JP2005154238A - 圧電磁器組成物の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】従来の鉛過剰添加の低温焼成圧電磁器組成物は、焼成温度を下げることはできるが、絶縁抵抗の低下により圧電特性の低下および高温、高湿下での使用により絶縁抵抗が低下するという課題があった。
【解決手段】鉛過剰添加の低温焼成圧電磁器組成物において、分極工程の実施前に熱処理を実施することにより、絶縁抵抗の向上や高温、高湿での放置により絶縁抵抗が低下することのない高い安定性を有する圧電磁器組成物を得ることができる。
【選択図】図3

Description

本発明は、圧電アクチュエータや圧電トランス等の圧電振動子に使用される圧電磁器組成物の製造方法および積層構造を持つ圧電製品に関するものである。
圧電磁器は、圧電発振子、圧電フィルタ、圧電アクチュエータ、圧電トランスあるいは圧電ブザー等の圧電磁器デバイスに広く応用されている。また、近年の小型化や薄型化あるいは高性能化の要望にともない積層型の圧電磁器素子の開発も盛んになってきている。
しかし、従来の圧電磁器組成物では、焼成温度が高温であるため、焼成炉で使用する電気エネルギーが大きく、また積層型の圧電磁器素子を作製する場合には、焼成温度が高いために、使用する内部電極材料には、高価な高融点の白金やパラジウムを使用しなければならず、製造コストが高くなるという問題があった。
そこで、圧電磁器の焼成温度を下げるため、例えば、特許文献1では、Pb、ZrおよびTiの元素を含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物を主成分とする組成物中にCuおよびW元素を含有することで焼成温度を低温化し、積層型の圧電磁器素子の内部電極材料として比較的安価な銀−パラジウム合金の使用を可能にしたことが開示されている。また、さらに焼成温度を下げ、パラジウムの含有比率を下げるため、特許文献2では、PbTiO3−PbZrO3−Pb(Mn1/3Nb2/3)−Pb(Co1/3Nb2/3)O3を主成分とする組成物にCoOとPbOを添加することが開示されている。
特開平9−169566号公報 特開平10−7458号公報
しかしながら、上記の特許文献1の圧電磁器組成物は、焼成温度が1100℃程度の低温焼成が可能となっているが、Agを95%以上含む内部電極を使用する場合には、まだ焼成温度が高く、また高温・耐湿雰囲気での使用における安定性の確認ができていない。また、特許文献2の圧電磁器組成物は、焼成温度が930℃程度の低温焼成が可能となっているが、先の事例と同様に高温・耐湿雰囲気での使用における絶縁抵抗の評価については確認ができていない。
弊社での調査においては、ペロブスカイト結晶構造を有するPbTiO3−PbZrO3系の圧電磁器組成物において、ノンストイキトメトリー組成いわゆるAサイト過剰の組成系すなわちA(Pbの含有量)/B(ZrとTiとを合わせた含有量)比率が1.00より大きい組成の場合、A/B比率が1.00以下の場合に比較して、低温焼成が実現可能となるものの、焼成後に絶縁抵抗が劣化するために分極時で所望の電圧が印加できずに圧電特性が低下したり、高温・耐湿雰囲気での使用時においては、使用前の初期値よりも絶縁抵抗が低下したりすることが分かっている。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、焼成温度を、Agを主成分とする内部電極と同時焼成が可能となる低温焼成化ができるとともに、焼成後に絶縁抵抗が劣化し、圧電特性が低下することなく、高温・耐湿雰囲気での使用においても、絶縁抵抗が低下することのない、低コストと高い安定性を両立する優れた圧電磁器組成物の製造方法を提供することを目的とするものである。
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。
本発明の請求項1に記載の発明は、Pb(Zn1/3Nb2/3)O3−PbTiO3−PbZrO3の三成分系の圧電磁器組成物において、基本組成式をPb(Zn1/3Nb2/3aZrxTiy3と表したとき、a、xおよびyが0.90<a+x+y<1.00の範囲である圧電磁器組成物において、圧電磁器組成物の原料を混合する第1の工程と、混合された原料を仮焼する第2の工程と、仮焼された粉体を粉砕する第3の工程と、粉砕された粉体から所望の形状に成形する第4の工程と、成形体を焼結しない温度で脱脂する第5の工程と、脱脂された成形体を焼成する第6の工程と、焼成された焼結体を加工する第7の工程と、入出力用の電極を形成する第8の工程と、圧電磁器に圧電特性を与える分極を行う第10の工程との間に、熱処理を行う第9の工程を備えることを特徴とする圧電磁器組成物の製造方法であり、これにより、95%以上のAgを含む安価な内部電極との同時焼成ができる930℃での焼成が可能となるとともに、成形体を焼成する第6の工程にて、結晶格子内に導入された酸素欠陥により半導体化した前記圧電磁器組成物を第9の工程の熱処理にて絶縁化することより、分極時の絶縁抵抗低下を抑制し高温耐湿での使用の安定性を有する圧電磁器組成物が作製できるものである。
本発明の請求項2に記載の発明は、第9の工程の熱処理温度を、450℃〜800℃の温度範囲で、1時間以上行うことを特徴とする請求項1に記載の圧電磁器組成物の製造方法であり、これにより、95%以上のAgを含む安価な内部電極との同時焼成ができる930℃での焼成が可能となるとともに、成形体を焼成する第6の工程にて、結晶格子内に導入された酸素欠陥により半導体化した前記圧電磁器組成物を第9の工程の所定の温度範囲および時間での熱処理にて絶縁化することより、分極時の絶縁抵抗低下を抑制し高温耐湿の使用のより安定化する圧電磁器組成物が作製できるものである。
本発明の請求項3に記載の発明は、第9の工程の熱処理を、酸素分圧が20kPa以上の酸素雰囲気中で行うことを特徴とする請求項2に記載の圧電磁器組成物の製造方法であり、これにより、95%以上のAgを含む安価な内部電極との同時焼成ができる930℃での焼成が可能となるとともに、成形体を焼成する第6の工程にて、結晶格子内に導入された酸素欠陥により半導体化した前記圧電磁器組成物を第9の工程の所定の温度範囲、時間、酸素濃度における熱処理にて絶縁化することより、分極時の絶縁抵抗低下を抑制し高温耐湿での使用で更に安定性を有する圧電磁器組成物が作製できるものである。
本発明の請求項4に記載の発明は、第6の工程は、脱脂された成形体を匣内部で密閉雰囲気にして、Pbの飛散を抑制しながら、焼成を行うことを特徴とする請求項3に記載の圧電磁器組成物の製造方法であり、これにより、95%以上のAgを含む安価な内部電極との同時焼成ができる930℃での焼成が可能となるとともに、Pbの飛散を抑制し、組成を安定にして成形体を焼成する第6の工程にて、結晶格子内に導入された酸素欠陥により半導体化した前記圧電磁器組成物を第9の工程の熱処理にて絶縁化することより、分極時の絶縁抵抗低下を抑制し高温耐湿での使用の安定性を有する圧電磁器組成物が作製できるものである。
本発明の請求項5に記載の発明は、第6の工程を鉛の飛散等にて材料組成を変化させることなく焼成を800℃〜930℃の温度範囲で焼成を行うことを特徴とする請求項4に記載の圧電磁器組成物の製造方法であり、これにより、Pbの飛散を抑制し、組成を安定にしながら、所定の温度範囲にて成形体を焼成する第6の工程にて、95%以上のAgを含む安価な内部電極との同時焼成ができるとともに、結晶格子内に導入された酸素欠陥により半導体化した前記圧電磁器組成物を第9の工程の熱処理にて絶縁化することより、分極時の絶縁抵抗低下を抑制し高温耐湿での使用の安定性を有する圧電磁器組成物が作製できるものである。
