JP2012178498A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】変調器集積型半導体レーザを用いた半導体レーザ装置に関し、従来に比べて低消費電力及び低コストで高速変調可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】温度により抵抗値の変化する温度依存終端抵抗４を、変調器集積型半導体レーザ３の変調器部３ｂに並列に接続し、温度依存終端抵抗４を介して変調器部３ｂへ変調信号を入力する構成とする。
【選択図】図１

Description

本発明は変調器集積型半導体レーザを用いた半導体レーザ装置に関する。

変調器集積型半導体レーザを使った伝送装置は小型化が可能であり、また信号品質が高いという利点を持ち、光ファイバを用いた高速長距離伝送システムで広く用いられている。現在、変調器集積型半導体レーザを用いた光通信の伝送速度は１０Ｇｂｐｓ以上に達しており、その伝送距離も４０ｋｍ以上が可能となっている。更に、伝送システムの低消費電力化及び低コスト化を実現するために温調機能なしに動作可能な変調器集積型半導体レーザの開発も行われている。

一般的に変調器集積型半導体レーザは、その変調器部を逆バイアス状態にして使用する。このため、高速信号用伝送路にインピーダンス整合させるために固定抵抗を、前記変調器部と並列に接続する。

また、下記の非特許文献１（特にp.354の“B Impedance Matching Circuit”）には、内蔵のＭＯＳトランジスタでフィードバックループを構成し、外部環境に応じて電圧制御することで５０Ωの終端抵抗とすることが記載されている。

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL. 30, NO. 4, pp.353-364, (1995)."A CMOS Serial Link for Fully Duplexed Data Communication", K. Lee. 他

図５〜図７には、変調器集積型半導体レーザの変調器部に並列に固定抵抗を接続した場合のインピーダンスの値と、前記変調器部に印加する逆バイアス電圧の関係の一例を示す。

図５は前記変調器部に並列接続した固定抵抗の抵抗値が５０Ωの場合、図６は前記変調器部に並列接続した固定抵抗の抵抗値が７０Ωの場合、図７は前記変調器部に並列接続した固定抵抗の抵抗値が１００Ωの場合である。これらの図中において黒丸（●）は環境温度２５℃でレーザの駆動電流６０ｍＡの場合の結果、白丸（○）は環境温度２５℃でレーザの駆動電流１２０ｍＡの場合の結果、黒三角（▲）は環境温度８５℃でレーザの駆動電流６０ｍＡの場合の結果、白三角（△）は環境温度８５℃でレーザの駆動電流１２０ｍＡの場合の結果である。

これらの図５〜図７から、インピーダンスの値は動作条件によって大きく変化することがわかる。また、変調器集積型半導体レーザを用いて長距離伝送を行う場合、その伝送特性は変調器集積型半導体レーザの変調器部に印加する逆バイアス電圧の値に大きく依存する。一例を挙げると、この変調器集積型半導体レーザを環境温度２５℃、レーザ駆動電流１２０ｍＡで動作させる場合、逆バイアス電圧を２．３Ｖ以上にするとチャープパラメータの値が０以下になり、良好な伝送特性が得られる。伝送線路を５０Ωで設計した場合、図７のように変調器集積型半導体レーザの変調器部と並列に１００Ωの固定抵抗を配置すると、この変調器部分のインピーダンスの値が５０Ωに整合し、電力の反射を抑えることができる。一方、環境温度８５℃で温調せずに変調器集積型半導体レーザを動作させた場合、チャープパラメータを０以下にするためには、変調器集積型半導体レーザの変調器部の逆バイアス電圧を１．３Ｖ以上にしなくてはならない。この場合、図７からインピーダンスの値は９６Ωということになり、５０Ωの伝送路のインピーダンスから大きく外れて電力の反射が大きくなり、消費電力の増大及び反射の影響による伝送特性の劣化が生じてしまっていた。

また、上記非特許文献１の場合には、トランジスタを用いたフィードバックループを有するため、コストが高くなるという問題点があった。

従って、本発明は上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、変調器集積型半導体レーザを用いた半導体レーザ装置に関し、従来に比べて低消費電力及び低コストで高速変調可能な半導体レーザ装置を提供することを課題とする。

上記課題を解決する第１発明の半導体レーザ装置は、温度により抵抗値の変化する抵抗を、変調器集積型半導体レーザの変調器部に並列に接続し、前記抵抗を介して前記変調器部へ変調信号を入力する構成としたことを特徴とする。

