KR20050103276A - 반도체 패키지용 커버 유리 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
이 반도체 패키지용 커버 유리(10)는, 판두께 방향으로 서로 대향하는 제1투광면(10a) 및 제2투광면(10b)과, 둘레가장자리를 구성하는 측면(10c)을 구비한 판형상 유리이다. 이 커버 유리(10)의 치수는, 14×16×0.5mm이고, 제1투광면(10a) 및제2투광면(10b)은 무연마이며, 그 표면조도(Ra)는 어느 것이나 0.5nm이하이다.
Description
본 발명은, 고체촬상소자나 레이저 다이오드를 수납하는 반도체 패키지의 앞면에 부착되어, 고체촬상소자나 레이저 다이오드를 보호함과 아울러 투광창으로서 사용되는 반도체 패키지용 커버 유리와, 그 제조방법에 관한 것이다.
고체촬상소자의 앞면에는, 반도체소자의 보호를 위해서, 평판상의 투광면을 갖는 커버 유리가 설치된다. 이 커버 유리는, 알루미나 등의 세라믹 재료나 금속재료, 또는 수지재료로 형성된 패키지에, 각종의 유기수지나 저융점 유리로 이루어지는 접착재를 이용하여 밀봉부착되어, 패키지의 내부에 수납된 고체촬상소자를 보호함과 아울러 가시광선 등의 투광창으로서 기능한다.
고체촬상소자로서, 현재 많이 사용되고 있는 광반도체에는, CCD(Charge Coupled Device)나 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)가 있다. CCD 는, 고세밀한 화상을 받아들이기 위해서, 주로 비디오 카메라에 탑재되어 있었지만, 최근, 화상의 데이터 처리의 이용이 가속되면서, 급격하게 이용 범위가 확대되고 있다. 특히 디지털 스틸 카메라나 휴대전화에 탑재되어, 고세밀한 화상을 전자정보 데이터로 변환하기 위해서 많이 사용되게 되었다. 또한 CM0S는, 상보형 금속 산화물 반도체라고도 불리고, CCD에 비해서 소형화가 가능하고, 소비전력도 5분의 1정도로 적고, 또한 마이크로 프로세서의 제조공정을 이용할 수 있기 때문에, 설비투자에 비용이 높아지지 않고, 저렴하게 제조할 수 있는 등의 이점이 있어, 휴대전화나 소형 PC라고 하는 화상입력 디바이스에 탑재되는 일이 많아졌다.
CCD나 CMOS는, 화상을 정확하게 전자정보로 변환하는 필요성이 있기 때문에, 그것에 사용되는 커버 유리는, 그 표면에 오염이나 상처, 이물의 부착 등에 관해서 엄격한 기준이 마련되어져, 고품위의 청정도가 요구되고 있다. 또 표면의 청정도에 더해, 유리 내부에 기포, 맥리, 결정 등이 존재하지 않고, 백금 등의 이물의 혼입을 방지하는 것도 요구되고 있다. 또한 각종의 패키지와 양호하게 밀봉부착하기 위해서, 패키지재료와 유사한 열팽창계수를 갖는 것도 요구되고 있다. 또한 이 종류의 유리는, 장기에 걸쳐서 표면품위가 저하하지 않도록 내후성(耐候性)이 뛰어나고, 또 경량화할 수 있게 밀도가 낮은 것도 요구된다.
또한, CCD 용도에서는, 커버 유리 중에 방사성 동위원소인 U(우라늄)나 Th(토륨)가 함유되면, 유리로부터 α선이 방출되기 쉽고, 그 방출량이 많으면 소프트 에러를 야기하기 때문에, U, Th를 가능한 한 함유하지 않는 것이 요구되고 있다. 그 때문에 CCD 커버 유리의 제조시에는, 고순도 원료를 채용하거나, 원료를 용융하는 용융조의 내벽을, 방사성 동위원소가 적은 내화물(耐火物)이나 백금으로 형성하는 등의 대책이 채용되고 있다. 예를 들면 하기의 특허문헌 1∼3에는, 방사성 동위원소를 감소하고, α선 방출량을 저감한 고체촬상소자 패키지용 커버 유리가 제안되어 있다.
특허문헌 1: 일본특허 제2660891호 공보
특허문헌 2: 일본 특허공개 평6-211539호 공보
특허문헌 3: 일본 특허공개 평7-215733호 공보
상기한 바와 같이, 고체촬상소자 패키지용 커버 유리의 사용량은, 용도의 확대나, 화상 데이터 이용의 전개에 의해, 급격하게 증가하고 있다. 그런데, 종래의 고체촬상소자 패키지용 커버 유리는, 다음과 같은 방법으로 제작되기 때문에, 표면품위가 나쁘고, 또 대량생산에는 맞지 않다. 즉, 고체촬상소자 패키지용 커버 유리를 제작할 경우, 우선 유리 원료를 용융조에서 용융하고, 탈포·맥리 제거를 행해서 균질화한 후, 유리 용융액을 틀에 넣어서 주입 성형하거나, 또는 유리 용융액을 연장판 상에 연속적으로 인출하여 소정의 형상으로 성형한다. 이어서, 얻어진 유리 성형체(유리 잉곳)을 서냉하고, 이것을 일정한 두께로 잘라낸 후, 그 표면에 연마 가공을 행함으로써 소정 두께의 대판유리를 형성하고, 이것을 소정 치수로 세단(細斷)가공한다. 이와 같이, 고체촬상소자 패키지용 커버 유리의 투광면은, 양면 모두 연마 가공이 실시되지만, 연마됨으로써, 표면에 무수한 미세한 요철(미소상처)이 형성된다. 한편, 최근, 고체촬상소자는, 점점 더 고화소화, 소형화가 기도되고 있고, 이것에 따라 1소자당의 수광량이 감소하는 경향이 있지만, 커버 유리의 투광면을 연마함으로써 형성되는 미세한 요철에 의해 입사광이 산란하기 쉬워져, 일부의 소자에의 수광량이 부족되고, 그 결과, 소자에 오작동이 발생하는 것이 걱정되고 있다.
또한 고체촬상소자 패키지용 커버 유리는, 유리 중에 이물이나 기포가 혼입되거나, 표면에 먼지 등이 부착되면, 양호한 표시화상을 얻을 수 없고, 이것은 커버 유리로서 치명적인 결함이 되기 때문에, 커버 유리를 출시하기 전에는 반드시 화상검사가 행하여진다. 그러나, 상기한 바와 같이, 커버 유리의 투광면에는 무수한 미세한 요철이 형성되기 때문에, 화상검사시, 커버 유리의 투광면의 요철에 기인해서 조사광이 굴절되고, 밝게 보이는 부분과 어둡게 보이는 부분이 혼재하게 되어, 이물이나 먼지 등의 유무를 정확하게 검지할 수 없는 일이 있다.
