JPH05160438A - 電界吸収型光変調駆動方法 - Google Patents
電界吸収型光変調駆動方法Info
- Publication number
- JPH05160438A JPH05160438A JP32026791A JP32026791A JPH05160438A JP H05160438 A JPH05160438 A JP H05160438A JP 32026791 A JP32026791 A JP 32026791A JP 32026791 A JP32026791 A JP 32026791A JP H05160438 A JPH05160438 A JP H05160438A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、電界吸収型光変調器の駆動方法に
関し、光信号オフ時の漏洩光を減少させて、伝送特性の
劣化を防止することを目的とする。 【構成】 レーザーダイオード部（１）と変調部（２）
からなる電界吸収型光変調器（３）と、該レーザーダイ
オード部（１）を制御する制御部（５０）と、該変調部
（２）を駆動する駆動部（６０）を設け、情報信号を該
駆動部（６０）で増幅して得られた駆動信号により該変
調部（２）の光透過率を変化させることにより、該レー
ザーダイオード部（１）から該変調部（２）へ入射する
光信号（７）に変調を掛ける電界吸収型光変調器駆動方
法において、上記駆動信号の電圧が負の期間中、上記レ
ーザーダイオード部（１）の光信号（７）を低減するこ
とにより該期間中変調部（２）からの出力光を低減させ
ることを特徴とする電界吸収型光変調器駆動方法。
関し、光信号オフ時の漏洩光を減少させて、伝送特性の
劣化を防止することを目的とする。 【構成】 レーザーダイオード部（１）と変調部（２）
からなる電界吸収型光変調器（３）と、該レーザーダイ
オード部（１）を制御する制御部（５０）と、該変調部
（２）を駆動する駆動部（６０）を設け、情報信号を該
駆動部（６０）で増幅して得られた駆動信号により該変
調部（２）の光透過率を変化させることにより、該レー
ザーダイオード部（１）から該変調部（２）へ入射する
光信号（７）に変調を掛ける電界吸収型光変調器駆動方
法において、上記駆動信号の電圧が負の期間中、上記レ
ーザーダイオード部（１）の光信号（７）を低減するこ
とにより該期間中変調部（２）からの出力光を低減させ
ることを特徴とする電界吸収型光変調器駆動方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電界吸収型光変調器
（以下ＥＡＭと略す）の駆動方法に関する。伝送情報の
高速化及び中継距離の長距離化は、今日の光通信システ
ムに関する重要課題である。この課題解決の一方式とし
て、いわゆる直接変調方式に代わって、外部変調方式が
注目されている。この外部変調方式の実現のための一つ
の手段てあるＥＡＭは、発光源と変調機が一体に構成さ
れるので、小型・高性能の面で期待されている。
（以下ＥＡＭと略す）の駆動方法に関する。伝送情報の
高速化及び中継距離の長距離化は、今日の光通信システ
ムに関する重要課題である。この課題解決の一方式とし
て、いわゆる直接変調方式に代わって、外部変調方式が
注目されている。この外部変調方式の実現のための一つ
の手段てあるＥＡＭは、発光源と変調機が一体に構成さ
れるので、小型・高性能の面で期待されている。
【０００２】
【従来の技術】図６に、ＥＡＭ駆動回路の従来の構成例
を示す。図中、１はレーザーダイオード部（以下ＬＤ部
と記する。）、２は変調部、３はＥＡＭ、４は基準電圧
端子、５はバイアス端子、６は駆動端子、７はＬＤ部光
出力、８は変調部光出力をそれぞれ示す。図３は、ＥＡ
Ｍ３の入出力特性と入出力波形の一例で、曲線（ｃ）に
より明らかなように、駆動電圧（負電圧）が零のときに
は光透過率はほぼ１００％で光は透過する、次第に電圧
を上昇すると光は吸収され、ついには光出力をオフにす
る。従って、電気駆動波形（ａ）の信号入力に対して
は、光出力波形（ｂ）のような光信号出力が得られる。
を示す。図中、１はレーザーダイオード部（以下ＬＤ部
と記する。）、２は変調部、３はＥＡＭ、４は基準電圧
端子、５はバイアス端子、６は駆動端子、７はＬＤ部光
出力、８は変調部光出力をそれぞれ示す。図３は、ＥＡ
Ｍ３の入出力特性と入出力波形の一例で、曲線（ｃ）に
より明らかなように、駆動電圧（負電圧）が零のときに
は光透過率はほぼ１００％で光は透過する、次第に電圧
を上昇すると光は吸収され、ついには光出力をオフにす
る。従って、電気駆動波形（ａ）の信号入力に対して
は、光出力波形（ｂ）のような光信号出力が得られる。
【０００３】図３に於いて、駆動電圧のロー側（以下Ｌ
側と記する。）電圧がΔＶL 変動した場合、本来０であ
るべき光出力がΔＰL 発生する。言い換えると、光出力
波形の消光比が悪くなり、その結果光受信器符号誤り率
特性が劣化する。
側と記する。）電圧がΔＶL 変動した場合、本来０であ
るべき光出力がΔＰL 発生する。言い換えると、光出力
波形の消光比が悪くなり、その結果光受信器符号誤り率
特性が劣化する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、長距離光伝送