また、第２発明の半導体レーザ装置は、温度により抵抗値の変化する第１の抵抗と、温度により抵抗値がほとんど変化しない第２の抵抗とを直列に接続し、この直列接続した第１の抵抗及び第２の抵抗を変調器集積型半導体レーザの変調器部に並列に接続することにより、前記直列接続した第１の抵抗及び第２の抵抗を介して前記変調器部へ変調信号を入力する構成としたことを特徴とする。

また、第３発明の半導体レーザ装置は、第１又は第２発明の半導体レーザ装置において、前記温度により抵抗値の変化する抵抗とグランドとの間にコンデンサを配置したこと、
又は、前記第１の抵抗もしくは前記第２の抵抗とグランドとの間にコンデンサを配置したこと、
を特徴とする。

本発明によれば、変調器集積型半導体レーザを、温調機能が無い場合でも環境温度によらずに変調器集積型半導体レーザの変調器部分のインピーダンスを伝送路と整合させることができ、このインピーダンス整合した条件で変調器集積型半導体レーザを動作させることができるため、インピーダンス不整合による電力反射と伝送特性の劣化を防ぐことができる。従って、半導体レーザ装置から温調機能を除去することができ、また、トランジスタを用いたフィードバックループなども不要であるため、従来に比べて低消費電力及び低コストで高速変調可能な半導体レーザ装置を実現することができるようになる。その結果、小型で低コストな高速伝送システムを提供することができる。

本発明の実施の形態例１に係る半導体レーザ装置の平面図である（キャリアの金コーティングの一部を破断して示している）。 変調器集積型半導体レーザの構造例を示す断面図である。 本発明の実施の形態例２に係る半導体レーザ装置の平面図である（キャリアの金コーティングの一部を破断して示している）。 本発明の実施の形態例３に係る半導体レーザ装置の平面図である（キャリアの金コーティングの一部を破断して示している）。 逆バイアス電圧とインピーダンスの関係を示す図である。 逆バイアス電圧とインピーダンスの関係を示す図である。 逆バイアス電圧とインピーダンスの関係を示す図である。 反射特性の比較を示す図である。

以下、本発明の実施の形態例を図面に基づいて詳細に説明する。

＜実施の形態例１＞
本発明の実施の形態例１に係る半導体レーザ装置を、図１、図２等を参照して説明する。

図１に示すように、本実施の形態例１の半導体レーザ装置は、セラミック基板１ａの上面に金をコーティング（金コーティング１ｂ）して成るキャリア１の上に高周波信号線基板２と、レーザ部３ａと変調器部３ｂを有する変調器集積型半導体レーザ３と、温度により抵抗値の変化する温度依存終端抵抗４とを配置し、これらに金ワイヤ８〜１１を接続した構成となっている。そして、本実施の形態例１の半導体レーザ装置では、温度依存終端抵抗４を変調器集積型半導体レーザ３の変調器部３ｂに並列に接続し、この温度依存終端抵抗４を介して変調器部３ｂへ変調信号を入力する構成としたことを特徴としている。

詳述すると、変調器部３ｂの表面電極（図２の表面電極２９を参照：図２の構造の詳細については後述）には、金ワイヤ１１の一端を接続する。金ワイヤ１１の他端は、温度依存終端抵抗４の表面電極に接続する。一方、変調器部３ｂの裏面電極（図２の基板側電極３０を参照）と、温度依存終端抵抗４の裏面電極は何れも、キャリア１の金コーティング１ｂに接続する。かくして、温度依存終端抵抗４は、変調器集積型半導体レーザ３の変調器部３ｂに並列に接続される。キャリア１の金コーティング１ｂは、グランド電位に設定する。

レーザ部３ａの表面電極（図２の表面電極２７を参照）には金ワイヤ９を接続し、レーザ部３ｂの裏面電極（図２の基板側電極３０を参照）はキャリア１の金コーティング１ｂに接続する。高周波信号線基板２には高周波信号線２ａが形成されている。高周波信号線２ａの一端部には金ワイヤ８を接続し、高周波信号線２ａの他端部には金ワイヤ１０の一端を接続する。金ワイヤ１０の他端は変調器部３ｂの表面電極に接続する。

