JP2010145973A - 光モジュール及びその製造方法、光送信器 - Google Patents

Abstract

【課題】０チャープ動作及び正又は負チャープ動作を行なう光モジュールを、同じ構造のＭＺ型変調素子を用いて実現する。
【解決手段】光モジュールを、マッハツェンダ干渉計を構成する第１光カプラ１６、第２光カプラ１７、第１光導波路１２及び第２光導波路１３と、第１光導波路１２及び第２光導波路１３のそれぞれに設けられた電極１４，１５と、第１光導波路１２及び第２光導波路１３の少なくとも一方に設けられ、電極１４，１５よりも短い短電極１８，１９とを備えるマッハツェンダ型変調素子７と、第１及び第２の高周波コネクタ１，２とを備えるものとし、一方の第２光導波路１３に設けられた短電極１９を、一方の第２高周波コネクタ２に接続し、他方の第１光導波路１２に設けられた電極１４を、他方の第１高周波コネクタ１に接続する。
【選択図】図１

Description

本発明は、光モジュール及びその製造方法、光送信器に関する。

現在、光通信システムでは、１本の光ファイバの中に複数の異なる波長の光信号を伝播させるＷＤＭ通信方式が用いられており、これにより、伝送容量を飛躍的に増加させることができるようになってきている。
このような光通信システムでは、広い波長範囲で任意の波長の光信号を送信することができる光送信器が必要であり、これを実現するためには、広い波長範囲で高速に（例えば１０Ｇｂｐｓの変調速度で）動作する光変調器が必要である。

広い波長範囲で動作する変調器として、マッハツェンダ（ＭＺ）型変調器がある（図１３参照）。
また、ＭＺ型変調器では、作製誤差などの影響で干渉計を構成する２つの導波路で位相を完全に合わせることが難しい。このため、高周波信号電圧を印加するための電極とは別に、これよりも長さが短い位相調整用電極を設けたものもある（図１４参照）。

また、チャープを調整するために、干渉計を構成する２つの導波路間で高周波信号電圧を印加するための高周波電極の長さを変えたものもある（図１５参照）。
米国特許第５９９１４７１号明細書 特表２００７−５３１０２２号公報

ところで、上述のように高周波信号電圧を印加するための電極の長さを変える場合、ＭＺ型変調素子として、０チャープ動作用の素子と正又は負チャープ動作用の素子とで異なる構造の素子を用意することが必要となる。つまり、０チャープ動作用の素子として、干渉計を構成する２つの導波路上の電極の長さを同一にしたものを用意し、正又は負チャープ動作用の素子として、干渉計を構成する２つの導波路上の電極の一方を他方に対して短くしたものを用意することが必要となる。

しかしながら、一般に、素子の作製には数ヶ月程度の時間がかかるため、異なる構造（仕様）の素子を用意するのは歩留まりや在庫管理の点で好ましくない。
そこで、０チャープ動作及び正又は負チャープ動作を行なう光モジュールを、同じ構造のＭＺ型変調素子を用いて実現できるようにしたい。

このため、本光モジュールは、少なくとも１つの入力ポートと、第１の出力ポート及び第２の出力ポートとを有する第１の光カプラと、第１の入力ポート及び第２の入力ポートと、少なくとも１つの出力ポートとを有する第２の光カプラと、第１の光カプラの第１の出力ポートに一端が接続され、第２の光カプラの第１の入力ポートに他端が接続された第１の光導波路と、第１の光カプラの第２の出力ポートに一端が接続され、第２の光カプラの第２の入力ポートに他端が接続された第２の光導波路と、第１の光導波路及び第２の光導波路のそれぞれに設けられた電極と、第１の光導波路及び第２の光導波路の少なくとも一方に設けられ、電極よりも短い短電極とを備えるマッハツェンダ型変調素子と、第１及び第２の高周波コネクタとを備え、第１の光導波路及び第２の光導波路の一方に設けられた短電極が、第１の高周波コネクタ及び第２の高周波コネクタの一方に接続されており、第１の光導波路及び第２の光導波路の他方に設けられた電極が、第１の高周波コネクタ及び第２の高周波コネクタの他方に接続されていることを要件とする。

本光送信器は、上記のマッハツェンダ型変調素子と、第１の光導波路及び第２の光導波路の一方に設けられた短電極、及び、第１の光導波路及び第２の光導波路の他方に設けられた電極に接続された高周波電源とを備えることを要件とする。
本光モジュールの製造方法は、上記のマッハツェンダ型変調素子を、第１及び第２の高周波コネクタを備える筐体内に配置し、第１の光導波路及び第２の光導波路の一方に設けられた短電極を、第１の高周波コネクタ及び第２の高周波コネクタの一方に接続するとともに、第１の光導波路及び第２の光導波路の他方に設けられた電極を、第１の高周波コネクタ及び第２の高周波コネクタの他方に接続することを要件とする。

本光モジュールの製造方法は、上記のマッハツェンダ型変調素子を、第１及び第２の高周波コネクタとを備える筐体内に配置し、０チャープ動作用の光モジュールを製造する場合には、電極を、それぞれ、第１の高周波コネクタ及び第２の高周波コネクタに接続し、正チャープ動作用又は負チャープ動作用の光モジュールを製造する場合には、第１の光導波路及び第２の光導波路の一方に設けられた短電極を、第１の高周波コネクタ及び第２の高周波コネクタの一方に接続するとともに、第１の光導波路及び第２の光導波路の他方に設けられた電極を、第１の高周波コネクタ及び第２の高周波コネクタの他方に接続することを要件とする。

したがって、本光モジュール及びその製造方法、光送信器によれば、０チャープ動作及び正又は負チャープ動作を、同じ構造のＭＺ型変調素子を用いて実現できるという利点がある。

以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる光モジュール及びその製造方法、光変調器、光送信器について、図１〜図１１を参照しながら説明する。
本実施形態にかかる光モジュールは、例えば大容量の通信が可能であるＷＤＭシステムの通信用光源として用いることができ、広い波長範囲で高速に動作するマッハツェンダ型変調器（ＭＺ型変調器）を構成する光モジュール（変調器モジュール）である。

本光モジュールは、図１に示すように、２つの高周波コネクタ１，２及び複数のＤＣコネクタ（直流コネクタ）３を有する筐体４と、筐体４内に配置された配線５を有するキャリア６と、キャリア６上に実装されたマッハツェンダ型変調素子（ＭＺ型変調素子）７とを備える。
また、図１に示すように、筐体４内には、筐体４の入出力側に接続される各光ファイバ８，９とＭＺ型変調素子７との間に位置するようにレンズ１０，１１が配置されている。そして、入力側光ファイバ８から入力された入力信号は、入力側レンズ１０を介して、ＭＺ型変調素子７に入力される一方、ＭＺ型変調素子７からの出力信号は、出力側レンズ１１を介して、出力側光ファイバ９へ出力されるようになっている。

本実施形態では、図３に示すように、ＭＺ型変調素子７として、ＭＺ干渉計を構成する２つの導波路（アーム）１２，１３に高周波信号（高周波信号電圧）を印加するための電極（高周波電極）１４，１５の長さを同一にした、０チャープ動作用のＭＺ型変調素子を用いる。
本ＭＺ型変調素子７は、位相調整用電極付きのＭＺ型変調素子であって、図３に示すように、ＭＺ干渉計を構成する第１の光導波路１２、第２の光導波路１３、入力側光カプラ（第１の光カプラ）１６、出力側光カプラ（第２の光カプラ）１７を備え、第１の光導波路１２及び第２の光導波路１３のそれぞれに、高周波信号を印加するための高周波電極１４，１５及び位相を調整するための位相調整用電極（位相制御電極）１８，１９が設けられている。

