JP2004301874A - 光素子モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体レーザと、半導体レーザの出力光を強度変調する電界吸収型光変調器と、一対の差動信号を出力する駆動回路とを備えて、一対の差動信号の一方を電界吸収型光変調器に供給し、一対の差動信号の他方を半導体レーザに供給することにより、半導体レーザの持つチャープ特性で電界吸収型光変調器の持つチャープ特性を相殺する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、電界吸収型光変調器を搭載し、変調光を出力する光素子モジュールに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
電界吸収型(EA:Electro−Absorption)光変調器は、半導体レーザ(LD素子)から出射される定常光を強度変調するものである。つまり、EA変調器に半導体レーザ光源から出射される光を入射させている状態において、変調電気信号として、0Vを与えたときに入射光を通過させ、負電圧を印加した場合に入射光を吸収させることによって、光の通過/不通過を制御して強度変調させるものである。EA変調器は、駆動電圧が低いので、半導体レーザとの集積化により小型化が可能である。
【0003】
従来のEA変調器では、EA変調器とDC結合を成すドライバと、EA変調器と並列に接続された負荷抵抗と、EA変調器と並列接続された定電流源を設けて、フォトカレントが負荷抵抗に流れ込まないようにするバイパスラインを負荷抵抗と並列に接続することによって、波長チャープ(波長が一時的に変動する現象)の少ない光強度変調を行うことが知られている(例えば、特許文献1参照)。
【0004】
【特許文献1】
特開平9−33867号公報(第1頁〜第3頁、第2図)
【0005】
しかしながら、特許文献1に記載されるような従来のEA変調器は、フォトカレントによって生じる自己バイアス現象を抑えて、結果的に波長チャープを少なくするものであって、EA変調器が特性上有している波長チャープ自体を、抑圧することはできなかった。
【0006】
このため、EA変調器を変調駆動させる変調電気信号の立ち上がり/立下り付近で、出力光に波長チャープが生じて、例えば10Gb/s以上の高速度で、80km以上の長距離伝送を行うに際して、光信号の伝送特性に影響を生じていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
従来のEA変調器は、EA変調器を変調駆動させる変調電気信号の立ち上がり/立下り付近で、EA変調器の出力光に波長チャープを生じて、高速・長距離伝送を行う際の伝送特性に影響を生じていた。
【0008】
この発明は係る課題を解決するためになされたものであって、EA変調器に供給される変調電気信号の立ち上がり・立下り時に生じる、EA変調器の出力光の波長チャープを低減させることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
この発明による光素子モジュールは、半導体レーザと、上記半導体レーザの出力光を強度変調する電界吸収型光変調器と、一対の差動信号を出力する駆動回路と、上記駆動回路から出力された一対の差動信号の一方を、上記電界吸収型光変調器に供給する第1の信号線路と、上記駆動回路から出力された一対の差動信号の他方を、上記半導体レーザに供給する第2の信号線路とを備えたものである。
【0010】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1による光素子モジュールの構成を示す図である。
図において、LD素子1とEA変調器2は一体に集積化されており、LD素子1の出力光がEA変調器2に入射するように構成されている。LD素子1から出力されてEA変調器2に入射された光は、EA変調器2で強度変調されて、変調光が光ファイバ6の端面に結合され、光ファイバ内を信号伝送される。
【0011】
駆動回路(ドライバIC)3は、強度変調された一対の差動の電圧信号として、正相の電気信号S1(DATA)と逆相の電気信号S2(DATA−N)を出力する。図2は、ドライバIC3の正相出力端子3a、逆相出力端子3bから夫々出力される電気信号S1、S2の一例を示す図であり、例えばNRZ(Non Return Zero)方式のディジタルデータ信号に対応した変調信号が出力されている。
ドライバIC3の正相出力端子3aから出力される正相の電気信号S1は、(第1の)信号線路3cを伝送されて、強度変調された電圧信号VeとしてEA変調器2の電極に給電される。
