JP2006287144A - 光集積デバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】 消費電力の小さい光集積デバイスを実現する。
【解決手段】 光変調器10とDFBレーザ20とが光結合する構造となっており、DFBレーザ20から出射された光が光変調器10への入射光Pinとなり、光変調器10からは光変調された出射光Poutが出力される。DFBレーザ20には変調電気信号Qが入力され、光変調器10には反転変調電気信号Q′が入力される。このため、DFBレーザ20から出力され光変調器10に入力される入射光Pinはある程度変調がされており、光変調器10では反転変調電気信号Q′により不足分の変調を行うだけで済む。このため、光変調器10での変調負担が減り、全体として消費電力が低減する。
【選択図】 図1
【解決手段】 光変調器10とDFBレーザ20とが光結合する構造となっており、DFBレーザ20から出射された光が光変調器10への入射光Pinとなり、光変調器10からは光変調された出射光Poutが出力される。DFBレーザ20には変調電気信号Qが入力され、光変調器10には反転変調電気信号Q′が入力される。このため、DFBレーザ20から出力され光変調器10に入力される入射光Pinはある程度変調がされており、光変調器10では反転変調電気信号Q′により不足分の変調を行うだけで済む。このため、光変調器10での変調負担が減り、全体として消費電力が低減する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、光通信分野の光変調機能付き光源として最適な光集積デバイスに関するものである。
従来の光通信用光源は、直流駆動の半導体レーザ素子から出射されたDC(直流)光を光変調器に通し、光変調器への変調電気信号の印加により、光変調器から出射される出射光が光変調される形態である(非特許文献1参照)。
このときの駆動形態の従来の回路図を図6に示す。光変調器1への光変調器部電気信号Vea(この光変調器部電気信号Veaは、変調電気信号Vdと直流バイアス電圧Vea_biasを重畳した電気信号である)は、通常特性インピーダンス50オームの線路を介して印加されるため、光変調器端での光変調器部電気信号Veaの電気反射を抑えるために、50オーム終端されている。
また、光変調器1とDFBレーザ2とが光結合される状態で配置される構造体となっている。即ち、DFBレーザ2から出射された出射光が、光変調器1への入射光Pinとなり、この入射光Pinが光変調器1にて光変調され、光変調器1から光変調された出射光Poutが出力されるようになっている。
また、光変調器1とDFBレーザ2とが光結合される状態で配置される構造体となっている。即ち、DFBレーザ2から出射された出射光が、光変調器1への入射光Pinとなり、この入射光Pinが光変調器1にて光変調され、光変調器1から光変調された出射光Poutが出力されるようになっている。
次に、光変調の様子を図7に模式的に示す。今、簡単のために、100%のデータ変調を考え、データ信号のマーク率を1/2とする。光出力(出射光Pout)がOFF状態では、入射光Pinはすべて光変調器1内で吸収されており、このときの吸収により発生する吸収電流の大きさをIph、光変調器部電気信号Veaの駆動電圧振幅値をVppとすると、光変調器1におけるRF成分の平均ジュール熱は、Vpp×Iph/2となる。また、半導体レーザ素子(DFBレーザ2)は直流駆動のため、電圧及び電流をそれぞれVld、Ildとすると、Vld×Ildの電力消費がある。
「低チャープ 10 Gbit/s用電界吸収型変調器集積化DFBレーザ」,NTT R&D Vol.49, No.8, pp.450-457, 2000.
