WO2006041074A1 - 固体撮像素子用カバーガラス及びその製造方法 - Google Patents

固体撮像素子用カバーガラス及びその製造方法 Download PDF

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WO2006041074A1
WO2006041074A1 PCT/JP2005/018758 JP2005018758W WO2006041074A1 WO 2006041074 A1 WO2006041074 A1 WO 2006041074A1 JP 2005018758 W JP2005018758 W JP 2005018758W WO 2006041074 A1 WO2006041074 A1 WO 2006041074A1
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WO
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glass
solid
light
cover glass
thin film
Prior art date
Application number
PCT/JP2005/018758
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English (en)
French (fr)
Inventor
Hiroaki Nakahori
Daisuke Okawa
Masahiro Yodogawa
Original Assignee
Nippon Electric Glass Co., Ltd.
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Glass Co., Ltd. filed Critical Nippon Electric Glass Co., Ltd.
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Publication of WO2006041074A1 publication Critical patent/WO2006041074A1/ja

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C14/00Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/001General methods for coating; Devices therefor

Definitions

  • the present invention relates to a cover glass that is disposed as a window material that transmits light in a receptacle housing a solid-state image sensor and protects the solid-state image sensor, and a method for manufacturing the same.
  • CCD Charge Coupled Device
  • vidicons a representative element of solid-state imaging devices
  • sachicons or vacuum tubes.
  • this CCD overcomes the inferior points such as low sensitivity compared with the image pickup tube, and displays various images such as electronic shutter, camera shake correction, and zoom functions to display images on the silver halide film.
  • digital cameras are installed in information terminal devices such as mobile phones and PHS, more diverse and advanced performance is being demanded.
  • CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor, also referred to as complementary MOS
  • complementary MOS Complementary Metal Oxide Semiconductor
  • MOS-CCD Complementary Metal Oxide Semiconductor
  • BBD Bracket Brigade device
  • a cover glass which is an essential component for constructing an element package and allowing light to enter the element, is higher than before. It has become.
  • a solid-state image sensor is housed inside a package having an airtight structure, and a flat glass cover glass having translucency is arranged on the front surface thereof. It is.
  • This cover glass can be used in various package cases such as ceramic materials such as alumina, metal materials such as Kovar (Fe-Ni-Co alloy), composite materials such as glass epoxy base materials, and plastic materials such as epoxy resin. It is sealed using various adhesives and used as a translucent window.
  • Patent Document 1 discloses an invention relating to a processing method for preventing edge portion chipping.
  • Patent Documents 3 and 4 disclose measures for improving the problem of a trace amount of radioactive elements that may impair the performance of a CCD or CMOS into glass.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-221541
  • Patent Document 2 JP-A-6-106469
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open No. 7-206467
  • Patent Document 4 Japanese Patent Laid-Open No. 6-211539
  • solid-state imaging devices are used in electronic information terminals such as digital cameras, mobile phones, and PDAs, and the functions of such electronic devices are remarkably expanding and their functions are greatly improved. It has been.
  • the remarkable progress of functions related to solid-state image sensors such as CCD and CMOS has brought about constant technological innovation in various electronic devices, and various information devices such as mobile phones and PDAs have been announced to the world. And these electronic devices are expected to be further developed with various functions in the future.
  • each electronic component to be installed in an electronic device will be required to be lighter, thinner, and smaller than before.
  • a cover glass for a solid-state imaging device is required to have a high cleanliness to achieve a desired transmittance on the surface of a plate glass that transmits light of various wavelengths in addition to a requirement for lightness and shortness. It has a high chemical durability, and realizes a strength that does not hinder practical use even with a cover glass having a small thickness and area.
  • the cleanliness of the cover glass for a solid-state imaging device in which a thin film is formed on the glass surface is such that the film periphery is peeled off by the history after the film formation, and the fine peeled material is peeled off to float the glass.
  • the fine peeled material is peeled off to float the glass.
  • the present inventors have achieved high performance as a cover glass used for a window material of a solid-state imaging device, and in order to realize performance, the thin film applied to the cover glass surface is difficult to peel off. It is an object of the present invention to provide a cover glass for a solid-state imaging device having high mechanical strength, stable chemical performance, and high cleanliness, and a manufacturing method thereof.
  • the cover glass for a solid-state imaging device of the present invention has a first light-transmitting surface and a second light-transmitting surface on the front and back in the thickness direction of the flat glass made of inorganic oxide glass.
  • a cover glass for a solid-state imaging device in which a thin film is formed on one light-transmitting surface, wherein unevenness is formed on an edge of the thin film located at an outer edge portion on the first light-transmitting surface in the flat glass,
  • the projections and depressions are characterized in that the maximum recess position force on the plane parallel to the first light-transmitting surface has a projection dimension up to the maximum projection position within a range of 0.5 ⁇ m force 50 ⁇ m.
  • the unevenness is formed on the edge of the thin film located at the outer edge portion on the first light-transmitting surface of the flat glass, for the solid-state imaging device made of the inorganic oxide glass of the present invention.
  • the cover glass has a thin film having a composition different from that of the glass on the first light-transmitting surface that transmits light, and the edge (outer peripheral edge) of the thin film located at the outer edge on the first light-transmitting surface of the flat glass. It means that the unevenness along the surface parallel to the first light transmitting surface is formed on the edge). Further, the unevenness is a maximum projecting position from a maximum depression position on a plane parallel to the first light transmitting surface.
  • the protrusion dimension until reaching the position is within the range of 0.5 m to 50 m.
  • the maximum recess position of the unevenness that is, the concave end position of the maximum recess (the most recessed position), and the maximum protrusion position of the unevenness.
  • the dimension where the convex end position of the largest convex part (the most projecting position) is separated in the projecting direction (the direction perpendicular to the corresponding outer edge (side) of the first translucent surface) is 0.5 ⁇ m. It means that it is in the range of m to 50 m.
  • the protrusion dimension of the unevenness formed on the edge of the thin film is 0.5 m or more, mechanical stress applied to the thin film applied to the surface of the cover glass for a solid-state image sensor, It is possible to disperse the force acting in the direction of peeling off the thin film adhering portion at the outer peripheral edge caused by heat history, etc. without concentrating it in one direction. This is preferable because the state applied to the light surface can be easily maintained over time.
  • the unevenness of the unevenness formed on the edge of the thin film exceeds 50 m, it becomes easy to generate a portion where the thin film is easily peeled off locally, and if the local peeling occurs, a part of the thin film peeled off As a cause of dust generation, it may adhere to the light-transmitting surface of the force bar glass during the assembly process of the solid-state imaging device and cause trouble. For this reason, it is preferable that the unevenness of the edge in contact with the surface of the thin-film flat glass (the above projecting dimension) is 50 ⁇ m or less.
  • the above-described protruding dimension of the unevenness formed on the edge of the thin film is 0.7 ⁇ m. If it is desired that a more stable state is preferred to be not less than m and not more than 45 ⁇ m, more preferably not less than 0.9 m and not more than 40 ⁇ m.
  • polishing for example, polishing, polishing, laser cutting, masking acid, alkali chemical treatment, chemical treatment, sandblasting, etc. It can be realized by using physical impact machining, cutting with loose abrasive grains or fixed abrasive grains.
  • the second light-transmitting surface corresponding to the back surface of the first light-transmitting surface to which the thin film is applied faces upward, and the second light-transmitting surface has an output condition in which the beam intensity distribution is within 5%, and the beam Spot shape is oval, approximately rectangular, linear, triangular
  • a slit is formed on the glass surface of the plate glass corresponding to the beam driving position by linear driving at a constant speed while irradiating a carbon dioxide laser having a shape.
  • a notch of a predetermined depth is formed in the glass thickness direction, and the inner surface of the newly generated notch is formed as the first processed surface.
  • the carbon dioxide laser irradiation on the outer surface side portion (first translucent surface side portion) as a fulcrum so that bending stress is applied directly below both sides of the fulcrum.
  • it is broken by pushing and splitting so that the second surface is formed by the crack surface.
  • the range of application rates of the press 0.
  • a ridge line having suitable irregularities and an edge of a thin film having suitable irregularities are formed.
  • the shape of the periphery of the small rectangular plate glass is in a state where a predetermined performance can be guaranteed.
  • a rectangular plastic, rubber, metal or the like is suitable as a jig for pressing.
  • the part of the jig that comes into contact with the glass plate surface is preferably a smooth surface, not an uneven surface, and this pressing process must be performed in a state where there are no foreign substances adhering to the surface.
  • the thin film may be an optically functional thin film, a thin film that protects the glass surface chemically, a thin film that protects the glass surface such as mechanical stress applied to the glass surface, etc. It is possible to realize such functions.
  • an infrared reflective film (or infrared cut filter), an antireflective film, a conductive film, an antistatic film, a low-pass filter, a high-pass filter, a band-pass filter, a shielding film, a protective film, etc.
  • the infrared reflecting film is preferable because the sensitivity of the infrared region of the CCD is high, so that the image of the solid-state imaging device can be brought close to the image by the naked eye by suppressing the incidence of infrared rays on the infrared device.
  • Examples of the material of the thin film include silica (SiO 2), alumina (Al 2 O 3), zircoyu (SiO 2), alumina (Al 2 O 3), zircoyu (SiO 2), alumina (Al 2 O 3), zircoyu (SiO 2), alumina (Al 2 O 3), zircoyu (SiO 2), alumina (Al 2 O 3), zircoyu (SiO 2), alumina (Al 2 O 3), zircoyu (SiO 2), alumina (Al 2 O 3), zircoyu (SiO 2), alumina (Al 2 O 3), zircoyu (SiO 2), alumina (Al 2 O 3), zircoyu (SiO 2), alumina (Al 2 O 3), zircoyu (SiO 2), alumina (Al 2 O 3), zircoyu (SiO 2), alumina (A
  • La O yttrium oxide
  • MgO magnesium oxide
  • HfO hafnium oxide
  • Chromium oxide Cr 2 O 3
  • magnesium fluoride MgF 2
  • MoO 2 molybdenum oxide
  • BaF Barium fluoride
  • LiF Lithium fluoride
  • LaF Lanthanum fluoride
  • SiO and Al O multilayer film SiOx-TiOx multilayer film, SiO-TaO multilayer film, SiOx
  • a film having a composition such as a thin film, a colloidal particle dispersion film, a polymethylmetatalylate film (PMMA film), a polycarbonate film (PC film), a polystyrene film, a methylmethacrylate styrene copolymer film, or a polyacrylate film can be used.
  • the method for forming the thin film is not particularly limited as long as it can achieve a desired thickness, surface accuracy, and a desired optical function. Instead, various methods can be employed. Examples of methods that can be employed include physical vapor deposition methods such as vacuum deposition, sputtering, ion plating, molecular beam epitaxy (MBE), laser ablation, and spraying. (Or PVD method). Or chemical vapor deposition (or CVD) such as thermal CVD, laser CVD, plasma CVD, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), and liquid phase such as sol-gel, spin coating, and plating The growth method can also be employed as a method for forming the above thin film.
  • physical vapor deposition methods such as vacuum deposition, sputtering, ion plating, molecular beam epitaxy (MBE), laser ablation, and spraying. (Or PVD method).
  • chemical vapor deposition or CVD
  • thermal CVD thermal CVD
  • laser CVD plasma CVD
  • MOCVD metal organic chemical
  • the PVD method is particularly preferable because it has good adhesion at low temperatures, can form a film, can be applied to various coatings, and is suitable for forming a coating of a compound. is there.
  • the cover glass for a solid-state imaging device of the present invention has a surface roughness Ra value of 3 nm or less on the side surface constituting the outer peripheral portion of the flat glass, and the side surface and the first light-transmitting surface.
  • One of the irregularities of the ridgeline where the and the ridgeline contact or the ridgeline irregularity where the side surface and the second translucent surface contact each other is the corresponding one of the first translucent surface and the second translucent surface
  • the maximum dent position force on the parallel plane is within the range of 0.5 ⁇ m / zm force to 40 ⁇ m until the maximum protrusion position is reached, since the transportability is improved.
  • the Ra value of the surface roughness on the side surface of the flat glass is 3 nm or less.
  • the Ra value specified in JIS B0601 as a measure for the surface roughness is 3 nm or less.
  • the ridge line where the side surface and the first light-transmitting surface contact each other means the ridge line that intersects the side surface and the first light-transmitting surface, and the ridge line where the side surface and the second light-transmitting surface contact each other means the side surface. This means a ridge line that intersects the second translucent surface.
  • the first light-transmitting surface corresponds to either the first light-transmitting surface or the second light-transmitting surface
  • the first light-transmitting surface corresponds to the unevenness of the ridgeline where the side surface and the first light-transmitting surface contact each other.
  • Y It corresponds to one translucent surface
  • the ridge line irregularities where the side surface and the second translucent surface contact each other means that the second translucent surface corresponds to the corresponding one translucent surface.
  • the projection size up to the maximum projection position is the same as that already described for the irregularities on the edge of the thin film.
  • the cover glass Hold the side of the glass plate to store and remove it in the storage container for transporting the plate glass to be used, or to perform the operation of placing it at a specified location in the cage that houses the solid-state image sensor.