システムにおいては、光ファイバー伝送路の有する低損
失広帯域特性を十分に活かすことが出来ないという問題
があった。本発明は上記の問題を解決する外部変方式を
提供することを目的とする。
システムにおいては、光ファイバー伝送路の有する低損
失広帯域特性を十分に活かすことが出来ないという問題
があった。本発明は上記の問題を解決する外部変方式を
提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】図１は、本発明の原理説
明図である。図中、１はＥＡＭのレーザーダイオード部
（以下ＬＤ部と称する。）、２はＥＡＭの変調部、３は
ＥＡＭ、４はＥＡＭのカソード端子、５はＬＤ部バイア
ス電流供給端子、６は変調信号入力端子、７はＬＤ部出
力光信号、８は変調部出力光信号、５０は制御部、５１
は制御部５０の信号入力端子、６０は駆動部、６１は駆
動部６０の信号入力端子を示す。
明図である。図中、１はＥＡＭのレーザーダイオード部
（以下ＬＤ部と称する。）、２はＥＡＭの変調部、３は
ＥＡＭ、４はＥＡＭのカソード端子、５はＬＤ部バイア
ス電流供給端子、６は変調信号入力端子、７はＬＤ部出
力光信号、８は変調部出力光信号、５０は制御部、５１
は制御部５０の信号入力端子、６０は駆動部、６１は駆
動部６０の信号入力端子を示す。
【０００６】変調部２で光信号をオンオフすると同時
に、出力光信号がオフの時にはＬＤ部出力光信号７を減
少させる。
に、出力光信号がオフの時にはＬＤ部出力光信号７を減
少させる。
【０００７】
【作用】本発明では、図１の如く制御部５０がＬＤ部１
に、駆動部６０が変調部２にそれぞれ、端子５、端子６
を介して接続されている。駆動部６０は端子６１に入力
したデータ信号を所定の電圧レベルにして、変調部２を
図４（ａ）のような電圧波形で駆動する。その結果、Ｌ
Ｄ部出力光信号７がオンオフされて、変調部出力光信号
８が得られる。ＬＤ部出力光信号７が一定レベルである
と、図３の如く変調部２の駆動電圧の変動により光出力
が完全なオフ状態ではなくなり出力ΔＰL が出力され
る。そこで、制御部５０によってＬＤ部に供給されるレ
ーザーダイオードのバイアス電流を図４（ｆ）の如く光
出力オフ時に減少させることにより消光比を改善する。
に、駆動部６０が変調部２にそれぞれ、端子５、端子６
を介して接続されている。駆動部６０は端子６１に入力
したデータ信号を所定の電圧レベルにして、変調部２を
図４（ａ）のような電圧波形で駆動する。その結果、Ｌ
Ｄ部出力光信号７がオンオフされて、変調部出力光信号
８が得られる。ＬＤ部出力光信号７が一定レベルである
と、図３の如く変調部２の駆動電圧の変動により光出力
が完全なオフ状態ではなくなり出力ΔＰL が出力され
る。そこで、制御部５０によってＬＤ部に供給されるレ
ーザーダイオードのバイアス電流を図４（ｆ）の如く光
出力オフ時に減少させることにより消光比を改善する。
【０００８】
【実施例】図２は本発明の実施例であり、図１の制御部
５０と駆動部６０の具体的構成を示している。図中、５
１及び６１はデータ信号入力端子、５２及び６２はトラ
ンジスタ、５３及び６３は抵抗器、５４及び６４は電源
端子であり、５２及び５３は制御部を、６２及び６３は
駆動部をそれぞれ構成する。
５０と駆動部６０の具体的構成を示している。図中、５
１及び６１はデータ信号入力端子、５２及び６２はトラ
ンジスタ、５３及び６３は抵抗器、５４及び６４は電源
端子であり、５２及び５３は制御部を、６２及び６３は
駆動部をそれぞれ構成する。
【０００９】データ入力（ｄ）がＬの状態の場合、トラ
ンジスタ６２はオフ状態となり、負荷抵抗（ＲL ) ６３
の電圧降下が無く端子６と端子６４は同電位となる。即
ち変調部２の駆動電圧は０になる。その結果、図３に示
すように変調部２の光透過率は１００％となり、ＬＤ部
１の出力光７を全て透過し、変調部出力、即ちＥＡＭ出
力８はオン状態になる。この場合、データ入力（ｅ）も
Ｌの状態であり、トランジスタ５２により、端子５４の
プラス電圧と抵抗器５３で定まる最大電流がＬＤ部１に
流れ、出力光７は最大値を維持する。
ンジスタ６２はオフ状態となり、負荷抵抗（ＲL ) ６３
の電圧降下が無く端子６と端子６４は同電位となる。即
ち変調部２の駆動電圧は０になる。その結果、図３に示
すように変調部２の光透過率は１００％となり、ＬＤ部
１の出力光７を全て透過し、変調部出力、即ちＥＡＭ出
力８はオン状態になる。この場合、データ入力（ｅ）も
Ｌの状態であり、トランジスタ５２により、端子５４の
プラス電圧と抵抗器５３で定まる最大電流がＬＤ部１に
流れ、出力光７は最大値を維持する。
【００１０】データ入力（ｄ）がＨの状態の場合、トラ
ンジスタ６２はオフ状態となり、負荷抵抗（ＲL ) ６３
の電圧降下により、端子６の電位が負の値（ＶL ) とな
る。その結果、図３に示すように変調部２の光透過率は
０％となり、ＬＤ部１の出力光７は遮断され、変調部出
力、即ちＥＡＭ出力８はオフ状態になる。この場合、デ
ータ入力（ｅ）もＨの状態であり、トランジスタ５２に
より、端子５４のプラス電圧と抵抗器５３で定まる最小
電流がＬＤ部１に流れ、出力光７は最大出力より一定レ
ベル低下した値になる。このため、変調部２の光透過率