このように、従来の光変調デバイスは、光変調器が100%その機能(光変調の機能)を担っているため、光を十分に消光させるために大きな駆動電圧振幅(Vpp)が必要であり、消光に伴って発生する吸収電流によるジュール熱により素子温度が上がる。この温度上昇を防ぐために大容量のペルチェ素子などによる素子温度制御に伴う大きな電力消費があり、これら全体で構成される光変調光源モジュールの消費電力が大きくなってしまうという問題があった。
本発明は、上記従来技術に鑑み、光変調器の駆動電圧、および、光変調器での吸収電流が小さく、光変調器および半導体レーザでの消費電力が小さい光集積デバイスを提供することを目的とする。
上記課題を解決する第1の発明は、
電気信号が入力されるとこの電気信号の波形に応じた光波形となっている光を出射する半導体レーザ素子と、光が入射されると共に電気信号が入力されると電気信号の波形に応じて光を変調し変調した光を出射する光変調素子とを有し、
前記半導体レーザ素子から出射された光が前記光変調素子に入射されるように、前記半導体レーザ素子と前記光変調素子とが光結合された構造体になっており、
前記半導体レーザ素子にはデータ信号である変調電気信号が入力され、前記光変調素子には前記変調電気信号の信号波形を反転した信号波形となっている反転変調電気信号が入力される構成になっていることを特徴とする。
電気信号が入力されるとこの電気信号の波形に応じた光波形となっている光を出射する半導体レーザ素子と、光が入射されると共に電気信号が入力されると電気信号の波形に応じて光を変調し変調した光を出射する光変調素子とを有し、
前記半導体レーザ素子から出射された光が前記光変調素子に入射されるように、前記半導体レーザ素子と前記光変調素子とが光結合された構造体になっており、
前記半導体レーザ素子にはデータ信号である変調電気信号が入力され、前記光変調素子には前記変調電気信号の信号波形を反転した信号波形となっている反転変調電気信号が入力される構成になっていることを特徴とする。
また、第2の発明は、前記第1の発明の光集積デバイスの前記半導体レーザ素子と前記光変調素子が、同一半導体基板上にモノリシック集積されて構成されていることを特徴とする。
また、第3の発明は、前記第2の発明の光集積デバイスにおいて、光変調素子及び半導体レーザの表面側導電性がそれぞれ異なることを特徴とする。
本発明によれば、光変調素子と半導体レーザ素子が光結合された構造において、光変調素子と半導体レーザ素子がそれぞれ、高速データ信号である変調電気信号Qと、この変調電気信号Qの信号波形を反転させた信号波形となっている反転変調電気信号Q′により駆動されることにより、半導体レーザ素子自体からの出射光が一部で変調されており、半導体レーザ素子からの出射光を光変調素子により必要とされる消光比まで、追加の形で変調することになっている。
このため、光変調素子での吸収が必要な光信号部分は、半導体レーザ素子自体からの出射の時点で小さくなっているため、光変調素子にて追加の形で光変調すればよく、変調に必要な駆動電圧が小さくなると共に、光吸収電流も小さくなるため、光変調器における発生ジュール熱も小さくなる。
これらにより、光変調素子及び半導体レーザ素子の温度上昇を防ぐためのペルチェ素子などによる素子温度制御に伴う電力消費が小さくて済み、これら全体で構成される光変調光源モジュールの消費電力を大幅に低減できる。
これらにより、光変調素子及び半導体レーザ素子の温度上昇を防ぐためのペルチェ素子などによる素子温度制御に伴う電力消費が小さくて済み、これら全体で構成される光変調光源モジュールの消費電力を大幅に低減できる。
本発明を実施するための最良の形態を図1に、このときの光変調の様子を示す信号パタンを図2に模式的に示す。
一般的に電気信号の高速化のための多重化回路からは、高速データ信号である変調電気信号Qと、変調電気信号Qの信号波形を反転した信号波形となっている反転変調電気信号Q′が出力される。
上述のように、本実施の形態では、光変調素子(光変調器)と半導体レーザ素子(DFBレーザ)が光結合された構造体において、光変調素子と半導体レーザ素子がそれぞれ、変調電気信号Qと反転変調電気信号Q′により駆動されることにより、半導体レーザ素子自体からの出射光が一部で変調されており、その光(一部が変調された光)を光変調素子により必要とされる消光比まで、追加の形で変調することになっている。