또한 커버 유리의 투광면에 대하여, 매우 정밀하고 장시간에 걸친 연마 가공을 실시함으로써, 요철을 보다 작게 하는 것은 가능하지만, 이러한 정밀연마는 대량생산에는 맞지 않아서, 급격한 수요증가에 따르기 위해서는, 대폭적인 설비의 증설이 필요하다. 또한, 이 정밀연마가공은, 인공피혁을 구비한 회전연마 가공기에 의해, 산화세륨 등의 유리(遊離) 숫돌가루를 물 등에 분산시킨 슬러리를 자동 공급하면서 행하지만, 연마에 의해 발생한 유리가루가 인공피혁 속에 들어가서 인공피혁의 일부에 돌기부가 형성되는 일이 있다. 이 유리가루에 의해 형성된 인공피혁의 돌기부는, 연마시에 커버 유리의 표면을 깎아내어, 부분적으로 홈을 형성하는 원인이 된다. 그리고, 이 종류의 홈은, 비교적 넓고, 얕은 형상을 갖고 있기 때문에, 전자기기에 의한 화상검사 공정에서 못보고 누락되는 일이 있고, 그러한 커버 유리가, 고체촬상장치에 탑재되면, 표시 화상에 검은 줄로 되어서 드러난다. 또한 유리 숫돌가루로서 사용되는 산화세륨에는, 불순물로서 Th가 함유되어 있고, 연마한 후, 커버 유리에 부착된 산화세륨을 완전히 제거하지 않으면, 이것이 α선원이 되는 가능성도 있다.
상기와 같은 생산성을 손상하는 정밀한 연마나, 연마를 행함으로써 발생하는 고체촬상소자 특성에의 악영향은, 연마를 실시하고 있는 한, 어느 정도는 피할 수 없는 문제이다.
도 1은, 실시예에 따른 반도체 패키지용 커버 유리를 나타내는 사시도이다.
도 2는, 오버플로우 다운드로우법에 의해 판형상 유리를 성형하는 방법을 나타내는 설명도이다.
도 3은, 레이저 스크라이브에 의해 대판유리를 세단가공하는 방법을 나타내는 설명도이다.
본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 반도체 패키지용 커버 유리의 투광면을 연마하는 일없이 평활하게 함으로써, 연마에 따르는 각종 문제를 해소하는 것을 기술적 과제로 한다.
상기의 기술적 과제를 해결하기 위해서 된 본 발명의 반도체 패키지용 커버 유리는, 투광면이 무연마면이며, 그 표면조도(Ra)가 1.0nm이하인 것을 특징으로 한다. 여기에서, 「Ra」는, JIS B0601-1994에서 정의된 산술평균조도(arithmetical mean roughness)이다.
또한 본 발명의 반도체 패키지용 커버 유리는, 다운 드로우법 또는 플로트법으로 성형되어, 투광면의 표면조도(Ra)가 1.0nm이하인 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명의 반도체 패키지용 커버 유리는, 질량%로, SiO2 52∼70%, Al2O3 5∼20%, B2O3 5∼20%, 알칼리 토류금속 산화물 4∼30%, ZnO 0∼5%의 기본조성을 함유하고, 실질적으로 알칼리 금속 산화물을 함유하지 않고, 30∼380℃의 온도범위에 있어서의 평균 열팽창계수가 30∼85×10-7/℃, 액상온도에 있어서의 유리 점도가 105.2dPa·s이상인 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명의 반도체 패키지용 커버 유리는, 질량%로, SiO2 58∼75%, Al2O3 0.5∼15%, B2O3 5∼20%, 알칼리 금속 산화물 1∼20%, 알칼리 토류금속 산화물 0∼20%, ZnO 0∼10%의 기본조성을 함유하고, 30∼380℃의 온도범위에 있어서의 평균 열팽창계수가 30∼85×10-7/℃, 액상온도에 있어서의 유리 점도가 105 .2dPa·s이상인 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명의 반도체 패키지용 커버 유리의 제조방법은, 적어도 내벽이 내화물로 형성되어 이루어지는 용융조에 유리 원료를 투입하고, 용융한 후, 다운드로우법 또는 플로트법으로 판형상으로 성형하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 반도체 패키지용 커버 유리는, 투광면이 무연마면이며, 그 표면조도(Ra)가 1.0nm이하이기 때문에, 입사광의 산란에 기인하는 소자의 오동작을 억제하고, 또 화상검사에서 이물이나 먼지 등의 유무를 정확하게 검지할 수 있어, 흑 라인과 같은 표시 불량을 방지하는 것이 가능하다. 또한, 정밀 연삭연마 가공공정을 생략할 수 있기 때문에, 저렴하게 대량생산할 수 있고, 또한 연마가 불필요하여 유리 숫돌가루를 사용하지 않기 때문에, 산화세륨에 기인하는 α선의 방출을 방지할 수 있다.
또한 본 발명의 반도체 패키지용 커버 유리의 제조방법에 의하면, 백금 찌꺼기가 적고, 투광면이 무연마면이고, 표면조도(Ra)가 1.0nm이하의 반도체 패키지용 커버 유리를 용이하게 제조할 수 있다.
본 발명의 반도체 패키지용 커버 유리는, 투광면이 무연마면이며, 그 표면조도(Ra)가 1.0nm이하이다. 이러한 표면품위가 높은 커버 유리는, 다운드로우법이나 플로트법에 의해 성형하는 것이 가능하다. 다운드로우법으로서는, 오버플로우 다운드로우법이나 슬롯 다운드로우법이 적합하지만, 특히 오버플로우 다운드로우법의 경우에는, 유리 표면이 자유표면이며, 다른 부재와 접촉할 일이 없고, 용융조건이나 성형조건을 제어함으로써, 원하는 두께(반도체 패키지용 커버 유리의 경우에는, 0.05∼0.7mm)를 갖고, 표면평활성이 우수한 판유리를 얻을 수 있기 때문에 바람직하다. 즉, 오버플로우 다운드로우법을 채용하면, 표면(투광면)을 연마가공하는 일없이, 평활한 표면을 얻을 수 있기 때문에, 연마에 의한 미소상처를 형성하는 일없이 표면조도(Ra)가 1.0nm이하, 0.5nm이하, 또한 0.3nm이하의 커버 유리를 제작하는 것이 가능하다. 이렇게 커버 유리의 투광면의 표면조도(Ra)가 작아질수록 커버 유리의 투광면의 산란광에 기인하는 소자의 오동작의 발생률이 저하하고, 또 이물 등을 검지하는 화상검사의 정밀도가 향상된다. 또, 표면조도(Ra)는, 표면평활성의 품위를 나타내는 것이며, JIS B0601에 기초하는 시험방법을 적용함으로써 측정할 수 있다.