本発明の請求項6に記載の発明は、Pb(Zn1/3Nb2/3)O3−PbTiO3−PbZrO3の三成分系の圧電磁器組成物において、基本組成式をPb(Zn1/3Nb2/3aZrxTiy3と表したとき、a、xおよびyが0.90<a+x+y<1.00の範囲である圧電磁器組成物において、圧電磁器組成物の原料を混合する第1の工程と、混合された原料を仮焼する第2の工程と、仮焼された粉体を粉砕する第3の工程と、粉砕された粉体からセラミックグリーンシートを成形する第4の工程と、セラミックグリーンシートとAgを主成分とする内部電極用ペーストを用いて積層体を作製する第5の工程と、積層体を焼結しない温度で脱脂する第6の工程と、脱脂された成形体を匣内部で密閉雰囲気にして、鉛の飛散等にて材料組成を変化させることなく焼成を行うことを特徴とする第7の工程と、焼成された焼結体を加工する第8の工程と、入出力用の電極を形成する第9の工程と、熱処理を、450℃〜800℃の温度範囲で、1時間以上行う第10の工程と、圧電磁器に圧電特性を与える分極を行う第11の工程を有する圧電磁器組成物の製造方法であり、これにより、セラミックグリーンシートと95%以上のAgを含む安価な内部電極との同時焼成ができる930℃での焼成が可能となるとともに、積層体を焼成する第7の工程にて、結晶格子内に導入された酸素欠陥により半導体化した前記圧電磁器組成物を絶縁体化することより、分極時の絶縁抵抗低下を抑制し、高温耐湿での使用で、より高い安定性を有する圧電磁器組成物が作製できるものである。
本発明の請求項7に記載の発明は、第10の工程の熱処理を、酸素分圧が20kPa以上の酸素雰囲気中で、450℃〜800℃の温度範囲で、1時間以上行うことを特徴とする請求項6に記載の圧電磁器組成物の製造方法であり、これにより、セラミックグリーンシートと95%以上のAgを含む安価な内部電極との同時焼成ができるとともに、積層体を焼成する第7の工程にて結晶格子内に導入された酸素欠陥により半導体化した前記圧電磁器組成物を、所定の温度範囲、時間、酸素濃度の熱処理にて絶縁体化することより、分極時の絶縁抵抗低下を抑制し、高温耐湿での使用で、より高い安定性を有する圧電磁器組成物が作製できるものである。
本発明の請求項8に記載の発明は、第7の工程を、鉛の飛散等にて材料組成を変化させることなく焼成を800℃〜930℃の温度範囲で行うことを特徴とする圧電磁器組成物の製造方法であり、これにより、セラミックグリーンシートと95%以上のAgを含む安価な内部電極との同時焼成ができるとともに、所定の温度範囲にて積層体を焼成する第7の工程にて、結晶格子内に導入された酸素欠陥により半導体化した前記圧電磁器組成物を絶縁体化することより、分極時の絶縁抵抗低下を抑制し、高温耐湿での使用で、より高い安定性を有する圧電磁器組成物が作製できるものである。
本発明の請求項9に記載の発明は、Pb(Zn1/3Nb2/3)O3−PbTiO3−PbZrO3の三成分系の圧電磁器組成物に金属元素Mnを添加物として含む圧電磁器組成物において、基本組成式をPb(Zn1/3Nb2/3aZrxTiy3+αwt%MnO2と表したとき、a、xおよびyが0.90<a+x+y<1.00の範囲であり、金属元素Mnの化合物はMnO2に換算してα<2.0である圧電磁器組成物において、圧電磁器組成物の原料を混合する第1の工程と、混合された原料を仮焼する第2の工程と、仮焼された粉体を粉砕する第3の工程と、粉砕された粉体から所望の形状に成形する第4の工程と、成形体を焼結しない温度で脱脂する第5の工程と、脱脂された成形体を焼成する第6の工程と、焼成された焼結体を加工する第7の工程と、入出力用の電極を形成する第8の工程と、圧電磁器に圧電特性を与える分極を行う第10の工程との間に、熱処理を行う第9の工程を備えることを特徴とする圧電磁器組成物の製造方法であり、これにより、95%以上のAgを含む安価な内部電極との同時焼成ができる930℃での焼成が可能となるとともに、成形体を焼成する第6の工程にて、結晶格子内に導入された酸素欠陥による半導体化した前記圧電磁器組成物を第9の工程の熱処理にて絶縁化することより、分極時の絶縁抵抗低下を抑制し、高温耐湿での使用の安定性を有する圧電磁器組成物が作製できるものである。
本発明の請求項10に記載の発明は、第9の工程の熱処理を、450℃〜800℃の温度範囲で、1時間以上行うことを特徴とする請求項9に記載の圧電磁器組成物の製造方法であり、これにより、95%以上のAgを含む安価な内部電極との同時焼成ができる930℃での焼成が可能となるとともに、成形体を焼成する第6の工程にて、結晶格子内に導入された酸素欠陥による半導体化した前記圧電磁器組成物を第9の工程の所定の温度範囲および時間での熱処理にて絶縁化することより、分極時の絶縁抵抗低下を抑制し、高温耐湿での使用の安定性を有する圧電磁器組成物が作製できるものである。
本発明の請求項11に記載の発明は、第9の工程の熱処理を、酸素分圧が20kPa以上の酸素雰囲気中で行うことを特徴とする請求項10に記載の圧電磁器組成物の製造方法であり、これにより、95%以上のAgを含む安価な内部電極との同時焼成ができる930℃での焼成が可能となるとともに、成形体を焼成する第6の工程にて、結晶格子内に導入された酸素欠陥による半導体化した前記圧電磁器組成物を第9の工程の所定の温度範囲、時間、酸素濃度における熱処理にて絶縁化することより、分極時の絶縁抵抗低下を抑制し、高温耐湿での使用の安定性を有する圧電磁器組成物が作製できるものである。
本発明の請求項12に記載の発明は、第6の工程は脱脂された成形体を匣内部で密閉雰囲気にして、Pbの飛散を抑制しながら、焼成を行うことを特徴とする請求項11に記載の圧電磁器組成物の製造方法であり、これにより、Pbの飛散を抑制し、組成を安定にしながら、所定の温度範囲にて成形体を焼成し、95%以上のAgを含む安価な内部電極との同時焼成ができる930℃での焼成が可能となるとともに、成形体を焼成する第6の工程にて、結晶格子内に導入された酸素欠陥により半導体化した前記圧電磁器組成物を第9の工程の熱処理にて絶縁化することより、分極時の絶縁抵抗低下を抑制し、高温耐湿での使用の安定性を有する圧電磁器組成物が作製できるものである。
本発明の請求項13に記載の発明は、第6の工程は焼成を800℃〜930℃の温度範囲で行うことを特徴とする請求項12に記載の圧電磁器組成物の製造方法であり、これにより、95%以上のAgを含む安価な内部電極との同時焼成ができる930℃での焼成が可能となるとともに、成形体を焼成する第6の工程にて、結晶格子内に導入された酸素欠陥による半導体化した前記圧電磁器組成物を第9の工程の熱処理にて絶縁化することより、分極時の絶縁抵抗低下を抑制し、高温耐湿での使用の安定性を有する圧電磁器組成物が作製できるものである。
本発明の請求項14に記載の発明は、Pb(Zn1/3Nb2/3)O3−PbTiO3−PbZrO3の三成分系の圧電磁器組成物に金属元素Mnを添加物として含む圧電磁器組成物において、基本組成式をPb(Zn1/3Nb2/3aZrxTiy3+αwt%MnO2と表したとき、a、xおよびyが0.90<a+x+y<1.00の範囲であり、金属元素Mnの化合物はMnO2に換算してα<2.0である圧電磁器組成物において、圧電磁器組成物の原料を混合する第1の工程と、混合された原料を仮焼する第2の工程と、仮焼された粉体を粉砕する第3の工程と、粉砕された粉体からセラミックグリーンシートを成形する第4の工程と、セラミックグリーンシートとAgを主成分とする内部電極用ペーストを用いて積層体を作製する第5の工程と、積層体を焼結しない温度で脱脂する第6の工程と、脱脂された成形体を匣内部で密閉雰囲気にして、鉛の飛散等にて材料組成を変化させることなく焼成を行うことを特徴とする第7の工程と、焼成された焼結体を加工する第8の工程と、入出力用の電極を形成する第9の工程と、熱処理を、450℃〜800℃の温度範囲で、1時間以上行う第10の工程と、圧電磁器に圧電特性を与える分極を行う第11の工程を有する圧電磁器組成物の製造方法であり、これにより、セラミックグリーンシートと95%以上のAgを含む安価な内部電極との同時焼成ができる930℃での焼成が可能となるとともに、積層体を焼成する第7の工程にて、結晶格子内に導入された酸素欠陥により半導体化した前記圧電磁器組成物を絶縁体化することより、分極時の絶縁抵抗低下を抑制し、高温耐湿での使用で、より高い安定性を有する圧電磁器組成物が作製できるものである。
