CN111326599B - 一种硅基光电集成芯片装置及带有该硅基光电集成芯片装置的发射系统 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种硅基光电集成芯片装置和带有该装置的发射系统，该装置包括：片上集成的电光调制器，用于接收输入的光源，并将输入的电调制信号调制为光信号；片上集成的光学滤波器，用于对来自所述片上集成的电光调制器的调制后的光信号进行滤波，输出经过调制和滤波后的光信号；至少一个片上集成的光学耦合器，用于将所述经过调制和滤波后的光信号输出。本发明采用片上集成的光学滤波器对发射系统的带宽进行粗补偿和采用片上集成的电光调制器进行细补偿从而提高了带宽补偿效率，提高了信噪比，减小了装置体积，降低了制造成本。
Description
技术领域
本发明涉及半导体集成电路芯片领域，具体地，涉及一种硅基光电集成芯片装置及带有该硅基光电集成芯片装置的发射系统。
背景技术
由于耦合器、调制器、光电二极管、雪崩光电二极管、偏振分集部件和多模干涉仪的高密度集成能力,硅光子集成电路(Si PIC)已经获得了极大的关注。随着对带宽需求的日益增加，主流应用的调制速率不断提高，调制格式复杂度逐渐提高。然而，光发射系统的带宽受限于调制器带宽、驱动器带宽、封装带宽，难以满足日益提高的调制速率和调制格式需求。
截至目前，在光发射系统上应用了两种带宽补偿方案。第一个方案是数字预补偿(DPC，Digital Pre-Compensation)，它的优点是利用数字信号处理芯片(DSP)可以对信号进行几乎任意波形的补偿，从而提高系统带宽。但数字预补偿的一个缺点是它会降低信号的功率，对带宽补偿越多，信号功率降低越多，信号平均幅值也越低。降低信号功率会使得数模转换器(DAC)给信号带来相对较大的噪声，降低信号的信噪比(SNR)。数字预补偿的另一个缺点是，驱动器(Driver)对于DAC产生的信号放大倍率是有限的，且存在有最小输入幅值。过低的信号功率会使得驱动器无法工作在最佳状态且输出电压幅值较低，降低调制器(Modulator)的调制效率。因此，虽然理论上DSP可以进行任意波形的补偿，在实际应用中只能进行有限的补偿。
另一种方案是光学预补偿(OPC，Optical Pre-Compensation)，其通常需要一个光学滤波器。光学滤波器对信号的载波进行滤波，从而实现对带宽的补偿。由于OPC并不直接作用于电信号，所以不会造成SNR降低和调制效率降低。但是，在实际应用中，OPC常常需要使用任意信号整形器(Arbitrary Waveshaper)实现。基于空间光学和硅上液晶(LCoS)技术的任意信号整形器体积较大且价格昂贵，难以在通讯中大规模应用，往往只用于实验研究领域。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供对光发射系统进行有效的带宽补偿并且降低装置的体积和成本。
根据本发明的一个方面，提供了一种硅基光电集成芯片装置，包括：
片上集成的电光调制器，用于接收输入的光源，并将输入的电调制信号调制为光信号；片上集成的光学滤波器，用于对来自所述片上集成的电光调制器的调制后的光信号进行滤波，输出经过调制和滤波后的光信号；至少一个片上集成的光学耦合器，用于将所述经过调制和滤波后的光信号输出。
可选地，所述输入的光源来自外置激光器。
可选地，还包括一个片上集成的光学耦合器，其设置在所述外置激光器和所述片上集成的电光调制器之间，用于所述外置激光器和所述片上集成的电光调制器的光信号耦合。
可选地，还包括片上集成的激光器，所述输入的光源来自所述片上集成的激光器。
可选地，所述硅基光电集成芯片装置的基底材料为绝缘衬底上的硅。
可选地，所述片上集成电光调制器为马赫-曾德尔干涉调制器(MZM)，或为微环调制器(MRM)，或为电吸收调制器(EAM)，或为多个MZM、MRM、EAM组成的复杂格式调制器。
可选地，所述片上集成的光学滤波器为二阶微环滤波器。
可选地，所述片上集成的光学滤波器为马赫-曾德尔干涉结构或光子晶体结构。
