JP2005196878A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ヒューズ31を含むヒューズセル30を、メモリ回路のビット線に接続する。ヒューズ31とヒューズデータ出力回路(抵抗32、インバータ33)とは、ヒューズ選択スイッチ34を介して、メモリ回路のビット線BLT、BLBに接続される。ヒューズの選択を行うためのデコーダ回路と、メモリセルのビット線を選択するコラムデコーダ12と共通化し、メモリ回路のビット線をヒューズデータ出力用の信号線として使用できるので、回路規模を削減し、回路面積を小さくすることができる。
【選択図】 図2
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体記憶装置の構成を示す図である。図1に示す半導体記憶装置は、物理ヒューズ(レーザートリマーによって物理的に切断可能なヒューズ)を内蔵したFeRAMである。この半導体記憶装置は、FeRAMメモリセルアレイ11(以下、メモリセルアレイ11と略称する)、コラムデコーダ12、センスアンプ13、コラム選択スイッチ14、ヒューズ21を含むヒューズセル20、ヒューズ選択スイッチ24、およびヒューズ選択デコーダ25を備えている。この半導体記憶装置は、ヒューズデータ読み出し時にはヒューズセル20がメモリ回路のデータ線に接続されることを特徴とする。
図2は、本発明の第2の実施形態に係る半導体記憶装置の構成を示す図である。図2に示す半導体記憶装置は、第1の実施形態と同様に、物理ヒューズを内蔵したFeRAMである。この半導体記憶装置は、メモリセルアレイ11、コラムデコーダ12、センスアンプ13、コラム選択スイッチ14、およびヒューズセル30を備えている。この半導体記憶装置は、ヒューズデータ読み出し時にはヒューズセル30がメモリ回路のビット線に接続されることを特徴とする。本実施形態の構成要素のうち、第1の実施形態と同一の構成要素については、同一の参照符号を付して、説明を省略する。
第2の実施形態に係る半導体記憶装置(図2)は、メモリセルアレイ11のビット線の数に等しいヒューズセル30を備えることとした。このため、半導体記憶装置をレイアウトしたときに、ヒューズセルの幅(以下、ヒューズピッチという)がビット線の間隔(以下、ビット線ピッチという)より大きい場合には、図6に示すように、レイアウトの均一性が崩れ、ヒューズセル40間にデッドスペースが生じたり、ピッチを合わせるために無駄な配線領域が生じたりすることが問題になる場合もある。
図8は、本発明の第4の実施形態に係る半導体記憶装置について、図7と同様の条件下で描いたレイアウト図である。図8に示すレイアウト結果では、ヒューズセル42に接続される8本のビット線BLT[7:0]、BLB[7:0]と、ヒューズセルに接続されない4本のビット線BLT[11:8]、BLB[11:8]とは、メモリセルが配列されている領域に混在して配列されている。より詳細には、ヒューズセルに接続されないビット線は、ヒューズセルに接続される2本のビット線に挟まれるようにレイアウトされる。この場合、ヒューズセル42とビット線とを好適にレイアウトすることにより、ヒューズピッチとビット線ピッチとを合わせるための配線領域を除去することができる。
図9は、本発明の第5の実施形態に係る半導体記憶装置について、図7と同様の条件下で描いたレイアウト図である。図9には、ヒューズピッチがビット線ピッチの約1.5倍である場合に、8個のヒューズセル43と12本のビット線BLT[11:0]、BLB[11:0]とをレイアウトした結果が示されている。図9に示すレイアウト結果では、図8に示すレイアウト結果と同様に、ヒューズセル43に接続される8本のビット線と、ヒューズセルに接続されない4本のビット線とは、メモリセル領域に混在して配列されている。
図14は、本発明の第6の実施形態に係る半導体記憶装置に対して、センスアンプ起動信号が供給される様子を示す図である。図14に示す半導体記憶装置は、第3から第5の実施形態に係る半導体記憶装置と同様に、メモリ回路のビット線の数より少ない数のヒューズセル44を備えている。より詳細には、この半導体記憶装置は、8個のヒューズセル44、12本のビット線、および12個のセンスアンプ15を備えている。ビット線とセンスアンプ15とは、1対1に接続されている。また、12本のビット線のうち、8本のビット線にはヒューズセル44が接続されており、残り4本のビット線にはヒューズセルは接続されていない。
図15は、本発明の第7の実施形態に係る半導体記憶装置の構成を示す図である。図15に示す半導体記憶装置は、メモリセルアレイ11、コラムデコーダ12、センスアンプ13、コラム選択スイッチ16、ヒューズセル30、および出力制御回路70を備えている。すなわち、この半導体記憶装置は、第2の実施形態に係る半導体記憶装置に、エラー訂正を行う出力制御回路70を追加したものである。このような半導体記憶装置は、一般に、ECC(Error Check and Correct )メモリと呼ばれる。本実施形態の構成要素のうち、第2の実施形態と同一の構成要素については、同一の参照符号を付して、説明を省略する。
