JP2005183774A - 半導体装置及びその作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明に係る半導体装置の作製方法は、下地絶縁膜2上に半導体層3a,3bを形成し、前記半導体層3a,3bの上に第1の絶縁膜4を形成し、低電圧駆動側の半導体層3aのチャネル形成領域上に位置する前記第1の絶縁膜4を、半導体層3aをエッチングストッパーとしてエッチング除去することにより、半導体層3aのソース領域及びドレイン領域上、半導体層3b上に前記第1の絶縁膜4を残し、半導体層3aのチャネル形成領域及び前記第1の絶縁膜4の上に第2の絶縁膜6を形成することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層の上に絶縁膜を形成し、
前記第1の半導体層のチャネル形成領域上に位置する前記絶縁膜を、前記第1の半導体層をエッチングストッパーとしてエッチング除去することを特徴とする。
前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層の上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部上に位置する前記第1の絶縁膜を、前記第1の半導体層をエッチングストッパーとしてエッチング除去することにより、前記第1の半導体層のソース領域及びドレイン領域上、前記第2の半導体層上に前記第1の絶縁膜を残し、
前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部及び前記第1の絶縁膜の上に第2の絶縁膜を形成することを特徴とする。
前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層の上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部上に位置する前記第1の絶縁膜を、前記第1の半導体層をエッチングストッパーとしてエッチング除去することにより、前記第1の半導体層のソース領域及びドレイン領域上、前記第2の半導体層上に前記第1の絶縁膜を残し、
前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部及び前記第1の絶縁膜の上に第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜を加工することにより、前記導電膜からなる第1のゲート電極を、前記第1の半導体層上に前記第2の絶縁膜を介して形成すると共に、前記導電膜からなる第2のゲート電極を、前記第2の半導体層上に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を介して形成する半導体装置の作製方法であって、
前記第1のゲート電極の一部と前記第1の半導体層との間に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜が配置されていることを特徴とする。
前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層の上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部上に位置する前記第1の絶縁膜を、前記第1の半導体層をエッチングストッパーとしてエッチング除去することにより、前記第1の半導体層のソース領域及びドレイン領域上、前記第2の半導体層上に前記第1の絶縁膜を残し、
前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部及び前記第1の絶縁膜の上に第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜及び前記第1の導電膜を加工することにより、前記第2の導電膜及び前記第1の導電膜からなる第1のゲート電極であって前記第1の導電膜の一部が前記第2の導電膜から露出した形状を有する第1のゲート電極を、前記第1の半導体層上に前記第2の絶縁膜を介して形成すると共に、前記第2の導電膜及び前記第1の導電膜からなる第2のゲート電極であって前記第1の導電膜の一部が前記第2の導電膜から露出した形状を有する第2のゲート電極を、前記第2の半導体層上に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を介して形成する半導体装置の作製方法であって、
前記第1のゲート電極における前記第2の導電膜から露出した前記第1の導電膜の一部と前記第1の半導体層との間に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜が配置されていることを特徴とする。
前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層の上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜上に第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜を加工することにより、前記第1の導電膜からなる第1のゲート電極を前記第2の半導体層上に前記第1の絶縁膜を介して形成し、
前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部上に位置する前記第1の絶縁膜を、前記第1の半導体層をエッチングストッパーとしてエッチング除去することにより、前記第1の半導体層のソース領域及びドレイン領域上、前記第2の半導体層上に前記第1の絶縁膜を残し、
前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部、前記第1の絶縁膜及び前記第1のゲート電極の上に第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜を加工することにより、前記第2の導電膜からなる第2のゲート電極を前記第1の半導体層上に前記第2の絶縁膜を介して形成する半導体装置の作製方法であって、
前記第2のゲート電極の一部と前記第1の半導体層との間に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜が配置されていることを特徴とする。
前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層の上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜上に第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜及び前記第1の導電膜を加工することにより、前記第2の導電膜及び前記第1の導電膜からなる第1のゲート電極であって前記第1の導電膜の一部が前記第2の導電膜から露出した形状を有する第1のゲート電極を、前記第2の半導体層上に前記第1の絶縁膜を介して形成し、