本発明の請求項15に記載の発明は、第10の工程の熱処理を酸素分圧が20kPa以上の酸素雰囲気中で行うことを特徴とする請求項14に記載の圧電磁器組成物の製造方法であり、これにより、95%以上のAgを含む安価な内部電極との同時焼成ができる930℃での焼成が可能となるとともに、積層体を焼成する第7の工程にて、結晶格子内に導入された酸素欠陥により半導体化した前記圧電磁器組成物を所定の温度範囲、時間、酸素濃度の熱処理にて絶縁体化することより、分極時の絶縁抵抗低下を抑制し、高温耐湿での使用で、より高い安定性を有する圧電磁器組成物が作製できるものである。
本発明の請求項16に記載の発明は、第7の工程の焼成を800℃〜930℃までの温度範囲で行うことを特徴とする圧電磁器組成物の製造方法であり、これにより、所定の温度範囲にて積層体を焼成する第7の工程にて、結晶格子内に導入された酸素欠陥により半導体化した前記圧電磁器組成物を絶縁体化することより、分極時の絶縁抵抗低下を抑制し、高温耐湿での使用で、より高い安定性を有する圧電磁器組成物が作製できるものである。
以上のように本発明は、Pb(Zn1/3Nb2/3)O3−PbTiO3−PbZrO3の三成分系の圧電磁器組成物において、基本組成式をPb(Zn1/3Nb2/3aZrxTiy3+αwt%MnO2と表したとき、a、xおよびyが0.90<a+x+y<1.00の範囲であり、金属元素Mnの化合物はMnO2に換算して0<α<2.0である圧電磁器組成物であり、焼成温度を930℃程度に低温化できるとともに、分極実施前に絶縁抵抗が向上し、かつ高温、高湿での放置により絶縁抵抗が低下することのない高い安定性を有する圧電磁器組成物を得ることができる。また、内部電極材料として金属成分に占める銀の割合が95%以上の内部電極を用いることが可能になり、積層圧電振動子を安価に製造することが可能となるという効果を奏するものである。
(実施の形態1)
実施の形態1を用いて、本発明の特に請求項1〜5に記載の発明について図面を参照しながら説明する。図1は、本実施の形態における圧電磁器組成物の製造工程図である。
まず出発原料として、酸化鉛(PbO)、酸化チタン(TiO2)、酸化ジルコニウム(ZrO2)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ニオブ(Nb25)の粉末を用いて、金属元素のモル比が(表1)の組成になるように各原料を秤量配合する。
次に、これらの原料を、水およびメディアとして部分安定化ジルコニアボールとともにポットミルに投入し、ポットミルを20時間回転させ湿式混合する(図1(a))。
この時、原料と水の重量比率が1:1となるようにし、メディアのジルコニアボールの径としては5mm以下のものを用いた。
次に、上記の湿式混合したスラリーをステンレスバッド等に移し、200℃の乾燥機中で一昼夜乾燥して、この乾燥粉を乳鉢等で粗粉砕した後、アルミナ材質の坩堝に移し、最高温度850℃で2時間(昇降温速度は200℃/時間)仮焼し、仮焼粉を得る(図1(b))。
その後、仮焼粉をロータミルやディスクミル等の粗砕機を用いて粗粉砕後、上記の混合時と同様にポットミルを用いて、この粗粉砕粉を10時間湿式粉砕して、その後、粉砕スラリーをステンレスバッドなどに移し、200℃の乾燥機中で一昼夜乾燥し、圧電セラミック粉体を得る(図1(c))。
次に、得られた圧電セラミック粉体にポリビニルアルコール系のバインダを加え混合した後、約100MPaの圧力でプレス成形して、直径20mm、厚み1.3mmの円板状の成形体を得る(図1(d))。
これを脱脂した後(図1(e))、得られた成形体をアルミナ材質のサヤに載置し、電気炉中にて500℃で2時間加熱してバインダを除去した後、他の電気炉中に投入し、焼成温度で2時間保持して本焼成して円板状の圧電磁器焼結体を得る(図1(f))。
次に、上記の円板状の圧電磁器を研磨機を用いて加工を行い、厚みを0.5mmの円板状とした圧電磁器を得る(図1(g))。
その後、上記の円板状の圧電磁器に、銀ペーストを印刷、乾燥させ、約700℃で10分間焼き付けし電極を形成する(図1(h))。
次に、この電極形成した圧電磁器を、電気炉にて、昇温速度1時間あたり200℃、最高保持温度650℃、1時間保持にて、熱処理を実施し(図1(i))、その後、分極を実施する前に絶縁抵抗の評価を実施する。
100℃のシリコーンオイル中にて圧電磁器の厚さ1mmあたり3kVの電圧を印加し、分極処理をして圧電磁器素子を得る(図1(j))。分極処理後の圧電磁器素子は、室温で24時間以上放置する。
次に、上記の方法で得られた圧電磁器素子の評価方法について説明する。(表1)〜(表4)は、各条件における圧電磁器素子の絶縁抵抗を示す表である。(表1)〜(表4)は高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)での放置試験を行い、絶縁抵抗の評価を実施した。得られた測定結果を示す。以下の表において、絶縁抵抗が108Ω以下のため不適となったサンプルには*を、焼成温度が930℃を超えるために不適となったサンプルには**を付与している。
Figure 2005154238
Figure 2005154238
Figure 2005154238
Figure 2005154238
(表1)中の熱処理温度は650℃、焼成温度は、圧電磁器焼結体の密度として7500kg/m3以上が得られた最低の焼成温度を示している。
(表1)に示した結果から、Pb(Zn1/3Nb2/3aZrxTiy3とし、a、x、yはそれぞれ金属元素Pbを1とした時の(Zn1/3Nb2/3)のモル比をa、Zrのモル比をx、Tiのモル比をyとした場合、a+x+yの値が0.90<a+x+y<1.0でかつ分極前に熱処理を実施した試料3、4の圧電磁器組成物はいずれも、焼成温度が930℃以下で、分極前の絶縁抵抗が109Ω以上でかつ、高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も109Ω以上であり、目標とする特性が得られた。
一方、熱処理を実施しなかった試料7〜10の圧電磁器組成物はいずれも、分極前の絶縁抵抗が108Ω以下となり、目標とする特性が得られなかった。
また、a+x+yの値が0.90以下では、試料1、2の圧電磁器組成物は、熱処理を実施しても、焼成で導入された酸素欠陥が補完されず分極前から、108Ωの絶縁抵抗の低下が認められたため、不適当である。
また、a+x+yの値が1.0以上の試料5、6、11、12の圧電磁器組成物は、焼成温度が、95%以上のAgを含む安価な内部電極と同時焼成ができる800〜930℃の範囲外となり、内部電極が同時焼成できなくなるため、不適当である。
次に、焼成温度が930℃以下で更に優れた安定性を有する圧電磁器組成物を目標として、熱処理の最適温度範囲を見出すための検討を行った。まず、PbO、TiO2、ZrO2、ZnO、Nb25の各金属元素を(表2)の組成になるように各原料を秤量配合し、以降、図1の工程で圧電磁器素子を得る。得られた圧電磁器素子について、(表2)に示す温度、時間にて熱処理を行う。(表2)に記載した熱処理温度は最高保持温度を示し、熱処理時間は最高保持温度での保持時間を示している。最高保持温度までの昇温速度および最高保持温度からの降下温度は、1時間あたり200℃の速度で実施する。その後同様に分極前の絶縁抵抗評価と耐湿試験後の絶縁抵抗評価を行う。