  • the ridge line irregularities (above-mentioned protrusion dimensions) where the side surface of the flat glass and the translucent surface intersect (the above-mentioned protruding dimensions) should be within the range of 0.8 m force and 35 ⁇ m. More preferably, it is in the range of 1.0 to 30 m, and more preferably in the range of 1.5 m force to 25 ⁇ m.
  • polishing may be performed in the same manner as described above. Polishing, laser cutting, chemical treatment by etching with chemicals such as acid or alkaline chemicals by masking, physical treatment such as sandblasting, etc. This can be realized by using a general impact machining and a cutting process using a loose abrasive or a fixed abrasive.
  • the flat glass when using laser cutting, the flat glass is broken by applying a pressing force to the second light-transmitting surface under a predetermined condition, not the surface on which the thin film is formed as described above. If it does, it will become a thing suitable for adjusting the unevenness
  • the cover glass for a solid-state imaging device of the present invention has a first side surface portion adjacent to the first light transmitting surface, a first side surface portion, and a second light transmitting surface.
  • a ridge line formed by the first light-transmitting surface and the first side surface portion has a maximum depression position force on a surface parallel to the first light-transmitting surface at a maximum protruding position. It is preferable that the projecting dimension to be in the range of 1.5 m to 20 m is easy to handle flat glass.
  • the first side surface portion and the second side surface portion of the side surface of the flat glass are divided by a boundary line formed due to a difference in surface properties, mainly surface roughness, and this boundary line is For example, it can be clearly recognized by observing under a microscope at a magnification of about 50 times, and the first side surface is adjacent to the first translucent surface over the entire circumference of the flat glass, and the second side surface is flat. It adjoins the 1st side part and the 2nd translucent surface over the perimeter of plate glass. Note that the projection size until the maximum depression position force reaches the maximum projection position is the same as the above-mentioned matter, which already means the unevenness of the edge of the thin film.
  • the flat glass is moved.
  • the uneven part of the ridgeline acts as a slipper, making it difficult to cause problems such as slipping. Therefore, it is possible to realize a stable operation, and a state having an appropriate static friction coefficient with respect to the jig contact surface can be obtained.
  • the above protrusion dimension in the unevenness of the ridge line that is the boundary between the first light-transmitting surface and the first side surface portion By setting the method to 20 m or less, it is possible to suppress the occurrence of surface defects such as cracks, cracks, and scratches of fine dimensions that cause changes over time in the strength of the side surface of the plate glass, which is preferable. .
  • the unevenness of the ridge line (the above-mentioned boundary between the first translucent surface and the first side surface portion on which the thin film of flat glass is formed (above-mentioned) (Projection dimension) is preferably in the range of 1.7 / zm to 18 / zm, more preferably the boundary between the first light-transmitting surface and the first side surface on which a thin film of flat glass is formed.
  • Ridge irregularities (projection dimensions above) should be in the range of 1.8 m to 15 m.
  • the cover glass for a solid-state imaging device of the present invention has an optical path force that enters from the first side surface portion and Z or the second side surface portion of the flat glass and exits from the second light transmitting surface. If UV rays with a wavelength of 300nm are to be transmitted by 10% or more, it is preferable because higher intensity light can be incident on the device.
  • an optical path that enters from the first side surface portion and the Z or second side surface portion of the flat glass and exits from the second light transmitting surface transmits 10% or more of ultraviolet rays having a wavelength of 300 nm. Is incident on the side of the cover glass for solid-state image sensor, when UV rays with a wavelength of 300 ⁇ m corresponding to the wavelength in the ultraviolet region are incident and emitted from the second translucent surface. This means that the rate is over 10%.
  • the cover glass for a solid-state imaging device of the present invention can easily achieve various performances if the thin film is an optical thin film and the film thickness is in the range of 0.01 to 100 m. Fruit It is preferable because it can be expressed.
  • the thin film is an optical thin film and the film thickness is in the range of 0.01 ⁇ m force to 100 ⁇ m
  • the thin film applied to the surface of the cover glass for the solid-state imaging device is It is a thin film with optical functions such as control of the incidence of light of various wavelengths, and its thickness dimension is in the range of lOnm to 1 X 10 5 nm.
  • the thickness dimension of the thin film is less than 0.01 ⁇ m because the optical function of the thin film may not be sufficiently exhibited.
  • the thickness of the thin film is greater than 100 m, stress due to the expansion coefficient of the film material, such as excessive sealing stress and thermal stress, is likely to occur on the thin film, and it is difficult to maintain long-term adhesion on the surface of the plate glass. It may cause deterioration over time such as peeling or cracking.
  • the thin film preferably has a thickness dimension of 0.01 ⁇ m force and 100 ⁇ m.
  • the cover glass for a solid-state image pickup device of the present invention is preferably used if the solid-state image pickup device is CCD or CMOS because the device performance can be sufficiently exhibited.
  • a CCD is an element that consists of a light-receiving unit that stores a charge proportional to the amount of light depending on the brightness of an image and a transfer unit that transfers the stored charge to collect it in one place.
  • This element has the function of receiving light with a diode and taking it out with a transistor switch.
  • the cover glass for a solid-state imaging device of the present invention is a cover glass capable of hermetically sealing to transmit light for a solid-state imaging device such as a CCD or CMOS and further protect the elements in the package from external air force. When used as, it can exert its performance greatly.
  • the solid-state imaging device cover glasses of the present invention in addition to the above, inorganic oxide glass flat glass, the mass 0/0, SiO 55 ⁇ 70%, Al O 0. 5 ⁇ 20% , BO 5 ⁇
  • silica is 55 to 70 mass 0/0
  • aluminum oxide also referred to as alumina
  • alumina is 0.5 to 2 0 mass 0/0
  • magnesium oxide magnesium both also referred
  • the acid of calcium force Lucia and, U
  • zinc oxide or zinc!, U
  • oxide strontium beam and the total amount of barium oxide 0.1 to 30 weight 0/0, zinc oxide 9 mass 0/0 or less
  • the total amount of oxide lithium (also referred to as Rishia) and Sani ⁇ sodium and Sani ⁇ potassium indicates that from 1 to 20 weight 0/0.
  • SiO is a major component constituting the skeleton of the network structure on the atomic scale of glass
  • Al 2 O is a component necessary for stabilizing the glass network structure and at the same time
  • B 2 O decreases the melting temperature of the glass and melts the glass during melting.
  • MgO manganesium oxide
  • CaO calcium oxide
  • ZnO zinc oxide
  • SrO oxidation
  • the total amount of strontium) and BaO (barium oxide) is V and the deviation is necessary to achieve the desired performance such as the weather resistance and meltability of the glass, as well as the refractive index and transmittance. Force If the total amount is less than 0.1% by mass, it is often insufficient to achieve the desired function. On the other hand, if the total amount exceeds 30% by mass, the weather resistance of the glass and the meltability at the time of melting often increase, which is not preferable. Also, regarding the strength of the glass, if it exceeds 30% by mass, problems may occur, which is not preferable.
  • ZnO is added to the glass to improve the chemical durability over a long period of time on the glass surface after molding, and to improve the scratch resistance of the glass surface. Although it is a component that can be improved, it is not preferable to add more than 9% by mass because the chemical durability may deteriorate.
  • the cover glass for a solid-state image sensor of the present invention achieves high weather resistance after the solid-state image sensor package is formed if the inorganic oxide glass is non-alkali glass. Is preferred.
  • the inorganic oxide glass is a non-alkali glass means a glass that essentially does not contain Li, Na, and K, which are alkali metal element components. Essentially not contained here means that elements such as Na (sodium), ⁇ (potassium), and Li (lithium), which are alkali metal elements in the glass composition, are 0.1% by mass or less in terms of oxides. It will be. That is, for the cover glass for a solid-state imaging device of the present invention, it is possible to adopt a glass composition that also requires its application power, and the alkali component contained in the glass article is glass.
  • cover glass composition a composition not containing an alkali metal element or a so-called non-alkali glass composition can be used, and the desired function can be realized by applying the present invention to the non-alkali glass. Is possible.
  • composition of the alkali-free glass that can be employed in such a case is as follows.
  • the components contained in the glass are expressed in terms of oxide, mass%, SiO 53 to 61%, AlO 0.
  • SrO is preferably 0.1 to 15%, and the OH group content in the glass is preferably in the range of 50 ppm to 700 ppm.
  • SiO for the composition of the alkali-free glass, the mass 0/0 less than 53%
  • the chemical durability tends to be low. On the other hand, it exceeds 61% and does not contain alkali metal elements. Therefore, the viscosity of the molten glass is high, resulting in an inhomogeneous molten state. Since it may be difficult to form a homogeneous thin glass at a manufacturing cost, it is not preferable.
  • Al 2 O is in the range of 0.5 to 20% by mass with respect to the composition of the alkali-free glass.
  • the inside of the glass is harmonized with respect to the electrical performance and electrical performance of the glass such as electric resistance.
  • the total amount of MgO and BaO should be in the range of 2 to 28% by mass.
  • the total amount of CaO and SrO should be within the range of 0.1 to 15% by mass%. Optimum state of properties such as chemical resistance, thermal expansion coefficient, and low-temperature viscosity after molding Therefore, it is preferable.
  • B 2 O is a component that improves the meltability of the glass.
  • the OH group content in the glass can be within the range of 50 ppm to 700 ppm.
  • the viscosity of molten glass at a temperature higher than 10 4 dPa 'sec of glass can be adjusted to an appropriate viscosity value.
  • the glass surface molded by this molding method is preferable because a glass molded body having a uniform and smooth surface state can be obtained.
  • the composition of the cover glass for a solid-state image sensor of the present invention has the above-mentioned characteristics, and adopts a high-purity raw material and its prepared melting environment, so that u (uranium) and TM trough are used. ), Ra (Radium), Fe O, PbO, TiO, MnO, ZrO, etc.
  • the ⁇ -ray emission amount of the cover glass for a solid-state image sensor must be 0.5 cZcm 2 'hr or less.
  • an interline transfer type (IT-CCD) that is classified according to the difference in light receiving method and transfer method with respect to the function of the element.
  • FIT-CCD Frame interline transfer type
  • FF-CCD full frame transfer type
  • F-CCD frame transfer type
  • PSD photoconductive film stack type
  • the cover glass for a solid-state image sensor of the present invention can be used for the element storage package of the element used in the field classified as the above-mentioned CMOS or other solid-state image sensor.
  • the cover glass for a solid-state imaging device is an element storage package used in a digital camera, a mobile phone, or the like, such as an interline transfer type (IT-CCD) or a progressive scan type CCD included therein. It is also suitable as a cover glass.
  • IT-CCD interline transfer type
  • CCD progressive scan type
  • the cover glass for a solid-state image sensor of the present invention has a coefficient of thermal expansion that is relatively close to the coefficient of thermal expansion of the solid-state image sensor. It is preferable if the thermal expansion coefficient is smaller than that of the body material. For example, if alumina with an expansion coefficient of force S70 X 10 _7 Z ° C is used as the knock , the cover glass will be smaller than 70 X 10 _7 Z ° C. Any glass having an expansion coefficient value up to 30 X 10 _7 Z ° C may be used. Further, it is more preferable that the cover glass has a smaller mass. From such a viewpoint, the density of the glass is preferably 2.8 gZcm 3 or less. Further, it is preferable that there is substantially no hindrance to the homogeneity of the glass article such as striae knots in the plate glass, and high homogeneity is realized.
  • the method for producing a cover glass for a solid-state imaging device of the present invention includes a step of melting a glass raw material mixture in a heat-resistant container, a step of forming the obtained molten glass into a plate glass, and a surface of the plate glass. It has the process of forming a thin film in the 1st translucent surface which is one side of a back surface, and the process of dividing
  • having the above four steps means that the inorganic raw material or glass cullet is heated in a container or tank that can withstand high temperatures of 1500 ° C or higher, such as platinum or ceramics. Heating and melting by the method to homogenize, forming the homogenized molten glass into plate glass by adopting various forming methods, and thin film by various methods on the first light-transmitting surface of the formed plate glass. This means that the method further includes the step of forming a thin plate glass piece by using a processing device or the like for the thin glass plate glass.
  • the step of forming the thin film on the first light-transmitting surface of the plate glass may be a step that is continuous with the step of forming the plate glass described above, or may be a separate step. In any case, since the film is formed on the surface of the plate glass, it is difficult to apply a desired film in an environment that impairs cleanliness such as adhesion of dust to the glass surface.
  • the division is performed so that the end surface state having the desired properties as described above is obtained. If it can be done, any other processing method such as cleaving Even if it exists, it can be employed without any problem.
  • the method for producing a cover glass for a solid-state imaging device includes the step of forming a molten glass into a plate glass by drawing the molten glass downward to obtain a plate glass.
  • a plate glass can be obtained with high thickness dimensional accuracy.
  • the step of forming the molten glass into the plate glass is to obtain the plate glass by drawing the molten glass downward, using an apparatus that employs a forming means for drawing downward.
  • a sheet glass is formed, and when a molten glass in a high temperature state is formed by a desired forming method, it is stretched while applying a stretching force to the molten glass through an apparatus having a heat-resistant structure such as a roll. It means that it is formed by a method that realizes a predetermined surface accuracy, plate thickness, and plate area.
  • the stretch molding method specifically, a method of molding by a molding means such as a slot down draw molding method, an overflow down draw molding method (or a fusion method), a roll-out molding method, a lead draw molding method or the like is shown.