吸収が必要な光信号部分は、半導体レーザ素子自体からの出射の時点で、小さくなっているため、光変調素子にて追加の形で光変調すればよく、変調に必要な駆動電圧が小さくなる(Vpp′<Vpp)と共に、光吸収電流も小さくなる(Iph′<Iph)。
このため、光変調器における発生ジュール熱も小さくなる。また、半導体レーザ自体の消費電力もDC光状態に比べ、変調された状態の方が不要な発光を削減した分だけ小さくて済む。
これらにより、光変調器および半導体レーザの温度上昇を防ぐためのペルチェ素子などによる素子温度制御に伴う電力消費が小さくて済み、これら全体で構成される光変調光源モジュールの消費電力を大幅に低減できる。
次に、本発明の実施例1を、図1を参照して詳細に説明する。
実施例1に係る光集積デバイスでは、光変調素子である電界吸収型の光変調器10と、半導体レーザ素子であるDFBレーザ20が図1のように電気接続され、光結合されている。
一般的に電気信号の高速化のための多重化回路からは、高速データ信号である変調電気信号Qとその反転変調電気信号Q′が出力される。そこで、半導体レーザ素子であるDFBレーザ20には、高速データ信号である変調電気信号Qを入力する。そうすると、DFBレーザ20は、この変調電気信号Qの波形に応じた光波形となっている光(光変調器10への入射光Pin)を出射する。
また光変調素子である光変調器10には、入射光Pinを入射させると共に、変調電気信号Qの信号波形を反転した信号波形となっている反転変調電気信号Q′を入力する。そうすると、光変調器10は、反転変調電気信号Q′の波形に応じて、入射光Pin変調し、変調した出射光Poutを出射する。
また光変調素子である光変調器10には、入射光Pinを入射させると共に、変調電気信号Qの信号波形を反転した信号波形となっている反転変調電気信号Q′を入力する。そうすると、光変調器10は、反転変調電気信号Q′の波形に応じて、入射光Pin変調し、変調した出射光Poutを出射する。
本実施例1の光集積デバイスでは、光変調器10とDFBレーザ20が光結合される状態で配置される構造体となっている。即ち、DFBレーザ20から出射された出射光が、光変調器10への入射光Pinとなり、この入射光Pinが光変調器10にて光変調され、光変調器10から光変調された出射光Poutが出力されるようになっている。
DFBレーザ20の直流動作状態における抵抗値は、発振しきい値以上では、ほぼ一定の値にクランプされる。本実施例の場合、DFBレーザ20の直流動作状態における抵抗値は約5Ωであったので、このDFBレーザ20に直列に45Ωの抵抗Roを接続し、その総和が、駆動系の特性インピーダンス50Ωに等しくなるようにして、DFBレーザ20側の直流動作状態における抵抗値を調整している。これによりインピーダンス整合が図られ、変調電気信号Qは、素子側での反射を低く抑えられている。
10Gb/sの光変調器部電気信号Vea′の振幅Vpp′が1Vで駆動したとき、一部変調されたDFBレーザ20からの出射光は、光結合され、電界吸収型の光変調器10に入射光Pinとして入射されている。このDFBレーザ20からの出射光で光変調器10への入射光Pinは、図2に模式的に示したように、オンオフ比が約5dBの光信号となっている。なお、当然ながら、ここで用いられているDFBレーザ20は、10Gb/sの直接変調が可能な素子を用いている。
10Gb/sの反転変調電気信号Q′は同時に電界吸収型の光変調器10に印加されているので、入射光Pinは、光変調器10にて光変調を受ける。このとき、DFBレーザ20自体からの出射光(入射光Pin)はすでに5dBの光変調をされている。このため光変調器10では、その光(入射光Pin)を一般的に要求される消光比10dBまで、追加の形で変調すればよく、残りの5dBを光変調器10で消光させればよい。
光変調器10の消光特性は図3のようになっており、0から−1Vまでの1V変化幅で5dB以上の消光比がとれる。本実施例1の場合、変調信号振幅(Vpp)が1Vで、出力光の消光比Poutは、10dB以上取れている。
なお、光の速度は、変調電気信号Q,Q′の速度より圧倒的に早いため、DFBレーザ20と光変調器10に同時に変調電気信号Q,Q′が印加されてもその時間差はほとんど問題にならないように構成できる。
無論、より高速な動作においては、厳密を期すために、光変調器10への反転変調電気信号Q′の印加タイミングとしては、DFBレーザ20の発光遅れ時間や光変調器10までの光の到達時間分の遅延を考慮に入れた構造にした方がよい。
無論、より高速な動作においては、厳密を期すために、光変調器10への反転変調電気信号Q′の印加タイミングとしては、DFBレーザ20の発光遅れ時間や光変調器10までの光の到達時間分の遅延を考慮に入れた構造にした方がよい。
従来方法では、DFBレーザからはDC光を出力し、光変調器のみで10dBの変調を行うため、図3よりわかるように、変調信号振幅(Vpp)が2V以上必要である。一般的に、多重化回路からの高速データ信号(変調電気信号)Qとその反転データ信号(反転変調電気信号)Q′は、電圧振幅が1V程度以下であるため、2V以上の振幅を得るために別途増幅器を挿入する必要があり、これによるさらなる消費電力増大が起きてしまう。
また、本実施例の場合、光変調器10での吸収が必要な光信号部分は、DFBレーザ20自体からの出射の時点で、小さくなっているため、追加の形で変調に必要な駆動電圧が上述のように小さくなると共に、光吸収電流も小さくなるため、光変調器10における発生ジュール熱も小さくなる。また、DFBレーザ20自体の消費電力もDC光状態に比べ、変調された状態の方が不要な発光を削減した分だけ小さくて済む。
これらにより、光変調器10およびDFBレーザ20の温度上昇を防ぐためのペルチェ素子などによる素子温度制御に伴う電力消費が小さくて済み、これら全体で構成される光変調光源モジュールの消費電力を大幅に低減できた。
次に、本発明の実施例2に係る光集積デバイスについて、光導波路構造のリッジストライプに沿っての断面構造模式図である図4を参照して詳細に説明する。
図4に示すように、DFBレーザ20は、p−InP基板51のDFBレーザ領域51a上に、p−InP下部クラッド層52、両側がInGaAsPからなるSCH層で挟まれたMQW活性層構造53、InGaAsPからなる回折格子54、回折格子54上のn−InP上部クラッド層55、及びn−InGaAsPコンタクト層56の積層構造よりなる。n−InGaAsPコンタクト層56上にはn電極57が、p−InP基板51の裏面には共通のp電極58が形成されている。
EA変調器(光変調器)10は、p−InP基板51のEA変調器領域51b上に、DFBレーザ20とは反対の導電性のn−InP下部クラッド層59、光変調層を構成する両側をSCH層で挟まれたMQW活性層構造510、光変調層(MQW活性層構造)510上の、DFBレーザ20とは反対の導電性のp−InP上部クラッド層511、及びp−InGaAsPコンタクト層512の積層構造よりなる。MQW活性層構造510は、バンドギャップ波長1.49μmの活性層を有する。p−InGaAsPコンタクト層512上にはp電極513が形成されている。n電極は、光導波路構造のストライプの脇部分において、n−InP下部クラッド層59上に設けている。
DFBレーザ20のMQW活性層構造53と、EA変調器10のMQW活性層構造510、および光導波路層514は、突き合わせ接合方式により結合されている。EA変調器とDFBレーザとの間には、分離溝516が設けてあり,EA変調器とDFBレーザの上部クラッド層の間は、アンドープのInPクラッド層515により電気的に分離している。
なお、DFBレーザ20及びEA変調器10は、リッジストライプ(図示せず)に成形され、導波路を形成している。リッジストライプの両脇は、ポリイミドからなる高抵抗層(図示せず)で埋め込まれている。
光変調器10とDFBレーザ20は、図1のように電気接続され、光結合されている。一般的に電気信号の高速化のための多重化回路からは、高速データ信号Qとその反転信号Q′が出力される。DFBレーザ20の直流動作状態における抵抗値は、発振しきい値以上では、ほぼ一定の値にクランプされる。本実施例2の場合、DFBレーザ20の直流動作状態における抵抗値が約10Ωであったので、このDFBレーザ20に直列に40Ωの抵抗を接続し、その総和が、駆動系の特性インピーダンス50Ωに等しくなるように調整している。これによりインピーダンス整合が図られ、駆動変調信号Qは、素子側での反射を低く抑えられている。
10Gb/sの変調信号振幅(Vpp)が1Vで駆動したとき、DFBレーザ10からの出射光は、オンオフ比が約5dBの光信号となっている。なお、当然ながら、ここで用いているDFBレーザ20は、10Gb/sの直接変調が可能な帯域を有している。
