JP2010287669A - 半導体レーザ差動型半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板上に半導体レーザ1とEA変調器2とを備える半導体装置において、半導体レーザ1のp側電極22及びn側電極23を半導体レーザ1の表面側に配置し、EA変調器2のp側電極36を表面側に配置し、EA変調器2のn側電極37を半導体基板側に配置し、半導体レーザ1と半導体基板との間に絶縁層を設けて、半導体レーザ1のp側電極22及びn側電極23とEA変調器2のn側電極37とを分離し、半導体レーザ1のp側電極22、半導体レーザ1のn側電極23及びEA変調器2のp側電極36をそれぞれ分離し、EA変調器2に差動電気信号を印加する差動電気信号印加手段と、半導体レーザ1に差動電気信号と周波数及び位相が同一の正弦波電気信号を印加する正弦波電気信号印加手段とを備えた。
【選択図】図1
Description
図2に示すように、従来例に係るEA変調器集積半導体レーザは半導体レーザ100及びEA変調器200を備えている(下記特許文献1〜3参照)。
半導体基板上に半導体レーザと半導体光変調器とを備える半導体装置において、
前記半導体レーザのp側電極及びn側電極を前記半導体レーザの表面側に配置し、
前記半導体光変調器のp側電極を前記半導体光変調器の表面側に配置し、
前記半導体光変調器のn側電極を前記半導体光変調器の前記半導体基板側に配置し、
前記半導体レーザと前記半導体基板との間に絶縁層を設けて、前記半導体レーザのp側電極及びn側電極と前記半導体光変調器のn側電極とを分離し、
前記半導体レーザのp側電極、前記半導体レーザのn側電極及び前記半導体光変調器のp側電極をそれぞれ分離し、
前記半導体光変調器に差動電気信号を印加する差動電気信号印加手段と、
前記半導体レーザに前記差動電気信号と周波数及び位相が同一の正弦波電気信号を印加する正弦波電気信号印加手段とを備える
ことを特徴とする。
図1は、本発明の実施例に係る半導体レーザ差動型半導体装置の構成を示した断面図である。なお、図1(a)は半導体レーザ、図1(b)はEA変調器の構成を示した断面図である。
図1に示すように、本実施例に係る半導体レーザ差動型半導体装置は、半導体レーザ1及びEA変調器2を備えている。
なお、本発明における半絶縁InPとしては、ルテニウム、鉄をドープしたInPを用いることができる。
2 EA変調器
10 n−InP基板
11 半絶縁InP層
12 n−InP
13 n−コンタクト層
14 n−InP
15 半絶縁InP
16 活性層
17 p−InP
18 回折格子を形成したガイド層
19 p−InP
20 p−コンタクト層
21 絶縁層
22 p側電極
23 n側電極
24 分離溝
30 n−InP基板
31 n−InP
32 半絶縁InP
33 吸収層
34 p−InP
35 p−コンタクト層
36 p側電極
37 n側電極
Claims (1)
- 半導体基板上に半導体レーザと半導体光変調器とを備える半導体装置において、
前記半導体レーザのp側電極及びn側電極を前記半導体レーザの表面側に配置し、
前記半導体光変調器のp側電極を前記半導体光変調器の表面側に配置し、
前記半導体光変調器のn側電極を前記半導体光変調器の前記半導体基板側に配置し、
前記半導体レーザと前記半導体基板との間に絶縁層を設けて、前記半導体レーザのp側電極及びn側電極と前記半導体光変調器のn側電極とを分離し、
前記半導体レーザのp側電極、前記半導体レーザのn側電極及び前記半導体光変調器のp側電極をそれぞれ分離し、
前記半導体光変調器に差動電気信号を印加する差動電気信号印加手段と、
前記半導体レーザに前記差動電気信号と周波数及び位相が同一の正弦波電気信号を印加する正弦波電気信号印加手段とを備える
ことを特徴とする半導体レーザ差動型半導体装置。
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JP2009139269A JP2010287669A (ja) | 2009-06-10 | 2009-06-10 | 半導体レーザ差動型半導体装置 |
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2009
- 2009-06-10 JP JP2009139269A patent/JP2010287669A/ja active Pending
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