ここで、入力側光カプラ１６は、２つの入力ポート２０，２１と、２つの出力ポート２２，２３とを有する光カプラ（例えば２×２ＭＭＩカプラ）である。
出力側光カプラ１７は、２つの入力ポート２４，２５と、２つの出力ポート２６，２７とを有する光カプラ（例えば２×２ＭＭＩカプラ）である。
第１の光導波路１２は、一端が入力側光カプラ１６の一の出力ポート（第１の出力ポート）２２に接続されており、他端が出力側光カプラ１７の一の入力ポート（第１の入力ポート）２４に接続されている。

第２の光導波路１３は、一端が入力側光カプラ１６の他の出力ポート（第２の出力ポート）２３に接続されており、他端が出力側光カプラ１７の他の入力ポート（第２の入力ポート）２５に接続されている。
高周波電極１４，１５は、高周波信号を印加するのに適した構造に設計された進行波型の電極である。ここでは、高周波電極１４，１５は、例えばコプレーナ型の進行波電極であり、図３に示すように、シグナル電極１４Ａ，１５Ａと、このシグナル電極１４Ａ，１５Ａに沿ってその両側に設けられたグランド電極１４Ｂ，１４Ｃ，１５Ｂとから構成されている。

また、第１の光導波路１２に設けられている高周波電極（第１の電極）１４と、第２の光導波路１３に設けられている高周波電極（第２の電極）１５とは、光導波路に沿う方向の長さ（作用長）が同一になっている。つまり、第１の光導波路１２及び第２の光導波路１３には一対の高周波電極１４，１５が設けられている。
位相調整用電極１８，１９は、例えば集中定数型の電極である。また、第１の光導波路１２及び第２の光導波路１３の両方に設けられた位相調整用電極１８，１９は、光導波路に沿う方向の長さ（作用長）が同一になっている。つまり、第１の光導波路１２及び第２の光導波路１３には一対の位相調整用電極１８，１９が設けられている。これらの位相調整用電極１８，１９は、高周波電極１４，１５とは独立に設けられており、高周波電極１４，１５よりも長さが短くなっている。このため、高周波電極１４，１５を長電極（大電極）といい、位相調整用電極１８，１９を短電極（小電極）という。

ここで、図４，図５は、本実施形態のＭＺ型変調素子７の断面構造（高周波電極部分及び位相調整用電極部分）を示す模式的断面図である。
本ＭＺ変調素子７は、図４，図５に示すように、例えば、ｎ−ＩｎＰ基板２８上に、ＭＯＣＶＤ法などによって、ｎ−ＩｎＰバッファ層２９、ＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷ導波路コア層３０、ｐ−ＩｎＰクラッド層３１、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層３２を順に積層させた層構造（導波路構造）を有する。

また、図４，図５に示すように、一般的なドライエッチングの手法によって導波路形成領域のみに導波路コア層３０を含む上記導波路構造が残るように他の部分が除去され、除去された部分が例えばＢＣＢなどの低誘電体樹脂３３で埋め込まれている。
また、図４に示すように、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層３２の表面に形成された低誘電体樹脂３３のうち、高周波電極形成領域に形成されているものは、ドライエッチングなどの手法によって除去され、この領域に高周波電極１４，１５を構成するシグナル電極１４Ａ，１５Ａが形成されている。つまり、導波路構造の直上に高周波信号を印加するためのシグナル電極１４Ａ，１５Ａが形成されている。

さらに、ｎ−ＩｎＰ基板２８の表面に形成された低誘電体樹脂３３のうち、上部グランド電極形成領域に形成されているものは、ドライエッチングなどの手法によって除去され、この領域に上部グランド電極１４Ｂ，１４Ｃ，１５Ｂが形成されている。つまり、上部にシグナル電極１４Ａ，１５Ａが形成されている導波路構造の両側のｎ−ＩｎＰ基板２８の表面が露出している部分に、シグナル電極１４Ａ，１５Ａに沿うようにグランド電極１４Ｂ，１４Ｃ，１５Ｂが形成されており、コプレーナ型の進行波電極を構成している。

また、図５に示すように、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層３２の表面に形成された低誘電体樹脂３３のうち、位相調整用電極形成領域に形成されているものは、ドライエッチングなどの手法によって除去され、この領域に位相調整用電極１８，１９が形成されている。つまり、導波路構造の直上のみに位相調整用電極１８，１９が形成されており、集中定数型の電極を構成している。

さらに、図４，図５に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板２８の裏面側には、グランド電極３４が形成されている。
なお、半導体表面と低誘電体樹脂３３との間や低誘電体樹脂３３の表面に、パッシベーション膜として、ＳｉＯ_２膜やＳｉＮ膜などを形成しても良い。
ところで、本実施形態では、上述のように構成される０チャープ動作用のＭＺ型変調素子７を用いて負チャープ（又は正チャープ）動作用の変調器モジュールを製造すべく、高周波コネクタ１，２とＭＺ型変調素子７とを以下のように接続している。

つまり、本実施形態では、図１に示すように、ＭＺ型変調素子７の第１の光導波路１２及び第２の光導波路１３の一方（ここでは第２の光導波路１３）に設けられた短電極１９は、２つの高周波コネクタ１，２の一方（ここでは第２の高周波コネクタ２）に接続されている。
また、図１に示すように、ＭＺ型変調素子７の第１の光導波路１２及び第２の光導波路１３の他方（ここでは第１の光導波路１２）に設けられた第１の電極１４は、２つの高周波コネクタ１，２の他方（ここでは第１の高周波コネクタ１）に接続されている。

そして、第２の光導波路（アーム）１３に設けられた短電極１９及び第１の光導波路（アーム）１２に設けられた第１の電極１４に、これらの高周波コネクタ１，２を介して、外部に設けられた１つの高周波電源（共通高周波電源；高周波信号電源）３５から同一振幅の高周波信号及びその反転信号が供給されるようになっている。なお、この高周波信号には適切なＤＣバイアスが付加されている。この場合、短電極１９は、高周波電極として機能し、位相調整用電極としては機能しない。

本実施形態では、図１に示すように、ＭＺ型変調素子７は、キャリア６上に実装されており、ＭＺ型変調素子７の各電極１４，１９は、キャリア６上に形成された配線５を介して、各高周波コネクタ１，２に接続されている。
具体的には、コプレーナ電極を構成するシグナル電極１４Ａは、図１、図２に示すように、一側（入力側部分）が、キャリア６上の高周波信号が入力される部分（シグナル配線）５Ａに接続され、他側（光導波路の軸方向に対して入力側部分とは反対側の出力側部分）が、キャリア６上の終端抵抗３６を介してグランド配線５Ｃに接続される部分（シグナル配線）５Ｂに接続されている。そして、キャリア６上の高周波信号が入力される部分５Ａが高周波コネクタ１を介して高周波電源３５に接続されている。

また、コプレーナ電極を構成するグランド電極１４Ｂは、キャリア６上のグランド配線５Ｃに接続されており、このグランド配線５Ｃは高周波コネクタ１を介して接地されている。
さらに、コプレーナ電極のシグナル電極１４Ａとグランド電極１４Ｃとの間に直列に終端抵抗（ここでは５０Ω）３６が接続されている。ここでは、終端抵抗３６は、例えば、コプレーナ電極のシグナル電極１４Ａとグランド電極１４Ｃのそれぞれが接続されているキャリア６上のシグナル配線５Ｂとグランド配線５Ｃとを接続する薄膜抵抗によって構成される。