(表2)で示した結果から、試料15〜17、19〜25に示すとおり、熱処理温度450℃〜800℃の範囲で、熱処理時間は1時間以上において、分極前の絶縁抵抗が109Ω以上で、高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も109Ω以上となり、目標とする特性が得られる。
一方、熱処理温度450℃未満では、試料13、14の結果が示すとおり、熱処理温度が低いために、焼成の際に導入された酸素欠陥に、十分に酸素が補完されずに、半導体化した状態にあるため、分極前の絶縁抵抗が108Ω、また高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も107Ω以下であるので不適当である。
また、熱処理時間が0.2時間と短いと、試料18の結果が示すとおり、分極前の絶縁抵抗は109Ωと高いものの、高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も107Ω以下と低くなっているので、不適当である。
また、850℃以上の温度で熱処理を実施すると、試料26および27の結果が示すとおり、分極前の絶縁抵抗は109Ωと高いものの、高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も107Ω以下であるので、不適当である。熱処理温度850℃以上では、熱処理温度と焼成温度が近いために、異常粒成長が発生したことから、熱処理中に再焼結が起こったことが、一因であると考えられる。
次に、焼成温度が930℃以下で更に優れた安定性を有する圧電磁器組成物を目標として、熱処理の酸素濃度雰囲気と熱処理温度の最適範囲を見出すための検討を行った。まず、PbO、TiO2、ZrO2、ZnO、Nb25の各金属元素を(表3)の組成になるように各原料を秤量配合し、以降、図1の工程で圧電磁器素子を得る。得られた圧電磁器素子について、(表3)に示す温度、酸素分圧にて熱処理を行う。熱処理時間は、各温度にて1hr保持にて行う。
酸素分圧20kPa以上の酸素雰囲気においては、試料33〜42の結果が示すとおり、分極前の絶縁抵抗が109Ω以上でかつ、高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も109Ω以上となり、目標とする特性が得られる。
一方、酸素分圧が10kPaでは、試料28〜32の結果が示すとおり、熱処理温度450〜750℃の範囲で、分極前の絶縁抵抗が107Ωとなり、また高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も106Ω未満であるので不適当である。
次に、焼成温度が930℃以下で更に優れた安定性を有する圧電磁器組成物を目標として、図1(f)における焼成温度と焼成雰囲気を見出すための検討を行った。まず、PbO、TiO2、ZrO2、ZnO、Nb25の各金属元素を(表4)の組成になるように各原料を秤量配合し、(表4)に示す焼成温度、焼成雰囲気にて焼成を実施し、以降図1の工程で圧電磁器素子を得る。(表4)に記載した焼成温度は焼成での最高保持温度を示し、保持時間は全ての温度ともに2時間である。焼成雰囲気は、得られた成形体を匣の内部に匣の蓋を密閉して焼成を実施する密閉焼成と、匣の蓋を開放にして焼成を実施する開放焼成にて検討を実施する。
試料44〜48の焼成温度範囲において、密閉焼成を実施し、600℃にて1時間熱処理することにより、分極前の絶縁抵抗が109Ω以上でかつ、高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も109Ω以上となり、目標とする特性が得られる。
一方、焼成温度が800℃未満および950℃以上においては、(表4)における試料43、49の結果が示すとおり、分極前の絶縁抵抗が109Ω未満、また高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も107Ω以下であるので不適当である。
また、図1(f)に示す焼成工程を開放にて実施すると、試料50〜56の結果が示すとおり、分極前の絶縁抵抗は109Ωと高いものの、密閉雰囲気と比較して鉛の飛散が多くなり、さらに酸素欠陥が結晶格子中に導入されるために、高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗が108Ω以下であるので不適当である。
以上のように、Pb(Zn1/3Nb2/3)O3−PbTiO3−PbZrO3の三成分系の圧電磁器組成物において、基本組成式をPb(Zn1/3Nb2/3aZrxTiy3と表したとき、a、xおよびyが0.90<a+x+y<1.00の範囲であるとき、温度を800〜930℃で密閉して焼成を行い、その後酸素分圧を20kPa以上の雰囲気で、450〜800℃で1時間以上熱処理を行えば、分極実施前に絶縁抵抗が向上し、かつ高温高湿での放置により絶縁抵抗が低下することのない高い安定性を有する圧電磁器組成物を得ることができる。
(実施の形態2)
実施の形態2を用いて、本発明の特に請求項6〜8に記載の発明について図面および表を参照しながら説明する。図2は、本発明の実施の形態における圧電磁器組成物の製造工程図、図3は積層圧電アクチュエータの内部構造図、図4は斜視図である。
本実施の形態では、高価なPdの使用量を削減できるAgを95%以上含有する安価な内部電極と、圧電磁器組成物と同時焼成して得られる積層構造を有する製品として積層圧電アクチュエータを一例とし、高温・高湿下での使用においても安定した絶縁抵抗を有することを目標とする。
まず、酸化鉛(PbO)、酸化チタン(TiO2)、酸化ジルコニウム(ZrO2)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ニオブ(Nb25)の粉末を用いて、金属元素のモル比が(表5)の組成になるように各原料を秤量配合する。
まず、図2(a)〜(c)のようにして得られた圧電セラミック粉体を有機結合材、可塑剤、有機溶媒と共に所定量配合してからスラリー混合を行い、シート成形用スラリーを作製し、その後、ドクターブレード法によってシート成形を行い、圧電セラミック層となる所定厚みの圧電セラミックシートを得る(図2(d))。
次に、圧電セラミックシート1上に、内部電極パターンを、銀95%以上含む内部電極用ペースト(以下内部電極ペースト)で図3のように内部電極パターン2a、2bを印刷し、次いで、内部電極ペーストを印刷していない圧電セラミックシート1上に積層して仮加圧を施し、再度印刷する。以降同様に所望の特性を得るように図3に示すように複数の圧電セラミックシート1を積層、仮加圧、印刷を繰り返し行い最後の圧電セラミックシート1のみ内部電極ペーストを印刷せず積層、仮加圧を施し、最後に本加圧として18MPaの圧力を加え、切断機を用いて所定の寸法になるよう切り出し、ほぼ直方体状の積層体を得る(図2(e))。
次に、この積層体中の有機成分を焼成よりも低い温度で、脱脂を施すことにより除去する(図2(f))。
その後積層体を焼結させるため930℃以下の焼結温度で、焼成雰囲気を密閉と開放とにして、焼成を実施し積層圧電アクチュエータ素子を得る(図2(g))。
得られた積層圧電アクチュエータ素子に加工を施し内部電極2a、2bを積層圧電アクチュエータ素子の幅方向の側面において研磨を施し露出させる(図2(h))。
その後ガラスフリットを含有した銀ペーストを所定の外部電極の位置に印刷し乾燥させる。その後積層圧電アクチュエータ素子を約700℃−10分の条件で外部電極の焼き付けを行い、図4に示す積層圧電アクチュエータ素子に外部電極3a、3bを形成する(図2(i))。