変調器集積型半導体レーザ３は、従来の変調器集積型半導体レーザと同様の材料系或いは同様の製造方法で製造される。例えば、図２に例示する変調器集積型半導体レーザ３は、半導体基板としてｎ型ＩｎＰ基板２１を用い、このｎ型ＩｎＰ基板２１上にレーザ部３ａと変調器部３ｂとを形成したものである。

レーザ部３ａはｎ型ＩｎＰ基板２１上に形成されたレーザ部活性層であるＩｎＧａＡｓＰ活性層２２と、ＩｎＧａＡｓＰ活性層２２上に形成され且つ回折格子２４が形成されたガイド層であるＩｎＧａＡｓＰガイド層２３と、ＩｎＧａＡｓＰガイド層２３上に形成されたクラッド層であるｐ型ＩｎＰクラッド層２５と、ｐ型ＩｎＰクラッド層２５上に形成されたレーザ部キャップ層であるｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層２６とで構成されている。変調器部３ｂはｎ型ＩｎＰ基板２１上に形成された、レーザ部３ａと組成の異なる変調器部活性層であるＩｎＧａＡｓＰ活性層３１と、ＩｎＧａＡｓＰ活性層３１上に形成されたクラッド層であるｐ型ＩｎＰクラッド層２５と、ｐ型ＩｎＰクラッド層２５上に形成された変調器部キャップ層であるｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層２８とで構成されている。

また、活性層側面（図２の紙面に垂直な方向の側面）は、ルテニウムをドープしたＩｎＰ層を成長させた埋込み構造になっている。ｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層２６上に形成されたレーザ部３ａの表面電極２７と、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層２８上に形成された変調器部３ｂの表面電極２９は、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層の一部を除去することで電極分離されている。一方、ｎ型ＩｎＰ基板２１の下面に形成された基板側電極（裏面電極）３０は、レーザ部３ａと変調器部３ｂとで共通となっている。左右の両端面には高反射膜３２と反射防止膜３３とが形成されている。

温度により抵抗値の変化する温度依存終端抵抗４は、ホウ素がドープされた抵抗率１０Ω・ｃｍのシリコンを０．４ｍｍ×０．５ｍｍ×０．２ｍｍのサイズの直方体状のシリコンチップに加工し、このシリコンチップの上下面（０．４ｍｍ×０．５ｍｍのサイズの面）にそれぞれ上面電極（表面電極）と下面電極（裏面電極）とを取り付けることで実現される。本実施の形態例１で使用した抵抗率１０Ω・ｃｍのシリコンの抵抗率は、１℃あたり０．８％変化する。

従って、図１のように配置したシリコンチップの温度依存終端抵抗４の抵抗値は、２５℃で約１００Ωであり、８５℃で約５０Ωとなる。このようにすることで、図７から環境温度２５℃で変調器集積型半導体レーザ３のレーザ駆動電流を１２０ｍＡ、変調器集積型半導体レーザ３の変調器部３ｂの逆バイアス電圧を２．３Ｖにした場合のインピーダンスが５０Ωとなり、また、図５から環境温度８５℃で変調器集積型半導体レーザ３のレーザ駆動電流を１２０ｍＡ、変調器集積型半導体レーザの変調器部３ｂの逆バイアス電圧を１．３Ｖにした場合のインピーダンスも５０Ωとなることがわかる。

高速の変調信号は、金ワイヤ８を通し、高周波信号線基板２の高周波信号線２ａを介して変調器部３ｂに伝達される。レーザ駆動用電流は、金ワイヤ９を通してレーザ部３ａに与えられる。キャリア１の上面（金コーティング１ｂ）はグランド電位に設定されており、変調器集積型半導体レーザの裏面電極（図２の構造例では裏面電極３０）、及び、温度依存終端抵抗４の裏面電極を通して、キャリア１の上面（金コーティング１ｂ）へ電流が流れる。

環境温度２５℃、レーザ駆動電流１２０ｍＡ、逆バイアス電圧２．３Vの条件でインピーダンス整合するように１００Ωの固定抵抗を変調器集積半導体レーザの変調器部に並列に接続した半導体レーザ装置と、上記のように温度により抵抗値が変化する温度依存終端抵抗４を変調器集積半導体レーザ３の変調器部３ｂに並列に接続した半導体レーザ装置とを、環境温度８５℃、レーザ駆動電流１２０ｍＡ、逆バイアス電圧１．３Ｖで動作させた場合の電圧反射係数Ｓ１１を、ネットワークアナライザで測定した結果が図８である。図８の実線は１００Ωの固定抵抗を変調器部に並列接続した半導体レーザ装置の測定結果であり、破線は本発明の温度により抵抗値が変化する温度依存終端抵抗４を変調器部３ｂに並列接続した半導体レーザ装置の測定結果である。