一方、短電極１９は、図１、図２に示すように、キャリア６上の高周波信号が入力される部分（シグナル配線）５Ｄに接続され、この部分５Ｄが高周波コネクタ２を介して高周波電源３５に接続されている。
また、短電極１９には並列に終端抵抗（ここでは５０Ω）３７が接続されている。ここでは、終端抵抗３７は、例えば、短電極１９が接続されているキャリア６上のシグナル配線５Ｄとグランド配線５Ｃとを接続する薄膜抵抗によって構成される。

ところで、本実施形態では、第１の光導波路１２及び第２の光導波路１３の一方（ここでは第２の光導波路１３）に設けられた第２の電極１５は、一のＤＣコネクタ３Ａに接続されている。
また、第１の光導波路１２及び第２の光導波路１３の他方（ここでは第１の光導波路１２）に設けられた短電極１８は、他のＤＣコネクタ３Ｂに接続されている。
そして、第２の光導波路１３に設けられた第２の電極１５及び第１の光導波路１２に設けられた短電極１８に、これらのＤＣコネクタ３Ａ，３Ｂを介して、外部に設けられた異なるＤＣ電源（直流電源；ＤＣ電流源又はＤＣ電圧源）３８，３９から異なるＤＣ電流（直流電流）又はＤＣ電圧（直流電圧）が供給されるようになっている。この場合、第２の電極１５は、位相調整用電極として機能し、高周波電極としては機能しない。

このようにして、位相調整用電極として機能する短電極１８及び第２の電極１５を介して、第１の光導波路１２及び第２の光導波路１３にＤＣ電流を注入し、又は、ＤＣ電圧を印加することで、各導波路１２，１３の屈折率を変化させ、各導波路１２，１３を伝播する光の位相を変化させて、作製誤差などの影響によって各導波路１２，１３間に生じる位相差を調整できるようにしている。これにより、作製誤差などによって各導波路１２，１３を伝播する光に生じる位相差が、ＤＣ電流注入量又はＤＣ電圧印加量に応じて調整されることになる。

本実施形態では、図１に示すように、ＭＺ型変調素子７は、キャリア６上に実装されており、ＭＺ型変調素子７の各電極１５，１８は、キャリア６上に形成された配線５を介して、各ＤＣコネクタ３Ａ，３Ｂに接続されている。
具体的には、コプレーナ電極を構成するシグナル電極１５Ａは、図１、図２に示すように、キャリア６上のＤＣ電流又はＤＣ電圧が入力される部分（シグナル配線）５Ｅに接続され、この部分５ＥがＤＣコネクタ３Ａを介してＤＣ電源３９に接続されている。

また、短電極１８は、図１、図２に示すように、キャリア６上のＤＣ電流又はＤＣ電圧が入力される部分（シグナル配線）５Ｆに接続され、この部分５ＦがＤＣコネクタ３Ｂを介してＤＣ電源３８に接続されている。
このように、本実施形態では、０チャープ動作をする変調器モジュールを製造する場合に位相調整用電極として用いる一方の短電極１９を高周波電極として用いるとともに、０チャープ動作をする変調器モジュールを製造する場合に高周波電極として用いる第２の電極１５を位相調整用電極として用いるようにして、ＭＺ干渉計を構成する２つの導波路（第１の光導波路１２及び第２の光導波路１３）に高周波信号を印加するための高周波電極の長さが異なるようにして、負チャープ動作（又は正チャープ動作）をする変調器モジュールを実現している。

特に、本実施形態では、上述のように、ＭＺ干渉計を構成する両方のアーム（第１光導波路１２及び第２光導波路１３）に印加する高周波信号電圧の振幅を同一にしているため、第１光導波路１２及び第２光導波路１３のそれぞれを伝播する光の位相変化量の比率は、それぞれの光導波路１２，１３上に形成される電極１４（１４Ａ），１９の長さの比率で決まることになる。このため、第１光導波路１２及び第２光導波路１３のそれぞれに設けられる電極１４（１４Ａ），１９の長さを調整するだけで、所望の位相変化量の比率が得られ、所望の負チャープ動作（又は正チャープ動作）を実現できることになる。

これについて、以下に詳細に説明する。
ＭＺ型変調器では、ＭＺ干渉計を構成する２つの導波路（アーム）に高周波信号電圧を印加することによって各導波路を伝播する光の位相を変えて干渉の状態を変え、例えば、両アームの位相がそろったときにｏｎ、πずれたときにｏｆｆというように変調をかける。

このようなＭＺ型変調器では、駆動方法の調整によって変調器から出力される信号光のチャープの状態を制御することが可能である。
チャープの程度はαパラメータの値で表すことが可能であり、αパラメータは、図６に示すように、各アームで発生する位相変化量の比率で変化する。なお、図６では、一方のアームの位相変化量をΔφ１とし、他方のアームの位相変化量をΔφ２とし、これらの位相変化量の比率をΔφ１／（Δφ１＋Δφ２）としている。

例えば、図７（Ａ）に示すように、位相調整用電極に供給するＤＣ電流の調整などによって両アームの位相を合わせた状態から、一方のアームの位相変化量を＋π／２とし、他方のアームの位相変化量を−π／２とし、両方のアームの位相変化量を同一にして、位相差πをつける駆動方法では、両アームの位相変化量が相殺されるため、図７（Ｂ）に示すように、出力光（出力信号）の強度をｏｎ、ｏｆｆさせた場合に、図７（Ｃ）に示すように、出力光の位相の変化が少ない０チャープ動作（α＝０）が得られる。

一方、図８（Ａ）に示すように、一方のアームの位相変化量を＋０．８５πとし、他方のアームの位相変化量を−０．１５πとし、両方のアームの位相変化量が互いに異なるようにして、位相差πをつける駆動方法では、両アームの位相変化量が相殺されないため、図８（Ｂ）に示すように、出力光（出力信号）の強度をｏｎ、ｏｆｆさせた場合に、図８（Ｃ）に示すように、出力光の位相が変化し、チャープが発生する負チャープ動作（α＝負の値）が得られる。なお、各アームの位相変化量を逆にすることで、正チャープ動作が得られる（α＝正の値）。

このように、ＭＺ型変調器では、両アームの位相変化量の比率を変化させることによってチャープの量を調整することができる。これにより、現在、実際に用いられている０チャープ動作、負チャープ動作（又は正チャープ動作）の両方に対応することが可能となる。
両アームの位相変化量の比率を調整する方法としては、例えば、両アームに印加する高周波信号電圧の振幅の比率を変える方法がある。

導波路に高周波信号電圧を印加した場合の位相変化量は、振幅が大きいほど大きくなるため、各アームに印加する高周波信号電圧の振幅を調整することで、両アームの位相変化量の比率を変化させることができる。
他の方法としては、高周波信号電圧を印加するための電極の長さを２つのアーム間で異なるものとする方法がある。

導波路に高周波信号電圧を印加した場合の位相変化量は、電圧が印加される領域が長いほど大きくなるため、高周波信号電圧を印加するための電極の長さを調整することで、両アームの位相変化量の比率を変化させることができる。
しかしながら、上述の高周波信号電圧の振幅の比率を変える方法では、２つのアームのそれぞれに振幅の異なる高周波信号電圧を印加する必要がある。この場合、別個の２つの高周波電源を用いることが必要となる。この場合、高周波信号電圧を印加するために複雑な制御回路を構成することが必要となり、好ましくない。