또한 플로트법으로서는, 용융 유리를, 환원 분위기중에서 용융한 금속 주석욕 상에 공급해서 판형상으로 성형하는 방법이나, 지지체 상에 용융 유리를 공급하고, 지지체와 유리를 증기막 형성제를 기화한 증기막의 박층을 개재해서 서로 슬라이딩시켜서 판형상으로 성형하는 방법(일본 특허공개 평9-295819호, 일본 특허공개2001-192217호 등 참조)을 사용할 수 있다. 또, 플로트법으로 성형된 커버 유리는, 다운드로우법으로 성형된 커버 유리에 비해서 표면품위가 떨어지기 때문에, 필요에 따라서 연마 가공을 실시해도 좋다. 다만, 이 경우에도, 연마 시간을 짧게 해서 생산성의 저하를 가능한 한 적게 해야 하며, 또 연마를 행함으로서 발생하는 고체촬상소자 특성에의 악영향도 가능한 한 적게 해야 한다.
또한 본 발명의 반도체 패키지용 커버 유리는, 액상온도에 있어서의 유리의 점도(액상점도)가 105 .2dPa·s이상이면, 유리중에 실투물이 발생하기 어렵고, 다운드로우법에 의한 성형이 가능하다. 즉, SiO2-Al2O3-B2O3-RO(또는 R2O)계 유리기판을, 다운드로우법으로 성형할 경우, 성형 부분에 있어서의 유리의 점도는, 약 105 .2dPa·s에 해당한다. 그 때문에 유리의 액상점도가 105 .2dPa·s 부근, 또는 그 이하이면, 성형된 유리에 실투물이 발생하기 쉽다. 유리 중에 실투물이 발생하면, 투광성이 손상되기 때문에 커버 유리로서는 사용할 수 없게 된다. 따라서, 다운드로우법으로 유리를 성형할 경우, 유리의 액상점도는, 가능한 한 높은 것이 바람직하고, 반도체 패키지용 커버 유리로서는, 액상점도가 105 .2dPa·s이상인 것이 필요하다. 액상점도는, 105 .4dPa·s이상인 것이 바람직하고, 또한 105 .8dPa·s이상인 것이 보다 바람직하다.
또한 본 발명의 반도체 패키지용 커버 유리는, 30∼380℃의 온도범위에 있어서의 평균 열팽창계수를 30∼85×10-7/℃로 함으로써, 유기수지나 저융점 유리로 이루어지는 접착재를 이용하여 알루미나 패키지(약 70×10-7/℃)나 각종 수지 패키지와 봉착해도, 내부에 비뚤어짐이 발생하지 않고, 장기간에 걸쳐서 양호한 봉착상태를 유지하는 것이 가능하다. 커버 유리의 바람직한 열팽창계수는, 35∼80×10-7/℃, 보다 바람직한 열팽창계수는 50∼75×10-7/℃이다.
또한 본 발명의 반도체 패키지용 커버 유리는, α선 방출량을 0.01c/㎠·hr이하로 규제함으로써, α선에 기인하는 고체촬상소자의 소프트 에러의 저감을 꾀할 수 있다. 이와 같이 α선 방출량을 0.01c/㎠·hr이하로 하기 위해서는, 원료나 용융조로부터의 불순물의 혼입을 방지하고, 유리중의 U량을 10ppb이하, Th량을 20ppb이하로 억제하는 것이 바람직하다. 고체촬상소자는, 고화소화, 소형화에 따라 α선에 기인하는 소프트 에러가 발생하기 쉽게 되어 있기 때문에, 커버 유리의 α선 방출량은, 0.005c/㎠·hr이하로 하는 것이 바람직하고, 또한 0.003c/㎠·hr이하로 하는 것이 바람직하다. 또한 U량은 5ppb이하, Th량은 10ppb이하, 또한, U량은 4ppb이하, Th량은 8ppb이하로 하는 것이 바람직하다. 또, U는 Th에 비하여 α선을 방출하기 쉽기 때문에, U의 허용량은 Th의 허용량에 비하여 적게 된다.
또한 본 발명의 반도체 패키지용 커버 유리는, 유리의 밀도가 2.55g/㎤이하 (바람직하게는 2.45g/㎤이하), 알칼리 용출량이 1.0mg이하(바람직하게는 0.1mg이하, 보다 바람직하게는 0.01mg이하)이면, 특히 옥외에서 사용하는 휴대용 전자기기에 탑재되는 용도에 바람직하다.. 즉, 비디오 카메라, 디지털 스틸 카메라, 휴대전화, PDA(Personal Digital Assistant) 등의 기기는, 옥외에서 사용되는 일이 있기 때문에, 경량이고 운반에 적합하고, 높은 내후성을 갖는 것이 요구된다. 따라서, 이들 용도로 사용되는 고체촬상소자 패키지용 커버 유리는, 경량이라는 특성에 더해, 안정된 내후성을 갖고, 옥외에서 가혹한 환경하에서 사용되어도 표면품위가 저하하지 않는다고 하는 특성을 아울러 갖는 것이어야 한다. 그 때문에 특히 이 용도로 사용되는 커버 유리에는, 유리의 밀도를 저하함으로써 경량화하거나, 알칼리 용출량을 적게 함으로써 내후성을 향상하는 것이 기대된다.
또한 본 발명의 반도체 패키지용 커버 유리는, 두께가 0.05∼0.7mm인 것이 바람직하다. 두께가 커질수록 투과율이 저하되고, 또 기기의 경량화, 박형화가 곤란하게 되기 때문에 바람직하지 못하다. 또한 두께가 지나치게 얇아지면 실용 강도가 부족되거나, 대판유리의 휨이 커져서 취급이 곤란하게 된다. 보다 바람직한 두께는, 0.1∼0.5mm, 더욱 바람직한 두께는, 0.1∼0.4mm이다.
또한 본 발명의 반도체 패키지용 커버 유리는, 영율이 65GPa이상, 67GPa이상인 것이 더욱 바람직하다. 영율은 커버 유리가 일정한 외력을 받은 상태에서 얼마만큼 변형되기 쉬워지는지를 나타내고 있고, 영율이 클수록 커버 유리는 변형되기 어려워진다. 커버 유리의 영율이 높을수록 반도체소자에 직접 압력이 가해지는 것을 방지하고, 결과적으로 소자의 손상을 방지할 수 있다.
또한 본 발명의 반도체 패키지용 커버 유리는, 커버 유리의 비 영율(영율/밀도)이 27GPa/g·㎝- 3이상이면, 경량이고 또한 변형되기 어렵다고 하는 특성을 만족하는 것으로 되기 때문에, 특히 휴대용 전자기기에 사용되는 고체촬상소자용 커버 유리로서 바람직하다. 이러한 관점으로부터, 고체촬상소자용 커버 유리의 비영율은, 가능한 한 큰 것이 기대되어, 28GPa/g·cm- 3이상인 것이 바람직하다.
또한 본 발명의 반도체 패키지용 커버 유리는, 비커스 경도가 500이상이면, 표면에 상처가 나기 어렵기 때문에 바람직하다. 그 이유는, 전자기기의 조립공정이나 반송공정 등에서 커버 유리의 표면에 미소한 상처가 형성되면, 고체촬상소자에 탑재된 후의 화상검사 공정에서 불량이 되기 때문이다. 보다 바람직한 비커스경도는 520이상이다.
본 발명에 있어서, 특히 내후성을 고려하면, 질량%로, SiO2 52∼70%, Al2O3 5∼20%, B2O3 5∼20%, 알칼리 토류금속 산화물 4∼30%, ZnO 0∼5%의 기본조성을 함유하고, 실질적으로 알칼리금속 산화물을 함유하지 않는 커버 유리가 바람직하다. 이러한 조성을 갖는 커버 유리는, 알칼리 용출량이 0.01mg미만이 되기 때문에, 내후성이 뛰어나, 장시간 사용해도 외관품위가 저하하지 않는다고 하는 이점이 있다. 또, 본 발명에 있어서 「실질적으로 함유하지 않는」이란, 그 성분의 함유량이 2000ppm 미만인 것을 뜻하고 있다. 또한 알칼리 용출량은, JIS R3502에 근거하는 시험방법을 적용함으로써 측정할 수 있다.
상기 커버 유리를 구성하는 각 성분의 한정 이유를 이하에 설명한다.
SiO2는 유리를 구성하는 골격이 되는 주성분이며, 유리의 내후성을 향상하는데도 효과가 있지만, 지나치게 많아지면, 유리의 고온점도가 상승하고, 용융성이 악화됨과 아울러, 액상점도가 높아지게 되는 경향이 있다. 따라서, SiO2의 함유량은 52∼70%, 바람직하게는 53∼67%, 보다 바람직하게는 55∼65%이다.
Al2O3은, 유리의 내후성과 액상점도를 높이는 성분이지만, 지나치게 많아지면, 유리의 고온점도가 상승하고, 용융성이 악화되는 경향이 있다. 따라서, Al2O3의 함유량은 5∼20%, 바람직하게는 8∼19%, 보다 바람직하게는 10∼18%이다.
B2O3은, 용융제로서 작용하고, 유리의 점성을 낮추고, 용융성을 개선하는 성분이다. 또한, 액상점도를 높이기 위한 성분이다. 그러나, B2O3가 지나치게 많아지면, 유리의 내후성이 저하되는 경향이 있다. 따라서, B2O3의 함유량은 5∼20%, 바람직하게는 6∼15%, 보다 바람직하게는 7∼13%이다.
알칼리 토류금속 산화물(Mg0, Ca0, Sr0, Ba0)은, 유리의 내후성을 향상시킴과 아울러, 유리의 점성을 낮추고, 용융성을 개선하는 성분이지만, 지나치게 많아지면 유리가 실투하기 쉬워짐과 아울러 밀도가 상승하는 경향이 있다. 따라서, 알칼리 토류금속 산화물의 함유량은 4∼30%, 바람직하게는 5∼20%, 보다 바람직하게는 6∼16%이다.
특히 CaO는, 비교적 용이하게 고순도 원료를 입수할 수 있고, 유리의 용융성과 내후성을 현저하게 개선하는 성분이다. CaO의 함유량이 1.5%보다 적은 경우에는 상기 효과가 작고, 반대로 15%를 초과하는 경우는 내후성이 저하된다. 보다 안정된 품위를 실현하기 위해서는, CaO의 함유량을 2∼12%, 3∼10%로 하는 것이 보다 바람직하다.
또한 BaO와 SrO는, 유리의 밀도를 현저하게 상승시키기 때문에, 밀도를 저하하고 싶은 경우에는, 각각의 함유량을 12%이하, 10%이하로 규제하고, 또한 양자의 함유량을 합계량으로 6.5∼13%로 규제하는 것이 바람직하다. 또한 BaO와 SrO는, 원료 중에 방사성 동위원소를 함유하기 쉽기 때문에, α선 방출량을 저감하고 싶은 경우에는, 양자의 함유량을 합계량으로 8.5%이하, 바람직하게는 3%이하, 보다 바람직하게는 1.4%이하로 규제해야 한다.
ZnO는, 유리의 용융성을 개선하고, 용융 유리로부터, B2O3나 알칼리 토류금속 산화물이 휘발되는 것을 억제하는 효과를 갖지만, 다량으로 함유되면, 유리가 실투하기 쉬워져, 밀도가 상승하기 때문에 바람직하지 못하다. 따라서, 그 함유량의 상한은 5%이하, 바람직하게는 3%이하, 더욱 바람직하게는 1%이하이다.
단, 알칼리금속 산화물(Na2O, K2O, Li2O)을 함유하면, 유리로부터의 알칼리 용출량이 증가하고, 내후성이 저하하기 때문에, 그 함유량을 0.2%미만으로 억제하는 것이 바람직하다. 보다 안정된 내후성을 실현하기 위해서는, 알칼리 금속 산화물의 함유량을 0.1%미만, 또한 0.05%미만으로 억제하는 것이 바람직하다.
또한 유리 중의 알칼리금속 산화물이 적으면, 이것을 패키지에 봉착하기 하기 위한 접착제의 열화를 억제할 수 있다고 하는 이점도 있다. 즉, 고체촬상소자 패키지용 커버 유리는, 유기수지(예를 들면 에폭시수지)를 이용하여 접착되는 것이 많지만, 커버 유리 중에 알칼리 성분이 함유되어 있으면, 알칼리 성분이 서서히 접착제에 용출된다. 에폭시수지 등의 유기수지는, 알칼리 성분에 의해 접착성이 저하된다고 하는 성질이 있기 때문에, 커버 유리와 패키지 사이의 접착강도가 서서히 저하되기 쉬워진다. 그 결과, 양자 사이에 간극이 생기거나, 커버 유리가 박리되어, 고체촬상소자를 보호한다고 하는 소기의 목적을 달성할 수 없게 되는 일이 있다.
또한 본 발명에 있어서, 특히 제조면을 고려하면, 질량%로 SiO2 58∼75%, Al2O3 0.5∼15%, B2O3 5∼20%, 알칼리 금속 산화물 1∼20%, 알칼리 토류금속 산화물 0∼20%, ZnO 0∼10%의 기본조성을 함유하는 커버 유리가 바람직하다. 이러한 조성을 갖는 커버 유리는, 용융성이 향상되어 액상 점도의 조정이 용이하다.
상기 커버 유리를 구성하는 각 성분의 한정 이유를 이하에 설명한다.
SiO2는, 유리를 구성하는 골격이 되는 주성분이며, 유리의 내후성을 향상하는데도 효과가 있지만, 지나치게 많아지면, 유리의 고온점도가 상승하여 용융성이 악화됨과 아울러, 액상 점도가 높아지는 경향이 있다. 따라서, SiO2의 함유량은 58∼75%, 바람직하게는 58∼72%, 보다 바람직하게는 60∼70%, 가장 바람직하게는 6.0∼68.5%이다.
Al2O3는, 액상 점도를 높이기 위해서 필수적인 성분이지만, 지나치게 많아지면 유리의 고온 점도가 상승하고, 용융성이 악화되는 경향이 있다. 따라서, Al2O3의 함유량은 0.5∼15%, 바람직하게는 1.1∼12%, 보다 바람직하게는 3.5∼12%, 가장 바람직하게는 6∼11%이다.
B2O3는, 용융제로서 작용하고, 유리의 점성을 낮추고, 용융성을 개선하는 성분이다. 또한 액상 점도를 높이기 위한 성분이다. 그러나, B2O3가 지나치게 많아지면, 유리의 내후성이 저하되는 경향이 있다. 따라서, B2O3의 함유량은 5∼20%, 바람직하게는 9∼18%, 보다 바람직하게는 11∼18%, 가장 바람직하게는 12∼18%이다.
알칼리 금속 산화물(Na2O, K2O, Li2O)은, 유리의 점성을 낮추고, 용융성을 개선함과 아울러, 열팽창계수와 액상 점도를 효과적으로 조정하는 성분이지만, 다량으로 함유되면 유리의 내후성이 현저하게 악화된다. 따라서, 알칼리금속 산화물의 함유량은 1∼20%, 바람직하게는 5∼18%, 보다 바람직하게는 7∼13%이다.
특히 Na2O는 열팽창계수를 조정하는 효과가 크고, 또 K2O는 액상점도를 향상하는 효과가 크다. 그 때문에 Na2O와 K2O를 병용하면 높은 액상 점도를 유지하면서, 열팽창계수를 조정할 수 있다. 따라서, Na2O의 함유량은 0.1∼11%, K2O의 함유량은 0.1∼8%가 바람직하고, 또 양자를 병용하는 경우에는 합계량으로 7.6∼18% 함유시키는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서는, (Na2O+K2O)/Na2O의 비가 1.1∼10이 되도록 규제하면, 높은 액상 점도가 얻어지기 쉽다. 이 (Na2O+K2O)/Na2O의 비는 1.1∼5인 것이 바람직하고, 1.2∼3인 것이 보다 바람직하다.
또한 본 발명에 있어서는, SiO2를 저감하고, Al2O3와 K2O를 증가할 수록, 액상 점도가 상승하는 경향이 있고, SiO2/(Al2O3+K2O) 의 비를 3∼12, 바람직하게는 4∼10이 되도록 규제하면, 유리의 내후성과 용융성을 유지하면서, 높은 액상 점도를 얻는 것이 가능하다.
다만, Li2O는, 원료에 방사성 동위원소를 함유하기 쉽기 때문에, 그 함유량을 0∼5%, 바람직하게는 0∼3%, 보다 바람직하게는 0∼1%, 가장 바람직하게는 0∼0.5%로 규제해야 한다.
알칼리 토류금속 산화물(Mg0, Ca0, Sr0, Ba0)은, 유리의 내후성을 향상시킴과 아울러, 유리의 점성을 낮추고, 용융성을 개선하는 성분이지만, 지나치게 많아지면 유리가 실투하기 쉬워짐과 아울러 밀도가 상승하는 경향이 있다. 따라서, 알칼리 토류금속 산화물의 함유량은 0∼20%, 바람직하게는 0.5∼18%, 보다 바람직하게는 1.0∼18%이다.
특히 CaO는, 비교적 용이하게 고순도 원료를 입수할 수 있고, 유리의 용융성과 내후성을 현저하게 개선하는 성분이며, 0.5∼10%, 또한 1∼8% 함유시키는 것이 바람직하다. 단, BaO와 SrO는, 밀도를 상승시키기 쉽기 때문에, 밀도를 저하하고 싶은 경우는 이들의 함유량을 합계량으로 13%이하, 바람직하게는 10%이하, 더욱 바람직하게는 7%이하로 규제해야 한다. 또한 BaO와 SrO는, 원료 중에 방사성 동위원소를 함유하기 쉽기 때문에, α선 방출량을 0.01c/㎠·hr이하로 저감하고 싶은 경우에는, 각각의 함유량을 3%이하, 또한 1.4%이하로 규제하는 것이 바람직하다.
ZnO는, 내후성을 향상하는 효과가 뛰어나고, 또 유리의 용융성을 개선하여, 용융 유리로부터, B2O3나 알칼리금속 산화물이 휘발하는 것을 억제하는데도 효과가 있다. 특히 A12O3의 함유량이 3%이하인 경우에는, 내후성이 현저하게 저하하는 경향이 있기 때문에, ZnO를 2%이상, 또한 4.5%이상 함유시키는 것이 바람직하다. 단, ZnO를 다량으로 함유하면, 유리가 실투하기 쉬워지고, 또 밀도가 상승하기 때문에, ZnO의 함유량은 10%이하, 바람직하게는 9%이하, 보다 바람직하게는 6%이하로 억제해야 한다.
또한, 본 발명에 있어서는, 상기 성분 이외에도, 유리의 특성을 손상하지 않는 범위에서, P2O5, Y2O3, Nb2O3, La2O3 등의 성분을 5%이하 함유시키거나, 각종 청징제를 3%까지 함유시킬 수 있다. 청징제로서는, Sb2O3, Sb2O5, F2, Cl2, C, SO3, SnO2,또는 Al, Si 등의 금속분말의 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다.
As2O3는, 폭넓은 온도영역(1300∼1700℃정도)에서 청징가스를 발생시킬 수 있기 때문에, 종래부터 이 종류의 유리의 청징제로서 널리 이용되고 있지만, 원료 중에 방사성 동위원소를 함유하기 쉽다. 또한, As2O3은 독성이 매우 강하고, 유리의 제조공정이나 폐유리의 처리시 등에 환경을 오염시킬 가능성이 있다. 따라서, As203는 실질적으로 함유하지 않도록 해야 한다. 또한 PbO, CdO도 독성이 강하기 때문에 사용을 피해야 한다. 또한, Sb2O3, Sb2O5도, As2O3와 같이 청징효과가 우수한 성분이지만, 역시 독성이 강하기 때문에 가능한 한 함유하지 않는 것이 바람직하다.
따라서, 본 발명에 있어서의 SiO2-Al2O3-B2O3-RO계 유리의 경우에는, 청징제로서 Sb2O3와 Sb2O5가 합계량으로 0.05∼2.0%, F2, Cl2, SO3, C, SnO2가 합게량으로 0.1∼3.0%(특히 Cl2 0.005∼1.0%, SnO2 0.01∼1.0%)의 비율이 되도록 사용하는 것이 바람직하다. 또한 SiO2-Al2O3-B2O3-R2O계 유리의 경우에는, 용융성이 우수하기 때문에, Sb2O 3와 Sb2O5가 합계량으로 0.2%이하, F2, Cl2, SO3, C, SnO2가 합계량으로 0.1∼3.0%의 비율이 되도록 함유시키는 것이 바람직하다.
또한 Fe2O3도, 청징제로서 사용할 수 있지만, 유리를 착색하기 때문에 그 함유량은 500ppm이하, 바람직하게는 300ppm이하, 보다 바람직하게는 200ppm이하로 규제해야 한다. CeO2도 청징제로서 사용할 수 있지만, 유리를 착색하기 때문에 그 함유량은 2%이하, 바람직하게는 1%이하, 보다 바람직하게는 0.7%이하로 규제해야 한다. TiO2는, 유리의 내후성을 개선하고, 고온 점도를 저하시키는 효과를 갖지만, Fe2O3에 의한 착색을 조장하기 때문에 다량으로 함유하는 것은 바람직하지 못하다. 단, Fe2O3가 200ppm이하이면, 5%까지 함유시킬 수 있다. ZrO2는 내후성을 향상하는 성분이지만, 원료에 방사성 동위원소를 함유하기 쉽기 때문에, 그 함유량은 0∼2%, 바람직하게는 0∼0.5%, 보다 바람직하게는 500ppm이하로 규제해야 한다.
본 발명의 반도체 패키지용 커버 유리는, 상기의 기본조성을 가지면서, 고순도 원료와, 불순물이 혼입하기 어렵도록 정비된 용융 환경을 채용함으로써, U, Th, Fe2O3, PbO, TiO2, MnO2, ZrO2 등의 함유량을 정밀하게 제어하는 것이 가능하다. 특히 자외선 근방의 투과율에 영향을 미치는 Fe2O3, PbO, TiO2, MnO2에 대해서는, 각각 1∼100ppm 오더로 관리하는 것이 가능하며, α선에 의한 CCD소자의 소프트 에러의 원인이 되는 U, Th에 대해서는, 각각 0.1∼10ppb의 오더로 관리하는 것이 가능하다. 또한, CCD는 α선에 의해 소프트 에러를 일으키기 쉽고, 요즘에는 커버 유리로부터의 α선 방출량을 0.005c/㎠·h 미만으로 하는 것이 바람직하지만, CMOS의 경우에는, α선에 의한 소프트 에러는 일어나기 어렵고, 커버 유리로부터의 α선 방출량이 0.5c/㎠·h미만이면 사용할 수 있다. 따라서, CM0S용 커버 유리를 제작할 경우에는, 반드시 고순도 원료를 사용할 필요가 없고, 또 용융시에 있어서의 U, Th의 혼입을 저감할 필요도 없다.
다음에 본 발명의 제조방법의 일례로서, α선 방출량이 적은 반도체 패키지용 커버 유리를 제조하는 방법을 설명한다.
우선, 원하는 조성을 갖는 유리가 되도록 유리 원료 조합물을 준비한다. 유리 원료는, U, Th 등의 불순물이 적은 고순도 원료를 사용한다. 보다 구체적으로는, U와 Th의 함유량이 각각 5ppb이하의 고순도 원료를 사용한다. 이어서, 조합한 유리 원료를 용융조에 투입해서 용융한다. 용융조는, 백금용기(백금 로듐 용기를 포함함)을 사용해도 좋지만, 유리중에 백금 찌꺼기가 혼입되기 쉬워지기 때문에, 적어도 용융조의 내벽(천장, 측면, 바닥면)은, U, Th가 적은 내화물로 제작하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 알루미나 내화물(예를 들면 알루미나질 전기주조 벽돌)이나 석영 내화물(예를 들면 실리카 블록)이, 침식하기 어렵고, 또한 U, Th의 함유량을 각각 1ppm이하로 할 수 있고, U, Th의 유리에의 용출이 적기 때문에 바람직하다. 이어서, 용융 유리의 균질화(탈포·맥리 제거)를 청징조에서 행한다. 이 청징조는 내화물이나 백금으로 제작하면 좋다. 또한, 일반적으로 지르코니아 내화물은, 매우 내침식성이 우수한 반면, 방사성 동위원소를 많이 함유하기 때문에, 사용을 피해야 하지만, 지르코니아 내화물 중의 불순물량을 저감하고, U, Th의 함유량을 각각 1ppm이하로 하면, 이것을 용융조의 내벽에 사용하여, α선 방출량이 적은 반도체 패키지용 커버 유리를 제조하는 것은 가능하다.
그 후에 균질화 된 용융 유리를 다운드로우법으로 판형상으로 성형하고, 원하는 두께를 갖는 판유리를 얻는다. 다운드로우법으로서는, 오버플로우 다운드로우법이나 슬롯 다운드로우법을 사용할 수 있다. 이와 같이 해서 얻어진 판유리를 소정의 치수로 세단가공하고, 필요에 따라서 모따기 가공함으로써 커버 유리를 제작한다.
이하, 실시예에 의거하여 본 발명의 패키지용 커버 유리를 설명한다.
도 1은, 실시예에 따른 반도체 패키지용 커버 유리(10)을 나타내고 있다. 이 반도체 패키지용 커버 유리(10)는, 판두께 방향으로 서로 대향하는 제1투광면(10a) 및 제2투광면(10b)과, 둘레가장자리를 구성하는 측면(10c)을 구비한 판형상 유리이다. 이 커버 유리(10)의 치수는, 14×16×0.5mm이며, 제1투광면(10a) 및 제2투광면(10b)은 무연마면이며, 그 표면조도(Ra)는 모두 0.5nm 이하이다. 또 도면에 나타내는 것은 생략하지만, 측면(10c)은, 모따기 형상을 가지고 있다.
다음에 상기 반도체 패키지용 커버 유리의 제조방법과 그 성능의 평가시험의 결과에 관하여 설명한다.
판형상 유리의 최초의 제조공정은, 한변이 500mm이상의 대판유리를 제작하는 공정이다. 상기한 바와 같이, 표면품위가 우수한 판형상 유리를 성형하기 위해서는, 오버플로우 다운드로우법이 가장 바람직하다. 오버플로우 다운드로우법이란, 도 2에 나타내는 바와 같이 내화물로 이루어지는 홈통(11)에 용융 유리(12)를 흘리고, 홈통(11)의 양측으로부터 넘쳐 나온 용융 유리(12)를 홈통(11)의 저부에서 융합시켜, 판형상으로 해서 하방으로 이동시키는 방법이다. 이 방법에 의하면, 용융 유리의 자유표면이 판형상 유리의 표리면을 형성하기 때문에, 평활성이 우수한 대판 유리(13)가 얻어진다. 또한 용융 조건과 성형 조건을 제어함으로써, 두께 0.05∼0.7mm이고, 표면조도(Ra)가 1.0nm이하인 대판 유리(13)를 용이하게 성형할 수 있다. 그 때문에 대판 유리(13)의 표면을 연마하는 일없이, 소정의 크기로 세단가공 하는 것만으로 반도체 패키지용 커버 유리를 제작하는 것이 가능하다.
이 대판 유리(13)를 세단하는 방법으로서는, 메커니컬 스크라이브나 레이저 스크라이브를 이용할 수 있다. 레이저 스크라이브란, 우선 열가공 레이저 절단장치를 사용하여 판두께 방향의 약 20%의 두께까지 대판 유리의 한쪽 면 상에, 레이저 빔 이동속도 180±5mm/sec, 혹은 220±5mm/sec, 레이저 출력 120±5W, 혹은 160±5W의 조건으로 바둑판 눈금상의 가공을 실시한다. 이어서, 도 3에 개념적으로 나타내는 바와 같이 대판 유리(13)의 가공면(13a)에 대하여, 그 반대측으로부터 금속제의 라인형상 헤드(14)를 작동방향(M)으로 이동시키고, 동시에 대판 유리(13)의 가공면(13a)측을 지그(도시생략)로 누름으로써, 대판 유리(13)의 가공면(13a)에 응력을 가해서 가압분할을 행한다. 이렇게 해서 할단(割斷)을 행함으로써, 바둑판 눈금모양으로 형성된 예정선을 따라서 분할된 직사각형상의 판형상 유리가 얻어진다. 이와 같이 하여 가압분할 가공된 직사각형상의 판형상 유리는, 각각 진공 핀셋(도시생략)을 이용해서 다음 공정으로 반송된다. 그리고, 직사각형상의 판형상 유리를 다시 가압분할 가공함으로써, 소정의 종횡 치수를 갖는 커버 유리가 얻어진다.
표 1은, SiO2-Al2O3-B2O3-RO계 유리로 이루어지는 본 발명의 패키지용 커버 유리의 실시예(시료No.1∼5)를 나타내는 것이다.
표 1의 유리 시료는, 이하와 같이 해서 제작했다. 우선, 표 1의 조성으로 되도록 조제한 유리 원료를 백금 로듐 도가니에 넣고, 교반기능을 갖는 전기용융로 속에서 1600℃, 20시간의 조건으로 용융했다. 이어서, 용융 유리를 카본판 상에 흘려내서 서냉함으로써 유리 시료를 제작하고, 여러가지 특성을 조사했다.
표 1로부터 분명하게 나타나 있는 바와 같이, 어느 유리나 알칼리 용출량이 매우 적고, 또 밀도, 영율, 비영율, 비커스 경도, 열팽창계수에 대해서, 반도체 패키지용 커버 유리에 요구되는 조건을 만족하는 것이다. 또한 액상온도가 1130℃이하, 액상 점도가 105 .2dPa·s이상이기 때문에, 내실투성에 뛰어나고 있었다.
또한 표 2, 표 3은, SiO2-A12O3-B2O3-R2O계 유리로 이루어지는 본 발명의 패키지용 커버 유리의 실시예(시료No.6∼17)를 나타내는 것이다.
표 2, 표 3중의 각 유리 시료는, 다음과 같이 해서 제작했다.
우선, 표의 조성이 되도록 조제한 고순도 유리 원료를, 백금 로듐, 알루미나, 석영 중 어느 하나로 제작된 도가니에 투입하고, 교반기능을 갖는 전기용융로 속에서 1550℃, 6시간의 조건으로 용융하고, 그 용융 유리를 카본판 상에 흘려냈다. 또한, 이 판유리를 서냉하여 유리 시료로 하였다.
표로부터 분명하게 나타나 있는 바와 같이, 각 유리 시료는, 열팽창계수, 밀도, α선 방출량에 대해서, 반도체 패키지용 커버 유리에 요구되는 조건을 만족하는 것이며, 또한 102 .5dPa·s의 점도에 해당하는 온도가 1500℃이하이기 때문에 용융성이 뛰어나고, 액상온도가 884℃이하, 액상 점도가 105 .8dPa·s이상이기 때문에, 내실투성이 뛰어나고 있었다.
또, 표 중의 알칼리 용출량은, JIS R3502에 의거하여 측정했다. 밀도는, 주지의 아르키메데스법에 의해 측정했다. 비영율은, 가네보(주) 제품 비파괴 탄성율 측정장치(KI-11)를 사용하여, 굽힘 공진법에 의해 측정한 영율과 밀도로부터 산출했다. 비커스 경도는 JIS Z2244-1992에 의거하여 측정했다. 열팽창계수는, 디라토미터를 이용하여, 30∼380℃의 온도범위에 있어서의 평균 열팽창계수를 측정했다. 액상온도는, 각 유리 시료를 300∼500㎛의 입경으로 파쇄하고, 이것을 백금 보트에 넣고, 온도구배로 중에 8시간 유지하고나서, 현미경 관찰에 의해, 유리 시료 내부에 실투(결정이물)가 보여진 최고온도를 측정하고, 그 온도를 액상온도라고 했다. 또한 액상온도에 있어서의 유리의 점도를 액상 점도라고 했다. No.11, 12의 유리 시료는, 실투가 보여지지 않아 특히 내실투성에 뛰어나고 있었다. U, Th의 함유량은 ICP-MASS에 의해 측정했다. 또한 변형점, 및 서냉점은, ASTM C336-71의 방법에 준해서 측정하고, 연화점은, ASTM C338-93의 방법에 준해서 측정했다. 104dPa ·s온도, 103dPa·s온도, 및 102 .5dPa·s온도는, 주지의 백금구 인상법에 의해 구했다. 102.5Pa·s온도는, 고온점도인 102. 5포이즈에 상당하는 온도를 측정한 것이며, 이 값이 낮을수록 용융성이 우수하게 된다. α선 방출량은, 초 저레벨 α선 측정장치(스미토모카가쿠사 제품 LACS-4000M)을 이용하여 측정하였다.
또, 표 1∼3의 No.1, 6, 11, 14 및 15의 유리 시료를, 시험용융조(알루미나 내화물제)에서 용융하고, 오버플로우 다운드로우법으로 두께 0.5mm의 판형상으로 성형하고, 그 표면을 연마하는 일없이 레이저 스크라이브로 세단가공을 실시함으로써 세로치수 14mm, 가로치수 16mm의 커버 유리를 제작하였다.
또, 비교를 위하여, 시료No.1의 유리로 되도록 유리 원료를 상기 시험용융조에서 용융한 후, 800×300×300mm의 치수로 거푸집에 부어 성형하고, 줄톱을 사용서 절단함으로써, 판두께 1.5mm의 판형상으로 가공했다. 그 후에 이 판형상 유리의 양면에 회전 연마기를 이용하여 정밀연마 가공을 실시함으로써 대판 유리(두께 0.5mm)를 형성하고, 레이저 스크라이브에 의한 세단가공을 실시해서 세로치수 14mm, 가로치수 16mm의 커버 유리를 제작했다.
이렇게 해서 제작한 각 커버 유리의 표리의 투광면(제1투광면과 제2투광면)의 표면조도(Ra)를, 촉침식 표면조도 측정기 타리스텝(Tayler-Hobson사 제품)을 이용하여 측정했다. 그 결과를 표 4에 니타낸다.