次に、この電極形成した積層圧電アクチュエータ素子の熱処理を、1時間に200℃の速度で昇温し、最高保持温度450℃〜850℃の温度範囲にて、所定時間実施した後、1時間に200℃の速度で室温まで降温した後に、絶縁抵抗を評価する。
その後100℃のシリコーンオイル中で内部電極2aと2bとの間に3kV/mmの電界を30分間印加し、分極処理をして(図2(j))、図4に示す積層圧電アクチュエータを得る(図2(k))。
得られた積層圧電アクチュエータの長さは15mm、厚み1.0mm、幅3.0mmであった。また内部電極長さ14mm、圧電層厚み約0.09mm、圧電セラミック層10層、内部電極層9層である。
次に、上記の方法で得られた圧電磁器素子の評価方法について説明する。(表5)〜(表7)は、各条件における圧電磁器素子の絶縁抵抗を示す表である。(表5)〜(表7)は高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)での放置試験を行い、絶縁抵抗の評価を実施して得られた測定結果を示す。
Figure 2005154238
Figure 2005154238
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(表5)で示した結果から、試料57〜64に示すとおり、焼成雰囲気が密閉で、かつ熱処理温度450℃〜800℃の範囲で、熱処理時間1時間以上において、分極前の絶縁抵抗が109Ω以上でかつ、高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も109Ω以上となり、目標とする特性が得られる。
一方、試料65は、熱処理温度が450〜800℃の温度範囲外であるため、特性が得られなかった。
また、焼成雰囲気が開放の場合においては、試料66〜74に示すとおり熱処理を実施しても、熱処理温度450〜750℃の範囲で、分極前の絶縁抵抗が108Ω以下となり、また高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も107Ω以下であるので不適当である。
次に、焼成温度が930℃以下で更に優れた安定性を有する圧電磁器組成物を目標として、焼成時の雰囲気と熱処理の酸素濃度雰囲気の最適範囲を見出すための検討を行った。まず、PbO、TiO2、ZrO2、ZnO、Nb25の各金属元素を(表6)の組成になるように各原料を秤量配合し、以降、図2の工程で圧電磁器素子を得る。得られた圧電磁器素子について、(表6)に示す温度、酸素分圧にて熱処理を行う。熱処理時間は、各温度にて1hr保持にて行う。
試料77、79の結果が示すとおり、焼成雰囲気が密閉で、熱処理時の酸素雰囲気が20kPa以上の酸素雰囲気であれば、分極前の絶縁抵抗が109Ωとなり、また高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も109Ωとなり、目標とする特性が得られる。
一方、酸素分圧が10kPa、または酸素分圧が20kPa以上であっても、焼成雰囲気が開放である場合においては、試料75、76、78、80の結果が示すとおり、熱処理温度550℃、1時間で、分極前の絶縁抵抗が108Ω未満となり、また高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も108Ω未満であるので不適当である。
次に、焼成温度が930℃以下で更に優れた安定性を有する圧電磁器組成物を目標として、焼成時の雰囲気と焼成の最適範囲を見出すための検討を行った。まず、PbO、TiO2、ZrO2、ZnO、Nb25の各金属元素を(表7)の組成になるように各原料を秤量配合し、(表7)に示す焼成温度、焼成雰囲気にて焼成を実施し、以降、図2の工程で圧電磁器素子を得る。(表7)に記載した焼成温度は焼成での最高保持温度を示し、保持時間は全ての温度ともに2時間である。焼成雰囲気は、得られた成形体を匣の内部に匣の蓋を密閉して焼成を実施する密閉焼成と、匣の蓋を開放にして焼成を実施する開放焼成にて検討を実施する。
試料82〜86の結果が示すとおり、800〜920℃の焼成温度範囲において、密閉焼成を実施し、酸素雰囲気20kPa中にて600℃にて1時間、熱処理することにより、分極前の絶縁抵抗が109Ω以上でかつ、高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も109Ω以上となり、目標とする特性が得られる。
一方、焼成温度が、800℃未満および950℃以上においては、試料81および87の結果が示すとおり、分極前の絶縁抵抗が109Ω未満、また高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も107Ω以下であるので不適当である。
また、焼成工程を開放にて実施すると、試料88〜94の結果が示すとおり、密閉雰囲気で焼成するよりも鉛の飛散が多くなり、密閉雰囲気と比較して更に酸素欠陥が結晶格子中に導入されるために、分極前の絶縁抵抗が109Ω未満、また高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も108Ω以下であるので不適当である。
以上のように、本実施の形態によれば、内部電極と圧電磁器組成物と同時焼成して得られる積層構造を有する製品においても、実施の形態1と同様に、温度を800〜930℃で密閉して焼成を行い、その後酸素分圧を20kPa以上の雰囲気で、450〜800℃で1時間以上熱処理を行えば、分極実施前に絶縁抵抗が向上し、かつ高温高湿での放置により絶縁抵抗が低下することのない高い安定性を有する圧電磁器組成物を得ることができる。
(実施の形態3)
実施の形態3を用いて、本発明の特に請求項9〜13に記載の発明について図面を参照しながら説明する。本実施の形態の製造工程は、実施の形態1と同様に図1の製造工程図にて製造する。
まず出発原料として、酸化鉛(PbO)、酸化チタン(TiO2)、酸化ジルコニウム(ZrO2)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ニオブ(Nb25)、酸化マンガン(MnO2)の粉末を用いて、金属元素のモル比が(表8)の組成になるように各原料を秤量配合する。
本実施の形態の製造工程は、原料にMnO2を含有している点以外は実施の形態1と同様であるので、以下の工程は省略する。
次に、本実施の形態で得られた圧電磁器素子の評価方法について説明する。(表8)〜(表11)は、各条件における圧電磁器素子の絶縁抵抗を示す表である。(表8)〜(表11)は高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)での放置試験を行い、絶縁抵抗の評価を実施した。得られた測定結果を示す。
Figure 2005154238
Figure 2005154238
Figure 2005154238
Figure 2005154238
(表8)中の焼成温度は、圧電磁器焼結体の密度として7500kg/m3以上が得られた最低の焼成温度を示している。
(表8)に示した結果から、Pb(Zn1/3Nb2/3aZrxTiy3+αwt%MnO2とし、a、x、y、αはそれぞれ金属元素Pbを1とした時の(Zn1/3Nb2/3)のモル比をa、Zrのモル比をx、Tiのモル比をy、とした場合、a+x+yの値が0.90<a+x+y<1.0でかつ、MnO2添加量αが2wt%未満の分極前に熱処理を実施した試料97、98の圧電磁器組成物はいずれも、焼成温度が930℃以下で、分極前の絶縁抵抗が109Ω以上でかつ、高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も109Ω以上であり、目標とする特性が得られた。