この一部変調されたDFBレーザ20からの出射光(光変調器10への入射光Pin)が、光導波路514により光結合され、電界吸収型の光変調器10に入射されている(図4参照)。変調電気信号Qの反転信号である10Gb/sの反転変調電気信号Q′は同時に電界吸収型の光変調器10に印加されているので、入射光Pinは、光変調を受けるが、DFBレーザ20自体からの出射光Pinがすでに5dBの光変調をされているため、その光を一般的に要求される消光比10dBまで、追加の形で変調すればよく、残りの5dBを光変調器10で消光させればよい。
実施例2における光変調器10の消光特性は図5のようになっており、0から−1Vまでの1V変化幅で5dB以上の消光比がとれる。本実施例2の場合、変調信号振幅(Vpp)が1Vで、出力光の消光比は、10dB以上取れている。
なお、光の速度は、変調信号の速度より圧倒的に早いため、DFBレーザ20と光変調器10に同時に変調信号が印加されてもその時間差はほとんど問題にならないように構成できる。
無論、より高速な動作においては、厳密を期すために、光変調器10への変調信号の印加タイミングとしては、DFBレーザ20の発光遅れ時間や光変調器10までの光の到達時間分の遅延を考慮に入れた構造にした方がよい。
無論、より高速な動作においては、厳密を期すために、光変調器10への変調信号の印加タイミングとしては、DFBレーザ20の発光遅れ時間や光変調器10までの光の到達時間分の遅延を考慮に入れた構造にした方がよい。
従来方式のように、DFBレーザからDC光を出力し、光変調器のみで10dBの変調を行うには、図5よりわかるように、変調信号振幅(Vpp)が2V以上必要である。
一般的に、多重化回路からの高速データ信号Qとその反転信号Q′は、電圧振幅が1V程度以下であるため、2V以上の振幅を得るために別途増幅器を挿入する必要があり、これによるさらなる消費電力増大が起きてしまう。
一般的に、多重化回路からの高速データ信号Qとその反転信号Q′は、電圧振幅が1V程度以下であるため、2V以上の振幅を得るために別途増幅器を挿入する必要があり、これによるさらなる消費電力増大が起きてしまう。
一方、本実施例2の場合、光変調器10での吸収が必要な光信号部分は、DFBレーザ20自体からの出射の時点で、小さくなっているため、追加の形で変調に必要な駆動電圧が上述のように小さくなると共に光吸収電流も小さくなるため、光変調器10における発生ジュール熱も小さくなる。また、DFBレーザ20自体の消費電力もDC光状態に比べ、変調された状態の方が不要な発光を削減した分だけ小さくて済む。
これらにより、光変調器10および半導体レーザ20の温度上昇を防ぐためのペルチェ素子などによる素子温度制御に伴う電力消費が小さくて済み、これら全体で構成される光変調光源モジュールの消費電力を大幅に低減できた。
この実施例2では、基板としてp−InPを用いているが、半絶縁性InP基板を用い、その上のp−InP52およびn−InP59のそれぞれにp及びn電極を設けるような形態であっても、同様な特性が得られることは言うまでもない。
またこの実施例2では、基板としてp−InPを用いているが、n−InPを用い、上述の実施例におけるpとnを交換する構成にしてもよい。
さらに、半絶縁性InP基板を用い、上述の半絶縁性InP基板の場合と同様に、その上にp−InPおよびn−InP層にそれぞれp及びn電極を設けるような形態であっても、同様な特性が得られることは言うまでもない。
さらに、半絶縁性InP基板を用い、上述の半絶縁性InP基板の場合と同様に、その上にp−InPおよびn−InP層にそれぞれp及びn電極を設けるような形態であっても、同様な特性が得られることは言うまでもない。
また、本実施例は、InGaAsP材料系を用いた例であるが、InGaAlAs系、AlGaAs系、InGaNAs系やInGaAsSb系など、他の材料系でも同様に適用可能である。
1,10 光変調器
2,20 DFBレーザ
51 p−InP基板
52 p−InP下部クラッド層
53 MQW活性層構造
54 回折格子
55 n−InP上部クラッド層
56 コンタクト層
57 n電極
58 p電極
59 n−InP下部クラッド層
510 光変調層を構成する両側をSCH層で挟まれたMQW活性層構造
511 p−InP上部クラッド層
512 p−InGaAsPコンタクト層
513 p電極
514 光導波路層