  • a molding means such as a slot down draw molding method, an overflow down draw molding method (or a fusion method), a roll-out molding method, a lead draw molding method or the like is shown.
  • the method for producing a cover glass for a solid-state image pickup device of the present invention includes a small piece of plate glass on the second light-transmitting surface where the thin film is not formed on the front and back surfaces of the plate glass. It is preferable to cut a spare spare line to be divided into pieces because the dividing operation can be performed efficiently.
  • V means that energy related to processing is applied from the side of the second light-transmitting surface, and that energy starts cracking, cutting, breaking or cleaving for fragmentation of the sheet glass.
  • the method for producing the cover glass for a solid-state imaging device of the present invention includes 81% to 99% of both the first light-transmitting surface and the second light-transmitting surface in the small plate glass piece. It is preferable to divide it so that it becomes an effective surface for light because sufficient image information can be incident on the solid-state imaging device.
  • 81% of both the first light-transmitting surface and the second light-transmitting surface in the small glass sheet piece Splitting so that ⁇ 99% is the effective surface for image transmissivity means that, of the two translucent surfaces of the plate glass, the area of each translucent surface is normal for the solid-state image sensor after packaging.
  • the effective area that can transmit the light rays forming the gap is divided so that it is in the range of 81% to 99%.
  • the area of one translucent surface is the rectangular area formed inside by connecting the intersecting vertices of the four sides (or four ridge lines) surrounding the single translucent surface of a small piece of plate glass piece. That is.
  • transmitting a light beam that forms a normal image to a solid-state imaging device means that a light beam that does not cause irregular reflection light that causes flare, ghost, or the like is transmitted.
  • both of the first light-transmitting surface and the second light-transmitting surface of the small plate glass piece are effective surfaces, it is sufficient to form an image on the solid-state imaging device. It is preferable because an optical beam can be incident on the element.
  • both the first light-transmitting surface and the second light-transmitting surface of the small plate glass piece have more effective surfaces than 99% of the area, an adhesive or the like is used to seal the plate glass piece to the package housing.
  • the area force of the second light-transmitting surface of the glass piece that is necessary to apply the coating is too small, so the package after sealing undergoes various heat history and loads such as chemical attack from the usage environment This is not preferable because there is a risk that reliability that can cope with the environment may be lowered. Therefore, from this point of view, it is more preferable to divide the range of 83% to 98% of the area of both light-transmitting surfaces in the small plate glass piece into a size that is an effective area for image light transmission. It is preferable to divide the range of 85% to 97% of the area of both translucent surfaces into a size that is an effective area for image translucent, and preferably from 86% of the area of both translucent surfaces. The 95% range should be the effective area for image transmission.
  • the dimensional accuracy of the end surface processing of the plate glass piece and the end surface The processing state is important.
  • securing the effective surface for image transmissivity so as to be within a predetermined ratio range means that a part of the ineffective surface of the plate glass is sealed in a package containing the solid-state image sensor with the above-described adhesive or the like. Since it is a part that plays a role, it is important to keep the area of the ineffective surface within the specified range.
  • the sealing area using the ineffective surface will vary, and as a result, the environmental performance of the solid-state image sensor package will be reduced. This is because it may be lowered.
  • the dimensional accuracy of the end face processing and the end face processing state of this glass sheet piece are not the prescribed ones, it adheres to the glass fragments and end face caused by the end face that is partially damaged or chipped on the effective surface for image transmission. This is because it is not preferable because the foreign matter is likely to be scattered and adhered, and the effective surface for image transmission may become ineffective. For this reason, as described above, it is possible to avoid such a problem by setting the unevenness of the ridge line formed by the light transmitting surface and the end surface within a predetermined range.
  • the cover glass for a solid-state imaging device of the present invention has a thin film formed on the first light-transmitting surface of a flat glass made of an inorganic oxide glass, and the second glass of the flat glass.
  • the edge of the thin film located on the outer edge of the light-transmitting surface is formed with irregularities within the range of 0.5 ⁇ m force and 50 ⁇ m in the protruding dimension until reaching the maximum protruding position force. Therefore, it is a cover glass that can withstand various environmental tests such as a thermal shock test and thermal cycle test, and the thin film on the cover glass surface is difficult to peel off due to thermal and mechanical stress. It has high reliability and stability.
  • the cover glass for a solid-state imaging device of the present invention has a surface roughness of the side surface of the flat glass.
  • Ra value is 3 nm or less, and either the ridge line where the side surface and the first light-transmitting surface contact or the ridge line where the side surface and the second light-transmitting surface contact each other from the maximum depression position to the maximum protrusion position.
  • the cover glass for a solid-state imaging device of the present invention is adjacent to a first light-transmitting surface on which a thin film of flat glass is formed and a second light-transmitting surface facing the first light-transmitting surface.
  • the side surface is provided with a first side surface portion adjacent to the first light transmitting surface and a second side surface portion adjacent to the first side surface portion and the second light transmitting surface, the first light transmitting surface and the first side surface portion.
  • the cover glass for a solid-state imaging device of the present invention has an optical path that enters from the first side surface portion and Z or the second side surface portion of the flat glass and exits from the second translucent surface force. If the cover glass can be sealed in a solid-state image sensor package by using UV-curing resin, it can be used even if UV rays with a wavelength of 3 OOnm are transmitted 10% or more. Since bonding having bonding strength can be performed, the efficiency of package manufacturing can be maintained at a sufficiently high level.
  • the cover glass for a solid-state imaging device of the present invention is requested by the customer if the thin film is an optical thin film and the film thickness is within the range of 0.01 m force and 100 m.
  • a cover glass having a high optical performance can be supplied in a state having an excellent quality with a margin according to dimensions and the like.
  • the cover glass for a solid-state image pickup device of the present invention if the solid-state image pickup device is a CCD or a CMOS, is mounted on various highly versatile devices, thereby improving the performance of the CCD or CMOS. It has a quality that can be fully exerted.
  • the cover glass for a solid-state imaging device of the present invention is made of a flat glass made of an inorganic oxide glass in terms of mass%, SiO 55 to 70%, Al 2 O 5 to 20%, BO 5 ⁇ 20%, RO
  • the cover glass for a solid-state imaging device of the present invention is a solid mounted on an electronic device used outdoors as long as the inorganic oxide glass is a non-alkali glass cover.
  • the quality related to weather resistance, which is important for protecting the image sensor, can always be kept high, and is suitable as a cover glass for a solid-state image sensor mounted on a portable information terminal, a mobile phone or the like.
  • a method for producing a cover glass for a solid-state imaging device of the present invention includes a step of melting a glass raw material mixture in a heat-resistant container, a step of forming the obtained molten glass into a plate glass, Since it includes a step of forming a thin film on the first light-transmitting surface, which is one of the front and back surfaces, and a step of dividing the plate glass on which the thin film is formed into small pieces of plate glass pieces, a number of plate glass pieces are subjected to the same conditions. It is possible to form a film underneath, reduce the variation in optical performance of the manufactured cover glass for solid-state imaging element, and increase the chemical durability of the film. Reduces the occurrence.
  • the step of forming the molten glass into the plate glass is such that the molten glass is stretched downward to obtain the plate glass.
  • the surface quality such as the undulation of the glass plate, which is the base material
  • high-precision molding of molten glass that fully meets the requirements for dimensional accuracy can be performed at high speed, high production efficiency This makes it possible to achieve reasonable manufacturing costs that meet market demands.
  • the plate glass is formed on the second light-transmitting surface where the thin film is not formed on the front and back surfaces of the plate glass. If the spare line to be divided is engraved, the processing to make the glass sheet as a base material into small pieces can be performed without applying a large force to the film surface or the film adhesion surface. The occurrence of defects due to the end face of each subsequent plate glass piece can be suppressed to a low level.
  • FIG. 1 (A) is an overall perspective view of a cover glass for a solid-state image sensor according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 1 (B) is indicated by reference numeral B in FIG. 1 (A).
  • FIG. 1C is an enlarged plan view of the portion indicated by the symbol B.
  • FIG. 2 (A) is a longitudinal side view for explaining a solid-state image sensor using the cover glass for a solid-state image sensor
  • FIG. 2 (B) is a plane for explaining the solid-state image sensor.
  • FIG. 3 is a schematic perspective view for explaining a process for producing a thin glass sheet such as a thick glass cover in the method for producing a cover glass for a solid-state imaging device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic perspective view for explaining a step of performing a second process on the thin glass sheet after the first process in the method for manufacturing a cover glass for a solid-state imaging device according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 (A) is a perspective view of a cover glass for a solid-state image sensor according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 (B) is an enlarged perspective view of a portion indicated by reference numeral B in FIG. 1 (A), and FIG. 1 (C) is an enlarged plan view of the portion.
  • FIG. 2 (A) longitudinal sectional front view showing a state in which the solid-state imaging device cover glasses were mounted on a package for a solid-state imaging device
  • FIG. 2 (B) is a plan view showing the same state.
  • This cover glass 10 for a solid-state imaging device is expressed by mass%, SiO 60%, Al 2 O 14.7
  • the flat glass (small piece of glass plate) made of non-alkali borosilicate glass with a composition of H base of 565 ppm, and is used for the package of interline transfer type CCD elements mounted on portable electronic devices. It is used for cover glass as a window material.
  • the flat glass has a length of 3 mm, a width of 3 mm, and a thickness of 0.5 mm.
  • the infrared reflecting film 20 is formed only on one side of the light transmitting surface, that is, the first light transmitting surface 11a.
  • This infrared shielding film 20 is made of SiO and TaO from 75 nm by CVD method. 40 or more layers are alternately laminated so as to have a thickness of 160 nm, and have a performance of blocking 96% or more of infrared rays having a wavelength of 750 nm or more.
  • the side surface 12 of the cover glass 10 is composed of two side surfaces having different properties as shown in FIGS. 1 (A) and 1 (B), and one is a first side surface portion 12a in contact with the first light transmitting surface 11a. And the other is the second side surface portion 12b adjacent to the first side surface portion 12a and the second light transmitting surface l ib.
  • the cover glass 10 has a maximum value T of the unevenness of the ridge line 21 where the first light-transmitting surface 11a and the first side surface 12a are in contact, that is, the first light-transmitting surface 11a.
  • the projection dimension T from the maximum depression position to the maximum projection position of the ridge line 21 on the plane parallel to the ridge line 21 is within the range of 1.5 to 20 / ⁇ ⁇ at 3.5 111, and from the side surface 12
  • the surface roughness is 0.5 nm.
  • the force bar glass 10 is formed on the first light-transmitting surface 11a, the maximum value L of the unevenness of the edge 22 in contact with the surface of the flat glass of the thin film 20, that is, on the surface parallel to the first light-transmitting surface 11a.
  • the protrusion dimension L until the maximum depression position of the unevenness on the edge 22 of the thin film 20 at the maximum protrusion position is 2.1 to 111 in the range of 0.5 to 50 ⁇ .
  • the effective transmission area P of the solid-state image pickup device cover glass 10 indicated by the hatched portion in FIG. 2B is investigated when the solid-state image pickup device 50 is driven. It is found to be 87% with respect to the area of each of the first translucent surface 11a and the second translucent surface 1 lb.
  • the measurement of the surface roughness of the cover glass 10 for a solid-state imaging device according to the present invention is performed using a stylus type surface roughness measuring instrument Talistep (Tayler-Mobson), with a thickness of 0.25 mm.
  • the measurement length was measured under the conditions of a measurement speed of 0.0025 mmZsec, a filter of 0.33 Hz, and a magnification of 200,000 times.
  • Concavity and convexity measurements are based on measurements using a microscope, SEM, etc. It is.
  • This process is a process for producing a large plate-shaped base glass having a size of about 300 mm in a thin plate, but there are two types of this process, one is a stretch molding method and the other is precision grinding. This is a method using only polishing.
  • stretch molding it is a sheet glass that has been formed after melting in a melting furnace composed of a refractory metal or a refractory metal such as white gold, for example, a base glass sheet having a width of 850 mm, a thickness of 5 mm and a length of 3 m prepare.
  • the base plate glass is subjected to polishing while automatically supplying a slurry in which free barrels such as cerium oxide are dispersed in water or the like by a rotary polishing machine (not shown) equipped with artificial leather.
  • the polishing force is applied to a mirror surface with a surface roughness of Ra value of 1. lnm, washed and dried to obtain, for example, a thick glass 60 having a thickness of 4.5 ⁇ 0.5 mm.
  • this thick glass 60 is set in the stretch molding apparatus 70 shown in FIG. 3, heated by a heating furnace 80a maintained at a temperature at which the glass viscosity becomes 10 5 dPa's, and taken out and attached to the lower part.
  • the sheet glass 90 is formed into a thin glass sheet 90 by carrying it out at a speed 10 times as high as the loading speed by the roller 80b, and a slab-shaped large glass sheet with a side of 300 mm is formed by scribing both sides of the thin glass sheet 90.
  • glass that has been melted and homogenized in a melting furnace, for example, into an ingot (block) with dimensions of 800 x 300 x 300 mm is subjected to molding. Cut by using a wire saw or the like that uses free barrels to obtain a sheet glass with a thickness of 1.5 mm.
  • a thin plate-like large plate glass is obtained by subjecting this thin glass to polishing using the rotary polishing machine as described above.