図18は、本発明の第8の実施形態に係る半導体記憶装置の構成を示す図である。図18に示す半導体記憶装置は、メモリセルアレイ11、コラムデコーダ12、センスアンプ13、コラム選択スイッチ14、ヒューズセル30、およびセンスアンプ制御回路80を備えている。すなわち、この半導体記憶装置は、第2の実施形態に係る半導体記憶装置に、センスアンプ13の制御を行うセンスアンプ制御回路80を追加したものである。本実施形態の構成要素のうち、第2の実施形態と同一の構成要素については、同一の参照符号を付して、説明を省略する。
12…コラムデコーダ
13、15、17…センスアンプ
14、16…コラム選択スイッチ
20、30、40〜45…ヒューズセル
21、31、51、61…ヒューズ
22、32、52、62…抵抗
23、33、53、63…インバータ
24、34、54、64…ヒューズ選択スイッチ
25…ヒューズ選択デコーダ
50…T型ヒューズセル
60…B型ヒューズセル
70…出力制御回路
71…エラー訂正回路
72…マルチプレクサ
80…センスアンプ制御回路
BLT、BLB…ビット線
DLT、DLB…データ線
YS…コラム選択信号
WL…ワード選択信号
WLF…ヒューズワード選択信号
SAE、SAEF…センスアンプ起動信号
FREAD…ヒューズ読み出し信号
GDT、GDB…出力信号
Claims (9)
- ヒューズを内蔵した半導体記憶装置であって、
複数のメモリセルと、
前記メモリセルを接続するビット線と、
前記ビット線上の信号を増幅するセンスアンプと、
前記ビット線の中から1以上のビット線を選択する選択回路と、
前記選択回路によって選択されたビット線に接続されるデータ線と、
複数のヒューズと、
前記ヒューズの切断/非切断状態に応じた信号を出力するヒューズデータ出力回路と、
前記ヒューズデータ出力回路の中から1以上の回路を選択するヒューズ選択回路と、
ヒューズデータ読み出し時に、前記ヒューズ選択回路によって選択されたヒューズデータ出力回路を前記データ線に接続するヒューズ選択スイッチとを備えた、半導体記憶装置。 - ヒューズを内蔵した半導体記憶装置であって、
複数のメモリセルと、
前記メモリセルに接続されるビット線と、
前記ビット線上の信号を増幅するセンスアンプと、
前記ビット線の中から1以上のビット線を選択する選択回路と、
前記選択回路によって選択されたビット線に接続されるデータ線と、
複数のヒューズと、
前記ヒューズの切断/非切断状態に応じた信号を出力するヒューズデータ出力回路と、
ヒューズデータ読み出し時に、前記選択回路によって選択されたビット線に前記ヒューズデータ出力回路を接続するヒューズ選択スイッチとを備えた、半導体記憶装置。 - 前記ヒューズの数が前記ビット線の数より少なく、
前記ビット線は、
前記ヒューズ選択スイッチを介して前記ヒューズデータ出力回路に接続される第1のビット線と、
前記ヒューズ選択スイッチおよび前記ヒューズデータ出力回路に接続されない第2のビット線とを含むことを特徴とする、請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記ビット線は、前記第1のビット線と前記第2のビット線とをそれぞれ複数含むことを特徴とする、請求項3に記載の半導体記憶装置。
- 前記ビット線は、前記第1のビット線と前記第2のビット線とをそれぞれ複数含み、
前記第1のビット線と第2のビット線とは、前記メモリセルが配列されている領域に混在して配置されていることを特徴とする、請求項3に記載の半導体記憶装置。 - 前記ビット線は、前記第1のビット線と前記第2のビット線とをそれぞれ複数含み、
前記第2のビット線は、ヒューズデータ読み出し時に、ローレベルまたはハイレベルに対応した所定の電位に固定されることを特徴とする、請求項3に記載の半導体記憶装置。 - 前記センスアンプは、ヒューズデータ読み出し時には、前記第1のビット線上の信号を増幅し、前記第2のビット線上の信号を増幅しないことを特徴とする、請求項3に記載の半導体記憶装置。
- 前記データ線の出力制御を行う出力制御回路をさらに備え、
前記メモリセルは、
本来のデータを記憶するデータ記憶用メモリセルと、
エラー訂正用のデータを記憶するエラー訂正用メモリセルとを含み、
前記出力制御回路は、メモリデータ読み出し時には、前記データ記憶用メモリセルおよび前記エラー訂正用メモリセルから読み出したデータにエラー訂正を行った結果を出力し、ヒューズデータ読み出し時には、前記データ記憶用メモリセルから読み出したデータをそのまま出力することを特徴とする、請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記センスアンプは、メモリデータ読み出し時には、前記ビット線上の信号を増幅し、ヒューズデータ読み出し時には、前記ビット線上の信号を増幅しないことを特徴とする、請求項2に記載の半導体記憶装置。