前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部上に位置する前記第1の絶縁膜を、前記第1の半導体層をエッチングストッパーとしてエッチング除去することにより、前記第1の半導体層のソース領域及びドレイン領域上、前記第2の半導体層上に前記第1の絶縁膜を残し、
前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部、前記第1の絶縁膜及び前記第1のゲート電極の上に第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に第3の導電膜を形成し、
前記第3の導電膜上に第4の導電膜を形成し、
前記第4の導電膜及び前記第3の導電膜を加工することにより、前記第4の導電膜及び前記第3の導電膜からなる第2のゲート電極であって前記第3の導電膜の一部が前記第4の導電膜から露出した形状を有する第2のゲート電極を、前記第1の半導体層上に前記第2の絶縁膜を介して形成する半導体装置の作製方法であって、
前記第2のゲート電極における前記第4の導電膜から露出した前記第3の導電膜の一部と前記第1の半導体層との間に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜が配置されていることを特徴とする。
前記下地絶縁膜上に形成された第2の半導体層と、
前記第1の半導体層のソース領域、ドレイン領域及び前記第2の半導体層の上に形成された絶縁膜と、
を具備することを特徴とする。
前記下地絶縁膜上に形成された第2の半導体層と、
前記第1の半導体層のソース領域、ドレイン領域及び前記第2の半導体層の上に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部及び前記第1の絶縁膜の上に形成された第2の絶縁膜と、
を具備することを特徴とする。
前記下地絶縁膜上に形成された第2の半導体層と、
前記第1の半導体層のソース領域、ドレイン領域及び前記第2の半導体層の上に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部及び前記第1の絶縁膜の上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第1の半導体層上に前記第2の絶縁膜を介して形成された導電膜からなる第1のゲート電極と、
前記第2の半導体層上に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を介して形成された導電膜からなる第2のゲート電極と、
を具備し、
前記第1のゲート電極の一部と前記第1の半導体層との間に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜が配置されていることを特徴とする。
前記下地絶縁膜上に形成された第2の半導体層と、
前記第1の半導体層のソース領域、ドレイン領域及び前記第2の半導体層の上に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部及び前記第1の絶縁膜の上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第1の半導体層上に前記第2の絶縁膜を介して形成され、第1の導電膜と該第1の導電膜上に配置された第2の導電膜とからなる第1のゲート電極であって前記第1の導電膜の一部が前記第2の導電膜から露出した形状を有する第1のゲート電極と、
前記第2の半導体層上に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を介して形成され、第1の導電膜と該第1の導電膜上に配置された第2の導電膜とからなる第2のゲート電極であって前記第1の導電膜の一部が前記第2の導電膜から露出した形状を有する第2のゲート電極と、
を具備し、
前記第1のゲート電極における前記第2の導電膜から露出した前記第1の導電膜の一部と前記第1の半導体層との間に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜が配置されていることを特徴とする。
前記下地絶縁膜上に形成された第2の半導体層と、
前記第1の半導体層のソース領域、ドレイン領域及び前記第2の半導体層の上に形成された第1の絶縁膜と、
前記第2の半導体層上に前記第1の絶縁膜を介して形成された第1の導電膜からなる第1のゲート電極と、
前記第1のゲート電極、前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部及び前記第1の絶縁膜の上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第1の半導体層上に前記第2の絶縁膜を介して形成された第2の導電膜からなる第2のゲート電極と、
を具備し、
前記第2のゲート電極の一部と前記第1の半導体層との間に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜が配置されていることを特徴とする。
前記下地絶縁膜上に形成された第2の半導体層と、
前記第1の半導体層のソース領域、ドレイン領域及び前記第2の半導体層の上に形成された第1の絶縁膜と、
前記第2の半導体層上に前記第1の絶縁膜を介して形成され、第1の導電膜と該第1の導電膜上に形成された第2の導電膜とからなる第1のゲート電極であって前記第1の導電膜の一部が前記第2の導電膜から露出した形状を有する第1のゲート電極と、
前記第1のゲート電極、前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部及び前記第1の絶縁膜の上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第1の半導体層上に前記第2の絶縁膜を介して形成され、第3の導電膜と該第3の導電膜上に形成された第4の導電膜とからなる第2のゲート電極であって前記第3の導電膜の一部が前記第4の導電膜から露出した形状を有する第2のゲート電極と、
を具備し、
前記第2のゲート電極における前記第4の導電膜から露出した前記第3の導電膜の一部と前記第1の半導体層との間に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜が配置されていることを特徴とする。
(実施の形態1)
図1乃至図3は、本発明の実施の形態1による半導体装置の作製方法を示す断面図、平面図である。
また、本実施の形態では、第1のドーピング工程と第2のドーピング工程を行っているが、適切なドーピング条件を選択すれば1回のドーピング工程によって半導体層3a,3bに自己整合的に高濃度不純物領域と低濃度不純物領域の両方を形成することも可能である。
図4(A)〜(D)は、本発明の実施の形態2による半導体装置の作製方法を示す断面図であり、図1乃至図3と同一部分には同一符号を付し、同一部分の説明は省略する。
また、本実施の形態では、第1のドーピング工程と第2のドーピング工程を行っているが、適切なドーピング条件を選択すれば1回のドーピング工程によって半導体層3a,3bに自己整合的に高濃度不純物領域と低濃度不純物領域の両方を形成することも可能である。