が何らかの原因で０％でなくなり、ＥＡＭ出力８に漏洩
光が出力されても、その値を低減することができる。
ンジスタ６２はオフ状態となり、負荷抵抗（ＲL ) ６３
の電圧降下により、端子６の電位が負の値（ＶL ) とな
る。その結果、図３に示すように変調部２の光透過率は
０％となり、ＬＤ部１の出力光７は遮断され、変調部出
力、即ちＥＡＭ出力８はオフ状態になる。この場合、デ
ータ入力（ｅ）もＨの状態であり、トランジスタ５２に
より、端子５４のプラス電圧と抵抗器５３で定まる最小
電流がＬＤ部１に流れ、出力光７は最大出力より一定レ
ベル低下した値になる。このため、変調部２の光透過率
が何らかの原因で０％でなくなり、ＥＡＭ出力８に漏洩
光が出力されても、その値を低減することができる。
【００１１】図５は本願発明を実施した場合の光透過率
特性の一例を示す。即ち、図４に示す駆動波形（ａ）に
同期してＬＤバイアス電流（ｆ）を変化させる場合、変
調部駆動電圧が負方向（図では右方向）に増大すると、
ＬＤバイアス電流が減少するようにすれば、ＬＤ部の光
出力が減少し、変調部出力も同じ割合で減少する。この
ため、変調部駆動電圧対光出力特性が低透過率部分で改
善され、等価光透過率特性が向上する。図５（ｐ）は駆
動電圧の瞬時値に対応するＬＤ部光出力の相対値を示す
特性曲線で、一例として、ＬＤ部出力のＬレベルがＨレ
ベルの５０％の場合を想定したものである。このよう
に、変調部２の入力光７が駆動電圧の瞬時値に対応して
変化するため、変調部２の出力光８は（ｃ’）の様な曲
線で表される。見方を変えると、光透過率が本来の特性
曲線（ｃ）で表されたものが、見掛け上特性曲線
（ｃ’）の様な曲線で表されることになる。この見掛け
上の透過率を等価光透過率と呼ぶことにする。
特性の一例を示す。即ち、図４に示す駆動波形（ａ）に
同期してＬＤバイアス電流（ｆ）を変化させる場合、変
調部駆動電圧が負方向（図では右方向）に増大すると、
ＬＤバイアス電流が減少するようにすれば、ＬＤ部の光
出力が減少し、変調部出力も同じ割合で減少する。この
ため、変調部駆動電圧対光出力特性が低透過率部分で改
善され、等価光透過率特性が向上する。図５（ｐ）は駆
動電圧の瞬時値に対応するＬＤ部光出力の相対値を示す
特性曲線で、一例として、ＬＤ部出力のＬレベルがＨレ
ベルの５０％の場合を想定したものである。このよう
に、変調部２の入力光７が駆動電圧の瞬時値に対応して
変化するため、変調部２の出力光８は（ｃ’）の様な曲
線で表される。見方を変えると、光透過率が本来の特性
曲線（ｃ）で表されたものが、見掛け上特性曲線
（ｃ’）の様な曲線で表されることになる。この見掛け
上の透過率を等価光透過率と呼ぶことにする。
【００１２】ここで得られた結果を用いて、駆動電圧の
許容変動値について吟味してみる。いま一定の出力ΔＰ
L の漏洩が許容されているとすると、従来の方式では駆
動電圧の変動許容値はΔＶL であるが、本願発明の場合
ΔＶL ' となる。図５の例ではΔＶL ' ≒２ΔＶL であ
り、約２倍の変動が許容される。
許容変動値について吟味してみる。いま一定の出力ΔＰ
L の漏洩が許容されているとすると、従来の方式では駆
動電圧の変動許容値はΔＶL であるが、本願発明の場合
ΔＶL ' となる。図５の例ではΔＶL ' ≒２ΔＶL であ
り、約２倍の変動が許容される。
【００１３】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、駆
動電圧のＬ側電圧が変動しても、Ｌレベル時のレーザー
部光出力を低下させるので、実効的な消光比の劣化が抑
制されて、光受信器符号誤り率特性の劣化を一定範囲に
抑えることができ、長距離光伝送システムにおいて、光
ファイバー伝送路の有する低損失広帯域特性を十分に活
かすことが出来る。
動電圧のＬ側電圧が変動しても、Ｌレベル時のレーザー
部光出力を低下させるので、実効的な消光比の劣化が抑
制されて、光受信器符号誤り率特性の劣化を一定範囲に
抑えることができ、長距離光伝送システムにおいて、光
ファイバー伝送路の有する低損失広帯域特性を十分に活
かすことが出来る。
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】本発明の実施構成例である。
【図３】ＥＡＭの入出力特性と入出力波形を示す図であ
る。
る。
【図４】ＥＡＭ駆動波形及びＬＤ部バイアス電流波形を
示す図である。
示す図である。
【図５】ＥＡＭの等価光透過率特性を示す図である。
【図６】ＥＡＭ駆動回路の従来の構成例である。
１ ＬＤ部 ２ 変調部 ３ ＥＡＭ ４ ＥＡＭカソード端子 ５ ＬＤ部バイアス供給端子 ６ 変調部駆動電圧供給端子 ７ ＬＤ部出力光 ８ 変調部出力光 ５０ 制御部 ５１ 制御部入力端子 ５２、６２ トランジスタ ５３、６３ 抵抗器 ５４ プラス電圧端子 ６０ 駆動部 ６１ 駆動部入力端子 ６４ 基準電圧端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/06
Claims (1)
- 【請求項１】 レーザーダイオード部（１）と変調部
（２）からなる電界吸収型光変調器（３）と、該レーザ
ーダイオード部（１）を制御するための制御部（５０）
と、該変調部（２）を駆動するための駆動部（６０）を