この図８からわかるように、２ＧＨｚ付近では電圧反射係数Ｓ１１が、約２０ｄＢ程度改善された。

＜実施の形態例２＞
本発明の実施の形態例２に係る半導体レーザ装置を、図３等を参照して説明する。なお、図３において、実施の形態例１の半導体レーザ装置（図１）と同様の部分には同一の符号を付している。

図３に示すように、本実施の形態例２の半導体レーザ装置は、キャリア１の上に高周波信号線基板２と、変調器集積型半導体レーザ３と、中継基板５上に搭載した温度依存終端抵抗４と、温度により抵抗値がほとんど変化しない抵抗であるチップ抵抗６とを配置し、これらに金ワイヤ８〜１３を接続した構成となっている。そして、本実施の形態例２の半導体レーザ装置では、温度依存終端抵抗４とチップ抵抗６とを直列に接続し、この直列接続した温度依存終端抵抗４及びチップ抵抗６を変調器集積型半導体レーザ３の変調器部３ｂに並列に接続することにより、前記直列接続した温度依存終端抵抗４及びチップ抵抗６を介して変調器部３ｂへ変調信号を入力する構成としたことを特徴としている。

詳述すると、キャリア１の上面（金コーティング１ｂ）に高周波信号線基板２と、変調器集積型半導体レーザ３と、セラミック基板５ａの上面の一部に金電極５ｂをパターニングした中継基板５と、温度により抵抗値がほとんど変化しないチップ抵抗６を搭載する。温度により抵抗値の変化する温度依存終端抵抗４は、中継基板５上の金電極５ｂの部分に搭載する。その後、図３に示すように金ワイヤ８〜１３で各部を接続する。

即ち、実施の形態例１と同様に金ワイヤ８は高周波信号線２ａの一端部に接続され、金ワイヤ９はレーザ部３ａの表面電極に接続され、金ワイヤ１０は両端が高周波信号線２ａの他端部と変調器部３ｂの表面電極とに接続され、金ワイヤ１１は両端が変調器部３ｂの表面電極と温度依存終端抵抗４の表面電極とに接続され、変調器部３ｂの裏面電極はキャリア１の金コーティング１に接続される。

そして、温度依存終端抵抗４の裏面電極は中継基板５の金電極５ｂに接続され、この金電極５ｂに金ワイヤ１２の一端が接続される。金ワイヤ１２の他端は、チップ抵抗６の一端側の電極６ａに接続される。チップ抵抗６の他端側の電極６ｂには、金ワイヤ１３の一端が接続される。金ワイヤ１３の他端は、キャリア１の金コーティング１ｂに接続される。かくして、温度依存終端抵抗４とチップ抵抗６とが直列に接続され、この直列接続された温度依存終端抵抗４及びチップ抵抗６が変調器部３ｂに並列に接続される。

温度により抵抗値の変化する温度依存終端抵抗４は、ホウ素がドープされた抵抗率１０Ω・ｃｍのシリコンを０．５ｍｍ×１．０ｍｍ×０．２ｍｍのサイズの直方体状のシリコンチップに加工し、このシリコンチップの上下面（０．５ｍｍ×１．０ｍｍのサイズの面）に上面電極（表面電極）と下面電極（裏面電極）を取り付けることで実現される。実施の形態例１と同様に本実施の形態例２で使用した抵抗率１０Ω・ｃｍのシリコンの抵抗率は、１℃あたり０．８％変化する。

従って、図３のように配置したシリコンチップの温度依存終端抵抗４の抵抗値は、２５℃で４０Ωであり、８５℃で２０Ωとなる。また、温度依存終端抵抗４に直列に配置するチップ抵抗６の抵抗値を３０Ωとすると、図６から環境温度２５℃で変調器集積型半導体レーザ３のレーザ駆動電流を６０ｍＡ、変調器部３ｂの逆バイアス電圧を２．２Ｖにした場合のインピーダンスが５０Ωとなり、また、図５から環境温度８５℃で変調器集積型半導体レーザ３のレーザ駆動電流を６０ｍＡ、変調器部３ｂの逆バイアス電圧を１．３Ｖにした場合のインピーダンスも５０Ωとなることがわかる。