  • the size of the large glass that can be manufactured by the above two methods can be molded in the range of vertical: 50 to 600 mm, horizontal: 50 to 60 Omm, plate thickness: 0.1 to 50 mm. It can be changed accordingly.
  • SiO and TaO are alternately laminated by CVD (Chemical Vapor Deposition) on one translucent surface of this large glass plate, that is, the first translucent surface side.
  • the formed thin glass can be obtained.
  • laser scribing is employed using a laser cutting device.
  • the laser beam moving speed 180 ⁇ 5mmZsec as a split spare line on one non-deposited second transparent surface of thin glass up to 20% thickness in the thickness direction
  • the grid-like first processing is performed under the conditions of 220 ⁇ 5mmZsec and laser output of 120 ⁇ 5W or 160 ⁇ 5W.
  • the metallic line head 93 is moved in the operation direction M from the surface on which the film is formed on the opposite side of the first processing surface 92 of the thin glass 91, At the same time, by pressing the second translucent surface on the first processed surface 92 side of the thin glass 91 with a jig (not shown), stress is applied to the first processed surface 92 of the thin glass 91, and the pressing speed 1 X 10 _3 Press and split at m / sec .
  • a strip-shaped plate glass divided along the planned line that is the origin of the fracture formed by the first processing is obtained.
  • the strip-shaped plate glass that has been cut and split in this way is transported to the next process using vacuum tweezers (not shown).
  • the final glass sheet for a solid-state image sensor can be obtained by again splitting the strip-shaped plate glass.
  • the first processed surface 912 of the thin glass 91 corresponds to the second side surface portion 12b of the cover glass 10 shown in FIG. 1, and the fractured surface obtained by the second processing (split split) of the thin glass 91 is It corresponds to the first side surface portion 12a of the cover glass 10.
  • a glass raw material prepared and mixed in advance so as to have the composition shown in Table 1 is held in an electric melting furnace having a stirring function using a platinum rhodium crucible having a volume of lOOOcc at 1550 ° C. After melting for 20 hours, the molten glass was poured into a carbon mold and slowly cooled to form an appropriate shape so that various characteristics could be measured. And the characteristic of each obtained glass sample was measured with the following method. That is, the alkali elution amount was measured according to JIS R3502. Those indicated as ND in the table indicate that it is difficult to detect. The density was measured by a well-known Archimedes method. Furthermore, as for the linear expansion coefficient, the linear expansion coefficient when heated from 30 ° C to 380 ° C was measured according to JIS R3102. [0098] [Table 1]
  • the alkali elution amount, density, and linear expansion coefficient satisfy the requirements for the cover glass for a solid-state imaging device according to the present invention. It has been found. However, the performance of the cover glass for a solid-state imaging device of the present invention can be realized by satisfying these compositions and various characteristics and having the surface quality as described above.
  • Samples A to E which are examples, are made of a base glass plate that satisfies the above-mentioned characteristics, further processed into a thin glass plate, and the first side portion of the side surface is formed by laser scribing (first processing).
  • the second side surface portion is formed by cleaving (second processing), that is, by pressing and splitting under the condition of a pressing speed of 2 ⁇ 10_3 m / sec .
  • Sample E which is a comparative example, has a first side surface portion formed by mechanical force scribing and a second side surface portion formed by pressing. Then, the surface roughness of each of the first and second side surfaces of each sample is measured (by Digital Instruments), an atomic force microscope (NanoScopelll Tapping M). ode AFM). In the measurement using an atomic force microscope, the measurement length 40 / zm was measured 10 times and the average value was obtained. The unevenness of the ridge line and the unevenness of the outer edge (edge) of the film were measured with an electron microscope and a stereomicroscope. The results are shown in Table 2.
  • sample A to sample D which are examples of the cover glass for a solid-state imaging device of the present invention, all have a surface roughness Ra on the side surface of the cover glass of 0.7 nm force and 1.3 nm.
  • the unevenness of the ridgeline formed by the first translucent surface and the first side surface portion is in the range of 5 ⁇ m to 18 ⁇ m and is sufficiently small, and the outer peripheral edge of the film ( It was found that the roughness of the edge) was within the range of 27 ⁇ m and the range of 0.5 ⁇ m force to 50 ⁇ m.
  • sample E which is a comparative example, sometimes has a surface roughness Ra of 72.4 nm, ridge irregularities are 122 / zm, and the outer peripheral edge (edge) of the film is also irregular. 1 It turned out to be as high as 78 ⁇ m.

Abstract

 本発明の固体撮像素子用カバーガラス10は、無機酸化物ガラス製の平板ガラスにおける板厚方向の表裏に第一透光面11a及び第二透光面11bを有し、第一透光面11aに薄膜20が形成されると共に、平板ガラスにおける第一透光面11a上の外縁部に位置する薄膜20の端縁22に凹凸が形成され、且つ、その凹凸は、第一透光面11aと平行な面上における最大窪み位置から最大突出位置に至るまでの突出寸法Lが0.5μmから50μmの範囲内にある。また、本発明の製造方法は、耐熱性容器内でガラス原料混合物を熔融する工程と、得られた熔融ガラスを板ガラスに成形する工程と、板ガラスに薄膜を形成する工程と、薄膜付き板ガラスを小片のガラスに分割する工程とを有する。

Description

明 細 書
固体撮像素子用カバーガラス及びその製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、固体撮像素子を収納するノ ッケージに光線を透過する窓材として配設 され、固体撮像素子を保護するカバーガラス及びその製造方法に関する。
背景技術
[0002] 固体撮像素子の代表的な素子である CCD (Charge Coupled Device)は、その 開発の歴史が比較的古ぐビジコン (Vidicon)、プランピコン(Plumbicon)、サチコ ン等の撮像管 (又は真空管撮像素子、イメージチューブとも言う)が広く普及された後 も、小型で衝撃に強ぐ低消費電力で利用できるという長所を有効活用し、広範囲な 分野で使用されるに至っている。即ち、この CCDは、撮像管と比較して感度が低い 等の劣っていた点が克服され、さらに電子シャッター、手ぶれ補正、ズーム機能とい つた各種の機能の実現によって、銀塩フィルムに画像を表示するカメラに置き換わる 性能を有するものとなり、携帯電話、 PHS等の情報端末機器にデジタルカメラが搭 載されることによって、一層多様で高度な性能が求められるようになつている。また近 年、技術開発の著しい固体撮像素子である CMOS (Complementary Metal Ox ide Semiconductor,相補型 MOSともいう)は、その開発の歴史がさらに古いもの の、小型化が可能であり、固定ノイズパターン(Fixed Pattern Noise)と呼ばれた 技術上の大きな問題点を克服する技術が開発されたため、多用されるようになってお り、今後さらなる発達が見込まれる素子の一つである。そして、この他にも固体撮像 素子としては、前記の両デバイスの特徴を組み合わせた MOS— CCD型素子、ある いは BBD (Bucket Brigade device)等の素子も開発され、従前以上に高い性能 を求める巿場からの要求に対して、それに見合う技術の著しい発展が認められる。
