JP2005126311A - 半導体パッケージ用カバーガラス及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この半導体パッケージ用カバーガラス10は、板厚方向に相対向する第1透光面10a及び第2透光面10bと、周縁を構成する側面10cとを備えた板状ガラスである。このカバーガラス10の寸法は、14×16×0.5mmであり、第1透光面10a及び第2透光面10bは無研磨面であり、その表面粗さ(Ra)は、いずれも0.5nm以下である。
【選択図】図1
Description
ッカース硬度は、JIS Z2244−1992に基づいて測定した。熱膨張係数は、ディラトメーターを用いて、30〜380℃の温度範囲における平均熱膨張係数を測定した。液相温度は、各ガラス試料を300〜500μmの粒径に破砕し、これを白金ボートに入れ、温度勾配炉中に8時間保持してから、顕微鏡観察により、ガラス試料内部に失透(結晶異物)の見られた最高温度を測定し、その温度を液相温度とした。また、液相温度におけるガラスの粘度を液相粘度とした。No.11、12のガラス試料は、失透が見られず、特に耐失透性に優れていた。U、Thの含有量は、ICP−MASSにより測定した。また、歪点、及び徐冷点は、ASTM C336−71の方法に準じて測定し、軟化点は、ASTM C338−93の方法に準じて測定した。104dPa・s温度、103dPa・s温度、及び102.5dPa・s温度は、周知の白金球引き上げ法によって求めた。102.5Pa・s温度は、高温粘度である102.5ポイズに相当する温度を測定したものであり、この値が低いほど溶融性に優れていることになる。α線放出量は、超低レベルα線測定装置(住友化学社製LACS−4000M)を用いて測定した。
10a 第1透光面
10b 第2透光面
10c 側面
11 樋
12 溶融ガラス
13 大板ガラス
13a 加工面
14 ライン状ヘッド
Claims (30)
- 透光面が無研磨面であり、その表面粗さ(Ra)が1.0nm以下であることを特徴とする半導体パッケージ用カバーガラス。
- ダウンドロー法又はフロート法で成形されてなることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ用カバーガラス。
- ダウンドロー法が、オーバーフローダウンドロー法であることを特徴とする請求項2に記載の半導体パッケージ用カバーガラス。
- 液相温度におけるガラス粘度が105.2dPa・s以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体パッケージ用カバーガラス。
- 30〜380℃の温度範囲における平均熱膨張係数が30〜85×10-7/℃であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体パッケージ用カバーガラス。
- α線放出量が0.01c/cm2・hr以下であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の半導体パッケージ用カバーガラス。
- アルカリ溶出量が、1.0mg以下であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の半導体パッケージ用カバーガラス。
- 肉厚が、0.05〜0.7mmであることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の半導体パッケージ用カバーガラス。
- 密度が2.55g/cm3以下であることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の半導体パッケージ用カバーガラス。
- 質量%で、SiO2 52〜70%、Al2O3 5〜20%、B2O3 5〜20%、アルカリ土類金属酸化物 4〜30%、ZnO 0〜5%の基本組成を含有し、実質的にアルカリ金属酸化物を含有しないことを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の半導体パッケージ用カバーガラス。
- 質量%で、SiO2 58〜75%、Al2O3 0.5〜15%、B2O3 5〜20%、アルカリ金属酸化物 1〜20%、アルカリ土類金属酸化物 0〜20%、ZnO 0〜9%の基本組成を含有することを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の半導体パッケージ用カバーガラス。
- 固体撮像素子を収納するパッケージに使用されることを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載の半導体パッケージ用カバーガラス。
- レーザーダイオードを収納するパッケージに使用されることを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載の半導体パッケージ用カバーガラス。
- ダウンドロー法又はフロート法で成形され、透光面の表面粗さ(Ra)が1.0nm以下であることを特徴とする半導体パッケージ用カバーガラス。
- 質量%で、SiO2 52〜70%、Al2O3 5〜20%、B2O3 5〜20%、アルカリ土類金属酸化物 4〜30%、ZnO 0〜5%の基本組成を含有し、実質的にアルカリ金属酸化物を含有せず、30〜380℃の温度範囲における平均熱膨張係数が30〜85×10-7/℃、液相温度におけるガラス粘度が105.2dPa・s以上であることを特徴とする半導体パッケージ用カバーガラス。
- ガラスからのα線放出量が0.01c/cm2・hr以下であることを特徴とする請求項15に記載の半導体パッケージ用カバーガラス。
- ガラス中のU含有量が10ppb以下、Th含有量が20ppb以下であることを特徴とする請求項15又は16に記載の半導体パッケージ用カバーガラス。
- 実質的にAs2O3を含有しないことを特徴とする請求項15〜17のいずれかに記載の半導体パッケージ用カバーガラス。
- 質量%で、SiO2 58〜75%、Al2O3 0.5〜15%、B2O3 5〜20%、アルカリ金属酸化物 1〜20%、アルカリ土類金属酸化物 0〜20%、ZnO 0〜10%の基本組成を含有し、30〜380℃の温度範囲における平均熱膨張係数が30〜85×10-7/℃、液相温度におけるガラス粘度が105.2dPa・s以上であることを特徴とする半導体パッケージ用カバーガラス。
- α線放出量が0.01c/cm2・hr以下であることを特徴とする請求項19に記載の半導体パッケージ用カバーガラス。
- ガラス中のU含有量が10ppb以下、Th含有量が20ppb以下であることを特徴とする請求項19又は20に記載の半導体パッケージ用カバーガラス。