また熱処理を実施しなかった101〜104の圧電磁器組成物はいずれも、分極前の絶縁抵抗が108Ω以下となり、目標とする特性が得られなかった。
また、a+x+yの値が0.90以下の試料95、96の圧電磁器組成物は、熱処理を実施しても、焼成で導入された酸素欠陥が補完されず、分極前から108Ωの絶縁抵抗の低下が認められたため、不適当である。
また、a+x+yの値が1.0以上の試料99、100の圧電磁器組成物は、95%以上のAgを含む安価な内部電極が使用できる焼成温度800〜930℃の範囲外であるため、不適当である。
次に、焼成温度が930℃以下で更に優れた安定性を有する圧電磁器組成物を目標として、熱処理の最適温度範囲を見出すための検討を行った。まず、PbO、TiO2、ZrO2、ZnO、Nb25、MnO2の各金属元素を(表9)の組成になるように各原料を秤量配合し、以降、図1の工程で圧電磁器素子を得る。得られた圧電磁器素子について、(表9)に示す温度、時間にて熱処理を行う。(表9)に記載した熱処理温度は最高保持温度を示し、熱処理時間は最高保持温度での保持時間を示している。最高保持温度までの昇温速度および最高保持温度からの降下温度は、1時間あたり200℃の速度で実施する。その後同様に分極前の絶縁抵抗評価と耐湿試験後の絶縁抵抗評価を行う。
(表9)で示した結果から、試料107〜109、111〜117に示すとおり、熱処理温度450℃〜800℃の範囲で、熱処理時間は1時間以上において、分極前の絶縁抵抗が109Ω以上でかつ、高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も109Ω以上となり、目標とする特性が得られる。
一方、熱処理温度450℃未満では、試料105、106の結果が示すとおり、熱処理温度が低いために、焼成の際に導入された酸素欠陥に、十分に酸素が補完されずに、半導体化した状態にあるため、分極前の絶縁抵抗が108Ω、また高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も107Ω以下であるので不適当である。
また、熱処理時間が0.2時間と短いと、試料110の結果が示すとおり、分極前の絶縁抵抗は109Ωと高いものの、焼成の際に導入された酸素欠陥に、十分に酸素が補完されずに、半導体化した状態にあるため、高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗が107Ω以下と低くなっているので、不適当である。
また、850℃以上の温度で熱処理を実施すると、試料118、119の結果が示すとおり、分極前の絶縁抵抗は109Ωと高いものの、高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も107Ω以下であるので、不適当である。熱処理温度850℃以上では、熱処理温度と焼成温度が近いために、異常粒成長が発生したことから、熱処理中に再焼結が起こったことが一因である。
次に、焼成温度が930℃以下で更に優れた安定性を有する圧電磁器組成物を目標として、熱処理の酸素濃度雰囲気と熱処理温度の最適範囲を見出すための検討を行った。まず、PbO、TiO2、ZrO2、ZnO、Nb25、MnO2の各金属元素を(表10)の組成になるように各原料を秤量配合し、以降、図1の工程で圧電磁器素子を得る。得られた圧電磁器素子について、(表10)に示す温度、酸素分圧にて熱処理を行う。熱処理時間は、各温度にて1hr保持にて行う。
試料125〜134の結果が示すとおり、酸素分圧20kPa以上の酸素雰囲気においては、分極前の絶縁抵抗が109Ω以上でかつ、高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も109Ω以上となり、目標とする特性が得られる。
一方、酸素分圧が10kPaでは、試料120〜124の結果が示すとおり、熱処理温度450〜750℃の範囲で、分極前の絶縁抵抗が107Ωとなり、また高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も106Ω未満であるので不適当である。
次に、焼成温度が930℃以下で更に優れた安定性を有する圧電磁器組成物を目標として、焼成温度と焼成雰囲気を見出すための検討を行った。まず、PbO、TiO2、ZrO2、ZnO、Nb25、MnO2の各金属元素を(表11)の組成になるように各原料を秤量配合し、(表11)に示す焼成温度、焼成雰囲気にて焼成を実施し、以降図1の工程で圧電磁器素子を得る。(表11)に記載した焼成温度は焼成での最高保持温度を示し、保持時間は全ての温度ともに2時間である。焼成雰囲気は、得られた成形体を匣の内部に匣の蓋を密閉して焼成を実施する密閉焼成と、匣の蓋を開放にして焼成を実施する開放焼成にて検討を実施する。
(表11)で示した結果から、試料136〜140の焼成温度範囲において、密閉焼成を実施し、600℃にて1時間熱処理することにより、分極前の絶縁抵抗が109Ω以上でかつ、高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も109Ω以上となり、目標とする特性が得られる。
一方、焼成温度が800℃未満および950℃以上においては、試料135,141の結果が示すとおり、分極前の絶縁抵抗が109Ω未満、また高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も107Ω以下であるので不適当である。
また、焼成工程を開放にて実施すると、試料142〜148の結果が示すとおり、分極前の絶縁抵抗が109Ωと高いものの、密閉雰囲気で焼成するよりも鉛の飛散が多くなり、更に酸素欠陥が結晶格子中に導入されるために、高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗が108Ω以下であるので不適当である。
以上のように、本実施の形態によれば、原料に2wt%未満のMnO2が含有している場合であっても、実施の形態1と同様に、温度を800〜930℃で密閉して焼成を行い、その後酸素分圧を20kPa以上の雰囲気で、450〜800℃で1時間以上熱処理を行えば、分極実施前に絶縁抵抗が向上し、かつ高温高湿での放置により絶縁抵抗が低下することのない高い安定性を有する圧電磁器組成物を得ることができる。
(実施の形態4)
実施の形態4を用いて、本発明の特に請求項14〜16に記載の発明について図面および表を参照しながら説明する。図2は、本発明の実施の形態における圧電磁器組成物の製造工程図、図5は積層圧電トランスの内部構造図、図6は斜視図である。製造工程については、実施の形態2と同様である。
本実施の形態では、高価なPdの使用量を削減できるAgを95%以上含有する安価な内部電極と、圧電磁器組成物と同時焼成して得られる積層構造を有する製品として積層圧電トランスを一例とし、高温・高湿下での使用においても安定した絶縁抵抗を有することを目標とした。
まず、酸化鉛(PbO)、酸化チタン(TiO2)、酸化ジルコニウム(ZrO2)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ニオブ(Nb25)、酸化マンガン(MnO2)の粉末を用いて、金属元素のモル比が、(表12)の組成になるように各原料を秤量配合した。
本実施の形態では、実施の形態2の圧電磁器組成物の原料にMnO2を含有することを特徴とし、以下の製造方法は実施の形態2と同様である。
まず、図2(a)〜(c)のようにして得られて圧電セラミック粉体を有機結合材、可塑剤、有機溶媒と共に所定量配合してからスラリー混合を行い、シート成形用スラリーを作製し、その後、ドクターブレード法によってシート成形を行い、圧電セラミック層となる所定厚みの圧電セラミックシート4を得る(図2(d))。
