい。
インク組成物として用いる溶媒としては特に制限はないが、該インク組成物を構成する溶媒以外の材料を溶解または均一に分散できるものが好ましい。該インク組成物を構成する材料が非極性溶媒に可溶なものである場合に、該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。

また、本発明の高分子ＬＥＤとしては、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ等が挙げられる。

例えば、具体的には、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）

本発明の高分子ＬＥＤが正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送性材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体などが例示される。

具体的には、該正孔輸送材料として、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。

これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料として、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。

また、低分子化合物の正孔輸送材料としてはピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体が例示される。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。

ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体は、例えばビニルモノマーからカチオン重合またはラジカル重合によって得られる。

ポリシランもしくはその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。

ポリシロキサンもしくはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖または主鎖に上記低分子正孔輸送性材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖または主鎖に有するものが例示される。

正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送性材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送性材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送性材料を溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。

溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。

正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

本発明の高分子ＬＥＤが電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送性材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が例示される。

具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。

これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。

電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送性材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液もしくは溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液または溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液または溶融状態からの成膜時には、上記の高分子バインダーを併用してもよい。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料および／または高分子バインダーを溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。

溶液または溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。

電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。

さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。
積層する層の順番や数、および各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。

本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
例えば、具体的には、以下のｅ）〜ｐ）の構造が挙げられる。
ｅ）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
ｆ）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
ｇ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
ｈ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｊ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｋ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／陰極
ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｍ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｎ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極

電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送性材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送性材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層などが例示される。

上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０³以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０²以下がより好ましく、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０¹以下がさらに好ましい。

上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０³Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０²Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０¹Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。
通常は該導電性高分子の電気伝導度を１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０³以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。

ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンなどが例示され、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。
電荷注入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。

電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニンなど）、カーボンなどが例示される。

膜厚２ｎｍ以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有するものである。上記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。

具体的には、例えば、以下のｑ）〜ａｂ）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｓ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｔ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｕ）陽極／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｖ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｗ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
ｘ）陽極／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｙ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｚ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ａａ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ａｂ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極

本発明の高分子ＬＥＤを形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明または半透明であることが好ましい。

通常本発明の高分子ＬＥＤが有する陽極および陰極の少なくとも一方が透明または半透明である。陽極側が透明または半透明であることが好ましい。
該陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（ＮＥＳＡなど）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボンなどからなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよい。

本発明の高分子ＬＥＤで用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、およびそれらのうち２つ以上の合金、あるいはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子ＬＥＤを保護する保護層を装着していてもよい。該高分子ＬＥＤを長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層および／または保護カバーを装着することが好ましい。

該保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板などを用いることができ、該カバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。

本発明の高分子ＬＥＤは面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置のバックライトとして用いることができる。
本発明の高分子ＬＥＤを用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極または陰極のいずれか一方、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯｎ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子蛍光体を塗り分ける方法や、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴなどと組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。

さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。

以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
ここで、数平均分子量については、テトラヒドロフランを溶媒として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によりポリスチレン換算の数平均分子量を求めた。

実施例１（化合物（ａ−１）の合成）
１００ｍｌ−四つ口フラスコをアルゴン置換した後、下記化合物（ａ−３） ０．３０ｇ（０．１ｍｍｏｌ）、化合物（ａ−２）０．１３ｇ（０．２ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン０．２０ｇ（２．０ｍｍｏｌ）をとり、脱水メタノール３０ｍｌを加えた。バス温８０℃で９時間還流した後放冷し、濃縮乾固後、トルエンを溶媒として用いシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、溶媒を留去することにより化合物（ａ−１）を０．３５ｇ得た。
なお、化合物（ａ−３）はＥＰ１３４４７８８とＪ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００３，１２５，６３６−６３７．記載の方法で合成した。

¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，３００ＭＨｚ）δ８．４７（４Ｈ，ｄ），７．７９〜７．０２（２０Ｈ，ｍ），６．５６（４Ｈ，ｍ），６．０８（２Ｈ，ｓ），６．０２（２Ｈ，ｓ），５．２０（２Ｈ，ｓ），３．９１（４Ｈ，ｍ），２．２６（６Ｈ，ｍ），２．０４（４Ｈ，ｔ），１．６９（４Ｈ，ｔ），１．０５〜１．４５（６４Ｈ，ｍ），０．８８（１２Ｈ，ｍ）．
ＭＳ（ＥＳＩ−ｐｏｓｉｔｉｖｅ，ＫＣｌ添加）ｍ／ｚ：２１５３．７（［Ｍ＋Ｋ］⁺）.