可选地，所述片上集成光学滤波器的工作波长范围是C波段或O波段。
可选地，所述片上集成光学滤波器的工作波长范围是C波段和L波段。
根据本发明的一个方面，提供一种包括上述硅基光电集成芯片装置的发射系统，包括：数字信号处理芯片(DSP)，用于将输入的电调制信号转换为电数字信号；数模转换器(DAC)，用于将所述数字信号转换为电模拟信号；驱动器，用于对所述电模拟信号进行放大，并将放大后的电模拟信号输出到所述硅基光电集成芯片的片上集成的电光调制器；微控单元(MCU)，用于通过电控制信号来控制所述数字信号处理芯片、所述硅基光电集成芯片的片上集成的电光调制器和片上集成的光学滤波器。
本发明的有益技术效果为采用片上集成的光学滤波器对发射系统的带宽进行粗补偿，采用DSP对电信号进行DPC细补偿，使得片上集成的电光调制器对光信号进行细补偿从而提高了带宽补偿效率，提高了信噪比，减小了装置体积，降低了制造成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是传统的硅基光电芯片的发射系统框图，只使用DSP对系统的带宽进行预补偿。
图2是传统的硅基光电芯片的发射系统的带宽补偿方法频谱响应示意图。其中，a为DAC、驱动器、电光调制器、传输线的综合带宽频谱示意图；b为DSP进行数字补偿的频谱示意图；c为系统整体带宽示意图。
图3是根据本发明的一个实施例的硅基光电集成芯片装置的设计框图，该设计使用外置光源。
图4是根据本发明的另一个实施例的硅基光电集成芯片装置的设计框图，该设计使用片上集成光源。
图5是本发明的片上集成的光学滤波器的一种实现方式，该实现方式采用二阶微环滤波器的设计，使用微环滤波器的下行(Drop)端口作为光学滤波器输出，可以通过外加电压的方式调整二阶微环滤波器的工作状态。
图6是本发明的片上集成光学滤波器采用二阶微环滤波器实现时的频谱响应。滤波器频谱响应的中心点对应于载波频率，即光信号的中心频率。
图7是本发明的带有硅基光电集成芯片装置的发射系统框图，其使用片上集成的光学滤波器进行系统带宽粗补偿，使用DSP进行系统带宽细补偿。
图8是本发明的带有硅基光电集成芯片装置的发射系统的带宽补偿方法频谱响应示意图。其中，a为DAC、驱动器、电光调制器、传输线的综合带宽频谱示意图；b为片上光学滤波器进行粗补偿的频谱示意图；c为DSP进行数字补偿的频谱示意图；d为系统整体带宽示意图。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本发明相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本发明的一些方面相一致的系统的例子。
图1所示为一种传统的硅基光电芯片发射系统框图。电调制信号经DSP 11进行数字预补偿DPC，传递到DAC 12将数字信号转为模拟信号，再由驱动器13进行放大，最后加载在片上集成电光调制器14上将电信号调制为光信号发出。微控单元15(MCU，MicroController Unit)负责对DSP 11和驱动器13的工作状态进行控制。
图2中a为该系统中DAC 12、驱动器13、片上集成的电光调制器14、传输线的综合带宽频谱，类似于一个低通滤波器。为了提高信号质量，需要使得信号的频谱响应在所需带宽内较为平坦。因此由DSP 11对电信号进行频谱响应如图2中b的数字预补偿(DPC)，从而使得整个系统的频谱响应较为平坦，如图2中c所示。该方案中由于带宽补偿全部由DSP 11完成，当所需传输带宽越大，DSP 11对信号的衰减越强。过低的DSP信号强度会降低DAC 12输出的信噪比SNR，同时影响驱动器的正常工作。
参见图3，根据本发明的一个实施例，提供了一种硅基光电集成芯片装置10，包括：片上集成的电光调制器14，用于接收输入的光源，并将输入的电调制信号调制为光信号；片上集成的光学滤波器16，用于对来自所述片上集成的电光调制器14的调制后的光信号进行滤波，输出经过调制和滤波后的光信号；至少一个片上集成的光学耦合器17，用于将所述经过调制和滤波后的光信号输出。