また、ドライバIC3の逆相出力端子3bから出力される逆相の電気信号S2は、(第2の)信号線路3dを伝送されて、変調電流調整部10に入力される。変調電流調整部10では、ドライバIC3から出力される電気信号S2(電圧信号)を電流信号に変換するとともに、変換された電流信号の振幅を適宜に調整して出力する。変調電流調整部10から出力された変調電流Idは、信号線路3eを伝送されて、LD素子1の電極に給電される。
ここで、信号線路3cと信号線路3dとは、ドライバIC3と信号線路4との接続点の間で、一対の差動線路(結合線路)を構成しても良い。この場合は、信号線路への外部ノイズの混入に伴なった伝送信号の変動を抑圧することができる。ただし、信号線路3cと信号線路3eについては、差動線路を構成しないように、線路間が結合しない程度に離間して配置する。
【0012】
なお、一般的にドライバICは、正相の電気信号S1(DATA)と逆相の電気信号S2(DATA−N)を同時に発生している。このため、従来のEA変調器2では、ドライバICからの正相の電気信号S1(DATA)をEA変調器部分に給電する際、他方の逆相の電気信号S2(DATA−N)を、信号線路の端末に接続した抵抗(通常抵抗値50Ω)で終端している。
【0013】
信号線路3cを伝送された電圧信号Veは、EA変調器2の電極に給電される。 この際、電圧信号Veが0Vを与えたときには入射光を通過させ、電圧信号Veが負電圧を印加した場合には入射光を吸収させることによって、光の通過/不通過を制御して出力光を強度変調させる。
また、バイアス給電用の信号線路4を介して、LD素子1に対して一定のバイアス電流Ibが供給される。信号線路4は、信号線路3eに対してT字接続されている。かくして、LD素子1の電極には、バイアス電流Ibと変調電流Idが合流されて給電される。LD素子1はバイアス電流Ibに従って、一定強度の連続(CW)光を発光させる。また、LD素子1には更に、LD素子1の変調動作をON/OFFさせるための変調電流Idが加えられており、これによってLD素子1の出力光強度は、上記一定強度を基準として上下に変調動作させる。
【0014】
ここで、LD素子1が供給される駆動電流に応じて出力光を直接変調させる際、LD素子1の出力光自体も波長チャープ特性を有している。この実施の形態1では、LD素子1の有する波長チャープ特性を利用することによって、EA変調器2の有する波長チャープ特性を打ち消すことを特徴とする。
【0015】
図3は、EA変調器2に供給される電気信号S1の波長チャープ特性の一例を示す図である。図において、光出力(信号)の立ち上がり/立下りにおいて、波長の微小変動が見られる。具体的には、立ち下り時において、一度プラス方向へ動いた後、マイナス方向に変動する傾向が見られる。また、立上り時においては、一度プラス方向へ動いた後、マイナス方向に変動する傾向が見られる。
【0016】
また、図4はLD素子1(DFB−LD)に供給される電気信号の波長チャープ特性の一例を示す図である。図において、光出力(信号)の立ち上がり/立下り時において、波長の微小変動が見られる。具体的には、立ち上がり時において、一度マイナス方向へ動いた後、プラス方向に変動する傾向が見られる。また、立下り時においては、一度プラス方向へ変動する傾向が見られる。
【0017】
したがって、このLD素子1とEA変調器2の出力光の波長チャープ特性を利用して、LD素子1とEA変調器2に一対の差動信号(信号S1、S2)を給電することによって、それぞれの波長チャープを相殺し、EA変調器2がその特性上有している出力光の波長チャープを低減させる。
この際、通常LD素子1の波長チャープの最大振幅(ピーク)が、EA変調器2の波長チャープの最大振幅(ピーク)よりも大きい。このため、変調電流調整部10は、電気信号S2を電流信号に変換した後、EA変調器2の波長チャープの振幅を打ち消す大きさに振幅調整された(減衰された)変調電流Idを出力する。
【0018】
ここで、光信号の消光(ON/OFF)動作について、図5に示す動作概念図を用いて説明する。同図は、入力電流に対するEA変調器2の出力光の消光動作を示している。
LD素子1へ供給される変調電気信号(信号S2)がOFFのとき、光出力はP(0)である。このとき、EA変調器2へ供給される変調電気信号(信号S1)がONとなるため、結果として光出力はONとなる。また、LD素子1へ供給される変調電気信号(信号S2)がONのとき、光出力はP(1)であるが、このとき、EA変調器2へ供給される変調電気信号(信号S1)はOFFとなるため、結果として光出力はOFFとなる。すなわち、出力光のON/OFFはあくまでEA変調器によって行い、LDへの変調信号はチャープ補正にのみ利用することになる。
なお、LD素子1がOFFの場合は、バイアス電流IbによってLD素子1が駆動されていることになる。
【0019】