特に、ＭＺ型変調素子７を半導体材料によって構成する場合、印加電圧に対する位相変化が非線形であるため、高周波信号電圧の振幅の大きさによって位相変化量が変わってしまうだけではなく［図９（Ａ），（Ｂ）参照］、バイアス電圧の値によっても位相変化量が変わってしまう［図９（Ｃ）参照］。このため、より複雑な制御が必要となる。
そこで、本実施形態では、図１に示すように、ＭＺ干渉計を構成する２つの導波路（第１の光導波路１２及び第２の光導波路１３）に高周波信号を印加するための高周波電極１４（１４Ａ），１９の長さを変えることで、所望の位相変化量の比率が得られるようにし、所望の負チャープ動作（又は正チャープ動作）をする変調器モジュールを実現している。

特に、α＝−０．７付近での負チャープ動作は現状もっと多く使われている負チャープ動作の条件である。本実施形態では、図６に示すように、第１の電極（大電極；長電極）１４（１４Ａ）の長さに対する短電極（小電極）１９の長さの比率を、１／９〜１／４の範囲内（２：１８から４：１６の範囲内）とすることで、αパラメータが−０．７付近の負チャープ動作をする変調器モジュールを実現することができる。

このように、第１の光導波路１２及び第２の光導波路１３のそれぞれに設けられる高周波電極１４（１４Ａ），１９の長さを調整することで、位相変化量の比率を調整するようにすれば、ＭＺ干渉計を構成する光導波路を半導体材料によって構成する場合で、印加電圧に対する位相変化が非線形であっても、上述のように、第１の光導波路１２及び第２の光導波路１３のそれぞれに印加される高周波信号電圧の振幅を同一にし、さらにバイアス電圧も同一にすることができるため、複雑な駆動条件の調整が不要となり、簡単な制御回路を構成すれば良いことになる。

次に、本実施形態にかかる光モジュールの製造方法について説明する。
まず、上述のように構成される０チャープ動作用のＭＺ型変調素子７を、第１及び第２の高周波コネクタ１，２及び複数の直流コネクタ３を備える筐体４内に配置する。
ここでは、筐体４内に、配線５を有するキャリア６を配置した後、このキャリア６上に、上述のように構成され０チャープ動作用のＭＺ型変調素子７を配置する。

次に、第１の光導波路１２及び第２の光導波路１３の一方（ここでは第２の光導波路１３）に設けられた短電極１９を、キャリア６上に形成された配線５を介して、第１の高周波コネクタ１及び第２の高周波コネクタ２の一方（ここでは第２の高周波コネクタ２）に接続する。
また、第１の光導波路１２及び第２の光導波路１３の他方（ここでは第１の光導波路１２）に設けられた第１の電極１４を、キャリア６上に形成された配線５を介して、第１の高周波コネクタ１及び第２の高周波コネクタ２の他方（ここでは第１の高周波コネクタ１）に接続する。

さらに、第１の光導波路１２及び第２の光導波路１３の一方（ここでは第２の光導波路１３）に設けられた第２の電極１５を、キャリア６上に形成された配線５を介して、一の直流コネクタ３Ａに接続する。
また、第１の光導波路１２及び第２の光導波路１３の他方（ここでは第１の光導波路１２）に設けられた短電極１８を、キャリア６上に形成された配線５を介して、他の直流コネクタ３Ｂに接続する。

このように、モジュール外部から供給される高周波信号電圧が、一方の光導波路（ここでは第１の光導波路１２）では長電極側（０チャープ動作用のＭＺ型変調素子７の高周波電極１４側）に、他方の光導波路（ここでは第２の光導波路１３）では短電極側（０チャープ動作用のＭＺ型変調素子７の位相調整用電極１９側）に印加されるように配線する。これにより、ＭＺ干渉計を構成する２つの導波路（第１の光導波路１２及び第２の光導波路１３）において、異なる長さの電極を介して高周波信号電圧が印加されることになる。この結果、それぞれの電極１４，１９に同一振幅の高周波信号電圧及びその反転信号を印加した場合、長電極１４側の光導波路（ここでは第１の光導波路１２）の方が位相変化量が大きくなるため、両導波路１２，１３での位相変化量が一致しないことになり、負チャープ動作（あるいは正チャープ動作）を実現できることになる。

また、高周波電極として用いられていない長電極（ここでは第２の光導波路１３に設けられた長電極；０チャープ動作用のＭＺ型変調素子７の高周波電極１５）及び短電極（ここでは第１の光導波路１２に設けられた短電極；０チャープ動作用のＭＺ型変調素子７の位相調整用電極１８）には位相を制御するためのＤＣ電流又はＤＣ電圧が供給されるように配線する。

このようにして、０チャープ動作用のＭＺ型変調素子７を用いて、負チャープ動作用（又は正チャープ動作用）の光モジュール（変調器モジュール）を製造する。
ところで、上述のように構成される０チャープ動作用のＭＺ型変調素子７を用いて、０チャープ動作用の光モジュールを製造する場合には、図１０、図１１に示すように、第１の電極（高周波電極；長電極）１４及び第２の電極（高周波電極；長電極）１５を、それぞれ、キャリア６上に形成された配線５を介して、第１の高周波コネクタ１及び第２の高周波コネクタ２に接続するとともに、２つの短電極（位相調整用電極）１８，１９を、それぞれ、キャリア６上に形成された配線５を介して、一の直流コネクタ３Ｂ及び他の直流コネクタ３Ａに接続すれば良い。なお、図１０、図１１では、上述の実施形態のもの（図１、図２参照）と同一のものには同一の符号を付している。

つまり、ＭＺ干渉計を構成する２つの導波路１２，１３のそれぞれに設けられている同一の長さの長電極（高周波電極）１４，１５に、モジュール外部の高周波電源３５から供給される同一振幅の高周波信号及びその反転信号が印加されるように配線し、同一の長さの短電極（位相調整用電極）１８，１９に、モジュール外部のＤＣ電源３８，４０からＤＣ電流又はＤＣ電圧が供給されるように配線すれば良い。

ところで、本実施形態にかかる光変調器（光送信器）は、図１に示すように、上述のように構成される光モジュール（変調器モジュール）と、モジュール外部に設けられた、同一振幅の高周波信号及びその反転信号を供給するための１つの高周波電源３５、及び、位相を調整するためのＤＣ電流又はＤＣ電圧を供給するための２つのＤＣ電源３８，３９（４０）とを備える。

つまり、本光変調器（光送信器）は、上述のように構成される０チャープ動作用のＭＺ型変調素子７を備え、ＭＺ型変調素子７の第１の光導波路１２及び第２の光導波路１３の一方（ここでは第２の光導波路１３）に設けられた短電極１９、及び、第１の光導波路１２及び第２の光導波路１３の他方（ここでは第１の光導波路１２）に設けられた第１の電極１４のそれぞれに、１つの高周波電源（共通高周波電源；高周波信号電源）３５が接続されており、同一振幅の高周波信号及びその反転信号が供給されるようになっている。

具体的には、本光変調器（光送信器）は、第１及び第２の高周波コネクタ１，２を有する筐体４内に、上述のように構成される０チャープ動作用のＭＺ型変調素子７を実装するための配線５を有するキャリア６を備える。
そして、ＭＺ型変調素子７の第１の光導波路１２及び第２の光導波路１３の一方（ここでは第２の光導波路１３）に設けられた短電極１９が、キャリア６上に形成された配線５並びに第１の高周波コネクタ１及び第２の高周波コネクタ２の一方（ここでは第２の高周波コネクタ２）を介して、高周波電源３５に接続されている。