[0003] このような各種の素子関連技術の一つとして、素子のパッケージを構成し、素子へ 光線を入射するために必須の部品であるカバーガラスに求められる性能も従来以上 に高度なものとなっている。一般に、固体撮像素子は、気密構造となるパッケージの 内部に収納され、その前面に透光性を有する平板ガラス製のカバーガラスが配設さ れる。このカバーガラスは、アルミナ等のセラミックス材料、コバール(Fe— Ni— Co合 金)等の金属材料、ガラスエポキシ基材等の複合材料、エポキシ榭脂等のプラスチッ ク材料といった多種のパッケージ筐体に種々の接着剤を利用して封着され、透光窓 として利用されている。
[0004] そして、このカバーガラスに対する高度な要望に応じるために、特許文献 1によれ ば、所定組成を有する薄板ガラス成形品の側面形状を所定の形状に限定することで 、高い強度、高い化学的耐久性を実現することができるとする発明が開示されている 。また、ガラスのチッビングについては、板ガラスの強度に影響する重大な欠陥である ことから、従来から注意が払われてきている。そこで、特許文献 2には、エッジ部のチ ッビングを防止する加工方法についての発明が開示されている。そして、特許文献 3 、 4では、 CCDや CMOSの性能を損ねる虞のある微量放射性元素がガラス中への 混入に対する問題を改善する対策が開示されている。
特許文献 1:特開 2004 - 221541号公報
特許文献 2 :特開平 6— 106469号公報
特許文献 3:特開平 7— 206467号公報
特許文献 4:特開平 6— 211539号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0005] 近年の固体撮像素子が利用される分野は、デジタルカメラや携帯電話、 PDA等の 電子情報端末であり、このような電子機器は用途拡大が著しぐその機能も大きく改 善が図られている。 CCDや CMOS等の固体撮像素子に関する機能の目覚ましい進 歩が、様々な電子機器に絶え間ない技術革新をもたらし、携帯電話や PDA等の多 種多様な情報機器が世に発表されている。そして、これらの電子機器は、今後もさら に多様な機能を搭載し、一層の発達が見込まれるものである。一方、これらの機器に さらに多彩な機能を搭載させようとすれば、電子機器に搭載させる各々の電子部品 は、その機能にカ卩えてこれまで以上の軽薄短小化が求められることになる。
[0006] このため、電子部品を構成する部材にも、さらに軽量で、寸法の小さいものが求め られている。固体撮像素子を保護するために使用されるカバーガラスにも、同様な軽 薄短小の要求があるため、これまでに行われてきた固体撮像素子用カバーガラスに 対する各種の改善や発明だけでは、さらなる性能要求を満足するには充分なもので なくなる。具体的に固体撮像素子用のカバーガラスに求められるものとしては、軽薄 短小の要求に加え各種波長の光線を透光する板ガラス表面につ 、て、所望の透過 率を実現するための高い清浄度を有し、高い化学的な耐久性を有すること、そして、 厚み寸法や面積の小さいカバーガラスであっても実使用上支障のない強度を実現 することである。
[0007] また、特に薄膜をガラス表面に成膜された固体撮像素子用カバーガラスの清浄度 は、成膜後の履歴によって膜周縁が剥がれ、剥がれた微細な剥離物が浮遊してカバ 一ガラス表面に付着する等という問題もあり、成膜された固体撮像素子用カバーガラ スの清浄度にっ 、て、高い品位を実現することが重要な課題となって 、る。
[0008] 本発明者らは、係る状況に鑑み固体撮像素子の窓材用途に利用されるカバーガラ スとして高!、性能を実現するために、カバーガラス表面に施された薄膜が剥離し難く 、高い機械的強度と、安定した化学的な性能を有する清浄度の高い固体撮像素子 用カバーガラス及びその製造方法を提供することを課題とする。
課題を解決するための手段
[0009] 本発明の固体撮像素子用カバーガラスは、無機酸ィ匕物ガラス製の平板ガラスにお ける板厚方向の表裏に第一透光面及び第二透光面を有し、前記第一透光面に薄膜 が形成された固体撮像素子用カバーガラスであって、前記平板ガラスにおける第一 透光面上の外縁部に位置する前記薄膜の端縁に凹凸が形成されると共に、該凹凸 は、前記第一透光面と平行な面上における最大窪み位置力 最大突出位置に至る までの突出寸法が 0. 5 μ m力 50 μ mの範囲内にあることを特徴とする。
[0010] ここで、平板ガラスにおける第一透光面上の外縁部に位置する前記薄膜の端縁に 凹凸が形成されるとは、本発明の無機酸ィ匕物ガラスよりなる固体撮像素子用カバー ガラスは、光線を透過する第一透光面にガラスとは異なる組成の薄膜が施されてなり 、平板ガラスの第一透光面上の外縁部に位置するその薄膜の端縁 (外周端縁)に、 第一透光面と平行な面に沿う凹凸が形成されていることを意味するものである。また 、該凹凸は、前記第一透光面と平行な面上における最大窪み位置から最大突出位 置に至るまでの突出寸法が 0. 5 mから 50 mの範囲内にあるとは、凹凸の最大窪 み位置つまり最大凹部の凹端位置 (最も窪んだ位置)と、凹凸の最大突出位置つまり 最大凸部の凸端位置 (最も突出した位置)とが、突出方向 (第一透光面の対応する外 縁部(辺部)と直交する方向)において離隔している寸法が 0. 5 μ mから 50 mの範 囲内にあることを意味するものである。
[0011] この場合、薄膜の端縁に形成される凹凸の上記の突出寸法が 0. 5 m以上である と、固体撮像素子用カバーガラスの表面に施された薄膜に加わる機械的な応力、熱 履歴などによって発生する外周端の薄膜付着箇所を剥がす方向に作用を及ぼす力 を一方向に集中させることなく分散させることが可能となり、強固な接着力を有する薄 膜がガラス表面 (第一透光面)に施された状態を経時的に維持しやすくなるため好ま しい。一方、薄膜の端縁に形成される凹凸の上記の突出寸法が 50 mを超えると、 薄膜が局所的に剥がれやすい箇所が生じ易くなり、局所的な剥がれが生じると剥が れた薄膜の一部が発塵の原因になる等して、固体撮像素子の組み立て工程等で力 バーガラスの透光面に付着して支障を発生させる虞もある。このため、薄膜の平板ガ ラスの表面と接する端縁の凹凸(上記の突出寸法)が 50 μ m以下であることが好まし い。
[0012] そして、より安定した品位を有する薄膜が形成された固体撮像素子用カバーガラス とすることが重要であるなら、薄膜の端縁に形成される凹凸の上記の突出寸法が 0. 7 μ m以上で、かつ 45 μ m以下であることあることが好ましぐさらに安定した状態を 望むなら、 0. 9 m以上で、力つ 40 μ m以下であることがより好ましい。
[0013] このような薄膜の端縁の凹凸を上記の数値範囲に調整する具体的な方法としては 、例えば研磨ゃポリツシュ、レーザー切断、マスキングによる酸、アルカリ薬品処理等 の化学処理、サンドブラスト等の物理的な衝撃加工、遊離砥粒ゃ固定砥粒による切 削加工等を使用することによって実現することが可能である。
[0014] 上記の薄膜の端縁の凹凸の調整方法の一例として、レーザー切断を使用する場合 は、次のように調整することが可能である。すなわち、薄膜を施した第一透光面の裏 面に相当する第二透光面を上向きとして、その第二透光面に、ビーム強度分布が士 5%以内の出力条件を有し、ビームスポット形状が楕円、略矩形状、直線状、三角形 状を有する炭酸ガスレーザーを照射しつつ等速度で直線駆動することによって、ビ ーム駆動箇所に相当する板ガラスのガラス表面に切り込みを形成する。その結果、ガ ラスの板厚方向に所定深さの切れ込みが形成されて、新たに生じた切れ込みの内表 面が第一加工面として形成されることになる。次いで、炭酸ガスレーザー照射によつ て形成された切れ込みの残余部の外表面側部位 (第一透光面側部位)を支点として 、支点の両側真下に曲げ応力が加わるように押圧することで、押し割りを行って破断 し、その割れ面によって第二カ卩工面が形成されるようにする。この時、押圧によって生 成する第二加工面の最終端に相当するのが第一透光面の稜線となり、押圧の印加 速度を 0. 1 X 10_3mZsec〜5 X 10_3mZsecの範囲に保持することによって、好適 な凹凸を有する稜線、及び好適な凹凸を有する薄膜の端縁が形成されることになる。 このような操作を繰り返すことによって矩形状の小片板ガラスの周囲の形状は所定の 性能を保証することのできる状態となる。ちなみに、押圧を行う治具としては矩形状の プラスチックやゴム、金属などが好適である。治具のガラス板表面と接触する部位に ついては、凹凸面ではなく平滑な表面状態であることが好適で、表面に付着異物等 がな 、状態でこの押圧処理がおこなわれねばならな 、。
[0015] なお、上記の薄膜は、光学的な機能薄膜、ガラス表面をィ匕学的に保護する薄膜、 ガラス表面に加えられる機械的な応力等カゝらガラス表面を保護する薄膜等、どのよう な機能を実現するものであってもよ 、。
[0016] 具体的に例示するならば、赤外線反射膜 (又は赤外線カットフィルター)、無反射膜 、導電膜、帯電防止膜、ローパスフィルター、ハイパスフィルター、バンドパスフィルタ 一、遮蔽膜、保護膜などを施すことができる。特に赤外線反射膜は、 CCDの赤外域 の感度が高いために、それを赤外線の素子への入射を抑制することによって肉眼に よる画像に固体撮像素子の画像を近づけることができるので好ましい。
[0017] 上記の薄膜の材質としては、例えばシリカ(SiO )、アルミナ (Al O )、ジルコユア(
2 2 3
ZrO )、酸ィ匕タンタル (又はタンタラ) (Ta O )、酸化ニオブ (Nb O )、酸ィ匕ランタン(
2 2 5 2 5
La O )、酸化イットリウム(Y O )、酸化マグネシウム(MgO)、酸化ハフニウム(HfO
2 3 2 3
)、酸化クロム(Cr O )、フッ化マグネシウム(MgF )、酸化モリブデン(MoO )、酸
2 2 3 2 3 化タングステン (WO )、酸ィ匕セリウム(CeO )、酸ィ匕バナジウム (VO )、酸化チタン ジルコニウム(ZrTiO )、硫化亜鉛 (ZnS)、クリオライト(Na A1F )、チォライト(Na A
4 3 6 5
1 Fl )、フッ化イットリウム(YF )、フッ化カルシウム(CaF )、フッ化アルミニウム(A1F
3 4 3 2
)、フッ化バリウム (BaF )、フッ化リチウム(LiF)、フッ化ランタン(LaF )、フッ化ガド
3 2 3
リュウム(GdF )、フッ化デイスプロシゥム(DyF )、フッ化鉛(PbF )、フッ化ストロンチ
3 3 3
ゥム(SrF )、アンチモン含有酸化スズ (ATO)膜、酸化インジウム—スズ膜 (ITO膜)
2
、 SiOと Al Oの多層膜、 SiOx— TiOx系多層膜、 SiO— Ta O系多層膜、 SiOx
2 2 3 2 2 5
—LaOx—TiOx系列の多層膜、 In O—Y O固容体膜、アルミナ固容体膜、金属
2 3 2 3
薄膜、コロイド粒子分散膜、ポリメチルメタタリレート膜 (PMMA膜)、ポリカーボネート 膜 (PC膜)、ポリスチレン膜、メチルメタクリレートスチレン共重合膜、ポリアタリレート 膜等の組成を有するものが使用できる。
[0018] 上記の薄膜の形成方法についても、所望の厚み、表面精度、そして所望の光学機 能を達成することができるものであるならばどのような方法であっても、特に限定され るものではなく種々の方法を採用することができる。採用することのできる方法として は、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、分子線ェピタキ シ一法 (MBE法)、レーザーアブレーシヨン法、熔射法等の物理的気相成長法 (また は PVD法)がある。あるいは熱 CVD法、レーザー CVD法、プラズマ CVD法、有機 金属化学気相成長法 (MOCVD)等の化学的気相成長法 (または CVD法)、さらに ゾルーゲル法、スピンコーティング、メツキ法等の液相成長法でも上記の薄膜を形成 する方法として採用することができる。
[0019] この中でも特に PVD法は、低温で密着性の良!、膜ができ、種々の被膜に対応する ことが可能であって、化合物の被膜形成にも適して 、るため好ま 、方法である。
[0020] また、本発明の固体撮像素子用カバーガラスは、上述に加え、平板ガラスの外周 部を構成する側面の表面粗さの Ra値が 3nm以下であると共に、側面と第一透光面と が接する稜線の凹凸または側面と第二透光面とが接する稜線の凹凸の何れか一方 の凹凸は、第一透光面または第二透光面の何れか対応する一方の透光面と平行な 面上における最大窪み位置力も最大突出位置に至るまでの突出寸法が 0. 5 /z m力 ら 40 μ mの範囲にあれば、搬送性が良くなるので好ましい。
[0021] ここで、平板ガラスの側面における表面粗さの Ra値が 3nm以下であるとは、 1枚の 平板ガラスの側面の表面について、その表面粗さを表す尺度として JIS B0601に規 定された Raの値が 3nm以下であることを意味している。また、側面と第一透光面とが 接する稜線とは、側面と第一透光面とが交差する線である稜線を意味し、側面と第二 透光面とが接する稜線とは、側面と第二透光面とが交差する線である稜線を意味し ている。さらに、第一透光面または第二透光面の何れか対応する一方の透光面とは 、側面と第一透光面とが接する稜線の凹凸については、第一透光面が当該対応する 一方の透光面に相当し、側面と第二透光面とが接する稜線の凹凸については、第二 透光面が当該対応する一方の透光面に相当することを意味している。尚、最大窪み 位置力 最大突出位置に至るまでの突出寸法とは、その意味しているところが既に 薄膜の端縁の凹凸につ!、て述べた事項と同様である。