実施の形態例１と同様に本実施の形態例２においても高速変調信号は、金ワイヤ８を通し、高周波信号線基板２の高周波信号線２ａを介して変調器部３ｂに伝達され、レーザ駆動用電流は金ワイヤ９を通してレーザ部３ａに与えられる。本実施の形態例２の場合も、実施の形態例１と同様に電圧反射係数が改善された。

なお、温度依存終端抵抗４とチップ抵抗６の配置は、必ずしも図３に示す配置に限定するものではなく、両者を入れ替えてもよい。この場合、変調器部３ｂの表面電極とチップ抵抗６の電極６ａとを金ワイヤ１１で接続し、チップ抵抗６の電極６ｂと温度依存終端抵抗４の表面電極とを金ワイヤ１２で接続し、温度依存終端抵抗４の裏面電極をキャリア１の金コーティング１ｂに接続すればよい。

＜実施の形態例３＞
本発明の実施の形態例３に係る半導体レーザ装置を、図４等を参照して説明する。なお、図４において、実施の形態例１，２の半導体レーザ装置（図１，図３）と同様の部分には同一の符号を付している。

図４に示すように、本実施の形態例３の半導体レーザ装置は、キャリア１の上に高周波信号線基板２と、変調器集積型半導体レーザ３と、中継基板５上に搭載した温度依存終端抵抗４と、チップ抵抗６と、チップコンデンサ７とを配置し、これらに金ワイヤ８〜１３を接続した構成となっている。即ち、本実施の形態例３の半導体レーザ装置は、実施の形態例２の半導体レーザ装置（図３）と同様の構成において、チップ抵抗６とグランド（キャリア１の金コーティング１ｂ）との間にチップコンデンサ７を配置したことを特徴としている。

詳述すると、キャリア１の上面（金コーティング１ｂ）に高周波信号線基板２と、変調器集積型半導体レーザ３と、セラミック基板５ａの上面の一部に金電極５ｂをパターニングした中継基板５と、温度により抵抗値がほとんど変化しないチップ抵抗６と、チップコンデンサ７を搭載する。温度により抵抗値の変化する温度依存終端抵抗４は、中継基板５上の金電極５ｂの部分に搭載する。その後、図４に示すように金ワイヤ８〜１３で各部を接続する。

即ち、実施の形態例１，２と同様に金ワイヤ８は高周波信号線２ａの一端部に接続され、金ワイヤ９はレーザ部３ａの表面電極に接続され、金ワイヤ１０は両端が高周波信号線２ａの他端部と変調器部３ｂの表面電極とに接続され、金ワイヤ１１は両端が変調器部３ｂの表面電極と温度依存終端抵抗４の表面電極とに接続され、変調器部３ｂの裏面電極はキャリア１の金コーティング１に接続される。また、実施の形態例２と同様に温度依存終端抵抗４の裏面電極は中継基板５の金電極５ｂに接続され、この金電極５ｂに金ワイヤ１２の一端が接続され、金ワイヤ１２の他端はチップ抵抗６の電極６ａに接続され、チップ抵抗６の電極６ｂに金ワイヤ１３の一端が接続される。

そして、金ワイヤ１３の他端はチップコンデンサ７の表面電極に接続され、チップコンデンサ７の裏面電極はキャリア１の金コーティング１ｂに接続される。かくして、温度依存終端抵抗４とチップ抵抗６とチップコンデンサ７が直列に接続され、この直列接続された温度依存終端抵抗４、チップ抵抗６及びチップコンデンサ７が変調器部３ｂに並列に接続される。即ち、チップ抵抗６とグランド（キャリア１の金コーティング１ｂ）との間にチップコンデンサ７が配置される。

温度依存終端抵抗４は実施の形態例２と同じものを使った。このようにチップ抵抗６とグランド（キャリア１の金コーティング１ｂ）との間にチップコンデンサ７を配置した構成にすることで抵抗部分に流れる直流電流成分を除去することができ、２５℃で７６ｍＷの消費電力の低減につながり、８５℃では３４ｍＷの消費電力の低減が可能となった。