また、第１の光導波路１２及び第２の光導波路１３の他方（ここでは第１の光導波路１２）に設けられた第１の電極（長電極）１４が、キャリア６上に形成された配線５並びに第１の高周波コネクタ１及び第２の高周波コネクタ２の他方（第１の高周波コネクタ１）を介して、高周波電源３５に接続されている。
このように、第２の光導波路１３に設けられた短電極１９及び第１の光導波路１２に設けられた第１の電極（長電極）１４に、第１及び第２の高周波コネクタ１，２を介して、外部に設けられた１つの高周波電源３５から同一振幅の高周波信号及びその反転信号が供給されるようになっている。

また、本光変調器（光送信器）は、ＭＺ型変調素子７の第１の光導波路１２及び第２の光導波路１３の一方（ここでは第２の光導波路１３）に設けられた第２の電極１５に、直流電流又は直流電圧を供給するための一の直流電源３９が接続されており、第２の光導波路１３を伝播する光の位相を調整することができるようになっている。
さらに、本光変調器（光送信器）は、ＭＺ型変調素子７の第１の光導波路１２及び第２の光導波路１３の他方（ここでは第１の光導波路１２）に設けられた短電極１８に、直流電流又は直流電圧を供給するための他の直流電源３８が接続されており、第１の光導波路１２を伝播する光の位相を調整することができるようになっている。

したがって、本実施形態にかかる光モジュール及びその製造方法、光変調器、光送信器によれば、０チャープ動作及び正又は負チャープ動作を、簡単な制御回路で、かつ、同じ構造のＭＺ型変調素子７を用いて実現できるという利点がある。
つまり、上述のように、高周波信号を印加するための電極が異なる長さになっている正又は負チャープ動作用のＭＺ型変調素子をあえて用意することなく、高周波信号を印加するための電極が同一の長さになっている０チャープ動作用のＭＺ型変調素子７を用いて負チャープ動作をする変調器モジュールを実現することができるため、ＭＺ型変調素子７として１種類の素子を用意すれば良い。また、モジュール作製段階で、０チャープ動作用ＭＺ型変調器モジュール（図１０参照）と、正又は負チャープ動作用ＭＺ型変調器モジュール（図１参照）とを作り分けるようにしており、これらのモジュールの作製は数日で可能であるため、例えば０チャープ動作用変調器モジュール、あるいは、正又は負チャープ動作用変調器モジュールの注文状況に応じて迅速に必要なモジュールを作製することができる。このため、歩留まりや在庫管理の点で好ましいという利点がある。

また、ＭＺ型変調素子７を構成する２つの導波路１２，１３に同一振幅の高周波信号及びその反転信号を供給すれば良いため、これらの高周波信号を供給して変調器を駆動するために、１つの高周波電源３５を用い、簡単な制御回路を構成すれば良いという利点もある。
なお、例えば図１２に示すように、上述の実施形態にかかる光モジュール（変調器モジュール）を、その内部に、ＭＺ型変調素子７に光を入力するレーザ素子４１を実装するものとして構成しても良い。このように、レーザ素子４１を変調器モジュール内部に実装することで、レーザと変調器とを別のモジュールとして用意する場合と比較して、レーザ、変調器及びこれらの制御回路などを含む送信器モジュール全体の小型化を図ることが可能となる。なお、図１２では、上述の実施形態のもの（図１参照）と同一のものには同一の符号を付している。

ここで、レーザ素子４１としては、例えば、ＤＦＢレーザ、ＤＢＲレーザ、ＳＧ−ＤＢＲやＤＦＢレーザアレイ型の波長可変レーザなど、いわゆる光通信用の光源として用いられている半導体レーザ素子を用いることができる。
また、ここでは、レーザ素子４１とＭＺ型変調素子（光変調器）７との間に、レーザ素子４１から出射された光をＭＺ型変調素子（光変調器）７の入力ポートに結合させるためのレンズ４２を配置している。さらに、レーザ素子４１は、筐体４に設けられたＤＣコネクタ３Ｃを介して、ＤＣ電源４３に接続されている。

なお、ここでは、ＭＺ型変調素子７とレーザ素子４１とを別個独立に構成したものを例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、例えば、レーザ素子とＭＺ型変調素子とをモノリシックに集積したＭＺ型変調器集積半導体レーザ素子として構成しても良い。この場合、光モジュール内部の部品点数が減るため、モジュールの組み立てが容易になり、また、小型化を図ることも可能となる。

また、ここでは、レーザ素子４１を変調器モジュールの内部に実装する場合を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、例えば、上述の実施形態にかかる変調器モジュール又は上述の実施形態にかかる光変調器と、光変調器に光を入力するレーザ（例えば半導体レーザ）とを別個独立に構成し、これらを備えるものとして光送信器を構成しても良い。

また、上述の実施形態では、大電極（０チャープ動作用のＭＺ型変調素子７の高周波電極１４，１５）を、上面にグランド電極があるコプレーナ型の電極とした場合を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、例えば、上面にグランド電極がないマイクロストリップライン型の電極、集中定数型の電極としても良い。ただし、コプレーナ型の電極の方が、より高い周波数帯域での動作が可能となるため、望ましい。

また、上述の実施形態のように、０チャープ動作用のＭＺ型変調素子７を用いて負チャープ（あるいは正チャープ）動作用の変調器モジュールを製造する場合、この小電極を高周波電極として用いることになる。しかし、小電極は電極長が短いため、特に進行波型の電極を採用しなくても、１０Ｇｂｐｓ程度の十分高い帯域での動作が可能である。このため、上述の実施形態では、小電極（０チャープ動作用のＭＺ型変調素子７の位相調整用電極１８，１９）を、集中定数型の電極としている。しかし、これに限られるものではなく、小電極を、大電極と同様に、進行波型の電極として構成しても良い。

また、上述の実施形態では、小電極（０チャープ動作用のＭＺ型変調素子７の位相調整用電極１８，１９）が大電極（０チャープ動作用のＭＺ型変調素子７の高周波電極１４，１５）に対して入力側に配置されている場合を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、例えば、逆に大電極を入力側に配置しても良い。
また、上述の実施形態では、ＭＺ型変調素子７を、第１の光導波路１２及び第２の光導波路１３の両方に小電極（０チャープ動作用のＭＺ型変調素子７の位相調整用電極１８，１９）を備えるものとし、一方の小電極１９に高周波電源３５を接続し、他方の小電極１８にＤＣ電源３８を接続する場合を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではない。

例えば、ＭＺ型変調素子は、第１の光導波路及び第２の光導波路の少なくとも一方に小電極（０チャープ動作用のＭＺ型変調素子の位相調整用電極）を備えるものとして構成しても良い。この場合、負チャープ動作用（又は正チャープ動作用）ＭＺ型変調器モジュールを製造するときには、小電極（０チャープ動作用のＭＺ型変調素子の位相調整用電極）には高周波電源が接続されることになり、一方の大電極（０チャープ動作用のＭＺ型変調素子の高周波電極）だけが位相調整用電極として機能することになる。

また、例えば、ＭＺ型変調素子を、第１の光導波路及び第２の光導波路の両方に位相調整用電極（小電極）を備えるものとし、一方の小電極（０チャープ動作用のＭＺ型変調素子の位相調整用電極）に高周波電源を接続し、他方の小電極（０チャープ動作用のＭＺ型変調素子の位相調整用電極）には電源を接続しないようにしても良い。この場合、負チャープ動作用（又は正チャープ動作用）ＭＺ型変調器モジュールを製造するときには、一方の大電極（０チャープ動作用のＭＺ型変調素子の高周波電極）だけが位相調整用電極として機能することになる。