図5は、本発明の実施の形態3による半導体装置の作製方法を説明する断面図であり、図4と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
3a,3b,102,103…半導体層(活性層)
4,104…第1の絶縁膜
5…レジストマスク
6,105…第2の絶縁膜
7,7a,106…第1の導電膜
8,8a,8b,107…第2の導電膜
9…レジストマスク
10,108…第1のゲート電極
11,109…第2のゲート電極
12…第1の絶縁膜の端
13〜16…高濃度不純物領域(ソース及びドレイン領域)
17〜20…低濃度不純物領域(LDD領域)
21a…第1の導電膜
22a,22b…第2の導電膜
23…レジストマスク
24a…第3の導電膜
25a,25b…第4の導電膜
Claims (21)
- 下地絶縁膜上に第1の半導体層及び第2の半導体層を形成し、
前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層の上に絶縁膜を形成し、
前記第1の半導体層のチャネル形成領域上に位置する前記絶縁膜を、前記第1の半導体層をエッチングストッパーとしてエッチング除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 下地絶縁膜上に第1の半導体層及び第2の半導体層を形成し、
前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層の上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部上に位置する前記第1の絶縁膜を、前記第1の半導体層をエッチングストッパーとしてエッチング除去することにより、前記第1の半導体層のソース領域及びドレイン領域上、前記第2の半導体層上に前記第1の絶縁膜を残し、
前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部及び前記第1の絶縁膜の上に第2の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 下地絶縁膜上に第1の半導体層及び第2の半導体層を形成し、
前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層の上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部上に位置する前記第1の絶縁膜を、前記第1の半導体層をエッチングストッパーとしてエッチング除去することにより、前記第1の半導体層のソース領域及びドレイン領域上、前記第2の半導体層上に前記第1の絶縁膜を残し、
前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部及び前記第1の絶縁膜の上に第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜を加工することにより、前記導電膜からなる第1のゲート電極を、前記第1の半導体層上に前記第2の絶縁膜を介して形成すると共に、前記導電膜からなる第2のゲート電極を、前記第2の半導体層上に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を介して形成する半導体装置の作製方法であって、
前記第1のゲート電極の一部と前記第1の半導体層との間に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜が配置されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 下地絶縁膜上に第1の半導体層及び第2の半導体層を形成し、
前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層の上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部上に位置する前記第1の絶縁膜を、前記第1の半導体層をエッチングストッパーとしてエッチング除去することにより、前記第1の半導体層のソース領域及びドレイン領域上、前記第2の半導体層上に前記第1の絶縁膜を残し、
前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部及び前記第1の絶縁膜の上に第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜及び前記第1の導電膜を加工することにより、前記第2の導電膜及び前記第1の導電膜からなる第1のゲート電極であって前記第1の導電膜の一部が前記第2の導電膜から露出した形状を有する第1のゲート電極を、前記第1の半導体層上に前記第2の絶縁膜を介して形成すると共に、前記第2の導電膜及び前記第1の導電膜からなる第2のゲート電極であって前記第1の導電膜の一部が前記第2の導電膜から露出した形状を有する第2のゲート電極を、前記第2の半導体層上に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を介して形成する半導体装置の作製方法であって、
前記第1のゲート電極における前記第2の導電膜から露出した前記第1の導電膜の一部と前記第1の半導体層との間に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜が配置されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項4において、前記第2のゲート電極を、前記第2の半導体層上に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を介して形成した後に、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を介して前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層に不純物をドーピングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項4又は5において、前記第2のゲート電極を、前記第2の半導体層上に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を介して形成した後に、前記第2の導電膜から露出した前記第1の導電膜、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を介して前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層に不純物をドーピングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 下地絶縁膜上に第1の半導体層及び第2の半導体層を形成し、