以上によって、この実施の形態1による光素子モジュールは、LD素子1とEA変調器2の出力光のチャープ特性を利用して、LD素子1とEA変調器2に一対の差動信号(信号S1、S2)を給電することによって、EA変調器2に供給される変調電気信号の立ち上がり・立下り時に生じる、EA変調器2の出力光の波長チャープを低減させることができる。
【0020】
【発明の効果】
この発明によれば、半導体レーザと電界吸収型光変調器の夫々に対して、一対の差動信号信号の夫々を給電することによって、電界吸収型光変調器に供給される変調電気信号の立ち上がり・立下り時に生じる、電界吸収型光変調器の出力光の波長チャープを低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態1による光素子モジュールの構成を示す図である。
【図2】この発明の実施の形態1によるドライバICの出力信号を示す図である。
【図3】この発明の実施の形態1によるEA変調器の出力光の波長チャープ特性を示す図である。
【図4】この発明の実施の形態1によるLD素子の出力光の波長チャープ特性を示す図である。
【図5】この発明の実施の形態1による光素子モジュールのON/OFF動作を示す概念図である。
【符号の説明】
1 LD(半導体レーザ)、2 EA変調器(電界吸収型光変調器)、3 ドライバIC(駆動回路)、3c 信号線路、3d 信号線路、、3e 信号線路、4 信号線路、5 レンズ、6 光ファイバ、10 変調電流調整部。
Claims (4)
- 半導体レーザと、
上記半導体レーザの出力光を強度変調する電界吸収型光変調器と、
一対の差動信号を出力する駆動回路と、
上記駆動回路から出力された一対の差動信号の一方を、上記電界吸収型光変調器に供給する第1の信号線路と、
上記駆動回路から出力された一対の差動信号の他方を、上記半導体レーザに供給する第2の信号線路とを備えた光素子モジュール。 - 上記第2の信号線路は、上記駆動回路と上記半導体レーザとの伝送線路間で、バイアス信号線が接続されたことを特徴とする請求項1記載の光素子モジュール。
- 上記第1、第2の信号線路は、一対の差動線路を構成することを特徴とする請求項1記載の光素子モジュール。
- 半導体レーザと、
上記半導体レーザの出力光を強度変調する電界吸収型光変調器と、
一対の差動信号を出力する駆動回路と、
上記駆動回路から出力された一対の差動信号の一方を、上記電界吸収型光変調器に供給する第1の信号線路と、
上記駆動回路から出力された一対の差動信号の他方を、上記半導体レーザに供給する第2の信号線路と、
上記電界吸収型光変調器に対向配置されたレンズと、
上記レンズと光結合する光ファイバと
を備えた光素子モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003091261A JP2004301874A (ja) | 2003-03-28 | 2003-03-28 | 光素子モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003091261A JP2004301874A (ja) | 2003-03-28 | 2003-03-28 | 光素子モジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2004301874A true JP2004301874A (ja) | 2004-10-28 |
Family
ID=33404676
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2003091261A Pending JP2004301874A (ja) | 2003-03-28 | 2003-03-28 | 光素子モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2004301874A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006287144A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光集積デバイス |
-
2003
- 2003-03-28 JP JP2003091261A patent/JP2004301874A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2006287144A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光集積デバイス |
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