また、例えば、ＭＺ型変調素子を、第１の光導波路及び第２の光導波路の両方に位相調整用電極（小電極）を備えるものとし、一方の小電極（０チャープ動作用のＭＺ型変調素子の位相調整用電極）に高周波電源を接続し、他方の小電極（０チャープ動作用のＭＺ型変調素子の位相調整用電極）にＤＣ電源を接続し、高周波電源が接続されていない大電極（０チャープ動作用のＭＺ型変調素子の高周波電極）には電源を接続しないようにしても良い。この場合、負チャープ動作用（又は正チャープ動作用）ＭＺ型変調器モジュールを製造するときには、他方の小電極（０チャープ動作用のＭＺ型変調素子の位相調整用電極）だけが位相調整用電極として機能することになる。

要するに、上述の実施形態では、高周波電極として用いられていない小電極（０チャープ動作用のＭＺ型変調素子の位相調整用電極）及び大電極（０チャープ動作用のＭＺ型変調素子の高周波電極）の両方に直流電源を接続し、両方を位相調整用電極として用いるようにしているが、これに限られるものではなく、位相調整用電極は両方の導波路に必要ではないため、どちらか一方のみにＤＣコネクタを介して直流電源を接続し、位相調整用電極として用いるようにしても良い。この場合、ＤＣ電源を１つだけ使えば良いという利点がある。また、大電極のみにＤＣコネクタを介してＤＣ電源を接続するようにすれば、ＤＣ電流又はＤＣ電圧の供給によって効率良く位相を調整することが可能となる。 また、上述の実施形態では、入出力の光カプラとして２×２のＭＭＩカプラを用いる場合を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではない。例えば、入力側光カプラは、少なくとも１つの入力ポートと、２つの出力ポートとを有する光カプラ（１×２の光カプラ）であれば良い。また、出力側光カプラは、２つの入力ポートと、少なくとも１つの出力ポートとを有する光カプラ（２×１の光カプラ）であれば良い。また、Ｙ分岐カプラ、方向性結合器カプラ、スターカプラなどを用いても良い。

また、上述の実施形態では、ＭＺ型変調素子を、ＩｎＰ基板上に形成する場合を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、例えば、ＧａＡｓ基板上に形成しても良く、この場合にも同様の効果が得られる。また、上述の実施形態では、導電性のＩｎＰ基板を用いたものを例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、例えば半絶縁性の半導体基板を用いても良い。

また、上述の実施形態では、ＭＺ型変調素子として、ＩｎＧａＡｓＰ系の半導体材料を用いた導波路構造を有するものを例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、例えば、ＡｌＧａＡｓＰ系、ＧａＩｎＮＡｓ系などの他の半導体材料を用いた導波路構造を有するものとして構成しても良い。また、導波路コア層をＭＱＷ構造以外の他の構造を備えるものとして構成しても良い。

また、上述の実施形態では、導波路コア層の側面（メサ構造の側面）をＢＣＢなどの低誘電体樹脂で埋め込む構造を採用した場合を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、例えば、導波路コア層の側面を半絶縁性の半導体材料（例えばＩｎＰなど）で埋め込む構造を採用しても良い。
また、上述の実施形態では、高周波電極の終端として抵抗を用いる場合を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、例えば、容量性の終端を用いても良い。

また、上述の実施形態の変調器モジュールにおいて、電気的なノイズの対策のために、必要に応じてキャリア上にコンデンサなどを配置しても良い。
また、高周波電源として、ＤＣバイアスが付加されている高周波信号を供給する高周波電源を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではない。例えば、高周波コネクタとは別に筐体（パッケージ）にバイアス用ＤＣコネクタを設ける。そして、高周波コネクタを介して高周波信号を供給するとともに、バイアス用ＤＣコネクタを介してＤＣバイアスを供給し、パッケージ内部で高周波信号にＤＣバイアスを印加するようにしても良い。

なお、本発明は、上述した実施形態及び変形例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することができる。
以下、上述の実施形態及び変形例に関し、更に、付記を開示する。
（付記１）
少なくとも１つの入力ポートと、第１の出力ポート及び第２の出力ポートとを有する第１の光カプラと、
第１の入力ポート及び第２の入力ポートと、少なくとも１つの出力ポートとを有する第２の光カプラと、
前記第１の光カプラの前記第１の出力ポートに一端が接続され、前記第２の光カプラの前記第１の入力ポートに他端が接続された第１の光導波路と、
前記第１の光カプラの前記第２の出力ポートに一端が接続され、前記第２の光カプラの前記第２の入力ポートに他端が接続された第２の光導波路と、
前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路のそれぞれに設けられた電極と、
前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の少なくとも一方に設けられ、前記電極よりも短い短電極とを備えるマッハツェンダ型変調素子と、
第１及び第２の高周波コネクタとを備え、
前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の一方に設けられた前記短電極が、前記第１の高周波コネクタ及び前記第２の高周波コネクタの一方に接続されており、
前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の他方に設けられた前記電極が、前記第１の高周波コネクタ及び前記第２の高周波コネクタの他方に接続されていることを特徴とする光モジュール。

（付記２）
直流コネクタをさらに備え、
前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の一方に設けられた前記電極が、前記直流コネクタに接続されていることを特徴とする、付記１に記載の光モジュール。
（付記３）
前記短電極が、前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の両方に設けられていることを特徴とする、付記１又は２に記載の光モジュール。

（付記４）
他の直流コネクタをさらに備え、
前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の他方に設けられた前記短電極が、前記他の直流コネクタに接続されていることを特徴とする、付記３に記載の光モジュール。
（付記５）
前記電極は、進行波型の電極であることを特徴とする、付記１〜４のいずれか１項に記載の光モジュール。

（付記６）
前記短電極は、集中定数型の電極又は進行波型の電極であることを特徴とする、付記１〜５のいずれか１項に記載の光モジュール。
（付記７）
前記電極の長さに対する前記短電極の長さの比率が、１／９〜１／４の範囲内であることを特徴とする、付記１〜６のいずれか１項に記載の光モジュール。

（付記８）
前記第１及び第２の高周波コネクタが、筐体に設けられており、
前記マッハツェンダ型変調素子が、前記筐体内に配置された配線を有するキャリア上に実装されていることを特徴とする、付記１〜７のいずれか１項に記載の光モジュール。
（付記９）
半導体レーザ素子をさらに備えることを特徴とする、付記１〜８のいずれか１項に記載の光モジュール。

（付記１０）
少なくとも１つの入力ポートと、第１の出力ポート及び第２の出力ポートとを有する第１の光カプラと、
第１の入力ポート及び第２の入力ポートと、少なくとも１つの出力ポートとを有する第２の光カプラと、
前記第１の光カプラの前記第１の出力ポートに一端が接続され、前記第２の光カプラの前記第１の入力ポートに他端が接続された第１の光導波路と、
前記第１の光カプラの前記第２の出力ポートに一端が接続され、前記第２の光カプラの前記第２の入力ポートに他端が接続された第２の光導波路と、
前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路のそれぞれに設けられた電極と、
前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の少なくとも一方に設けられ、前記電極よりも短い短電極とを備えるマッハツェンダ型変調素子と、
前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の一方に設けられた前記短電極、及び、前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の他方に設けられた前記電極に接続された高周波電源とを備えることを特徴とする光送信器。