515 アンドープのInPクラッド層
516 分離溝
2,20 DFBレーザ
51 p−InP基板
52 p−InP下部クラッド層
53 MQW活性層構造
54 回折格子
55 n−InP上部クラッド層
56 コンタクト層
57 n電極
58 p電極
59 n−InP下部クラッド層
510 光変調層を構成する両側をSCH層で挟まれたMQW活性層構造
511 p−InP上部クラッド層
512 p−InGaAsPコンタクト層
513 p電極
514 光導波路層
515 アンドープのInPクラッド層
516 分離溝
Claims (3)
- 電気信号が入力されるとこの電気信号の波形に応じた光波形となっている光を出射する半導体レーザ素子と、光が入射されると共に電気信号が入力されると電気信号の波形に応じて光を変調し変調した光を出射する光変調素子とを有し、
前記半導体レーザ素子から出射された光が前記光変調素子に入射されるように、前記半導体レーザ素子と前記光変調素子とが光結合された構造体になっており、
前記半導体レーザ素子にはデータ信号である変調電気信号が入力され、前記光変調素子には前記変調電気信号の信号波形を反転した信号波形となっている反転変調電気信号が入力される構成になっていることを特徴とする光集積デバイス。 - 請求項1に記載の光集積デバイスにおいて、
前記半導体レーザ素子と前記光変調素子が、同一半導体基板上にモノリシック集積されて構成されていることを特徴とする光集積デバイス。 - 請求項2に記載の光集積デバイスにおいて、前記光変調素子及び前記半導体レーザ素子の表面側導電性がそれぞれ異なることを特徴とする光集積デバイス。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012178498A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ装置 |
JP2019079993A (ja) * | 2017-10-26 | 2019-05-23 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光素子 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05160438A (ja) * | 1991-12-04 | 1993-06-25 | Fujitsu Ltd | 電界吸収型光変調駆動方法 |
JPH0951142A (ja) * | 1995-08-04 | 1997-02-18 | Fujitsu Ltd | 半導体発光素子 |
JP2004301874A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | 光素子モジュール |
-
2005
- 2005-04-05 JP JP2005108282A patent/JP2006287144A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05160438A (ja) * | 1991-12-04 | 1993-06-25 | Fujitsu Ltd | 電界吸収型光変調駆動方法 |
JPH0951142A (ja) * | 1995-08-04 | 1997-02-18 | Fujitsu Ltd | 半導体発光素子 |
JP2004301874A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | 光素子モジュール |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012178498A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ装置 |
JP2019079993A (ja) * | 2017-10-26 | 2019-05-23 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光素子 |
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A977 | Report on retrieval |
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