前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層の上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜上に第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜を加工することにより、前記第1の導電膜からなる第1のゲート電極を前記第2の半導体層上に前記第1の絶縁膜を介して形成し、
前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部上に位置する前記第1の絶縁膜を、前記第1の半導体層をエッチングストッパーとしてエッチング除去することにより、前記第1の半導体層のソース領域及びドレイン領域上、前記第2の半導体層上に前記第1の絶縁膜を残し、
前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部、前記第1の絶縁膜及び前記第1のゲート電極の上に第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜を加工することにより、前記第2の導電膜からなる第2のゲート電極を前記第1の半導体層上に前記第2の絶縁膜を介して形成する半導体装置の作製方法であって、
前記第2のゲート電極の一部と前記第1の半導体層との間に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜が配置されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 下地絶縁膜上に第1の半導体層及び第2の半導体層を形成し、
前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層の上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜上に第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜及び前記第1の導電膜を加工することにより、前記第2の導電膜及び前記第1の導電膜からなる第1のゲート電極であって前記第1の導電膜の一部が前記第2の導電膜から露出した形状を有する第1のゲート電極を、前記第2の半導体層上に前記第1の絶縁膜を介して形成し、
前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部上に位置する前記第1の絶縁膜を、前記第1の半導体層をエッチングストッパーとしてエッチング除去することにより、前記第1の半導体層のソース領域及びドレイン領域上、前記第2の半導体層上に前記第1の絶縁膜を残し、
前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部、前記第1の絶縁膜及び前記第1のゲート電極の上に第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に第3の導電膜を形成し、
前記第3の導電膜上に第4の導電膜を形成し、
前記第4の導電膜及び前記第3の導電膜を加工することにより、前記第4の導電膜及び前記第3の導電膜からなる第2のゲート電極であって前記第3の導電膜の一部が前記第4の導電膜から露出した形状を有する第2のゲート電極を、前記第1の半導体層上に前記第2の絶縁膜を介して形成する半導体装置の作製方法であって、
前記第2のゲート電極における前記第4の導電膜から露出した前記第3の導電膜の一部と前記第1の半導体層との間に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜が配置されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項8において、前記第2のゲート電極を、前記第1の半導体層上に前記第2の絶縁膜を介して形成した後に、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を介して前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層に不純物をドーピングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項8又は9において、前記第2のゲート電極を、前記第1の半導体層上に前記第2の絶縁膜を介して形成した後に、前記第2の導電膜から露出した前記第1の導電膜、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を介して前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層に不純物をドーピングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 下地絶縁膜上に形成された第1の半導体層と、
前記下地絶縁膜上に形成された第2の半導体層と、
前記第1の半導体層のソース領域、ドレイン領域及び前記第2の半導体層の上に形成された絶縁膜と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 下地絶縁膜上に形成された第1の半導体層と、
前記下地絶縁膜上に形成された第2の半導体層と、
前記第1の半導体層のソース領域、ドレイン領域及び前記第2の半導体層の上に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部及び前記第1の絶縁膜の上に形成された第2の絶縁膜と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 下地絶縁膜上に形成された第1の半導体層と、
前記下地絶縁膜上に形成された第2の半導体層と、
前記第1の半導体層のソース領域、ドレイン領域及び前記第2の半導体層の上に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部及び前記第1の絶縁膜の上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第1の半導体層上に前記第2の絶縁膜を介して形成された導電膜からなる第1のゲート電極と、
前記第2の半導体層上に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を介して形成された導電膜からなる第2のゲート電極と、
を具備し、
前記第1のゲート電極の一部と前記第1の半導体層との間に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜が配置されていることを特徴とする半導体装置。 - 下地絶縁膜上に形成された第1の半導体層と、
前記下地絶縁膜上に形成された第2の半導体層と、
前記第1の半導体層のソース領域、ドレイン領域及び前記第2の半導体層の上に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部及び前記第1の絶縁膜の上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第1の半導体層上に前記第2の絶縁膜を介して形成され、第1の導電膜と該第1の導電膜上に配置された第2の導電膜とからなる第1のゲート電極であって前記第1の導電膜の一部が前記第2の導電膜から露出した形状を有する第1のゲート電極と、