実施例２（高分子錯体化合物 （ａ−４）の合成）
上記化合物（ａ−1）９３ｍｇ（０．０８ｍｍｏｌ）、２，７−ジブロモ−３，６−オクチルオキシジベンゾフラン１．９ｇ（２．９ｍｍｏｌ）、２，２‘−ビピリジル１．２５ｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）７０ｍｌを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）₂｝を２．２ｇ加え、室温で３０分間攪拌した後、６０℃で３．３時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。反応後、この溶液を冷却した後、メタノール３０ｍｌ／イオン交換水３０ｍｌ／２５％アンモニア水５ｍｌの混合溶液中にそそぎ込み、約２時間攪拌した。次に、生成した沈殿物を、ろ過することにより回収した。この沈殿物を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。この溶液を濾過し、不溶物を除去した後、この溶液を、アルミナを充填したカラムを通すことにより精製した。次にこの溶液を１規定塩酸、２．５％アンモニア水、イオン交換水で洗浄し、メタノール中にそそぎ込み、再沈して、生成した沈殿を回収した。この沈殿を減圧乾燥して、重合体（ａ−４）０．５７ｇを得た。
この重合体のポリスチレン換算数平均分子量は、４．４×１０⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は２．２×１０⁵であった。
なお、２，７−ジブロモ−３，６−オクチルオキシジベンゾフランはＥＰ１３４４７８８記載の方法で合成した。

実施例３
＜発光特性＞
上記で合成した高分子錯体化合物（ａ−４）の０．８ｗｔ％のトルエン溶液を石英上にスピンコートして薄膜を作製した。この薄膜の発光スペクトルを分光光度計を用いて測定したところ５１７ｎｍ付近にピークを示す三重項励起状態からの強い発光が確認された。なお励起波長は３５０ｎｍであった。

＜ＥＬ発光の測定＞

実施例４
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、ＢａｙｔｒｏｎＰ）を用いてスピンコートにより７０ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥した。次に、高分子錯体化合物 （ａ−４）が１．５ｗｔ％となるように調製したトルエン溶液を用いてスピンコートにより６００ｒｐｍの回転速度で成膜した。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、フッ化リチウムを約４ｎｍを蒸着し、陰極として、カルシウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、ＥＬ素子を作製した。なお真空度が、１×１０^-4Ｐａ以下に到達したのち、金属の蒸着を開始した。得られた素子に電圧を引加することにより、５１７ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は、約６．０Ｖで１００ｃｄ／ｍ²の発光を示した。また最大発光効率は５．０４ｃｄ／Ａであり、高効率であった。

Claims (27)

1. 下記式（１）で示される繰り返し単位を含み、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０³〜１０⁸であることを特徴とする高分子錯体化合物。
   

   

   
   〔式中、Ａｒ¹は、酸素原子、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、リン原子、ホウ素原子、硫黄原子、セレン原子およびテルル原子からなる群から選ばれる原子を一つ以上有する２価の複素環基を表し、該Ａｒ¹は、−Ｌ―Ｘで示される基を１個以上４個以下有し、Ｘは、三重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を含む１価の基を表し、Ｌは、単結合、−Ｏ−，−Ｓ−，―ＣＯ−，−ＣＯ₂−、−ＳＯ−，―ＳＯ₂―，−ＳｉＲ³Ｒ⁴−，ＮＲ⁵−，−ＢＲ⁶−，−ＰＲ⁷−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ⁸）―、置換されていてもよいアルキレン基、置換されていてもよいアルケニレン基、置換されていてもよいアルキニレン基、置換されていてもよいアリーレン基、または置換されていてもよい２価の複素環基を表し、該アルキレン基に含まれる−ＣＨ₂−基の一つ以上が−Ｏ−、−Ｓ−、―ＣＯ−、−ＣＯ₂−、−ＳＯ−、―ＳＯ₂―、−ＳｉＲ⁹Ｒ¹⁰−、ＮＲ¹¹−、−ＢＲ¹²−、−ＰＲ¹³−および−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ¹⁴）―からなる群から選ばれる基と置き換えられていてもよく、該アルケニレン基および該アルキニレン基が−ＣＨ₂−基を含む場合、該アルケニレン基に含まれる−ＣＨ₂−基の一つ以上、および該アルキニレン基に含まれる−ＣＨ₂−基の一つ以上がそれぞれ、−Ｏ−、−Ｓ−、―ＣＯ−、−ＣＯ₂−、−ＳＯ−、―ＳＯ₂―、−ＳｉＲ⁹Ｒ¹⁰−、ＮＲ¹¹−、−ＢＲ¹²−、−ＰＲ¹³−および−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ¹⁴）―からなる群から選ばれる基と置き換えられていてもよい。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基およびシアノ基からなる群より選ばれる基を示す。Ａｒ¹は、―Ｌ−Ｘで示される基以外にさらにアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい。Ａｒ¹が複数の置換基を有する場合、それらは同一であってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。ｎは０または１である。〕
2. 請求項１に記載の繰り返し単位において、Ｘが下記式（Ｘ−１）であることを特徴とする請求項１記載の高分子錯体化合物。
   