次に、圧電セラミックシート4上に、内部電極パターンを、銀95%以上含む内部電極用ペースト(以下内部電極ペースト)で図5のように内部電極パターン5a、5b、5cを印刷し、次いで、内部電極ペーストを印刷していない圧電セラミックシート1上に積層して仮加圧を施し、再度印刷する。以降同様に所望の特性を得るように図5に示すように複数の圧電セラミックシート4を積層、仮加圧、印刷を繰り返し行い最後の圧電セラミックシート4のみ内部電極ペーストを印刷せず積層、仮加圧を施し、最後に本加圧として18MPaの圧力を加え、切断機を用いて所定の寸法になるよう切り出し、ほぼ直方体状の積層体を得る(図2(e))。
次に、この積層体中の有機成分を焼成よりも低い温度で、脱脂を施すことにより除去する(図2(f))。
その後積層体を焼結させるため930℃以下の焼結温度で、焼成雰囲気を密閉と開放とにして、焼成を実施し積層圧電トランス用素子を得る(図2(g))。
得られた積層圧電トランス用素子に加工を施し内部電極2a、2b、2cを積層圧電トランス用素子の幅方向の側面においてバレル研磨を施し露出させる(図2(h))。
ガラスフリットを含有した銀ペーストを所定の外部電極の位置に印刷し乾燥させる。その後積層圧電トランス用素子を約700℃−10分の条件で外部電極の焼き付けを行い、図6に示す積層圧電トランス用素子に外部電極6a、6b、6cを形成する(図2(i))。
次に、この電極形成した積層圧電トランス用素子の熱処理を、1時間に200℃の速度で昇温し、最高保持温度450℃〜850℃の温度範囲にて、所定時間実施した後、1時間に200℃の速度で室温まで降温した後に、分極を実施前の絶縁抵抗の評価を実施した。
次に100℃のシリコーンオイル中で内部電極5aと5bとの間に3kV/mmの電界を30分間印加し、次に5a、5bと5cとの間に2kV/mmの電界を30分間印加し、図6に示す積層圧電トランスを得る(図2(k))。
得られた積層圧電トランスの長さは30mm、厚み2.4mm、幅5.8mmであった。また内部電極長さ18mm、圧電層厚み約0.15mm、圧電セラミック層15層、内部電極層16層である。
(表12)〜(表14)は、各条件における圧電磁器素子の絶縁抵抗を示す表である。(表12)〜(表14)は高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)での放置試験を行い、絶縁抵抗の評価を実施した。得られた測定結果を示す。
Figure 2005154238
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(表12)で示した結果から、試料149〜156に示すとおり、焼成雰囲気が密閉で、かつ熱処理温度が450℃〜800℃の範囲で、1時間以上熱処理を行うことにより、分極前の絶縁抵抗が109Ω以上でかつ、高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も109Ω以上となり、目標とする特性が得られる。
一方、試料157は、熱処理温度が450〜800℃の範囲外であるため、特性が得られなかった。
また、焼成雰囲気が開放の場合においては、試料157〜166に示すとおり、熱処理を実施しても、熱処理温度450〜750℃の範囲で、分極前の絶縁抵抗が108Ωとなり、また高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も107Ω未満であるので不適当である。
次に、焼成温度が930℃以下で更に優れた安定性を有する圧電磁器組成物を目標として、焼成時の雰囲気と熱処理の酸素濃度雰囲気の最適範囲を見出すための検討を行った。まず、PbO、TiO2、ZrO2、ZnO、Nb25、MnO2の各金属元素を(表13)の組成になるように各原料を秤量配合し、以降、図2の工程で圧電磁器素子を得る。得られた圧電磁器素子について、(表13)に示す温度、酸素分圧にて熱処理を行う。熱処理時間は、各温度にて1hr保持にて行う。
試料169、171の結果が示すとおり、焼成雰囲気が密閉で、熱処理時の酸素雰囲気が20kPa以上の酸素雰囲気であれば、分極前の絶縁抵抗が109Ωとなり、また高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も109Ωとなり、目標とする特性が得られる。
一方、酸素分圧が10kPa、及び酸素分圧が20kPa以上であっても、焼成雰囲気が開放である場合においては、試料167、168、170、172の結果が示すとおり、熱処理温度550℃、1時間で、分極前の絶縁抵抗は109Ωと高いものの、高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も108Ω未満であるので不適当である。
次に、焼成温度が930℃以下で更に優れた安定性を有する圧電磁器組成物を目標として、焼成時の雰囲気と焼成の最適範囲を見出すための検討を行った。まず、PbO、TiO2、ZrO2、ZnO、Nb25、MnO2の各金属元素を(表14)の組成になるように各原料を秤量配合し、(表14)に示す焼成温度、焼成雰囲気にて焼成を実施し、以降、図2の工程で圧電磁器素子を得る。(表14)に記載した焼成温度は焼成での最高保持温度を示し、保持時間は全ての温度ともに2時間である。焼成雰囲気は、得られた成形体を匣の内部に匣の蓋を密閉して焼成を実施する密閉焼成と、匣の蓋を開放にして焼成を実施する開放焼成にて検討を実施する。
試料174〜178の結果が示すとおり、800〜920℃の焼成温度範囲において、密閉焼成を実施し、酸素雰囲気20kPa中にて600℃にて1時間、熱処理することにより、分極前の絶縁抵抗が109Ω以上でかつ、高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も109Ω以上となり、目標とする特性が得られる。
一方、焼成温度が800℃未満および950℃以上においては、試料173および179の結果が示すとおり、分極前の絶縁抵抗が109Ω未満、また高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も107Ω以下であるので不適当である。
また、焼成工程を開放にて実施すると、密閉雰囲気で焼成するよりも鉛の飛散が多くなり、密閉雰囲気と比較して更に酸素欠陥が結晶格子中に導入されるために、試料180〜186の結果が示すとおり、分極前の絶縁抵抗が109Ω未満、また高温(120℃)、高湿(100%)、高気圧(2atm)の耐湿放置試験後の絶縁抵抗も108Ω以下であるので不適当である。
以上のように、本実施の形態によれば、内部電極と圧電磁器組成物と同時焼成して得られる積層構造を有する製品においても、実施の形態3と同様に、温度を800〜930℃で密閉して焼成を行い、その後酸素分圧を20kPa以上の雰囲気で450〜800℃で1時間以上熱処理を行えば、分極実施前に絶縁抵抗が向上し、かつ高温高湿での放置により絶縁抵抗が低下することのない高い安定性を有する圧電磁器組成物を得ることができる。
なお、本発明においては、金属元素Mnを添加するためMnO2を使用して添加したが、MnO2以外にMn34やMnCO3などの金属元素Mnの化合物を添加しても良く、仮焼および本焼成の工程で酸化して圧電磁器焼結体では金属元素Mnの酸化物として含有されるので同様の効果が得られ、金属元素Mnの化合物としてMnO2の形に換算した添加量が、同量であれば同様の効果が得られる。
また、本発明においては、入出力用の外部電極を印刷し、乾燥した後に焼き付けることにより形成したが、外部電極を印刷した後に、熱処理を実施し、外部電極焼き付けと熱処理を同時に実施しても、その熱処理の効果は同様である。