根据本发明的实施例的一个实施方式，输入的光源来自外置激光器21。
根据本发明的实施例的一个实施方式，片上集成电光调制器14包括高速电极和用于调制的波导。
根据本发明的实施例的一个实施方式，硅基光电集成芯片装置10还包括一个片上集成的光学耦合器18，其设置在所述外置激光器21和所述片上集成的电光调制器14之间，用于所述外置激光器21和所述片上集成的电光调制器14的光信号耦合。
参见图4，根据本发明的实施例的一个实施方式，硅基光电集成芯片装置10包括片上集成的激光器22，所述输入的光源来自所述片上集成的激光器22。
根据本发明的实施例的一个实施方式，硅基光电集成芯片装置10的基底材料为绝缘衬底上的硅(SOI，Silicon-On-Insulator)。
根据本发明的实施例的一个实施方式，片上集成电光调制器14为马赫-曾德尔干涉调制器(MZM)，或为微环调制器(MRM)，或为电吸收调制器(EAM)，或为多个MZM、MRM、EAM组成的复杂格式调制器。片上集成电光调制器14可以用于相位调制，或者用于强度调制，或者用于包含相位调制和强度调制的复杂格式调制。
根据本发明的实施例的一个实施方式，片上集成光学滤波器16由微环结构(MR)组成，或由马赫-曾德尔干涉结构(MZI)组成，或由光子晶体结构组成，或由上述结构的两种或三种组合而成。
片上集成光学滤波器16特征为实现对信号带宽响应的粗补偿，频谱响应在信号频率范围内呈双驼峰状：信号的中心频率区域响应度较低；随偏离信号中心频率，响应度先升高后降低，或先升高后保持不变，或先升高后震荡。
根据本发明的实施例的一个实施方式，片上集成光学滤波器16工作波长范围是C波段或O波段；或者片上集成光学滤波器16工作波长范围是C波段和L波段。
根据本发明的实施例的一个实施方式，片上集成光学滤波器16可以采用二阶微环滤波器的方式实现，如图5所示。光从Input端口进入二阶微环滤波器，经过滤波后从下行端口输出。图6为二阶微环滤波器的频谱响应。频谱响应呈双驼峰状。在中心频率响应较低，可以抑制信号的低频部分；通过对该二阶微环滤波器加电控制信号，可以调整其展宽、衰减值、和中心频率，以适应不同应用场景的需求。在具体实施中，本专利所述片上集成光学滤波器可以采用二阶微环滤波器以外的形式实现，包括但不限于MZI、MR、光子晶体的方式。
根据本发明的实施例的一个实施方式，片上集成光学滤波器16可以采用可调节结构，通过外加电控制信号改变该光学滤波器的工作状态，包括其中心波长、展宽、衰减；也可以采用固定参数的结构。
根据本发明的一个实施例，提供了带有硅基光电集成芯片装置10的发射系统，包括数字信号处理芯片(DSP)11，用于将输入的电调制信号转换为电数字信号；数模转换器(DAC)12，用于将所述数字信号转换为电模拟信号；驱动器13，用于对所述电模拟信号进行放大，并将放大后的电模拟信号输出到所述硅基光电集成芯片10的片上集成的电光调制器14；微控单元(MCU)，用于通过电控制信号来控制所述数字信号处理芯片11、所述硅基光电集成芯片10的片上集成的电光调制器14和片上集成的光学滤波器16。
图7所示为本发明的带有硅基光电集成芯片装置的发射系统框图。电调制信号经DSP 11进行DPC，传递到DAC 12将数字信号转为模拟信号，再由驱动器13进行放大，之后加载在片上集成电光调制器14上将电信号调制为光信号发出。而光信号经由片上集成的光学滤波器16进行光学预补偿(OPC)。MCU 15负责对DSP 11，片上集成的电光调制器14和片上集成的光学滤波器16的工作状态进行控制。图8中a为该系统中DAC 12、驱动器13、片上集成的电光调制器14、传输线的综合带宽频谱，类似于一个低通滤波器。为了提高信号质量，需要使得信号的频谱响应在所需带宽内较为平坦。本发明的片上集成光学滤波器16与DSP 11共同完成信号的带宽补偿。片上集成的光学滤波器16实现任意波形的补偿较为困难，因此用于对信号进行OPC粗补偿，频谱响应如图8的b所示；DSP11对电信号进行DPC细补偿，频谱响应如图8的c所示。DSP 11的DPC与本专利所述带有片上光学滤波补偿的硅基光电芯片的OPC共同作用，使得整个系统的频谱响应较为平坦，如图8的d所示。由于DSP 11只需要进行细补偿，DSP11对信号的衰减较弱。避免了DAC 12输出信号SNR降低和驱动器13输入功率过低的问题。
