JP2005223043A - 光集積デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 共通の基板11上にpin構造のDFBレーザとpin構造のEA変調器が構成され、両素子の活性層構造13,19が突合せ接合されている。p型の上部クラッド層15のうち、接続部分の真上の部分112は、n型の下部クラッド層12と同じ導電形(n型)で構成している。n電極18を接地し、p電極17に正電圧を印加し、p電極110に負電圧(逆バイアス)を印加したとき、n型層112とp型上部クラッド層15により構成されるpn接合部分にのみ電圧印加がされ、その下部に位置する活性層構造19には電圧が印加されず、良好な応答特性が得られる。
【選択図】 図1
Description
特に、大きな逆バイアス動作状態や、超高速の変調を行う場合に、この応答速度劣化要因がデバイス動作速度の低下を引き起こすという問題があった。
前記上部クラッド層のうち、前記第1の半導体光素子の活性層と前記第2の半導体光素子の活性層とが接続されている接続部分の上にある一部が、下部クラッド層と同一の導電形で構成されていることを特徴とする。
本実施例では、リッジストライプの両脇はポリイミドにより埋め込まれているが、FeやRu等をドープした半絶縁性のInPからなる半導体高抵抗層で埋め込まれてもよい。
本実施例では、リッジストライプの両脇はポリイミドにより埋め込まれているが、FeやRu等をドープした半絶縁性のInPからなる半導体高抵抗層で埋め込まれてもよい。
本実施例では、リッジストライプの両脇はポリイミドにより埋め込まれているが、FeやRu等をドープした半絶縁性のInPからなる半導体高抵抗層で埋め込まれてもよい。
12,22,32,42 n−InP下部クラッド層
13,23 MQW活性層構造
33,43 光導波路層
14,24 回折格子
15,25,35,45 p−InP上部クラッド層
16,26,36,46 コンタクト層
17,27,37,47 p電極
18,28,38,48 n電極
19,29,39 MQW活性層構造
49 光受光層
110,210,310,410 p電極
111,211,311,411 分離溝
112,212,312,412 n−InP層
Claims (5)
- 半導体基板上に、pin構造よりなる第1の半導体光素子とpin構造よりなる第2の半導体光素子が配置され、前記第1の半導体光素子の活性層と前記第2の半導体光素子の活性層とが接続されている光集積デバイスにおいて、
前記第1の半導体光素子の活性層と前記第2の半導体光素子の活性層とが接続されている接続部分の上部クラッド層の一部が、下部クラッド層と同一の導電形で構成され、
前記接続部分の活性層に外部から印加電圧が印加されないように構成されていることを特徴とする光集積デバイス。 - 半導体基板上に、pin構造よりなる第1の半導体光素子とpin構造よりなる第2の半導体光素子が配置され、前記第1の半導体光素子は、前記半導体基板上に下部クラッド層,活性層,上部クラッド層を積層してなる構造となっており、前記第2の半導体光素子は、前記半導体基板上に下部クラッド層,活性層,上部クラッド層を積層してなる構造となっており、しかも、前記第1の半導体光素子の活性層と前記第2の半導体光素子の活性層とが突き合せ接合されている光集積デバイスにおいて、
前記上部クラッド層のうち、前記第1の半導体光素子の活性層と前記第2の半導体光素子の活性層とが接続されている接続部分の上にある一部が、下部クラッド層と同一の導電形で構成されていることを特徴とする光集積デバイス。 - 請求項1又は請求項2に記載の光集積デバイスにおいて、
第1の半導体光素子が電界吸収型光変調器であり、第2の半導体光素子が半導体レーザであることを特徴とする光集積デバイス。 - 請求項1又は請求項2に記載の光集積デバイスにおいて、
第1の半導体光素子が電界吸収型光変調器であり、第2の半導体光素子が光導波路であることを特徴とする光集積デバイス。 - 請求項1又は請求項2に記載の光集積デバイスにおいて、
第1の半導体光素子が半導体受光素子であり、第2の半導体光素子が光導波路であることを特徴とする光集積デバイス。
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