前記第2の半導体層上に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を介して形成され、第1の導電膜と該第1の導電膜上に配置された第2の導電膜とからなる第2のゲート電極であって前記第1の導電膜の一部が前記第2の導電膜から露出した形状を有する第2のゲート電極と、
を具備し、
前記第1のゲート電極における前記第2の導電膜から露出した前記第1の導電膜の一部と前記第1の半導体層との間に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜が配置されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項14において、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を介して前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層に不純物を一括でドーピングすることにより、前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層それぞれに形成されたソース領域及びドレイン領域を具備することを特徴とする半導体装置。
- 請求項14又は15において、前記第2の導電膜から露出した前記第1の導電膜、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を介して前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層に不純物をドーピングすることにより、前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層それぞれに形成された低濃度不純物領域を具備することを特徴とする半導体装置。
- 下地絶縁膜上に形成された第1の半導体層と、
前記下地絶縁膜上に形成された第2の半導体層と、
前記第1の半導体層のソース領域、ドレイン領域及び前記第2の半導体層の上に形成された第1の絶縁膜と、
前記第2の半導体層上に前記第1の絶縁膜を介して形成された第1の導電膜からなる第1のゲート電極と、
前記第1のゲート電極、前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部及び前記第1の絶縁膜の上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第1の半導体層上に前記第2の絶縁膜を介して形成された第2の導電膜からなる第2のゲート電極と、
を具備し、
前記第2のゲート電極の一部と前記第1の半導体層との間に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜が配置されていることを特徴とする半導体装置。 - 下地絶縁膜上に形成された第1の半導体層と、
前記下地絶縁膜上に形成された第2の半導体層と、
前記第1の半導体層のソース領域、ドレイン領域及び前記第2の半導体層の上に形成された第1の絶縁膜と、
前記第2の半導体層上に前記第1の絶縁膜を介して形成され、第1の導電膜と該第1の導電膜上に形成された第2の導電膜とからなる第1のゲート電極であって前記第1の導電膜の一部が前記第2の導電膜から露出した形状を有する第1のゲート電極と、
前記第1のゲート電極、前記第1の半導体層の少なくともチャネル形成領域の一部及び前記第1の絶縁膜の上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第1の半導体層上に前記第2の絶縁膜を介して形成され、第3の導電膜と該第3の導電膜上に形成された第4の導電膜とからなる第2のゲート電極であって前記第3の導電膜の一部が前記第4の導電膜から露出した形状を有する第2のゲート電極と、
を具備し、
前記第2のゲート電極における前記第4の導電膜から露出した前記第3の導電膜の一部と前記第1の半導体層との間に前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜が配置されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項18において、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を介して前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層に不純物を一括でドーピングすることにより、前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層それぞれに形成されたソース領域及びドレイン領域を具備することを特徴とする半導体装置。
- 請求項18又は19において、前記第4の導電膜から露出した前記第3の導電膜、前記第2の導電膜から露出した前記第1の導電膜、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を介して前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層に不純物をドーピングすることにより、前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層それぞれに形成された低濃度不純物領域を具備することを特徴とする半導体装置。
- 請求項18又は19において、前記第4の導電膜から露出した前記第3の導電膜、前記第2の導電膜から露出した前記第1の導電膜、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜を介して前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層に不純物をドーピングすることにより、前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層それぞれに形成された低濃度不純物領域、ソース領域及びドレイン領域を具備することを特徴とする半導体装置。
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008142873A1 (ja) | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009260069A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Sharp Corp | 半導体装置、tft基板、表示装置、携帯機器 |
JP2010021482A (ja) * | 2008-07-14 | 2010-01-28 | Sharp Corp | 半導体装置、tft基板、表示装置、携帯機器 |