[0022] この場合、側面の表面粗さの Ra値が 3nmを超えると、板ガラスを固体撮像素子パ ッケージとして組み立てた後の機械的な強度に支障の発生する虞があるため好まし くない。また、側面と透光面 (第一透光面または第二透光面)とが交差する稜線にお ける凹凸の上記の突出寸法が、 0. 5 mより小さい値であると、カバーガラスとして使 用する板ガラスを搬送するための収納容器内に保管、そして取り出しを行うため、あ るいは固体撮像素子を収納するノ^ケージの所定箇所に配設する操作を行うため板 ガラス側面を把持する等の操作を行う際に摩擦抵抗が少なぐ板ガラスを把持し難く なる場合があり、板ガラスが誤って把持用治具等力も落下する危険性が高くなる。一 方、側面と透光面とが交差する稜線における凹凸の上記の突出寸法が、 40 /z mより 大きくなると、固体撮像素子パッケージの組み立て工程等で、板ガラス側面の表面か らその一部が破片として飛散し、あるいは側面に付着した粉塵、ダスト等が発塵する 虞が高くなるため好適ではな ヽ。
[0023] 以上のような観点から、平板ガラスの側面と透光面とが交差する稜線の凹凸(上記 の突出寸法)については、 0. 8 m力ら 35 μ mの範囲内である方がより好ましぐさら に好ましくは 1. 0 mから 30 mの範囲内にあることであり、一層好ましくは 1. 5 m 力ら 25 μ mの範囲内にあることである。
[0024] また、平板ガラスの側面と透光面とが交差する稜線の凹凸を上記の数値範囲内に 調整する具体的な方法としては、前記の薄膜の端縁の調整と同時に行うものであつ ても、別途行うものであってもよぐ具体的には前記したと同様に研磨ゃポリツシュ、レ 一ザ一切断、マスキングによる酸、アルカリ薬品等の薬剤によるエッチングによる化学 処理、サンドブラスト等の物理的な衝撃加工、遊離砥粒ゃ固定砥粒による切削加工 を使用することによって実現することが可能となるものである。一例として、レーザー 切断を使用する場合にっ 、ては、前記したように薄膜を成膜した面ではな 、第二透 光面に対して押圧力を所定条件で加えることによって平板ガラスの破断を行えば、側 面と透光面とが交差する稜線の凹凸を上記の数値範囲内に調整するに好適なものと なる。
[0025] また、本発明の固体撮像素子用カバーガラスは、上述に加え、平板ガラスの側面が 、第一透光面に隣接する第一側面部と、該第一側面部及び第二透光面に隣接する 第二側面部とを備え、第一透光面と第一側面部により形成される稜線の凹凸は、第 一透光面と平行な面上における最大窪み位置力 最大突出位置に至るまでの突出 寸法が 1. 5 mから 20 mの範囲にあるならば、平板ガラスの取り扱いが容易にな るので好ましい。
[0026] ここで、平板ガラスの側面における第一側面部と第二側面部は、表面性状、主に表 面粗さの相違に起因して形成される境界線によって区分され、この境界線は、例え ば 50倍程度の倍率で顕微鏡観察を行うことにより明瞭に認識することができ、そして 第一側面部は平板ガラスの全周にわたって第一透光面と隣接し、第二側面部は平 板ガラスの全周にわたって第一側面部及び第二透光面と隣接している。尚、最大窪 み位置力も最大突出位置に至るまでの突出寸法とは、その意味しているところが既 に薄膜の端縁の凹凸にっ 、て述べた事項と同様である。
[0027] 平板ガラスの薄膜が形成された第一透光面と第一側面部との境界である稜線の凹 凸における上記の突出寸法が 1. 以上であると、板ガラスを移動させるために 治具などを使用して板ガラスの側面を把持した際に、板ガラスの把持位置によっては 稜線の凹凸部が滑り止めとして働くので、滑る等の問題が発生しにくい形状となって いる。そのため、安定した操作を実現することが可能であり、治具接触面に対して適 度な静止摩擦係数を有する状態とすることができる。
[0028] また、第一透光面と第一側面部との境界である稜線の凹凸における上記の突出寸 法を 20 m以下とすることで、板ガラスの側面部の強度に経時的な変化を生じさせ る微細寸法のクラックやカケ、キズ等の表面欠陥の発生を抑制することが可能となる ため、好ましい。
[0029] このような観点から、より安定した性能を実現するためには、平板ガラスの薄膜が形 成された第一透光面と第一側面部との境界である稜線の凹凸(上記の突出寸法)は 、 1. 7 /z mから 18 /z mの範囲であることが好ましぐさらに好ましくは平板ガラスの薄 膜が形成された第一透光面と第一側面部との境界である稜線の凹凸 (上記の突出寸 法)は、 1. 8 mから 15 mの範囲とすることである。
[0030] また、本発明の固体撮像素子用カバーガラスは、上述に加え、平板ガラスの第一 側面部及び Zまたは第二側面部から入射して第二透光面から出射するに至る光路 力 波長 300nmの紫外線を 10%以上透過させるのであれば、素子に対してより高 強度の光線を入射できるので好まし 、。
[0031] ここで、平板ガラスの第一側面部及び Zまたは第二側面部から入射して第二透光 面から出射するに至る光路が、波長 300nmの波長の紫外線を 10%以上透過させる とは、固体撮像素子用カバーガラスの側面へ、紫外域の波長に相当する波長 300η mの UV光線を入射して、その光線が第二透光面から出射する場合に、入射した光 線に対する透過率が 10%以上となることを意味している。
[0032] ここで規定した測定条件に対して透過率が 10%以上となる平板ガラスであることに よって、平板ガラスの側面力も紫外線を照射する技術を採用することも可能となる。こ のような性状の平板ガラスであれば、例えば固体撮像素子を組み立てる工程で平板 ガラスの第二透光面に施された未硬化の紫外線硬化樹脂の硬化を行わせるために 、平板ガラスの側面カゝら入射した紫外線を利用することが可能となる。
[0033] そして、上記の透過率を 10%以上に調整するための手段としては、表面粗さを調 整することによって、散乱光を減ずることが大切であり、表面粗さ (Ra値)を 3nm以下 とするために、表面の研磨や切断時のレーザーの使用、研肖 ポリッシュ、あるいは 各種薬剤によるエッチング等を採用することができる。
[0034] また、本発明の固体撮像素子用カバーガラスは、上述に加え、薄膜が光学薄膜で あって、膜厚が 0. 01 から 100 mの範囲にあるならば、種々の性能を容易に実 現できるので好ましい。
[0035] ここで、薄膜が光学薄膜であって、膜厚が 0. 01 μ m力ら 100 μ mの範囲にあると は、固体撮像素子用のカバーガラスの表面に施された薄膜が、各種波長の光線の 入射の制御などの光学的な機能を有する薄膜であって、その厚み寸法が lOnmから 1 X 105nmの範囲内であることを表している。
[0036] この場合、薄膜の厚み寸法が 0. 01 μ mより薄いと、薄膜の光学的な機能が充分に 発揮できない場合もあるため好ましくない。一方、薄膜の厚み寸法が 100 mより厚 いと薄膜に過剰な封着応力、熱応力等の膜材質の膨張係数に起因する応力が発生 し易ぐ板ガラス表面に長期に亘る接着力を維持しにくくなり、剥がれたり割れたりす るような経時的な劣化が生じる場合がある。このため、薄膜はその厚み寸法が 0. 01 μ m力ら 100 μ mであるのが好適である。
[0037] また、本発明の固体撮像素子用カバーガラスは、上述に加え、固体撮像素子が C CDまたは CMOSであれば、素子の性能を十分に発揮させることができるので好まし い。
[0038] CCDは、画像の明暗による光量に比例した電荷を蓄える受光部と蓄えられた電荷 を 1力所に集めるために転送する転送部よりなる素子であり、一方 CMOSは、光をフ オトダイオードで受光してそれをトランジスタのスィッチにより取り出す機能を有する素 子である。そして、本発明の固体撮像素子用カバーガラスは、 CCDや CMOSのよう な固体撮像素子のために光線を透過し、さらにパッケージ内の素子を外気力も保護 するための気密封止のできるカバーガラスとして使用する時に、大いにその性能を発 揮することができる。
[0039] また、本発明の固体撮像素子用カバーガラスは、上述に加え、無機酸化物ガラス 製の平板ガラスが、質量0 /0で、 SiO 55〜70%、 Al O 0. 5〜20%、 B O 5〜
2 2 3 2 3
20%、 RO 0. l〜30% (RO = MgO + CaO+ZnO + SrO + BaO)、 ZnO 0〜9 %、 M O 1〜20% (M 0 = Li O + Na O+K O)を含有するならば、光学的な性
2 2 2 2 2
能に加えて化学的な性能や強度等の機械的性能をも満足できるものとなるので好ま しい。
[0040] ここで、無機酸ィ匕物ガラス製の平板ガラス力 質量%で、 SiO 55〜70%、 Al O 0. 5〜20%、B O 5〜20%、RO 0. 1〜30% (RO = MgO + CaO+ZnO + S
2 3
rO + BaO)、 ZnO 0〜9%、 M O 1〜20% (M 0=Li O+Na O+K O)を含有
2 2 2 2 2 するとは、酸化物換算表示でガラス中に含有する成分を表記した場合に、酸化珪素
(シリカともいう)が 55から 70質量0 /0、酸化アルミニウム(アルミナともいう)が 0. 5から 2 0質量0 /0、酸ィ匕ホウ素が 5から 20質量0 /0、酸化マグネシウム(マグネシアともいう)と酸 化カルシウム (力ルシアとも 、う)と酸化亜鉛 (又は亜鉛華とも!、う)と酸化ストロンチウ ムと酸化バリウムの合量が 0. 1から 30質量0 /0、酸化亜鉛が 9質量0 /0以下、酸化リチウ ム(リシァともいう)と酸ィ匕ナトリウムと酸ィ匕カリウムの合量が 1から 20質量0 /0であること を表している。
[0041] SiOは、ガラスの原子レベルの尺度における網目構造の骨格を構成する主要成分
2
であって、 55質量%に満たないとガラス表面の化学的な耐久性に起因する問題の発 生する危険性が高くなるため好ましくない。またその含有量が 70質量%を超えると、 均質にガラスを熔解して均質なカバーガラスを得るには高額の費用が嵩むガラス熔 融設備が必要となる。
[0042] Al Oは、ガラスの網目構造を安定ィ匕するために必要となる成分であると同時にガ
2 3
ラスを無機原料力 熔融して熔融ガラスとする際のガラス化反応の初期の熔融性を 向上させるものであるために好ましい成分の 1つであり、ガラスの化学的な耐久性の 向上にも有効なものである。ただし、その含有量が 0. 5質量%に満たないと溶融時 の初期熔解性の向上や成形された後の化学的な耐久性の向上に著しい変化が認め がたい。またその含有量が 20質量%を超えると、むしろガラス溶融時の熔解性を悪 化する要因となる場合もあり、あるいはガラスの失透性を高め結晶等の生成が認めら れやすくなる場合もあるため、好ましくない。
[0043] B O は、ガラスの熔融温度を低下させてガラス熔融時におけるガラス溶融時の熔
2 3
解性能を向上させる成分である力 このガラス組成系では 5質量%以上の含有によつ てその効力が発揮されるため好ましい。一方 B O 力 ¾0質量%を超えると熔融時の
2 3
熔融ガラス生地表面力 の蒸発量が多くなりガラス物品の不均質の原因となるととも にガラス物品の化学的な耐久性にも支障の発生する場合もあり好ましくない。
[0044] MgO (酸化マグネシウム)と CaO (酸化カルシウム)と ZnO (酸化亜鉛)と SrO (酸化 ストロンチウム)と BaO (酸化バリウム)の合量にっ 、ては、 V、ずれもガラスの耐候性や 熔解性、さらに屈折率、透過率などを所望の性能とするために必要となるものである 力 その合量が 0. 1質量%に満たないと所望の機能を実現するには不充分な場合 が多い。またこの合量が 30質量%を超えると、ガラスの耐候性や熔融時の熔解性に 支障の発生する場合が多くなるため好ましくない。またガラスの強度についても、 30 質量%を超えると問題が発生することがあり、好ましくない。
[0045] ZnOは、成形された後のガラス表面の長期間に亘る化学的な耐久性の向上ゃガラ ス表面の耐傷性の向上に対して、ガラス中に添加されることで、その性能の改善が認 められる成分であるが、質量%で9%を超える量を添加すると、むしろ化学的な耐久 性が劣化する場合もあるため好ましくない。
[0046] アルカリ金属元素の酸化物として表される Li O (酸化リチウム)と Na O (酸化ナトリ
2 2
ゥム)、そして κ o (酸ィ匕カリウム)の合量は、薄膜との加熱時の応力調整や固体撮像
2
素子のノ ッケージ筐体との膨張収縮により発生する熱応力を補償するためにカバー ガラスの膨張係数を所定の範囲にすることで、熱負荷に対する安定した性能を実現 する働きを持たせるために有用な成分である。そして、その合量が 1質量%以上であ れば無アルカリガラスとは明瞭に区別でき、ガラスの熔融作業に無アルカリガラスほど の大きな労力を要せず、しかも膨張係数を大きく変動させる効果を実現できるため好 適である。しかし 20質量%を超えるとガラスの化学的耐久性、特にガラス表面の耐水 性に支障が発生するため、好ましくない。
[0047] また、本発明の固体撮像素子用カバーガラスは、無機酸ィ匕物ガラスが、無アルカリ ガラスであるならば、固体撮像素子パッケージを構成した後の高 ヽ耐候性を実現す るには好適である。
[0048] ここで、無機酸ィ匕物ガラスが無アルカリガラスであるとは、アルカリ金属元素成分で ある Li、 Na、 Kを本質的に含有しないガラスを表している。ここで本質的に含有しな いとは、ガラス組成中のアルカリ金属元素である Na (ナトリウム)、 Κ (カリウム)、 Li (リ チウム)といった元素が酸ィ匕物換算で 0. 1質量%以下となるものである。すなわち本 発明の固体撮像素子用カバーガラスについては、その用途力も必要とされるガラス 組成を採用することが可能であって、ガラス物品中に含有するアルカリ成分がガラス 表面の経時的な耐候性に関する機能を阻害する危険があり、ガラス熔融作業に労力 を必要とする場合であってもそれに見合う実益を実現できるなら好適である。そしてこ の場合には、カバーガラスの組成としてアルカリ金属元素を含有しない組成、いわゆ る無アルカリガラス組成が使用でき、本発明を無アルカリガラスについて適用すること で、所望の機能を実現することが可能となる。
[0049] このような場合に採用できる無アルカリガラスの組成としては、酸化物換算表示でガ ラス中に含有する成分を表記した場合に、質量%で、 SiO 53〜61%、 Al O 0.