표 4로부터 분명하게 나타나 있는 바와 같이, 실시예의 커버 유리는, 어느 것이나 제1투광면과 제2투광면의 표면조도(Ra)가 0.23nm이하이며, 매우 양호한 평활면을 갖고 있었지만, 비교예의 커버 유리는, 정밀연마 가공을 실시했음에도 불구하고, 표면조도(Ra)가 0.56nm이상이었다. 또한 각 커버 유리의 투광면을 원자간력 현미경(AFM)으로 관찰한 결과, 비교예의 커버 유리에는, 전체면에 걸쳐서 무수한 미소상처가 형성되어 있었지만, 실시예의 커버 유리에는, 그러한 상처는 확인되지 않았다.
본 발명의 패키지용 커버 유리는, 고체촬상소자 패키지용 커버 유리로서 바람직하고, 이외에도, 레이저 다이오드를 수납하는 패키지를 비롯하여, 각종 반도체 패키지의 커버 유리로서 사용할 수 있다. 또한 이 커버 유리는, 30∼380℃의 온도범위에 있어서의 평균 열팽창계수가 30∼85×10-7/℃이기 때문에, 알루미나 패키지 이외에도, 수지, 텅스텐 금속, 코발트 금속, 몰리브덴 금속, 36Ni-Fe 합금, 42Ni-Fe 합금, 45Ni-Fe 합금, 46Ni-Fe 합금, 52Ni-Fe 합금 등으로 제작된 각종 패키지에, 유기수지나 저융점 유리를 이용하여 밀봉부착하는 것이 가능하다.
Claims (30)
- 투광면이 무연마면이며, 그 표면조도(Ra)가 1.0nm이하인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리.
- 제1항에 있어서, 다운드로우법 또는 플로트법으로 성형되어서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리.
- 제2항에 있어서, 다운드로우법이 오버플로우 다운드로우법인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 액상온도에 있어서의 유리 점도가 105 .2dPa·s이상인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 30∼380℃의 온도범위에 있어서의 평균 열팽창계수가 30∼85×10-7/℃인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, α선 방출량이 0.01c/㎠·hr이하인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 알칼리 용출량이 1.0mg이하인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 두께가 0.05∼0.7mm인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 밀도가 2.55g/㎤이하인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 질량%로 SiO2 52∼70%, Al2O3 5∼20%, B2O3 5∼20%, 알칼리 토류금속 산화물 4∼30%, ZnO 0∼5%의 기본조성을 함유하고, 실질적으로 알칼리금속 산화물을 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 질량%로, SiO2 58∼75%, Al2O3 0.5∼15%, B2O3 5∼20%, 알칼리 금속 산화물 1∼20%, 알칼리 토류금속 산화물 0∼20%, ZnO 0∼9%의 기본조성을 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리.
- 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 고체촬상소자를 수납하는 패키지에 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리.
- 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 레이저 다이오드를 수납하는 패키지에 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리.
- 다운드로우법 또는 플로트법으로 성형되어, 투광면의 표면조도(Ra)가 1.0nm 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리.
- 질량%로, SiO2 52∼70%, Al2O3 5∼20%, B2O3 5∼20%, 알칼리 토류금속 산화물 4∼30%, ZnO 0∼5%의 기본조성을 함유하고, 실질적으로 알칼리 금속 산화물을 함유하지 않고, 30∼380℃의 온도범위에 있어서의 평균 열팽창계수가 30∼85×10-7/℃, 액상온도에 있어서의 유리 점도가 105 .2dPa·s이상인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리.
- 제15항에 있어서, 유리로부터의 α선 방출량이 0.01c/㎠·hr이하인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리.
- 제15항 또는 제16항에 있어서, 유리 중의 U함유량이 10ppb이하, Th함유량이 20ppb이하인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리.
- 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 실질적으로 As2O3를 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리.
- 질량%로, SiO2 58∼75%, Al2O3 0.5∼15%, B2O3 5∼20%, 알칼리 금속 산화물 1∼20%, 알칼리 토류금속 산화물 0∼20%, ZnO 0∼10%의 기본조성을 함유하고, 30∼380℃의 온도범위에 있어서의 평균 열팽창계수가 30∼85×10-7/℃, 액상온도에 있어서의 유리 점도가 105 .2dPa·s이상인 것을 특징으로 반도체 패키지용 커버 유리.
- 제19항에 있어서, α선 방출량이 0.01c/㎠·hr이하인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리.
- 제19항 또는 제20항에 있어서, 유리 중의 U함유량이 10ppb이하, Th함유량이 20ppb이하인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리.
- 제19항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 실질적으로 As2O3를 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리.
- 적어도 내벽이 내화물로 형성되어 이루어지는 용융조에 유리 원료를 투입하고, 용융한 후, 다운드로우법 또는 플로트법으로 판형상으로 성형하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리의 제조방법.
- 제23항에 있어서, 다운드로우법이 오버플로우 다운드로우법인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리의 제조방법.
- 제23항 또는 제24항에 있어서, 내화물이, 알루미나 내화물, 석영 내화물, 지르코니아 내화물의 군으로부터 선택된 하나 또는 둘 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리의 제조방법.
- 제23항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 내화물에 함유되는 U와 Th의 함유량이, 각각 1ppm이하인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리의 제조방법.
- 제23항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서, 유리 원료에 함유되는 U와 Th의 함유량이 각각 5ppb이하인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리의 제조방법.
- 제23항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서, 유리 원료가, 질량%로 SiO2 58∼75%, Al2O3 0.5∼15%, B2O3 5∼20%, 알칼리 금속 산화물 1∼20%, 알칼리 토류금속 산화물 0∼20%, ZnO 0∼10%의 기본조성을 함유하고, 30∼380℃의 온도범위에 있어서의 평균 열팽창계수가 30∼85×10-7/℃, 액상온도에 있어서의 유리 점도가 105 .2dPa·s이상, α선 방출량이 0.01c/㎠·hr이하의 유리가 되도록 조제되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리의 제조방법.
- 제23항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서, 유리 원료가, 질량%로 SiO2 52∼70%, Al2O3 5∼20%, B2O3 5∼20%, 알칼리 토류금속 산화물 4∼30%, ZnO 0∼5%의 기본조성을 함유하고, 실질적으로 알칼리 금속 산화물을 함유하지 않고, 30∼380℃의 온도범위에 있어서의 평균 열팽창계수가 30∼85×10-7/℃, 액상온도에 있어서의 유리 점도가 105 .2dPa·s이상의 유리가 되도록 조제되어서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리의 제조방법.
- 제29항에 있어서, 유리 원료가, α선 방출량이 0.01c/㎠·hr이하의 유리가 되도록 조제되어서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 커버 유리의 제조방법.
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| KR20180002883A (ko) * | 2015-06-04 | 2018-01-08 | 린텍 가부시키가이샤 | 반도체용 보호 필름, 반도체 장치 및 복합 시트 |
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