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (4)
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---|---|---|---|---|
KR100614660B1 (ko) * | 2005-06-01 | 2006-08-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기억 장치의 데이터 라인 및 그 형성방법 |
US7761191B1 (en) * | 2006-12-12 | 2010-07-20 | Nvidia Corporation | Management of operation of an integrated circuit |
KR102216563B1 (ko) | 2014-04-07 | 2021-02-18 | 삼성전자주식회사 | 불 휘발성 메모리 장치 및 그것을 포함하는 메모리 시스템 |
CN116013376B (zh) * | 2023-03-27 | 2023-08-04 | 长鑫存储技术有限公司 | 存储器版图及存储器 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07296595A (ja) * | 1994-04-25 | 1995-11-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体メモリ装置およびその駆動方法 |
JPH07334999A (ja) * | 1994-06-07 | 1995-12-22 | Hitachi Ltd | 不揮発性半導体記憶装置及びデータプロセッサ |
JP2003208796A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜磁性体記憶装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04144000A (ja) | 1990-10-03 | 1992-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
US5566107A (en) * | 1995-05-05 | 1996-10-15 | Micron Technology, Inc. | Programmable circuit for enabling an associated circuit |
JP3361018B2 (ja) * | 1996-11-11 | 2003-01-07 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JP4159657B2 (ja) * | 1998-07-13 | 2008-10-01 | 株式会社ルネサステクノロジ | 同期型半導体記憶装置 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07296595A (ja) * | 1994-04-25 | 1995-11-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体メモリ装置およびその駆動方法 |
JPH07334999A (ja) * | 1994-06-07 | 1995-12-22 | Hitachi Ltd | 不揮発性半導体記憶装置及びデータプロセッサ |
JP2003208796A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜磁性体記憶装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100827659B1 (ko) | 2006-09-20 | 2008-05-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 |
US7911258B2 (en) | 2007-09-14 | 2011-03-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit device, redundancy system, and redundancy method for latching and transmitting fuse data |
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