2 2 3
5〜20%、B O 5〜16%、RO 2〜28% (RO = MgO + BaO)、 JO (jO = CaO +
2 3
SrO) 0. 1〜15%、であってガラス中の OH基含有量 50ppm〜700ppmの範囲 とすることが好適である。
[0050] ここで、 SiOは、無アルカリガラスの組成については、質量0 /0で 53%より少ないと
2
化学的な耐久性が低くなる傾向があり、一方 61%を超え、し力もアルカリ金属元素が 含有していないため、熔融ガラスの粘性が高ぐそのために不均質な熔融状態になり やすぐ安価な製造原価で均質な薄板ガラスを成形するには困難な場合もあるため 、好ましくない。
[0051] また、 Al Oは、無アルカリガラスの組成については、質量%で 0. 5〜20%の範囲
2 3
内とすることが、耐電性等のガラスの電気的な性能やィ匕学的な性能について、調和 のとれたものとなるため好適である。
[0052] MgOと BaOの合量については、質量%で 2〜28%の範囲内とするのが、成形され た後の耐薬品性、熱膨張係数、そして熔融時の熔融ガラス力 の結晶の析出を回避 するために好適である。
[0053] CaOと SrOの合量については、質量%で 0. 1〜15%の範囲内とすること力 成形 された後の耐薬品性、熱膨張係数、あるいは低温粘性といった性質を最適な状態と するため好適である。
[0054] B Oは、ガラスの熔解性を向上させる成分である力 このガラス組成系では質量%
2 3
で 5%以上の含有によってその効力が発揮されるため好ましい。一方 B Oが質量%
2 3 で 16%を超えると熔融時の蒸発量が多くなり、ガラスが不均質になりやすくなるので 好ましくない。 [0055] ガラス中の OH基含有量については、 50ppm〜700ppmの範囲内とすること力 ガ ラスの 104dPa' secより高温の熔融ガラスの粘性を適切な粘性値にすることででき、 各種の成形方法で成形したガラス表面にっ 、て、組成が均質で平滑な表面状態を 有するガラスの成形体を得ることができるため好適である。
[0056] また、本発明の固体撮像素子用カバーガラスの組成は、上記の特徴を有しつつ、 高純度原料とその整備された熔融環境を採用することによって、 u (ウラン)、 TMトリ ゥム)、 Ra (ラジウム)、 Fe O、 PbO、 TiO、 MnO、 ZrO等の含有量を精密に制御
2 3 2 2 2
されており、特に紫外線近傍の透過率に影響を及ぼす Fe O、 PbO、 TiO、 MnO
2 3 2 2 については、各々 l〜100ppmのオーダーで管理されていることが好ましい。また α 線による CCD等のソフトエラーの原因となる U、 Th、 Raについては、それぞれ 0. 1 〜10ppbのオーダーで管理することが可能となっている。そして、このような管理によ つて固体撮像素子用カバーガラスの α線放出量は、 0. 5cZcm2'hr以下とすること が必要である。
[0057] また、本発明の固体撮像素子用カバーガラスが適用される固体撮像素子としては、 素子の機能について、受光方式、転送方式の違いから区分されるインターライントラ ンスファー型(IT— CCD)、フレームインターライントランスファー型(FIT— CCD)、フ ルフレームトランスファー型(FF— CCD)、フレームトランスファー型(FT— CCD)、 あるいは光導電膜積層型 (PSD)等の種類の区別無く使用することができる。また、 前記した CMOSやその他の固体撮像素子に分類される分野で使用される素子の素 子収納パッケージについても本発明の固体撮像素子用カバーガラスを使用できるも のである。そして、特に本発明の固体撮像素子用カバーガラスは、インターライントラ ンスファー型 (IT- CCD)や、それに含まれるプログレッシブスキャン型 CCDの様に デジタルカメラや携帯電話等で使用される素子収納パッケージのカバーガラスとして も好適なものである。
[0058] また、本発明の固体撮像素子用カバーガラスは、上記に加えてガラスの熱膨張係 数が固体撮像素子の熱膨張係数に比較的近い値であって、し力もノ^ケージの筐 体材料より熱膨張係数が小さいならば好ましい。例えば、ノ ッケージとして膨張係数 力 S70 X 10_7Z°Cのアルミナを使用するならば、カバーガラスは 70 X 10_7Z°Cより小 さければよぐ 30 X 10_7Z°Cまでの膨張係数値を有するガラスであればよい。また、 カバーガラスはその質量が小さい方がさらに好ましぐこのような観点からガラスの密 度は、 2. 8gZcm3以下であることが好ましい。また、板ガラス中の脈理ゃノット等のガ ラス物品の均質性を妨げるものも実質的に存在せず、高い均質度を実現したもので あることが好ましい。
[0059] また、本発明の固体撮像素子用カバーガラスの製造方法は、ガラス原料混合物を 耐熱性容器内で熔融する工程と、得られた熔融ガラスを板ガラスに成形する工程と、 該板ガラスの表裏面の一方である第一透光面に薄膜を形成する工程と、該薄膜が形 成された板ガラスを小片の板ガラス片に分割する工程とを有することを特徴とする。
[0060] より具体的には、上記の四つの工程を有するとは、無機原料やガラスカレットを白金 やセラミックス等の 1500°C以上の高温に耐え得る容器内、あるいは槽内で所定の加 熱方法によって加熱して熔融して均質化し、均質化した熔融ガラスを種々の成形方 法を採用することによって板ガラスに成形する工程、そして成形された板ガラスの第 一透光面に様々な方法で薄膜を形成する工程、さらに薄膜の施された板ガラスにつ いて加工装置等を使用することによって小片の板ガラス片に加工する工程を有する ことを意味するものである。
[0061] ガラス原料混合物を耐熱性容器内で熔融する工程と、得られた熔融ガラスを板ガラ スに成形する工程については、固体撮像素子用カバーガラスとしての所定の均質性 を有するものを得ることができ、ガラス表面の精度や板ガラスの寸法精度、さらにガラ ス表面の清浄度などについて充分に高い品位を有するものとできる工程であるなら ば、支障なく採用することができるものである。
[0062] 板ガラスの第一透光面に薄膜を形成する工程にっ ヽては、前記した板ガラスを成 形する工程と連続した工程としてもよいし、また分離した工程であってもよい。いずれ にしても、板ガラスの表面に成膜するため、ガラス表面へのダストの付着等、清浄度 を損ねる環境下では、所望の膜を施すことが困難となるため注意が必要である。
[0063] そして、薄膜の施された板ガラスについて、加工装置等を使用することによって小 片の板ガラス片に分割する工程については、前記したような所望の性状を有する端 面状態となるような分割が行えるものであれば、割断その他のどのような加工方法で あっても支障なく採用することができるものである。
[0064] また、本発明の固体撮像素子用カバーガラスの製造方法は、上述に加え、熔融ガ ラスを板ガラスに成形する工程が、熔融ガラスを下方に延伸成形して板ガラスを得る ものであるならば、板の厚み寸法精度の高 、板ガラスを得ることができるので好まし い。
[0065] ここで、熔融ガラスを板ガラスに成形する工程が、熔融ガラスを下方に延伸成形し て板ガラスを得るものであるとは、下方に延伸成形する成形手段を採用した装置を使 用して板ガラスを成形するものであり、高温状態の熔融ガラスを所望の成形方法で成 形する際に、ロール等の耐熱構造を有する装置を介して熔融ガラスに延伸力を印加 しつつ延伸することによって、所定の表面精度、板厚、板面積を実現する方法で成 形するものであることを意味している。例えば、延伸成形方法として、具体的にはスロ ットダウンドロー成形法、オーバーフローダウンドロー成形法(ある 、はフュージョン法 )、ロールアウト成形法、リードロー成形法等の成形手段によって成形する方法を表し ている。
[0066] また、本発明の固体撮像素子用カバーガラスの製造方法は、上述に加え、板ガラ スの表裏面における薄膜が形成されていない第二透光面に、板ガラスを小片の板ガ ラス片に分割する分割予備線を刻設するものであれば、分割操作を効率良く行える ため好ましい。
[0067] ここで、板ガラスの表裏面における薄膜が形成されていない第二透光面に、板ガラ スを小片の板ガラス片に分割する分割予備線を刻設するとは、膜が形成されていな V、第二透光面側から加工に係るエネルギーを印加し、そのエネルギーによって板ガ ラスについての小片化を行うための入傷、切断、破断あるいは割断を開始することを 意味するものである。
[0068] また、本発明の固体撮像素子用カバーガラスの製造方法は、上述に加え、小片の 板ガラス片における第一透光面及び第二透光面の両者共に 81%〜99%が画像透 光用有効面となるように分割するものであれば、固体撮像素子に充分な画像情報を 入射できるので好ましい。
[0069] ここで、小片の板ガラス片における第一透光面及び第二透光面の両者共に 81% 〜99%が画像透光用有効面となるように分割するとは、板ガラスの 2つある透光面の 内、その各々の透光面の面積についてパッケージとした後の固体撮像素子に正常な 画像を形成する光線を透過することのできる有効な面積部分が 81%から 99%の範 囲にあるように分断する加工を行うことである。 1つの透光面の面積は、小片の板ガラ ス片におけるその 1つの透光面を囲む 4辺(あるいは 4つの稜線)の交差する頂点を 連結することでその内部に形成される矩形面積のことである。ここで固体撮像素子に 正常な画像を形成する光線を透過するとは、フレアやゴースト等の原因となる乱反射 光を除く光線が透過すると 、うことを意味して 、る。
[0070] この場合、小片の板ガラス片における第一透光面及び第二透光面の両者共に面 積の 81%以上が有効面であると、固体撮像素子に画像を形成するに足る充分な光 線を素子に入射することができるため好ましい。一方、小片の板ガラス片における第 一透光面及び第二透光面の両者共に面積の 99%よりも有効面が多い場合は、その 板ガラス片をパッケージ筐体に封止するために接着剤等を塗布するに必要となる板 ガラス片の第二透光面の面積力 、さくなりすぎるため、封止後のパッケージについて 、各種の熱履歴や使用環境からの化学的なアタック等の負荷を経る環境に対応でき る信頼性が低くなる虞があるため好ましくない。よって、このような観点からは、小片の 板ガラス片における両透光面の面積の 83%から 98%の範囲が画像透光用有効面 積となる大きさに分割することがより好ましぐさらに好ましくはその両透光面の面積の 85%から 97%の範囲を画像透光用有効面積となる大きさに分割することであり、一 層好ましくはその両透光面の面積の 86%から 95%の範囲を画像透光用有効面積と することである。
[0071] このような画像透光用有効面を形成する方法としては、まず小片の板ガラス片の両 透光面の清浄度に充分な注意が必要である。例えば、クリーンルーム等の設備環境 下で発塵が抑制され、管理された環境でその板ガラス片の両透光面を汚染するよう な要因を極力排除しつつ、一連の洗浄工程や加工工程を駆使することが必要となる 。このように板ガラス片の両透光面の清浄度が維持された状態のまま映像透光用有 効面となるように配慮することによって、付着異物の除去、ガラス内蔵欠陥、ガラス表 面に発生する傷を排除したものであれば、そのような状態にある板ガラス片の使用に つ!、てはまったく支障のな!、ものである。
[0072] また、映像透光用有効面を所定比率範囲となるように確保するためには、上記に加 えて小片の板ガラス片への加工におけるその板ガラス片の端面加工の寸法精度と端 面の加工状態が大切なものとなる。また、映像透光用有効面を所定比率範囲となる ように確保することは、板ガラスの非有効面の一部が、前記した接着剤等により固体 撮像素子を収納したパッケージに封止すると 、う役割を担う部位であることから、非 有効面の面積を所定範囲内とするためにも大切なことである。この板ガラス片の端面 加工の寸法精度と端面の加工状態が安定したものとならないと、非有効面を使用す る封止の面積にばらつきが生じ、その結果、固体撮像素子パッケージの耐環境性能 を低くする虞があるからである。また、この板ガラス片の端面加工の寸法精度と端面 の加工状態が所定のものでないと、画像透光用有効面に部分的に破損したり欠けた りした端面起因のガラスの破片や端面に付着した異物が飛散付着し易くなり、画像透 光用有効面を有効でない状態にする虞があるため好ましくないからである。このため 前記したように透光面と端面が形成する稜線の凹凸を所定の範囲とすることで、この ような問題を回避することが可能となったのである。
発明の効果
[0073] (1)以上のように、本発明の固体撮像素子用カバーガラスは、無機酸ィ匕物ガラス製 の平板ガラスの第一透光面に薄膜が形成されると共に、平板ガラスの第一透光面上 の外縁部に位置する薄膜の端縁に、最大窪み位置力 最大突出位置に至るまでの 突出寸法が 0. 5 μ m力ら 50 μ mの範囲内にある凹凸が形成されるため、サーマルシ ョック試験ゃサーマルサイクル試験などの各種の環境試験に耐えうるカバーガラスで あって、カバーガラス表面の薄膜が熱的、機械的応力によって剥がれにくぐ実使用 時における長期間に亘る使用に対して高い信頼性、安定性を有するものである。
[0074] (2)また、本発明の固体撮像素子用カバーガラスは、平板ガラスの側面の表面粗さ
(Ra値)が 3nm以下であり、側面と第一透光面とが接する稜線または側面と第二透 光面とが接する稜線の何れか一方に、最大窪み位置から最大突出位置に至るまで の突出寸法が 0. 5 mから 40 mの範囲内にある凹凸を形成すれば、稜線や側面 表面に起因するカバーガラスの破損やカケ、クラック、飛散物の発生を抑制すること が可能となり、不良発生率を減少させることができるものである。
[0075] (3)さらに、本発明の固体撮像素子用カバーガラスは、平板ガラスの薄膜が形成さ れた第一透光面及び該第一透光面に対向する第二透光面に隣接する側面が、第 一透光面に隣接する第一側面部と、該第一側面部及び第二透光面に隣接する第二 側面部とを備え、第一透光面と第一側面部により形成される稜線に、最大窪み位置 力も最大突出位置に至るまでの突出寸法が 1. 5 mから 20 mの範囲内にある凹 凸を形成すれば、カバーガラスが搭載された固体撮像素子パッケージが電子機器に 実装された後も、カバーガラスは長期に亘る安定した強度性能を維持し続けることが できるものである。
[0076] (4)また、本発明の固体撮像素子用カバーガラスは、平板ガラスの第一側面部及 び Zまたは第二側面部から入射して第二透光面力 出射するに至る光路が、波長 3 OOnmの紫外線を 10%以上透過させるものであれば、紫外線硬化榭脂を採用するこ とでカバーガラスを固体撮像素子パッケージに封止する場合にも、短時間の紫外線 照射によっても高い接着強度を有する接着を行うことができるため、パッケージ製造 の効率を充分高い状態に維持することが可能となるものである。
[0077] (5)さらに、本発明の固体撮像素子用カバーガラスは、薄膜が光学薄膜であって、 膜厚が 0. 01 m力ら 100 mの範囲内〖こあれば、顧客から要求される高い光学性 能を有するカバーガラスを、寸法等にっ 、て余裕のある優れた品位を有する状態で 供給することができる。