（付記１１）
前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の一方に設けられた前記電極に接続された直流電源をさらに備えることを特徴とする、付記１０に記載の光送信器。
（付記１２）
前記短電極が、前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の両方に設けられており、
前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の他方に設けられた前記短電極に接続された他の直流電源をさらに備えることを特徴とする、付記１１に記載の光送信器。

（付記１３）
第１及び第２の高周波コネクタを有する筐体を備え、
前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の一方に設けられた前記短電極が、前記第１の高周波コネクタ及び前記第２の高周波コネクタの一方を介して、前記高周波電源に接続されており、
前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の他方に設けられた前記電極が、前記第１の高周波コネクタ及び前記第２の高周波コネクタの他方を介して、前記高周波電源に接続されていることを特徴とする、付記１０〜１２のいずれか１項に記載の光送信器。

（付記１４）
前記筐体内に、前記マッハツェンダ型変調素子を実装するための配線を有するキャリアを備え、
前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の一方に設けられた前記短電極が、前記キャリア上に形成された配線並びに前記第１の高周波コネクタ及び前記第２の高周波コネクタの一方を介して、前記高周波電源に接続されており、
前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の他方に設けられた前記電極が、前記キャリア上に形成された配線並びに前記第１の高周波コネクタ及び前記第２の高周波コネクタの他方を介して、前記高周波電源に接続されていることを特徴とする、付記１３に記載の光送信器。

（付記１５）
半導体レーザをさらに備えることを特徴とする、付記１０〜１４のいずれか１項に記載の光送信器。
（付記１６）
少なくとも１つの入力ポートと、第１の出力ポート及び第２の出力ポートとを有する第１の光カプラと、
第１の入力ポート及び第２の入力ポートと、少なくとも１つの出力ポートとを有する第２の光カプラと、
前記第１の光カプラの前記第１の出力ポートに一端が接続され、前記第２の光カプラの前記第１の入力ポートに他端が接続された第１の光導波路と、
前記第１の光カプラの前記第２の出力ポートに一端が接続され、前記第２の光カプラの前記第２の入力ポートに他端が接続された第２の光導波路と、
前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路のそれぞれに設けられた電極と、
前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の少なくとも一方に設けられ、前記電極よりも短い短電極とを備えるマッハツェンダ型変調素子を、第１及び第２の高周波コネクタを備える筐体内に配置し、
前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の一方に設けられた前記短電極を、前記第１の高周波コネクタ及び前記第２の高周波コネクタの一方に接続するとともに、前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の他方に設けられた前記電極を、前記第１の高周波コネクタ及び前記第２の高周波コネクタの他方に接続することを特徴とする光モジュールの製造方法。

（付記１７）
前記筐体が、直流コネクタをさらに備え、
前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の一方に設けられた前記電極を、前記直流コネクタに接続することを特徴とする、付記１６に記載の光モジュールの製造方法。
（付記１８）
前記短電極が、前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の両方に設けられており、
前記筐体が、他の直流コネクタをさらに備え、
前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の他方に設けられた前記短電極を、前記他の直流コネクタに接続することを特徴とする、付記１７に記載の光モジュールの製造方法。

（付記１９）
前記筐体内に配線を有するキャリアを配置し、
前記キャリア上に前記マッハツェンダ型変調素子を配置し、
前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の一方に設けられた前記短電極を、前記キャリア上に形成された配線を介して、前記第１の高周波コネクタ及び前記第２の高周波コネクタの一方に接続するとともに、前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の他方に設けられた前記電極を、前記キャリア上に形成された配線を介して、前記第１の高周波コネクタ及び前記第２の高周波コネクタの他方に接続することを特徴とする、付記１６〜１８のいずれか１項に記載の光モジュールの製造方法。

（付記２０）
少なくとも１つの入力ポートと、第１の出力ポート及び第２の出力ポートとを有する第１の光カプラと、
第１の入力ポート及び第２の入力ポートと、少なくとも１つの出力ポートとを有する第２の光カプラと、
前記第１の光カプラの前記第１の出力ポートに一端が接続され、前記第２の光カプラの前記第１の入力ポートに他端が接続された第１の光導波路と、
前記第１の光カプラの前記第２の出力ポートに一端が接続され、前記第２の光カプラの前記第２の入力ポートに他端が接続された第２の光導波路と、
前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路のそれぞれに設けられた電極と、
前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の少なくとも一方に設けられ、前記電極よりも短い短電極とを備えるマッハツェンダ型変調素子を、第１及び第２の高周波コネクタとを備える筐体内に配置し、
０チャープ動作用の光モジュールを製造する場合には、前記電極を、それぞれ、前記第１の高周波コネクタ及び前記第２の高周波コネクタに接続し、
正チャープ動作用又は負チャープ動作用の光モジュールを製造する場合には、前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の一方に設けられた前記短電極を、前記第１の高周波コネクタ及び前記第２の高周波コネクタの一方に接続するとともに、前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の他方に設けられた前記電極を、前記第１の高周波コネクタ及び前記第２の高周波コネクタの他方に接続することを特徴とする光モジュールの製造方法。

本発明の一実施形態にかかる光モジュール［負チャープ（又は正チャープ）動作用変調器モジュール］及び光送信器（光変調器）の構成を示す模式的平面図である。 本発明の一実施形態にかかるＭＺ型変調素子（０チャープ動作用ＭＺ型変調素子）を用いて製造される負チャープ（又は正チャープ）動作用変調器モジュール（光モジュール）の制御回路（駆動回路）の構成を示す図である。 本発明の一実施形態にかかるＭＺ型変調素子（０チャープ動作用ＭＺ型変調素子）の構成を示す模式的平面図である。 本発明の一実施形態にかかるＭＺ型変調素子（０チャープ動作用ＭＺ型変調素子）における大電極部分における構成を示す模式的断面図である。 本発明の一実施形態にかかるＭＺ型変調素子（０チャープ動作用ＭＺ型変調素子）における小電極部分における構成を示す模式的断面図である。 ＭＺ型変調器の各アームで発生する位相変化量の比率とαパラメータとの関係を示す図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、ＭＺ型変調器の０チャープ動作を説明するための図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、ＭＺ型変調器の負チャープ動作を説明するための図である。 ＭＺ型変調器（ＭＺ型変調素子）を半導体材料からなる光導波路を用いて構成する場合の印加電圧と位相変化の関係及び駆動条件による位相変化量の変化を示す図であって、（Ａ）は基準となる駆動条件におけるバイアス電圧及び高周波信号電圧の振幅と位相変化量との関係を示す図であり、（Ｂ）は基準となる駆動条件に対して高周波信号電圧の振幅を小さくした場合の位相変化量を示す図であり、（Ｃ）は基準となる駆動条件に対してバイアス電圧を高くした場合の位相変化量を示す図である。 本発明の一実施形態にかかるＭＺ型変調素子（０チャープ動作用ＭＺ型変調素子）を用いて製造される０チャープ動作用変調器モジュール（光モジュール）及び光送信器（光変調器）の構成を示す模式的平面図である。 本発明の一実施形態にかかるＭＺ型変調素子（０チャープ動作用ＭＺ型変調素子）を用いて製造される０チャープ動作用変調器モジュール（光モジュール）の制御回路（駆動回路）の構成を示す図である。 本発明の一実施形態にかかる光モジュール［負チャープ（又は正チャープ）動作用変調器モジュール］及び光送信器（光変調器）の変形例の構成を示す模式的平面図である。 一般的なＭＺ型変調器（ＭＺ型変調素子）の構成を示す模式的平面図である。 位相調整用電極を備えるＭＺ型変調器（ＭＺ型変調素子）の構成を示す模式的平面図である。 チャープを制御するために電極の長さが調整されたＭＺ型変調器（ＭＺ型変調素子）の構成を示す模式的平面図である。