なお、実施の形態例２の場合と同様に本実施の形態例３においても、温度依存終端抵抗４とチップ抵抗６の配置を入れ替えてもよい。この場合には、変調器部３ｂの表面電極とチップ抵抗６の電極６ａとを金ワイヤ１１で接続し、チップ抵抗６の電極６ｂと温度依存終端抵抗４の表面電極とを金ワイヤ１２で接続し、温度依存終端抵抗４の裏面電極は中継基板５の金電極５ｂに接続し、金電極５ｂとチップコンデンサ７の表面電極を金ワイヤ１３で接続し、チップコンデンサ７の裏面電極をキャリア１の金コーティング１ｂに接続すればよい。この場合、チップコンデンサ７は温度依存終端抵抗４とグランド（キャリア１の金コーティング１ｂ）との間に配置される。

また、実施の形態例１（図１）と同様の構成において、温度依存終端抵抗４とグランド（キャリア１の金コーティング１ｂ）との間にチップコンデンサ７を配置するようにしてもよい。この場合には、例えば温度依存終端抵抗４を中継基板５上に搭載して温度依存終端抵抗４の裏面電極と中継基板５の金電極５ｂを接続し、金電極５ｂとチップコンデンサ７の表面電極を金ワイヤで接続し、チップコンデンサ７の裏面電極をキャリア１の金コーティング１ｂに接続すればよい。

また、各実施の形態例１〜３では温度依存終端抵抗４の材料としてホウ素ドープのシリコンを使用したが、これに限定するものではなく、温度依存終端抵抗４の材料は砒素ドープのシリコンや燐ドープのシリコンでもよいし、マンガン、コバルト、ニッケルなどの遷移金属の酸化物からなる半導体でもよい。
また、各実施の形態例１〜３では温度が高くなると温度依存終端抵抗４の抵抗値が小さくなることでインピーダンス整合が取れることが条件であったが、温度が高くなると温度依存終端抵抗４の抵抗値を大きくすればインピーダンス整合が取れるような条件の場合には、ＰＴＣサーミスタで使われるのと同様な材料を温度依存終端抵抗４の材料として用いればよい。

本発明は変調器集積型半導体レーザを用いた半導体レーザ装置に関するものであり、低消費電力及び低コストで高速変調半導体レーザ装置や高速伝送システムを実現する場合に適用して有用なものである。

１ キャリア
１ａ セラミック基板
１ｂ 金コーティング
２ 高周波信号線基板
２ａ 高周波信号線
３ 変調器集積型半導体レーザ
３ａ レーザ部
３ｂ 変調器部
４ 温度依存終端抵抗（温度により抵抗値の変化する抵抗）
５ 中継基板
５ａ セラミック基板
５ｂ 金電極
６ チップ抵抗（温度により抵抗値がほとんど変化しない抵抗）
６ａ，６ｂ 電極
７ チップコンデンサ
８，９，１０，１１，１２，１３ 金ワイヤ
２１ 半導体基板（ｎ型ＩｎＰ基板）
２２ レーザ部活性層（ＩｎＧａＡｓＰ活性層）
２３ ガイド層（ＩｎＧａＡｓＰガイド層）
２４ 回折格子
２５ クラッド層（ｐ型ＩｎＰクラッド層）
２６ レーザ部キャップ層（ｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層）
２７ レーザ部電極（表面電極）
２８ 変調器部キャップ層（ｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層）
２９ 変調器部電極（表面電極）
３０ 基板側電極（裏面電極）
３１ 変調器部活性層（ＩｎＧａＡｓＰ活性層）
３２ 高反射膜
３３ 反射防止膜

Claims (3)

1. 温度により抵抗値の変化する抵抗を、変調器集積型半導体レーザの変調器部に並列に接続し、前記抵抗を介して前記変調器部へ変調信号を入力する構成としたことを特徴とする半導体レーザ装置。
2. 温度により抵抗値の変化する第１の抵抗と、温度により抵抗値がほとんど変化しない第２の抵抗とを直列に接続し、この直列接続した第１の抵抗及び第２の抵抗を変調器集積型半導体レーザの変調器部に並列に接続することにより、前記直列接続した第１の抵抗及び第２の抵抗を介して前記変調器部へ変調信号を入力する構成としたことを特徴とする半導体レーザ装置。
3. 請求項１又は２に記載の半導体レーザ装置において、
   前記温度により抵抗値の変化する抵抗とグランドとの間にコンデンサを配置したこと、
   又は、前記第１の抵抗もしくは前記第２の抵抗とグランドとの間にコンデンサを配置したこと、
   を特徴とする半導体レーザ装置。

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