JP2005134435A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 複数の画素がマトリクス状に配置された画像表示部と、前記画素と電圧信号をアクセスするために前記画像表示部内に配置された複数の信号線と、前記信号線の電圧を制御する駆動回路とからなり、前記画素が発光素子と前記発光素子の発光強度を制御する画素回路とで構成される画像表示装置であって、複数の前記画素がそれぞれ有する前記画素回路の内部電圧を選択的に前記信号線へ発生する画素回路電圧検出手段を具備し、前記駆動回路は前記信号線の電圧と表示画像に対応した信号電圧を加算して再度前記信号線に電圧を出力する電圧加算手段を具備し、前記画素回路電圧検出手段は、複数ある前記画素がそれぞれ具備する複数の前記画素回路と前記信号線との間を、遮断状態と、接続状態と、前記接続状態より十分高い抵抗値で接続された抵抗接続状態との３状態をとり得る回路で構成されることを特徴とする画像表示装置。
2. 請求項１記載の画像表示装置において、
   前記画素回路電圧検出手段は、抵抗器と、該抵抗器に並列接続されたスイッチングトランジスタとから構成されることを特徴とする画像表示装置。
3. 請求項１記載の画像表示装置において、
   前記画素回路は、前記発光素子に定電流を供給する電流記憶回路を具備することを特徴とする画像表示装置。
4. 請求項１記載の画像表示装置において、
   前記駆動回路は、前記信号線の電圧を記憶するサンプリング回路と、前記記憶された電圧と画像信号の電圧を加算する加算回路とを含むことを特徴とする画像表示装置。
5. 請求項１記載の画像表示装置において、
   前記駆動回路は、アナログ電圧を出力するドライバＩＣと、前記ドライバＩＣと前記信号線の間に接続されたキャパシタとから構成されていることを特徴とする画像表示装置。
6. 請求項１記載の画像表示装置において、
   前記発光素子は、発光ダイオード素子であることを特徴とする画像表示装置。
7. 請求項１記載の画像表示装置において、
   前記画素回路と、前記画素回路電圧検出手段とは、薄膜トランジスタを用いて構成されていることを特徴とする画像表示装置。
8. 請求項７記載の画像表示装置において、
   前記画素回路は、ｎチャネルまたはｐチャネル薄膜トランジスタのいずれか一方のチャネルの薄膜トランジスタで構成されたことを特徴とする画像表示装置。
9. 複数の画素がマトリクス状に配置された画像表示部と、前記画素と電圧信号をアクセスするために前記画像表示部内に配置された複数の信号線と、前記信号線のアナログ電圧を制御する駆動回路とからなり、前記画素が発光素子と前記発光素子の発光強度を制御する画素回路とで構成される画像表示装置であって、前記信号線よりも高い抵抗値を持つ複数の抵抗配線が前記信号線と平行に配置され、前記信号線と前記抵抗配線の間に複数の第１のスイッチング手段が設けられ、前記抵抗配線と前記画素回路の間に複数の第２のスイッチング手段が設けられたことを特徴とする画像表示装置。
10. 請求項９記載の画像表示装置において、
    前記駆動回路は前記信号線の電圧と表示画像に対応した信号電圧を加算して再度信号線に電圧を出力する電圧加算手段を具備することを特徴とする画像表示装置。
11. 請求項９記載の画像表示装置において、
    前記第１および第２のスイッチング手段を制御して前記信号線と前記画素回路間の抵抗値を少なくとも２段階に変化させる制御回路を具備することを特徴とする画像表示装置。
12. 請求項９記載の画像表示装置において、
    前記信号線と前記抵抗配線は、絶縁膜を挟んでオーバーラップして設けられたことを特徴とする画像表示装置。
13. 請求項９記載の画像表示装置において、
    前記抵抗配線は多結晶シリコン薄膜抵抗であることを特徴とする画像表示装置。
14. 請求項９記載の画像表示装置において、
    前記発光素子は、発光ダイオード素子であることを特徴とする画像表示装置。
15. 請求項９記載の画像表示装置において、
    前記画素回路と、前記第１および第２のスイッチング手段とは、薄膜トランジスタを用いて構成されていることを特徴とする画像表示装置。
16. 請求項１５記載の画像表示装置において、
    前記画素回路はｎチャネルまたはｐチャネル薄膜トランジスタのいずれか一方のチャネルの薄膜トランジスタで構成されたことを特徴とする画像表示装置。