符号の説明

１ 高周波コネクタ（第１の高周波コネクタ）
２ 高周波コネクタ（第２の高周波コネクタ）
３，３Ｃ ＤＣコネクタ
３Ａ 一のＤＣコネクタ
３Ｂ 他のＤＣコネクタ
４ 筐体
５ 配線
５Ａ，５Ｂ，５Ｄ，５Ｅ，５Ｆ シグナル配線
５Ｃ グランド配線
６ キャリア
７ マッハツェンダ型変調素子（ＭＺ型変調素子）
８，９ 光ファイバ
１０，１１ レンズ
１２ 第１の光導波路
１３ 第２の光導波路
１４ 高周波電極（第１の電極）
１５ 高周波電極（第２の電極）
１４Ａ，１５Ａ シグナル電極
１４Ｂ，１４Ｃ，１５Ｂ グランド電極
１６ 入力側光カプラ（第１の光カプラ）
１７ 出力側光カプラ（第２の光カプラ）
１８ 位相調整用電極（短電極）
１９ 位相調整用電極（短電極）
２０，２１ 入力ポート
２２ 出力ポート（第１の出力ポート）
２３ 出力ポート（第２の出力ポート）
２４ 入力ポート（第１の入力ポート）
２５ 入力ポート（第２の入力ポート）
２６，２７ 出力ポート
２８ ｎ−ＩｎＰ基板
２９ ｎ−ＩｎＰバッファ層
３０ ＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷ導波路コア層
３１ ｐ−ＩｎＰクラッド層
３２ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層
３３ 低誘電体樹脂（ＢＣＢ）
３４ グランド電極
３５ 高周波電源
３６ 終端抵抗
３７ 終端抵抗
３８，３９，４０ ＤＣ電源
４１ レーザ素子
４２ レンズ
４３ ＤＣ電源

Claims (10)

1. 少なくとも１つの入力ポートと、第１の出力ポート及び第２の出力ポートとを有する第１の光カプラと、
   第１の入力ポート及び第２の入力ポートと、少なくとも１つの出力ポートとを有する第２の光カプラと、
   前記第１の光カプラの前記第１の出力ポートに一端が接続され、前記第２の光カプラの前記第１の入力ポートに他端が接続された第１の光導波路と、
   前記第１の光カプラの前記第２の出力ポートに一端が接続され、前記第２の光カプラの前記第２の入力ポートに他端が接続された第２の光導波路と、
   前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路のそれぞれに設けられた電極と、
   前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の少なくとも一方に設けられ、前記電極よりも短い短電極とを備えるマッハツェンダ型変調素子と、
   第１及び第２の高周波コネクタとを備え、
   前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の一方に設けられた前記短電極が、前記第１の高周波コネクタ及び前記第２の高周波コネクタの一方に接続されており、
   前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の他方に設けられた前記電極が、前記第１の高周波コネクタ及び前記第２の高周波コネクタの他方に接続されていることを特徴とする光モジュール。
2. 直流コネクタをさらに備え、
   前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の一方に設けられた前記電極が、前記直流コネクタに接続されていることを特徴とする、請求項１に記載の光モジュール。
3. 前記短電極が、前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の両方に設けられていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の光モジュール。
4. 他の直流コネクタをさらに備え、
   前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の他方に設けられた前記短電極が、前記他の直流コネクタに接続されていることを特徴とする、請求項３に記載の光モジュール。
5. 前記電極の長さに対する前記短電極の長さの比率が、１／９〜１／４の範囲内であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光モジュール。
6. 半導体レーザ素子をさらに備えることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光モジュール。
7. 少なくとも１つの入力ポートと、第１の出力ポート及び第２の出力ポートとを有する第１の光カプラと、
   第１の入力ポート及び第２の入力ポートと、少なくとも１つの出力ポートとを有する第２の光カプラと、
   前記第１の光カプラの前記第１の出力ポートに一端が接続され、前記第２の光カプラの前記第１の入力ポートに他端が接続された第１の光導波路と、
   前記第１の光カプラの前記第２の出力ポートに一端が接続され、前記第２の光カプラの前記第２の入力ポートに他端が接続された第２の光導波路と、
   前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路のそれぞれに設けられた電極と、
   前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の少なくとも一方に設けられ、前記電極よりも短い短電極とを備えるマッハツェンダ型変調素子と、
   前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の一方に設けられた前記短電極、及び、前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の他方に設けられた前記電極に接続された高周波電源とを備えることを特徴とする光送信器。
8. 少なくとも１つの入力ポートと、第１の出力ポート及び第２の出力ポートとを有する第１の光カプラと、
   第１の入力ポート及び第２の入力ポートと、少なくとも１つの出力ポートとを有する第２の光カプラと、
   前記第１の光カプラの前記第１の出力ポートに一端が接続され、前記第２の光カプラの前記第１の入力ポートに他端が接続された第１の光導波路と、
   前記第１の光カプラの前記第２の出力ポートに一端が接続され、前記第２の光カプラの前記第２の入力ポートに他端が接続された第２の光導波路と、
   前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路のそれぞれに設けられた電極と、
   前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の少なくとも一方に設けられ、前記電極よりも短い短電極とを備えるマッハツェンダ型変調素子を、第１及び第２の高周波コネクタを備える筐体内に配置し、
   前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の一方に設けられた前記短電極を、前記第１の高周波コネクタ及び前記第２の高周波コネクタの一方に接続するとともに、前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の他方に設けられた前記電極を、前記第１の高周波コネクタ及び前記第２の高周波コネクタの他方に接続することを特徴とする光モジュールの製造方法。
9. 前記短電極が、前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の両方に設けられており、
   前記筐体が、一の直流コネクタ及び他の直流コネクタをさらに備え、
   前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の一方に設けられた前記電極を、前記一の直流コネクタに接続し、
   前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の他方に設けられた前記短電極を、前記他の直流コネクタに接続することを特徴とする、請求項８に記載の光モジュールの製造方法。
10. 少なくとも１つの入力ポートと、第１の出力ポート及び第２の出力ポートとを有する第１の光カプラと、
    第１の入力ポート及び第２の入力ポートと、少なくとも１つの出力ポートとを有する第２の光カプラと、
    前記第１の光カプラの前記第１の出力ポートに一端が接続され、前記第２の光カプラの前記第１の入力ポートに他端が接続された第１の光導波路と、
    前記第１の光カプラの前記第２の出力ポートに一端が接続され、前記第２の光カプラの前記第２の入力ポートに他端が接続された第２の光導波路と、
    前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路のそれぞれに設けられた電極と、
    前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の少なくとも一方に設けられ、前記電極よりも短い短電極とを備えるマッハツェンダ型変調素子を、第１及び第２の高周波コネクタとを備える筐体内に配置し、
    ０チャープ動作用の光モジュールを製造する場合には、前記電極を、それぞれ、前記第１の高周波コネクタ及び前記第２の高周波コネクタに接続し、
    正チャープ動作用又は負チャープ動作用の光モジュールを製造する場合には、前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の一方に設けられた前記短電極を、前記第１の高周波コネクタ及び前記第２の高周波コネクタの一方に接続するとともに、前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路の他方に設けられた前記電極を、前記第１の高周波コネクタ及び前記第２の高周波コネクタの他方に接続することを特徴とする光モジュールの製造方法。

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