- 実質的にAs2O3を含有しないことを特徴とする請求項19〜21のいずれかに記載の半導体パッケージ用カバーガラス。
- 少なくとも内壁が耐火物から形成されてなる溶融槽にガラス原料を投入し、溶融した後、ダウンドロー法又はフロート法で板状に成形することを特徴とする半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法。
- ダウンドロー法が、オーバーフローダウンドロー法であることを特徴とする請求項23に記載の半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法。
- 耐火物が、アルミナ耐火物、石英耐火物、ジルコニア耐火物の群から選択された1者又は2者以上であることを特徴とする請求項23又は24に記載の半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法。
- 耐火物に含まれるUとThの含有量が、各々1ppm以下であることを特徴とする請求項23〜25のいずれかに記載の半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法。
- ガラス原料に含まれるUとThの含有量が、各々5ppb以下であることを特徴とする請求項23〜26のいずれかに記載の半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法。
- ガラス原料が、質量%で、SiO2 58〜75%、Al2O3 0.5〜15%、B2O3 5〜20%、アルカリ金属酸化物 1〜20%、アルカリ土類金属酸化物 0〜20%、ZnO 0〜10%の基本組成を含有し、30〜380℃の温度範囲における平均熱膨張係数が30〜85×10-7/℃、液相温度におけるガラス粘度が105.2dPa・s以上、α線放出量が0.01c/cm2・hr以下のガラスとなるように調製されてなることを特徴とする請求項23〜27のいずれかに記載の半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法。
- ガラス原料が、質量%で、SiO2 52〜70%、Al2O3 5〜20%、B2O3 5〜20%、アルカリ土類金属酸化物 4〜30%、ZnO 0〜5%の基本組成を含有し、実質的にアルカリ金属酸化物を含有せず、30〜380℃の温度範囲における平均熱膨張係数が30〜85×10-7/℃、液相温度におけるガラス粘度が105.2dPa・s以上のガラスとなるように調製されてなることを特徴とする請求項23〜27のいずれかに記載の半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法。
- ガラス原料が、α線放出量が0.01c/cm2・hr以下のガラスとなるように調製されてなることを特徴とする請求項29に記載の半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法。
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JP2007161552A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 情報記録媒体用ガラス基板 |
JP2008069021A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 無アルカリガラスおよびこれを用いた無アルカリガラス基板 |
JP2010527892A (ja) * | 2007-05-18 | 2010-08-19 | コーニング インコーポレイテッド | ダウンドロー法で製造可能な、化学的に強化されたカバープレート用ガラス |
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JP2012519131A (ja) * | 2009-02-26 | 2012-08-23 | コーニング インコーポレイテッド | 乳白ガラスの成形方法 |
US20140166186A1 (en) * | 2009-07-03 | 2014-06-19 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Glass film laminate |
JP2014205604A (ja) * | 2012-06-25 | 2014-10-30 | 日本電気硝子株式会社 | 強化ガラス基板及びその製造方法 |
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Cited By (14)
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---|---|---|---|---|
JP2006140458A (ja) * | 2004-10-12 | 2006-06-01 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 固体撮像素子用カバーガラス及びその製造方法 |
JP2007161552A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 情報記録媒体用ガラス基板 |
JP2008069021A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 無アルカリガラスおよびこれを用いた無アルカリガラス基板 |
JP2010527892A (ja) * | 2007-05-18 | 2010-08-19 | コーニング インコーポレイテッド | ダウンドロー法で製造可能な、化学的に強化されたカバープレート用ガラス |
JP2012519131A (ja) * | 2009-02-26 | 2012-08-23 | コーニング インコーポレイテッド | 乳白ガラスの成形方法 |
US20140166186A1 (en) * | 2009-07-03 | 2014-06-19 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Glass film laminate |
WO2011132603A1 (ja) * | 2010-04-20 | 2011-10-27 | 旭硝子株式会社 | 半導体デバイス貫通電極形成用のガラス基板 |
JP2014205604A (ja) * | 2012-06-25 | 2014-10-30 | 日本電気硝子株式会社 | 強化ガラス基板及びその製造方法 |
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