JP2005154217A - シリコン精錬におけるスラグ分離方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 シリコンの精錬の途中又は終了後の一方又は両方で、シリコン及びスラグの入った容器を90°未満に傾け、ジグを用いてスラグをかき出すことによってスラグを除去することを特徴とするシリコン精錬におけるスラグ分離方法である。
【選択図】 なし
Description
(1)シリコンの精錬の途中又は終了後の一方又は両方で、シリコン及びスラグの入った容器を90°未満に傾け、ジグを用いてスラグをかき出すことによってスラグを除去することを特徴とするシリコン精錬におけるスラグ分離方法、
(2)前記ジグが、棒の先端に板が付いた形状で、板の幅は容器内径あるいは一辺の1/3以下、高さが10mm以上100mm以下である(1)記載のシリコン精錬におけるスラグ分離方法、
(3)前記ジグの材質がカーボンである(1)又は(2)に記載のシリコン精錬におけるスラグ分離方法、
(4)前記スラグの粘性が0.1poise以上、5poise以下である(1)記載のシリコン精錬におけるスラグ分離方法、
(5)スラグをかき出す直前にスラグ成分を調節し、粘性を制御する(4)記載のシリコン精錬におけるスラグ分離方法、
である。
250mm径の容器で30kgのSiを溶解し、酸化ナトリウムと二酸化珪素がモル比1:1の組成とする同量のスラグを用いて精錬を行い、精錬後、シリコンとスラグの分離を試みた。分離方法として、容器をスラグのみが容器から流し出るように傾動を除々に行う方法(比較方法)と、容器を傾斜したまま静止させ、ジグを用いてスラグをかき出す方法(本発明方法)とである。容器の傾斜角度は、比較方法では50°から70°まで徐々に傾けた。一方、本発明方法では65°で実施した。このとき、スラグにSiO2又はNa2Oを添加することによって、スラグ粘性を0.05poise、0.1poise、1poise、5poise、10poiseの5通りに調整した。また、かき出しに用いたジグは、カーボン製で、先についている板は、厚み5mm、幅高さともに80mmである。
250mm径の容器で30kgのSiを溶解し、酸化ナトリウムと二酸化珪素がモル比1:1の組成とする同量のスラグを用い精錬を行い、精錬後、シリコンとスラグの分離を試みた。分離方法として容器を傾斜したまま静止させ、ジグを用いてスラグをかき出す方法(本発明方法)を実施した。このとき、容器の角度は65°とし、スラグにSiO2又はNa2Oを添加することによって、スラグ粘性は1poiseに調整した。かき出しにはカーボン製のジグを用いた。ジグのサイズについては、先端部の板の厚みが5mm、幅と高さが、80mm×80mm、110mm×80mm、9mm×80mm、80mm×100mmのものを用いて比較した。
2 穴、
3 シリコン、
4 不純物(ボロン、燐)、
5 スラグ、
6 除去能力の低下したスラグ、
7 新しいスラグ、
8 ジグ、
9 棒、
10 板、
11 細かなスラグ、
12 スラグをかき出す側の内面、
13 重力方向、
14 角度。
Claims (5)
- シリコンの精錬の途中又は終了後の一方又は両方で、シリコン及びスラグの入った容器を90°未満に傾け、ジグを用いてスラグをかき出すことによってスラグを除去することを特徴とするシリコン精錬におけるスラグ分離方法。
- 前記ジグが、棒の先端に板が付いた形状で、板の幅は容器内径或いは一辺の1/3以下、高さが10mm以上100mm以下である請求項1記載のシリコン精錬におけるスラグ分離方法。
- 前記ジグの材質が、カーボンである請求項1又は2に記載のシリコン精錬におけるスラグ分離方法。
- 前記スラグの粘性が0.1poise以上、5poise以下である請求項1記載のシリコン精錬におけるスラグ分離方法。
- スラグをかき出す直前にスラグ成分を調節し、粘性を制御する請求項4記載のシリコン精錬におけるスラグ分離方法。
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