US7821002B2 (en) | 2006-04-28 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8575608B2 (en) | 2009-12-21 | 2013-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor and manufacturing method thereof |
KR101334177B1 (ko) * | 2007-02-15 | 2013-11-28 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
US8704230B2 (en) | 2010-08-26 | 2014-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8829522B2 (en) | 2009-12-21 | 2014-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor |
US9230826B2 (en) | 2010-08-26 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Etching method using mixed gas and method for manufacturing semiconductor device |
WO2019244636A1 (ja) * | 2018-06-18 | 2019-12-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06222387A (ja) * | 1993-01-21 | 1994-08-12 | Sharp Corp | 半導体装置 |
JP2001345453A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-12-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置及びその作製方法 |
JP2003188183A (ja) * | 2001-12-20 | 2003-07-04 | Fujitsu Display Technologies Corp | 薄膜トランジスタ装置、その製造方法及び液晶表示装置 |
JP2003332581A (ja) * | 2002-05-10 | 2003-11-21 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタ基板の製造方法及び薄膜トランジスタ基板 |
-
2003
- 2003-12-22 JP JP2003424370A patent/JP4447305B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06222387A (ja) * | 1993-01-21 | 1994-08-12 | Sharp Corp | 半導体装置 |
JP2001345453A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-12-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置及びその作製方法 |
JP2003188183A (ja) * | 2001-12-20 | 2003-07-04 | Fujitsu Display Technologies Corp | 薄膜トランジスタ装置、その製造方法及び液晶表示装置 |
JP2003332581A (ja) * | 2002-05-10 | 2003-11-21 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタ基板の製造方法及び薄膜トランジスタ基板 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8980733B2 (en) | 2006-04-28 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7821002B2 (en) | 2006-04-28 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR101334177B1 (ko) * | 2007-02-15 | 2013-11-28 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
JP5243414B2 (ja) * | 2007-05-21 | 2013-07-24 | シャープ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2008142873A1 (ja) | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009260069A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Sharp Corp | 半導体装置、tft基板、表示装置、携帯機器 |
JP2010021482A (ja) * | 2008-07-14 | 2010-01-28 | Sharp Corp | 半導体装置、tft基板、表示装置、携帯機器 |
US8575608B2 (en) | 2009-12-21 | 2013-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor and manufacturing method thereof |
US8829522B2 (en) | 2009-12-21 | 2014-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor |
US8704230B2 (en) | 2010-08-26 | 2014-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9230826B2 (en) | 2010-08-26 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Etching method using mixed gas and method for manufacturing semiconductor device |
US9257561B2 (en) | 2010-08-26 | 2016-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2019244636A1 (ja) * | 2018-06-18 | 2019-12-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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