また、積層構造を有する製品として、Mnを含まないソフト材の用途例には、積層圧電アクチュエータをまた、Mnを含むハード材の用途例には、積層圧電トランスを例として取り上げたが、積層高調波共振子、積層高調波フィルタ、加速度センサー等の積層タイプの圧電製品に応用することもできる。
本発明にかかる圧電磁器組成物の製造方法は、焼成温度を930℃程度に低温化できるとともに、分極実施前に絶縁抵抗が向上し、かつ高温、高湿での放置により絶縁抵抗が低下することのない高い安定性を有する圧電磁器組成物を得ることができる。また、内部電極材料として金属成分に占める銀の割合が95%以上の内部電極を用いることが可能になり、圧電アクチュエータや圧電トランス等の圧電振動子に使用される圧電磁器組成物の製造方法および積層構造を持つ圧電製品を安価に製造することが可能となるという効果を奏するものである。
本発明の実施の形態1および3に記載の圧電磁器組成物の製造工程図 本発明の実施の形態2および4に記載の圧電磁器組成物の製造工程図 積層圧電アクチュエータ素子の内部構造図 積層圧電アクチュエータ素子の斜視図 積層圧電トランス素子の内部構造図 積層圧電トランス素子の斜視図
符号の説明
1 圧電セラミックシート
2a 第1の入力用内部電極
2b 第2の入力用内部電極
3a 第1の入力用外部電極
3b 第2の入力用外部電極
4 圧電セラミックシート
5a 第1の入力用内部電極
5b 第2の入力用内部電極
5c 出力用内部電極
6a 第1の入力用外部電極
6b 第2の入力用外部電極
6c 出力用外部電極

Claims (16)

  1. Pb(Zn1/3Nb2/3)O3−PbTiO3−PbZrO3の三成分系の圧電磁器組成物において、基本組成式をPb(Zn1/3Nb2/3aZrxTiy3と表したとき、a、xおよびyが0.90<a+x+y<1.00の範囲である圧電磁器組成物において、圧電磁器組成物の原料を混合する第1の工程と、混合された原料を仮焼する第2の工程と、仮焼された粉体を粉砕する第3の工程と、粉砕された粉体から所望の形状に成形する第4の工程と、成形体を焼結しない温度で脱脂する第5の工程と、脱脂された成形体を焼成する第6の工程と、焼成された焼結体を加工する第7の工程と、入出力用の電極を形成する第8の工程と、圧電磁器に圧電特性を与える分極を行う第10の工程の間に、熱処理を行う第9の工程を備えることを特徴とする圧電磁器組成物の製造方法。
  2. 第9の工程の熱処理温度を、450℃〜800℃の温度範囲で、1時間以上行うことを特徴とする請求項1に記載の圧電磁器組成物の製造方法。
  3. 第9の工程の熱処理を、酸素分圧が20kPa以上の酸素雰囲気中で行うことを特徴とする請求項2に記載の圧電磁器組成物の製造方法。
  4. 第6の工程は、脱脂された成形体を匣内部に密閉にして、Pbの飛散を抑制しながら、焼成を行うことを特徴とする請求項3に記載の圧電磁器組成物の製造方法。
  5. 第6の工程の焼成を、800℃〜930℃までの温度範囲で行うことを特徴とする請求項4に記載の圧電磁器組成物の製造方法。
  6. Pb(Zn1/3Nb2/3)O3−PbTiO3−PbZrO3の三成分系の圧電磁器組成物において、基本組成式をPb(Zn1/3Nb2/3aZrxTiy3と表したとき、a、xおよびyが0.90<a+x+y<1.00の範囲である圧電磁器組成物において、圧電磁器組成物の原料を混合する第1の工程と、混合された原料を仮焼する第2の工程と、仮焼された粉体を粉砕する第3の工程と、粉砕された粉体からセラミックグリーンシートを成形する第4の工程と、セラミックグリーンシートとAgを主成分とする内部電極用ペーストを用いて積層体を作製する第5の工程と、積層体を焼結しない温度で脱脂する第6の工程と、脱脂された積層体を匣内部に密閉にして、鉛の飛散等にて材料組成を変化させることなく焼成を行うことを特徴とする第7の工程と、焼成された焼結体を加工する第8の工程と、入出力用の電極を形成する第9の工程と、熱処理を450℃〜800℃の温度範囲で、1時間以上行う第10の工程と、圧電磁器に圧電特性を与える分極を行う第11の工程を有する圧電磁器組成物の製造方法。
  7. 第10の工程の熱処理を、酸素分圧が20kPa以上の酸素雰囲気中で、450℃〜800℃の温度範囲にて、1時間以上行うことを特徴とする請求項6に記載の圧電磁器組成物の製造方法。
  8. 第7の工程の焼成を、800℃〜930℃の温度範囲で焼成を行うことを特徴とする請求項7に記載の圧電磁器組成物の製造方法。
  9. Pb(Zn1/3Nb2/3)O3−PbTiO3−PbZrO3の三成分系の圧電磁器組成物に金属元素Mnを添加物として含む圧電磁器組成物において、基本組成式をPb(Zn1/3Nb2/3aZrxTiy3+αwt%MnO2と表したとき、a、xおよびyが0.90<a+x+y<1.00の範囲であり、金属元素Mnの化合物はMnO2に換算してα<2.0である圧電磁器組成物において、圧電磁器組成物の原料を混合する第1の工程と、混合された原料を仮焼する第2の工程と、仮焼された粉体を粉砕する第3の工程と、粉砕された粉体から所望の形状に成形する第4の工程と、成形体を焼結しない温度で脱脂する第5の工程と、脱脂された成形体を焼成する第6の工程と、焼成された焼結体を加工する第7の工程と、入出力用の電極を形成する第8の工程と、圧電磁器に圧電特性を与える分極を行う第10の工程の間に、熱処理を行う第9の工程を備えることを特徴とする圧電磁器組成物の製造方法。
  10. 第9の工程の熱処理温度を、450℃〜800℃の温度範囲で、1時間以上行うことを特徴とする請求項9に記載の圧電磁器組成物の製造方法。
  11. 第9の工程の熱処理を、酸素分圧が20kPa以上の酸素雰囲気中で行うことを特徴とする請求項10に記載の圧電磁器組成物の製造方法。
  12. 第6の工程は脱脂された成形体を匣内部に密閉にして、Pbの飛散を抑制しながら、焼成を行うことを特徴とする請求項11に記載の圧電磁器組成物の製造方法。
  13. 第6の工程を、800℃〜930℃の温度範囲で行うことを特徴とする請求項12に記載の圧電磁器組成物の製造方法。
  14. Pb(Zn1/3Nb2/3)O3−PbTiO3−PbZrO3の三成分系の圧電磁器組成物に金属元素Mnを添加物として含む圧電磁器組成物において、基本組成式をPb(Zn1/3Nb2/3aZrxTiy3+αwt%MnO2と表したとき、a、xおよびyが0.90<a+x+y<1.00の範囲であり、金属元素Mnの化合物はMnO2に換算してα<2.0である圧電磁器組成物において、圧電磁器組成物の原料を混合する第1の工程と、混合された原料を仮焼する第2の工程と、仮焼された粉体を粉砕する第3の工程と、粉砕された粉体からセラミックグリーンシートを成形する第4の工程と、セラミックグリーンシートとAgを主成分とする内部電極用ペーストを用いて積層体を作製する第5の工程と、積層体を焼結しない温度で脱脂する第6の工程と、脱脂された積層体を匣内部に密閉にして、鉛の飛散等にて材料組成を変化させることなく焼成を行うことを特徴とする第7の工程と、焼成された焼結体を加工する第8の工程と、入出力用の電極を形成する第9の工程と、熱処理を450℃〜800℃の温度範囲で、1時間以上行う第10の工程と、圧電磁器に圧電特性を与える分極を行う第11の工程を有する圧電磁器組成物の製造方法。
  15. 第10の工程の熱処理を、酸素分圧が20kPa以上の酸素雰囲気中で行うことを特徴とする請求項14に記載の圧電磁器組成物の製造方法。
  16. 第7の工程の焼成を、800℃〜930℃の温度範囲で行うことを特徴とする請求項15に記載の圧電磁器組成物の製造方法。
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