設け、情報信号を該駆動部（６０）で増幅して得られた
駆動信号により該変調部（２）の光透過率を変化させる
ことにより、該レーザーダイオード部（１）から該変調
部（２）へ入射する光信号（７）に変調を掛ける電界吸
収型光変調器駆動方法において、 上記駆動信号の電圧が負の期間中、上記レーザーダイオ
ード部（１）の光信号（７）を低減することにより該期
間中変調部（２）からの出力光を低減させることを特徴
とする電界吸収型光変調器駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32026791A JPH05160438A (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | 電界吸収型光変調駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32026791A JPH05160438A (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | 電界吸収型光変調駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160438A true JPH05160438A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18119601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32026791A Withdrawn JPH05160438A (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | 電界吸収型光変調駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05160438A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0673093A2 (en) * | 1994-03-18 | 1995-09-20 | Fujitsu Limited | Drive circuit of a semiconductor optical modulator |
| JP2006287144A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光集積デバイス |
| JP2010147071A (ja) * | 2008-12-16 | 2010-07-01 | Mitsubishi Electric Corp | 光送受信器 |
| JP2010287669A (ja) * | 2009-06-10 | 2010-12-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ差動型半導体装置 |
| JP2010287667A (ja) * | 2009-06-10 | 2010-12-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ及び半導体光変調器差動型半導体装置 |
-
1991
- 1991-12-04 JP JP32026791A patent/JPH05160438A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0673093A2 (en) * | 1994-03-18 | 1995-09-20 | Fujitsu Limited | Drive circuit of a semiconductor optical modulator |
| EP0673093A3 (en) * | 1994-03-18 | 1996-05-01 | Fujitsu Ltd | Control circuit of a semiconductor optical modulator. |
| EP0984534A1 (en) * | 1994-03-18 | 2000-03-08 | Fujitsu Limited | Drive circuit of a semiconductor optical modulator |
| JP2006287144A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光集積デバイス |
| JP2010147071A (ja) * | 2008-12-16 | 2010-07-01 | Mitsubishi Electric Corp | 光送受信器 |
| JP2010287669A (ja) * | 2009-06-10 | 2010-12-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ差動型半導体装置 |
| JP2010287667A (ja) * | 2009-06-10 | 2010-12-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ及び半導体光変調器差動型半導体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |