JPH11209145A - 光半導体用窓ガラス - Google Patents
光半導体用窓ガラスInfo
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- JPH11209145A JPH11209145A JP2385098A JP2385098A JPH11209145A JP H11209145 A JPH11209145 A JP H11209145A JP 2385098 A JP2385098 A JP 2385098A JP 2385098 A JP2385098 A JP 2385098A JP H11209145 A JPH11209145 A JP H11209145A
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- window glass
- glass
- optical
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い表面品位を有し、所望する光透過特性を
備えた光半導体用窓ガラスを提供すること。 【解決手段】 本発明の光半導体用窓ガラス１は、薄板
ガラスからなり、表面粗さのＲａ値が０．５ｎｍ以下で
あり、且つ該薄板ガラスの直径１．５ｍｍの範囲を波長
６３２．８ｎｍのレーザー光が透過する際に生じる波面
収差のＲＭＳ値が３２ｎｍ以下であり、表面に反射防止
膜２を有する。
備えた光半導体用窓ガラスを提供すること。 【解決手段】 本発明の光半導体用窓ガラス１は、薄板
ガラスからなり、表面粗さのＲａ値が０．５ｎｍ以下で
あり、且つ該薄板ガラスの直径１．５ｍｍの範囲を波長
６３２．８ｎｍのレーザー光が透過する際に生じる波面
収差のＲＭＳ値が３２ｎｍ以下であり、表面に反射防止
膜２を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光半導体のパッケ
ージに用いる窓ガラスに関する。
ージに用いる窓ガラスに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光半導体、例えば、レーザー発
光・受光素子等に使用される窓ガラスは、大量の光信号
を高速で通過させるために高い光透過特性が要求され
る。近年、ＤＶＤドライブ装置、ＣＡＴＶ等において、
映像信号等の大きいデータを高速で処理する用途が増加
してきており、光半導体に用いられる光学系に対してよ
り光信号に位相差及び光路差の発生が少なく、高い透過
率及び低い反射率を満たす光透過特性が要求されるよう
になってきている。
光・受光素子等に使用される窓ガラスは、大量の光信号
を高速で通過させるために高い光透過特性が要求され
る。近年、ＤＶＤドライブ装置、ＣＡＴＶ等において、
映像信号等の大きいデータを高速で処理する用途が増加
してきており、光半導体に用いられる光学系に対してよ
り光信号に位相差及び光路差の発生が少なく、高い透過
率及び低い反射率を満たす光透過特性が要求されるよう
になってきている。
【０００３】従来、光半導体用の窓ガラスは、ブロック
状のガラス塊を切断機でスライスして得られた薄板ガラ
スを所望の厚さまで研削し、その薄板ガラスの表面を研
磨して鏡面に加工し、所望の寸法形状に切断して製造さ
れている。
状のガラス塊を切断機でスライスして得られた薄板ガラ
スを所望の厚さまで研削し、その薄板ガラスの表面を研
磨して鏡面に加工し、所望の寸法形状に切断して製造さ
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな薄板ガラスの表面には、エッチング処理や特殊な顕
微鏡等で拡大して観察すると、肉眼では全く見出すこと
ができない研磨による無数の細かいキズが存在している
のが判る。その表面粗さは、Ｒａ値で０．６〜０．８ｎ
ｍ、表面粗さの最大値であるＲｔ値で４．０〜５．５ｎ
ｍである。高い光透過特性が要求される光半導体用の窓
ガラスに、このような薄板ガラスを使用した場合、他の
用途では問題にならない程度の細かい研磨キズが、透過
光を散乱、反射させて光信号の受発信の誤り率を上げる
といった問題が生じる。
うな薄板ガラスの表面には、エッチング処理や特殊な顕
微鏡等で拡大して観察すると、肉眼では全く見出すこと
ができない研磨による無数の細かいキズが存在している
のが判る。その表面粗さは、Ｒａ値で０．６〜０．８ｎ
ｍ、表面粗さの最大値であるＲｔ値で４．０〜５．５ｎ
ｍである。高い光透過特性が要求される光半導体用の窓
ガラスに、このような薄板ガラスを使用した場合、他の
用途では問題にならない程度の細かい研磨キズが、透過
光を散乱、反射させて光信号の受発信の誤り率を上げる
といった問題が生じる。
【０００５】本発明は、以上のような従来の問題点を解
決し、高い表面品位を有し、所望する光透過特性を備え
た光半導体用窓ガラスを提供することを目的とする。
決し、高い表面品位を有し、所望する光透過特性を備え
た光半導体用窓ガラスを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光半導体用
窓ガラスは、薄板ガラスからなり、表面粗さのＲａ値が
０．５ｎｍ以下であり、且つ該薄板ガラスの直径１．５
ｍｍの範囲を波長（λと同じ意味）が６３２．８ｎｍで
あるレーザー光が透過する際に生じる波面収差のＲＭＳ
値（自乗平均値と同じ意味）が３２ｎｍ以下（０．０５
λ以下と同じ意味）であることを特徴とする。
窓ガラスは、薄板ガラスからなり、表面粗さのＲａ値が
０．５ｎｍ以下であり、且つ該薄板ガラスの直径１．５
ｍｍの範囲を波長（λと同じ意味）が６３２．８ｎｍで
あるレーザー光が透過する際に生じる波面収差のＲＭＳ
値（自乗平均値と同じ意味）が３２ｎｍ以下（０．０５
λ以下と同じ意味）であることを特徴とする。
【０００７】また、本発明の光半導体用窓ガラスは、表
面に反射防止膜を有することを特徴とする。
面に反射防止膜を有することを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明の光半導体用窓ガラスによれば、薄板ガ
ラスからなり、表面粗さのＲａ値が０．５ｎｍ以下であ
るので、光半導体用窓ガラスの表面で透過光を散乱させ
ることがなく光半導体用窓ガラスを透過する光信号の受
発信の誤り率を低くすることができ、且つ該光半導体用
窓ガラスの直径１．５ｍｍの範囲を波長６３２．８ｎｍ
のレーザー光が透過する際に生じる波面収差のＲＭＳ値
が３２ｎｍ以下であるので、光半導体用窓ガラスを透過
する光信号に光路長差の発生を極めて少なくするもので
ある。
ラスからなり、表面粗さのＲａ値が０．５ｎｍ以下であ
るので、光半導体用窓ガラスの表面で透過光を散乱させ
ることがなく光半導体用窓ガラスを透過する光信号の受
発信の誤り率を低くすることができ、且つ該光半導体用
窓ガラスの直径１．５ｍｍの範囲を波長６３２．８ｎｍ
のレーザー光が透過する際に生じる波面収差のＲＭＳ値
が３２ｎｍ以下であるので、光半導体用窓ガラスを透過
する光信号に光路長差の発生を極めて少なくするもので
ある。
【０００９】光半導体用窓ガラスの表面粗さのＲａ値が
０．５ｎｍを超える場合には、透過光が光半導体用窓ガ
ラスの表面で散乱し、光半導体素子が受発信する光信号
にノイズを生じさせる。特に、光半導体素子がレーザー
発光素子である場合、光半導体用窓ガラスの表面での散
乱による戻り光はレーザー発振を不安定にするという問
題が生じる。しかし、表面粗さのＲａ値が０．５ｎｍ以
下であれば、そのような問題は生じない。また、波長６
３２．８ｎｍのレーザー光が直径１．５ｍｍの範囲を透
過する際に生じる波面収差のＲＭＳ値が３２ｎｍを超え
る場合には、光半導体用窓ガラスを透過する光のコヒー
レンスが低下し、空間的及び時間的に広がりが生じて光
信号のＳ／Ｎ比が低下するという問題が生じるが、波面
収差のＲＭＳ値が３２ｎｍ以下であれば、そのような問
題は生じない。
０．５ｎｍを超える場合には、透過光が光半導体用窓ガ
ラスの表面で散乱し、光半導体素子が受発信する光信号
にノイズを生じさせる。特に、光半導体素子がレーザー
発光素子である場合、光半導体用窓ガラスの表面での散
乱による戻り光はレーザー発振を不安定にするという問
題が生じる。しかし、表面粗さのＲａ値が０．５ｎｍ以
下であれば、そのような問題は生じない。また、波長６
３２．８ｎｍのレーザー光が直径１．５ｍｍの範囲を透
過する際に生じる波面収差のＲＭＳ値が３２ｎｍを超え
る場合には、光半導体用窓ガラスを透過する光のコヒー
レンスが低下し、空間的及び時間的に広がりが生じて光
信号のＳ／Ｎ比が低下するという問題が生じるが、波面
収差のＲＭＳ値が３２ｎｍ以下であれば、そのような問
題は生じない。
【００１０】また、本発明の光半導体用窓ガラスによれ
ば、表面に反射防止膜を有するので、光半導体用窓ガラ
スの表面で光を反射させることなく、光信号の高い透過
率を実現した高感度の光半導体装置を製造することがで
きる。
ば、表面に反射防止膜を有するので、光半導体用窓ガラ
スの表面で光を反射させることなく、光信号の高い透過
率を実現した高感度の光半導体装置を製造することがで
きる。
【００１１】表面に反射防止膜を設けていない光半導体
用窓ガラスは、空気とガラスの屈折差により光信号の透
過率が９０％程度しかなく、片面で約５％の光信号を反
射させてしまうので、大量の光信号を高速でやりとりす
る光半導体に用いるには適当でない。
用窓ガラスは、空気とガラスの屈折差により光信号の透
過率が９０％程度しかなく、片面で約５％の光信号を反
射させてしまうので、大量の光信号を高速でやりとりす
る光半導体に用いるには適当でない。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明に係る光半導体用窓ガラス
１は、図１に示すように、１辺が２ｍｍの正六角形の平
面形状で、厚さが０．２５ｍｍの寸法を有しており、表
面粗さは、Ｒａ値で０．２〜０．３ｎｍ（Ｒｔ値で１．
７〜２．３ｎｍ）である。また、６３２．８ｎｍの波長
（λと同じ意味）を有するレーザー光が光半導体用窓ガ
ラス１の直径１．５ｍｍの範囲を透過する際に生じる波
面収差は、３０点測定の場合、光路長差のＲＭＳ値で、
最大値が１８．４ｎｍ（０．０２９λ）（Ｐ−Ｖ値で表
すと、最大値は７５．９ｎｍ（０．１２λ））と、３２
ｎｍ以下（０．０５λ以下）である。また、光半導体用
窓ガラス１の表面に設けた反射防止膜２は、厚さが２０
０ｎｍ以下のＳｉＯ2 層とＴｉＯ2 層とが交互に４〜５
層積層されてなり、最も普及しているレーザーダイオー
ドから発する波長７８０ｎｍの光を９９％以上透過する
多層膜である。
１は、図１に示すように、１辺が２ｍｍの正六角形の平
面形状で、厚さが０．２５ｍｍの寸法を有しており、表
面粗さは、Ｒａ値で０．２〜０．３ｎｍ（Ｒｔ値で１．
７〜２．３ｎｍ）である。また、６３２．８ｎｍの波長
（λと同じ意味）を有するレーザー光が光半導体用窓ガ
ラス１の直径１．５ｍｍの範囲を透過する際に生じる波
面収差は、３０点測定の場合、光路長差のＲＭＳ値で、
最大値が１８．４ｎｍ（０．０２９λ）（Ｐ−Ｖ値で表
すと、最大値は７５．９ｎｍ（０．１２λ））と、３２
ｎｍ以下（０．０５λ以下）である。また、光半導体用
窓ガラス１の表面に設けた反射防止膜２は、厚さが２０
０ｎｍ以下のＳｉＯ2 層とＴｉＯ2 層とが交互に４〜５
層積層されてなり、最も普及しているレーザーダイオー
ドから発する波長７８０ｎｍの光を９９％以上透過する
多層膜である。
【００１３】比較例として、従来の光半導体用窓ガラス
を準備した。この光半導体用窓ガラスは、薄板ガラスを
所望の厚さまで研削し、その表面を研磨して鏡面に加工
し、所望の寸法形状に切断して製造したものであり、こ
の光半導体用窓ガラスの表面粗さは、Ｒａ値で０．７ｎ
ｍ（Ｒｔ値で５．４ｎｍ）であり、６３２．８ｎｍの波
長を有するレーザー光が直径１．５ｍｍの範囲を透過す
る際に生じる波面収差のＲＭＳ値は、最大値が９．５ｎ
ｍ（０．０１５λ）である。また、この光半導体用窓ガ
ラスの表面には、本発明の光半導体用窓ガラス１と同じ
反射防止膜を設けた。この光半導体用窓ガラスを第１の
比較サンプルとした。更に、薄板ガラスの研磨の程度を
調整して、表面粗さがＲａ値で０．２ｎｍ（Ｒｔ値で
２．１ｎｍ）、上記と同様に波面収差のＲＭＳ値が、最
大値で５７．４ｎｍ（０．０９１λ）であり、表面に上
記と同じ反射防止膜を設けたものを第２の比較サンプル
とした。
を準備した。この光半導体用窓ガラスは、薄板ガラスを
所望の厚さまで研削し、その表面を研磨して鏡面に加工
し、所望の寸法形状に切断して製造したものであり、こ
の光半導体用窓ガラスの表面粗さは、Ｒａ値で０．７ｎ
ｍ（Ｒｔ値で５．４ｎｍ）であり、６３２．８ｎｍの波
長を有するレーザー光が直径１．５ｍｍの範囲を透過す
る際に生じる波面収差のＲＭＳ値は、最大値が９．５ｎ
ｍ（０．０１５λ）である。また、この光半導体用窓ガ
ラスの表面には、本発明の光半導体用窓ガラス１と同じ
反射防止膜を設けた。この光半導体用窓ガラスを第１の
比較サンプルとした。更に、薄板ガラスの研磨の程度を
調整して、表面粗さがＲａ値で０．２ｎｍ（Ｒｔ値で
２．１ｎｍ）、上記と同様に波面収差のＲＭＳ値が、最
大値で５７．４ｎｍ（０．０９１λ）であり、表面に上
記と同じ反射防止膜を設けたものを第２の比較サンプル
とした。
【００１４】本発明の光半導体用窓ガラス１と第１及び
第２の比較サンプルを、レーザーダイオードから発する
波長７８０ｎｍの光信号を用いて、それぞれの光半導体
用窓ガラスを透過してセンサーに到達する光信号のビッ
トレート、及び受信した光信号の誤り率の二つの評価項
目に関して比較試験を実施した。
第２の比較サンプルを、レーザーダイオードから発する
波長７８０ｎｍの光信号を用いて、それぞれの光半導体
用窓ガラスを透過してセンサーに到達する光信号のビッ
トレート、及び受信した光信号の誤り率の二つの評価項
目に関して比較試験を実施した。
【００１５】従来の光半導体用窓ガラスである第１の比
較サンプルを使用した場合、センサーに到達した光信号
の強さは十分なものであったが、光半導体用窓ガラスの
表面で光信号が散乱し、その戻り光がレーザーダイオー
ドの発振に影響し、発振を不安定にさせる結果、光信号
の受発信の誤り率が高くなるといった実用に耐えられな
いものであった。また、第２の比較サンプルでは、光信
号のビットレートを所定の値まで上げようとした際に、
光信号のＳ／Ｎ比が低下して、前後の光信号の識別が不
能となり、受信した光信号の誤り率の評価には到らなか
った。これに対し、本発明の光半導体用窓ガラス１の場
合には、光信号のビットレートを所定の値まで上げて
も、光信号のＳ／Ｎ比が良好に維持されており、受信し
た光信号の誤り率が上昇せず光信号の特性も安定してお
り、何ら問題なく使用することができるものであった。
較サンプルを使用した場合、センサーに到達した光信号
の強さは十分なものであったが、光半導体用窓ガラスの
表面で光信号が散乱し、その戻り光がレーザーダイオー
ドの発振に影響し、発振を不安定にさせる結果、光信号
の受発信の誤り率が高くなるといった実用に耐えられな
いものであった。また、第２の比較サンプルでは、光信
号のビットレートを所定の値まで上げようとした際に、
光信号のＳ／Ｎ比が低下して、前後の光信号の識別が不
能となり、受信した光信号の誤り率の評価には到らなか
った。これに対し、本発明の光半導体用窓ガラス１の場
合には、光信号のビットレートを所定の値まで上げて
も、光信号のＳ／Ｎ比が良好に維持されており、受信し
た光信号の誤り率が上昇せず光信号の特性も安定してお
り、何ら問題なく使用することができるものであった。
【００１６】図２及び図３は、本発明に係る光半導体用
窓ガラス１を製造する工程の説明図である。この図で、
３は厚板ガラスを、４は研磨された鏡面厚板ガラスを、
５は薄板ガラスを、６は研磨装置を、７は延伸成形装置
をそれぞれ示している。
窓ガラス１を製造する工程の説明図である。この図で、
３は厚板ガラスを、４は研磨された鏡面厚板ガラスを、
５は薄板ガラスを、６は研磨装置を、７は延伸成形装置
をそれぞれ示している。
【００１７】本発明の光半導体用窓ガラス１を製造する
には、先ず、アルカリ溶出量が少なく、膨張係数が光半
導体用パッケージに使用されるコバール合金に近いホウ
珪酸ガラスからなる幅８５０ｍｍ、厚さ５ｍｍに成形さ
れた長さ５ｍの厚板ガラス３を準備する。この厚板ガラ
ス３を、図２に示す研磨装置６のテーブル６ａにセット
し、回転する人工皮革６ｄを表面に張り付けた回転ポリ
ッシャ６ｂを厚板ガラス３の表面に当接させて、酸化セ
リウム等を水に分散させた研磨スラリ６ｃを供給しなが
ら研磨し、洗浄・乾燥して、厚さ４．５±０．０５ｍ
ｍ、表面粗さが、Ｒａ値で１．１ｎｍ（Ｒｔ値で８．５
ｎｍ）の鏡面を有する厚板ガラス４を得る。
には、先ず、アルカリ溶出量が少なく、膨張係数が光半
導体用パッケージに使用されるコバール合金に近いホウ
珪酸ガラスからなる幅８５０ｍｍ、厚さ５ｍｍに成形さ
れた長さ５ｍの厚板ガラス３を準備する。この厚板ガラ
ス３を、図２に示す研磨装置６のテーブル６ａにセット
し、回転する人工皮革６ｄを表面に張り付けた回転ポリ
ッシャ６ｂを厚板ガラス３の表面に当接させて、酸化セ
リウム等を水に分散させた研磨スラリ６ｃを供給しなが
ら研磨し、洗浄・乾燥して、厚さ４．５±０．０５ｍ
ｍ、表面粗さが、Ｒａ値で１．１ｎｍ（Ｒｔ値で８．５
ｎｍ）の鏡面を有する厚板ガラス４を得る。
【００１８】次に、前記厚板ガラス３ａを、図３に示す
延伸成形装置７にセットし、ガラスの粘度が略１０5 ポ
イズとなる温度に保持された成形炉７ａの供給口から搬
入し、軟化した鏡面厚板ガラス４を引出口から搬入速度
の１０倍程度の速度で引き出すことにより幅３００ｍ
ｍ、厚さ０．２５ｍｍに延伸成形し、これを長さ３２０
ｍｍに切断して薄板ガラス５を得る。この薄板ガラス５
の両側の変形部分をスクライブ装置（図示せず）を用い
て切除し、一辺が３００ｍｍの正方形にする。
延伸成形装置７にセットし、ガラスの粘度が略１０5 ポ
イズとなる温度に保持された成形炉７ａの供給口から搬
入し、軟化した鏡面厚板ガラス４を引出口から搬入速度
の１０倍程度の速度で引き出すことにより幅３００ｍ
ｍ、厚さ０．２５ｍｍに延伸成形し、これを長さ３２０
ｍｍに切断して薄板ガラス５を得る。この薄板ガラス５
の両側の変形部分をスクライブ装置（図示せず）を用い
て切除し、一辺が３００ｍｍの正方形にする。
【００１９】得られた薄板ガラス５は、表面粗さが、Ｒ
ａ値で０．１〜０．３ｎｍ（Ｒｔ値で１．７〜２．３ｎ
ｍ）の高い表面品位を有し、且つ表面のうねりや厚さの
バラツキ具合を示す値、即ち薄板ガラス５の直径１．５
ｍｍの範囲を６３２．８ｎｍの波長を有する光が透過す
る際に生じる波面収差のＲＭＳ値が、最大値１８．４ｎ
ｍ（ちなみに最小値は１．９ｎｍ、平均値は５．７ｎ
ｍ）と、３２ｎｍ以下であった。
ａ値で０．１〜０．３ｎｍ（Ｒｔ値で１．７〜２．３ｎ
ｍ）の高い表面品位を有し、且つ表面のうねりや厚さの
バラツキ具合を示す値、即ち薄板ガラス５の直径１．５
ｍｍの範囲を６３２．８ｎｍの波長を有する光が透過す
る際に生じる波面収差のＲＭＳ値が、最大値１８．４ｎ
ｍ（ちなみに最小値は１．９ｎｍ、平均値は５．７ｎ
ｍ）と、３２ｎｍ以下であった。
【００２０】上記のようにして得られた薄板ガラス５
は、その表面に、最も普及しているレーザーダイオード
の波長７８０ｎｍの光を９９％以上透過する反射防止膜
２が成膜された後、ダイシングマシン等を使用して、例
えば一辺が２ｍｍの正六角形に切り出されて光半導体用
窓ガラス１に加工される。この光半導体用窓ガラス１
は、光半導体をパッケージ内に気密封止するのに用いる
コバール合金等からなるキャップの窓孔部に接着されて
窓孔を密封するのに使用される。このように構成された
光半導体は、光の散乱が生じない高い光透過率を有する
光半導体用窓ガラス１を介して光信号を受発信するの
で、安定した性能を発揮することができる。
は、その表面に、最も普及しているレーザーダイオード
の波長７８０ｎｍの光を９９％以上透過する反射防止膜
２が成膜された後、ダイシングマシン等を使用して、例
えば一辺が２ｍｍの正六角形に切り出されて光半導体用
窓ガラス１に加工される。この光半導体用窓ガラス１
は、光半導体をパッケージ内に気密封止するのに用いる
コバール合金等からなるキャップの窓孔部に接着されて
窓孔を密封するのに使用される。このように構成された
光半導体は、光の散乱が生じない高い光透過率を有する
光半導体用窓ガラス１を介して光信号を受発信するの
で、安定した性能を発揮することができる。
【００２１】尚、反射防止膜２は、上記の実施の形態で
示したものに限られるものではなく、ＭｇＦ2 、ＺｒＯ
2 、Ａｌ2 Ｏ3 等を使用するものでもよい。
示したものに限られるものではなく、ＭｇＦ2 、ＺｒＯ
2 、Ａｌ2 Ｏ3 等を使用するものでもよい。
【００２２】
【発明の効果】本発明に係る光半導体用窓ガラスによれ
ば、高い表面品位を有する薄板ガラスからなるので、光
半導体用窓ガラスを透過する光信号の受発信の誤り率を
低くすることが可能で、信頼性の高い光半導体装置を製
造することができる優れた効果を奏するものである。
ば、高い表面品位を有する薄板ガラスからなるので、光
半導体用窓ガラスを透過する光信号の受発信の誤り率を
低くすることが可能で、信頼性の高い光半導体装置を製
造することができる優れた効果を奏するものである。
【００２３】また、本発明の光半導体用窓ガラスによれ
ば、表面に反射防止膜を有するので、光半導体用窓ガラ
スの表面で光を反射させることなく、光信号の高い透過
率を有する高感度の光半導体装置を製造することができ
る。
ば、表面に反射防止膜を有するので、光半導体用窓ガラ
スの表面で光を反射させることなく、光信号の高い透過
率を有する高感度の光半導体装置を製造することができ
る。
【図１】本発明に係る光半導体用窓ガラスの一例を示す
説明図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図。
説明図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図。
【図２】厚板ガラスを研磨する工程の説明図。
【図３】厚板ガラスを延伸成形する工程の説明図。
１ 光半導体用窓ガラス ２ 反射防止膜 ３ 厚板ガラス ４ 鏡面厚板ガラス ５ 薄板ガラス ６ 研磨装置 ７ 延伸成形装置
Claims (2)
- 【請求項１】 薄板ガラスからなり、表面粗さのＲａ値
が０．５ｎｍ以下であり、且つ該薄板ガラスの直径１．
５ｍｍの範囲を波長６３２．８ｎｍのレーザー光が透過
する際に生じる波面収差のＲＭＳ値が３２ｎｍ以下であ
ることを特徴とする光半導体用窓ガラス。 - 【請求項２】 表面に反射防止膜を有することを特徴と
する請求項１に記載の光半導用窓ガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2385098A JPH11209145A (ja) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | 光半導体用窓ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2385098A JPH11209145A (ja) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | 光半導体用窓ガラス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11209145A true JPH11209145A (ja) | 1999-08-03 |
Family
ID=12121903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2385098A Pending JPH11209145A (ja) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | 光半導体用窓ガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11209145A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004075289A1 (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-02 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | 半導体パッケージ用カバーガラス及びその製造方法 |
| CN100390968C (zh) * | 2003-02-19 | 2008-05-28 | 日本电气硝子株式会社 | 半导体封装体用外罩玻璃及其制造方法 |
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-
1998
- 1998-01-20 JP JP2385098A patent/JPH11209145A/ja active Pending
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