   

   〔式中、Ｍは、原子番号５０以上の原子で、スピン−軌道相互作用により本高分子錯体化合物において１重項状態と３重項状態間の項間交差を起こし得る金属を示す。Ａｒは、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子または燐原子の１つ以上を含み、該原子の１つ以上を介してＭと結合する配位子である。Ｌ¹は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、アルケン、アルキン、アミン、イミン、アミド基、酸イミド基、イソニトリル配位子、シアノ基、ホスフィン、ホスフィンオキシド配位子、亜リン酸エステル、スルホン配位子、スルホキシド配位子、スルホネート基、スルフィド、複素環配位子、カルボキシル基、カルボニル化合物、エーテルまたはこれらを組合わせた多座の配位子を表す。
   ｏは、０〜５の整数を示す。ｐは、１〜５の整数を示す。また＊は一般式（１）におけるＬに結合する部位を表し、ＡｒまたはＬ¹がＬと結合する。〕
3. Ａｒ¹が下記式（２−１）、（２−２）または（２−３）であることを特徴とする請求項１または２記載の高分子錯体化合物。
   

   

   
   〔式中、Ａ環、Ｂ環およびＣ環はそれぞれ独立に芳香環を示し、式(２−1)、(２−２)および(２−３)はそれぞれ、−Ｌ-Ｘで示される置換基を１個以上４個以下有し、Ｌ、Ｘは前記と同じ意味を表し、ＹはＯ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、Ｔｅ原子、下記式（１−Ａ）（１−Ｂ）、（１−Ｃ）、（１−Ｄ）、（１−Ｅ）または（１−Ｆ）を示す。
   
   

   

   （式中、Ｒ^Aは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリールアルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールアルキルオキシ基、アリールオキシ基または−Ｌ−Ｘで示される基を示す。）
   
   
   

   

   （式中、Ｒ^Bはアルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、１価の複素環基または−Ｌ−Ｘで示される基を示す。）
   
   
   

   

   （式中、Ａ₁はＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎを表し、Ｒ^C、Ｒ^Dはそれぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、アシルオキシ基、アミド基、１価の複素環基または−Ｌ−Ｘで示される基を表す。ｌは１または２を表す。）
   
   
   

   

   
   （式中、Ｒ^Eは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子または−Ｌ−Ｘで示される基を示す。）
   
   

   

   
   

   

   （式中、Ａ₂はＯまたはＳを表し、Ｒ^F、Ｒ^Gはそれぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、アシルオキシ基、アミド基、１価の複素環基または−Ｌ−Ｘで示される基を表す。）
   
4. Ａｒ¹が下記式（３−１）または（３−２）であることを特徴とする請求項１または２記載の高分子錯体化合物。
   
   

   