本发明的特征和益处通过参考实施例进行说明。相应地，本发明明确地不应局限于这些说明一些可能的非限制性特征的组合的示例性的实施例，这些特征可单独或者以特征的其它组合的形式存在。
以上所述实施例，仅为本发明的具体实施方式，用以说明本发明的技术方案，而非对其限制，本发明的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例技术方案的精神和范围，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种硅基光电集成芯片装置，包括：
片上集成的电光调制器，用于接收输入的光源，并将输入的电调制信号调制为光信号；
片上集成的光学滤波器，用于对来自所述片上集成的电光调制器的调制后的光信号进行滤波，输出经过调制和滤波后的光信号；所述片上集成的光学滤波器包括微环结构、马赫-曾德尔干涉结构、光子晶体结构中的一种或多种结构；
至少一个片上集成的光学耦合器，用于将所述经过调制和滤波后的光信号输出。
2.根据权利要求1的硅基光电集成芯片装置，其特征在于，所述输入的光源来自外置激光器。
3.根据权利要求2所述的硅基光电集成芯片装置，其特征在于，还包括一个片上集成的光学耦合器，其设置在所述外置激光器和所述片上集成的电光调制器之间，用于所述外置激光器和所述片上集成的电光调制器的光信号耦合。
4.根据权利要求1的硅基光电集成芯片装置，其特征在于，还包括片上集成的激光器，所述输入的光源来自所述片上集成的激光器。
5.根据权利要求1的硅基光电集成芯片装置，其特征在于，所述硅基光电集成芯片装置的基底材料为绝缘衬底上的硅。
6.根据权利要求1的硅基光电集成芯片装置，其特征在于，所述片上集成电光调制器为马赫-曾德尔干涉调制器(MZM)，或为微环调制器(MRM)，或为电吸收调制器(EAM)，或为多个MZM、MRM、EAM组成的复杂格式调制器。
7.根据权利要求1所述的硅基光电集成芯片装置，其特征在于，所述片上集成的光学滤波器为二阶微环滤波器。
8.根据权利要求1所述的硅基光电集成芯片装置，其特征在于，所述片上集成光学滤波器的工作波长范围是C波段或O波段。
9.根据权利要求1所述的硅基光电集成芯片装置，其特征在于，所述片上集成光学滤波器的工作波长范围是C波段和L波段。
10.一种包括权利要求1至9任一项所述的硅基光电集成芯片装置的发射系统，其特征在于，包括：
数字信号处理芯片(DSP)，用于将输入的电调制信号转换为电数字信号；
数模转换器(DAC)，用于将所述数字信号转换为电模拟信号；
驱动器，用于对所述电模拟信号进行放大，并将放大后的电模拟信号输出到所述硅基光电集成芯片的片上集成的电光调制器；
微控单元(MCU)，用于通过电控制信号来控制所述数字信号处理芯片、所述硅基光电集成芯片的片上集成的电光调制器和片上集成的光学滤波器。
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Family Cites Families (4)
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- 2020-03-10 CN CN202010159662.9A patent/CN111326599B/zh active Active
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| CN111326599A (zh) | 2020-06-23 |
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