   
   〔式中、Ｄ環、Ｅ環、Ｆ環、およびＧ環はそれぞれ独立に芳香環を表し、式(３−1)および(３−２)はそれぞれ、−Ｌ-Ｘで示される置換基を１個以上４個以下有し、Ｌ、Ｘ、Ｙは前記と同じ意味を表す。〕
5. Ａ環、Ｂ環、Ｃ環、Ｄ環、Ｅ環、Ｆ環およびＧ環が芳香族炭化水素環であることを特徴とする請求項１〜4 のいずれかに記載の高分子錯体化合物。
6. 上記式（２−１）で示される繰り返し単位が、下記式（４−１）〜（４−５）から選ばれる繰り返し単位であることを特徴とする請求項３記載の高分子錯体化合物。
   

   

   
   〔式中、Ｌ、Ｘ、Ｙは前記と同じ意味を表す。〕
7. 上記式（３−１）で示される繰り返し単位が、下記式（５−１）〜（５−５）から選ばれる繰り返し単位であることを特徴とする請求項４記載の高分子錯体化合物。
   
   
   

   

   
   

   

   
   

   

   
   〔式中、Ｌ、Ｘ、Ｙは前記と同じ意味を表す。ｍ₁およびｍ₂は０または１であり、少なくとも、どちらか一方は１である。〕
8. 上記式（３−１）で示される繰り返し単位が、上記式（５−１）であることを特徴とする請求項７記載の高分子錯体化合物。
9. ＹがＯ原子またはＳ原子であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の高分子錯体化合物。
10. ＸがＡｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｙｂ原子を含む錯体構造であることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の高分子錯体化合物。
11. さらに
    下式（６）
    

    

    
    ［式中、Ａｒ²およびＡｒ³は、それぞれ独立に３価の芳香族炭化水素基または３価の複素環基を表し、Ｒ¹⁵は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換基を有していてもよいアリール基または１価の複素環基を表し、Ｚは単結合、
    

    

    
    〔式中Ｒ¹⁶は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ｒ¹⁶が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕
    または、下式（７）
    
    

    

    
    〔式中、Ａｒ⁴およびＡｒ⁵はそれぞれ独立にアリーレン基、２価の複素環基を示す。Ａｒ⁶はアルキル基、アリール基もしくは１価の複素環基を示す。Ｒ¹⁷は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。ｑは１〜４の整数を示し、ｒは０〜５の整数を示す。〕
    で示される繰り返し単位を有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の高分子錯体化合物。
12. さらに下式（８）
    
    

    

    
    〔式中、Ａｒ⁷は、アリーレン基または２価の複素環基を表し、Ｒ¹⁸およびＲ¹⁹は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を表し、ｓは０または１である。〕
    で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の高分子錯体化合物。
13. 下記式（ａ）で示される化合物。
    

    

    〔式中、Ｘ₁およびＸ₂はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基、スルホウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、−Ｂ（ＯＨ）₂、ホルミル基またはビニル基を表し、Ｌ、Ｘ、Ｙは前記と同じ意味を表す。ｍ₁およびｍ₂は０または１であり、少なくとも、どちらか一方は１である。〕
14. 正孔輸送材料、電子輸送材料および蛍光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料と請求項１〜１２のいずれかに記載の高分子錯体化合物とを含有することを特徴とする組成物。
15. 請求項１〜１２のいずれかに記載の高分子錯体化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とするインク組成物。
16. 粘度が２５℃において１〜１００ｍＰａ・ｓであることを特徴とする請求項１５記載のインク組成物。
17. 請求項１〜１２のいずれかに記載の高分子錯体化合物を含有する発光性薄膜。
18. 請求項１〜１２のいずれかに記載の高分子錯体化合物を含有する導電性薄膜。
19. 請求項１〜１２のいずれかに記載の高分子錯体化合物を含有する有機半導体薄膜。
20. 陽極および陰極からなる電極間に、有機層を有し、該有機層が請求項１〜１２のいずれかに記載の高分子錯体化合物を含むことを特徴とする高分子発光素子。
21. 有機層が発光層であることを特徴とする請求項２０記載の高分子発光素子。
22. 発光層がさらに正孔輸送材料、電子輸送材料または蛍光材料を含むことを特徴とする請求項２１記載の高分子発光素子。
23. 請求項２０〜２２のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とする面状光源。
24. 請求項２０〜２２のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とするセグメント表示装置。
25. 請求項２０〜２２のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とするドットマトリックス表示装置。
26. 請求項２０〜２２のいずれかに記載の高分子発光素子をバックライトとすることを特徴とする液晶表示装置。
27. 請求項２０〜２２のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とする照明。