[0078] (6)また、本発明の固体撮像素子用カバーガラスは、固体撮像素子が CCDまたは CMOSであれば、汎用性の高い種々の機器に搭載されることによって CCDや CMO Sの性能を充分に発揮させることが可能となる品位を有するものである。
[0079] (7)さらに、本発明の固体撮像素子用カバーガラスは、無機酸化物ガラス製の平板 ガラスが、質量%で、 SiO 55〜70%、 Al O 0. 5〜20%、 B O 5〜20%、 RO
2 2 3 2 3
0. l〜30% (RO = MgO + CaO+ZnO + SrO + BaO)、 ZnO 0〜9%、 M O 1
2
〜20% (M 0 = Li O + Na O+K O)を含有するものであれば、紫外域、可視域に
2 2 2 2
おける透過率性能や耐水性、耐酸性といったィ匕学的な耐久性に加えて、密度が充 分に低いガラス材とすることが可能であるため軽量なカバーガラスを構成することが できるものである。
[0080] (8)また、本発明の固体撮像素子用カバーガラスは、無機酸ィ匕物ガラスが、無アル カリガラスカゝらなるものであれば、戸外で使用される電子機器に搭載される固体撮像 素子を保護するために重要となる耐候性に関する品位を常に高い状態とすることが でき、携帯情報端末や携帯電話等に搭載される固体撮像素子用のカバーガラスとし て好適なものである。
[0081] (9)本発明の固体撮像素子用カバーガラスの製造方法は、ガラス原料混合物を耐 熱性容器内で熔融する工程と、得られた熔融ガラスを板ガラスに成形する工程と、該 板ガラスの表裏面の一方である第一透光面に薄膜を形成する工程と、該薄膜が形成 された板ガラスを小片の板ガラス片に分割する工程とを有するものであるため、多数 の板ガラス片を同一条件下で成膜することが可能であって、製造された固体撮像素 子用カバーガラスの光学的な性能のばらつきを少なくし、膜の化学的な耐久性につ いても大きな性能の偏り等の発生を少なくするものである。
[0082] (10)また、本発明の固体撮像素子用カバーガラスの製造方法は、熔融ガラスを板 ガラスに成形する工程が、熔融ガラスを下方に延伸成形して板ガラスを得るものであ るならば、母材である板ガラスのうねり等の表面品位を適切なものとすることが容易で あり、寸法精度の要求に充分応える熔融ガラスの精密成形を高速に行うことができる ならば、高い製造効率を実現しつつ市場要求に見合う適正製造原価と達成すること ができるものである。
[0083] (11)さらに、本発明の固体撮像素子用カバーガラスの製造方法は、板ガラスの表 裏面における薄膜が形成されていない第二透光面に、板ガラスを前記小片の板ガラ ス片に分割する分割予備線を刻設するものであれば、膜表面や膜接着面に大きな 力を加えることなく母材となる板ガラスを小片にするための加工を施すことができ、小 片化された後の各板ガラス片の端面に起因する欠陥の発生を低く抑制することので きるものである。
[0084] (12)また、本発明の固体撮像素子用カバーガラスの製造方法は、小片の板ガラス 片における第一透光面及び第二透光面の両者共に 81%〜99%が画像透光用有 効面となるように分割するものであれば、素子の寸法が小さ 、場合や大き 、素子が 必要とされる場合であっても、それに応じた最適な画像透光用有効面積を有する力 バーガラスを製造することができ、固体撮像素子の性能に応じたカバーガラスの供給 を滞りなく行うことが可能である。
図面の簡単な説明
[0085] [図 1]図 1 (A)は、本発明の実施形態に係る固体撮像素子用カバーガラスの全体斜 視図、図 1 (B)は、図 1 (A)の符号 Bで示す部分の拡大斜視図、図 1 (C)は、同じく符 号 Bで示す部分の拡大平面図である。
[図 2]図 2 (A)は、前記固体撮像素子用カバーガラスが使用された固体撮像素子を 説明するための縦断側面、図 2 (B)は、同じく固体撮像素子を説明するための平面 図である。
[図 3]本発明の実施形態に係る固体撮像素子用カバーガラスの製造方法における厚 板ガラスカゝら薄板ガラスを製造する工程を説明するための概略斜視図である。
[図 4]本発明の実施形態に係る固体撮像素子用カバーガラスの製造方法における第 一加工後の薄板状ガラスに第二加工をおこなう工程を説明するための概略斜視図で ある。
符号の説明
[0086] 10 固体撮像素子用カバーガラス
11a 第一透光面
l ib 第二透光面
12 側面
12a 第一側面部
12b 第二側面部
20 薄膜
21 側面と透光面とが接する稜線
22 薄膜の端縁
30 接着剤
40 固体撮像素子を収納するパッケージ
50 固体撮像素子 60 厚板ガラス
70 延伸成形装置
80a 加熱炉
80b 耐熱性ローラー
90 薄板ガラス
91 第一加工後の薄板ガラス
92 第一加工面
93 ライン状ヘッド
M 作動方向
P 画像透光用有効面積
L 薄膜の端縁の凹凸寸法
T 側面と透光面とが接する稜線の凹凸寸法
発明を実施するための最良の形態
[0087] 以下、本発明の実施形態に係る固体撮像素子用カバーガラスとその製造方法につ いて、図面を参照しつつ詳細に説明を行う。
図 1 (A)は、本発明の実施形態に係る固体撮像素子用カバーガラスの斜視図、図
1 (B)は、図 1 (A)に符号 Bで示す部分の拡大斜視図、図 1 (C)は、同部分の拡大平 面図である。また、図 2 (A)は、上記の固体撮像素子用カバーガラスを固体撮像素子 用パッケージに搭載した状態を示す縦断正面図、図 2 (B)は、同状態を示す平面図 である。
[0088] この固体撮像素子用カバーガラス 10は、質量%表示で、 SiO 60%、 Al O 14. 7
2 2 3
%、 B O 11%, RO (RO = MgO + BaO) 3 % , JO (JO = CaO + SrO) 11. 3%、 O
2 3
H基量 565ppmの組成を有する無アルカリ硼珪酸ガラスカゝらなる平板ガラス (小片 の板ガラス片)を使用したものであって、携帯電子機器に搭載されるインターライント ランスファー型 CCD素子のパッケージの窓材としてカバーガラス用途で使用されるも のである。この平板ガラスの寸法は、縦 3mm、横 3mm、厚み 0. 5mmであり、透光面 の一方側すなわち第一透光面 11aにのみ赤外線反射膜 20が成膜されているもので ある。この赤外線遮蔽膜 20は、 CVD法によって SiOと Ta Oをそれぞれ 75nmから 160nmの厚みを有するように 40層以上交互に積層し、波長 750nm以上の赤外線 を 96%以上遮断する性能を有するものである。
[0089] このカバーガラス 10の側面 12は、図 1 (A)、(B)に示すように性状の異なる 2つの 側面よりなり、一方は第一透光面 11aと接する第一側面部 12aであり、他方は第一側 面部 12a及び第二透光面 l ibに隣接する第二側面部 12bである。そして、このカバ 一ガラス 10は、図 1 (C)に示すように、第一透光面 11aと第一側面 12aとが接する稜 線 21の凹凸の最大値 T、すなわち第一透光面 11aと平行な面上における稜線 21の 凹凸の最大窪み位置から最大突出位置に至るまでの突出寸法 Tが、 3. 5 111で1. 5〜20 /ζ πιの範囲内にあり、また側面 12の表面粗さが 0. 5nmである。さらに、この力 バーガラス 10は、第一透光面 11aに施された薄膜 20の平板ガラスの表面と接する端 縁 22の凹凸の最大値 L、すなわち第一透光面 11aと平行な面上における薄膜 20の 端縁 22の凹凸の最大窪み位置力も最大突出位置に至るまでの突出寸法 Lが、 2. 1 111で0. 5〜50 πιの範囲内にある。
[0090] また、この平板ガラス (小片の板ガラス片)の加工に際しては、成膜を施した母材薄 板ガラスカゝら小片の板ガラス片を得る加工方法としてレーザー切断を採用したもので あり、側面 12は光学的な鏡面に近い表面状態を有している。このため、図 2 (A)に示 すように、側面 12から紫外線を入射することによって、第二透光面 l ibに塗布された 紫外線硬化榭脂製の接着剤 30の硬化を行うことができる。そして、この場合の光線 の透過率は、紫外線センサーを使用して計測すると 50%の透過率であることを示し た。そして、このような手順でパッケージ 40に固体撮像素子用カバーガラス 10の封 着を行ったものを図 2 (A)、(B)に示している。このように組み立てられた状態で、図 2 (B)の斜線部で示す固体撮像素子用カバーガラス 10の有効透過面積 Pは、固体撮 像素子 50を駆動状態にして調査するとカバーガラス 10の第一透光面 11a及び第二 透光面 1 lbの各々の面積に対して 87%であることが判明する。
[0091] ここで、本発明に係る固体撮像素子用カバーガラス 10の表面粗さの計測は、触針 式表面粗さ測定機タリステップ (Tayler— Mobson社製)を用いて、 0. 25mmの測 定長について、計測速度 0. 0025mmZsec、フィルター 0. 33Hz、倍率 20万倍の 条件で測定したものである。また、凹凸の測定は、顕微鏡、 SEM等の計測によるもの である。
[0092] 次いで、上記の固体撮像素子用カバーガラス 10について、その製造方法を説明 する。
[0093] まず、小片の板ガラス片とする前の板ガラスの製造工程について、以下に説明する 。この工程は、薄板状の一片 300mm程度の寸法を有する大板状の母材ガラスを作 製する工程であるが、この工程は 2種類あり、一つは延伸成形による方法で、他方は 精密研削研磨加工のみによる方法である。延伸成形による場合は、先に耐火物や白 金等の高融点金属で構成された熔融炉で熔解した後に成形した板ガラスで、例えば 、幅 850mm、厚さ 5mm、長さ 3mの母材板ガラスを準備する。そして、この母材板ガ ラスに、人工皮革を備えた回転研磨機(図示省略)によって、酸化セリウム等の遊離 砲粒を水等に分散させたスラリーを自動供給しながら研磨加工を施して、表面粗さが Ra値で 1. lnmの鏡面にまで研磨力卩ェを行い、洗浄、乾燥して、例えば、板厚 4. 5 ±0. 5mmの厚板ガラス 60を得る。そして、この厚板ガラス 60を図 3に示す延伸成形 装置 70にセットして、ガラス粘度が 105dPa' sになる温度に保持された加熱炉 80aに より加熱し、下部に取り付けた取り出し耐熱性ローラー 80bによって搬入速度の 10倍 の速度で搬出することによって薄板ガラス 90に成形し、この薄板ガラス 90の両側をス クライブ成形することで、薄板状の一辺 300mmの大板ガラスを成形する。
[0094] また、精密研削研磨加工による場合は、熔融炉で熔解し均質化されたガラスを、例 えば、寸法が 800 X 300 X 300mmのインゴット(ブロック)に铸込み成型を行 、、そこ 力も遊離砲粒を利用するワイヤーソ一等を使用することによって切断して、板厚 1. 5 mmの薄板ガラスを得る。そして、この薄板ガラスに前述したような回転研磨加工機を 用いて研磨加工を施すことによって薄板状の大板ガラスが得られる。以上のような 2 種類の方法によって製造できる大板ガラスの寸法は縦: 50〜600mm、横: 50〜60 Omm,板厚: 0. l〜50mmの範囲で成形することが可能であり、必要に応じて変更 することが可能である。
[0095] 次!、で、この大板ガラスの一方の透光面、すなわち第一透光面側に CVD (Chemi cal Vapor Deposition)によって、前記した SiOと Ta Oを交互に 40層以上積層
2 2 5
することで、成膜された薄板ガラスを得ることができる。 [0096] 次に、この成膜された薄板状の大板ガラスを細断する方法は、例えばレーザー切 断装置を利用してレーザースクライブを採用する。まず、熱加工レーザー切断装置を 使用して、板厚方向の 20%の厚みまで薄板ガラスの一方の成膜されていない第二 透光面上に、分割予備線としてレーザービーム移動速度 180± 5mmZsec、あるい は 220± 5mmZsec、レーザー出力 120± 5W、あるいは 160± 5Wの条件で碁盤 目状の第一加工を行う。次いで、図 4に概念的に示すように、薄板ガラス 91の第一加 工面 92に対して、その反対側の成膜された面より金属製のライン状ヘッド 93を作動 方向 Mに移動させ、同時に薄板ガラス 91の第一加工面 92側の第二透光面を治具( 図示省略)で押さえることによって、薄板ガラス 91の第一加工面 92に応力を加え、押 圧速度 1 X 10_3m/secで押し割りを行う。こうして第二加工の割断を行うことによつ て、第一加工によって形成された破断の起源となる予定線に沿って分割された短冊 状の板ガラスが得られる。このようにして押し割り加工された短冊状の板ガラスは、そ れぞれ真空ピンセット(図示省略)を利用して次工程に運搬される。そして、短冊状の 板ガラスを再度押し割り加工することによって、最終的な固体撮像素子用カバーガラ スが得られることになる。この場合、薄板ガラス 91の第一加工面 912が、図 1に示す カバーガラス 10の第二側面部 12bに相当し、薄板ガラス 91の第二加工 (押し割り)に より得られた割断面が、カバーガラス 10の第一側面部 12aに相当する。
次に、前述のような製造方法によって成形された本発明の固体撮像素子用カバー ガラスについて、性能評価試験を行った。以下にその結果を具体的に示す。
[0097] まず、表 1の組成となるように予め調合、混合したガラス原料を、 lOOOccの容積を 持つ白金ロジウム坩堝を利用し、撹拌機能を有する電気熔融炉内に保持して 1550 °Cで 20時間熔融し、その後、カーボン铸型に熔融ガラスを流し出して徐冷することで 、各種特性が測定可能となるような適切な形状に成形した。そして、得られた各々の ガラス試料の特性を以下の方法により測定した。すなわち、アルカリ溶出量は、 JIS R3502に従い測定を行った。表中で NDと表記したものは、検出困難であることを表 している。また、密度については、周知のアルキメデス法によって測定を行った。さら に線膨張係数については、 JIS R3102に従い 30°Cから 380°Cへ加熱した際の線 膨張係数の測定を行った。 [0098] [表 1]
Figure imgf000028_0001
[0099] 表 1に示す測定結果から、いずれのガラス試料についても、アルカリ溶出量、密度 そして線膨張係数にっ ヽて、本発明に係る固体撮像素子用カバーガラスの要請を 満足するものであることが判明した。ただし、本発明の固体撮像素子用カバーガラス の性能は、これらの組成と諸特性を満足し、さらにその表面性状が前述のような高い 品位を有することによって実現できるものである。
[0100] 次に、性能評価 1として、固体撮像素子用カバーガラス (試料 A〜E)を作製し、側 面の表面性状についての確認をおこなった。実施例である試料 A〜Dは、上記の諸 特性を満足する母材板ガラスを作製し、さらに薄板ガラスにする加工を施し、そして 側面の第一側面部をレーザースクライブ (第一加工)によって形成し、第二側面部を 割断加工 (第二加工)、すなわち押圧速度 2 X 10_3m/secの条件で押し割りによつ て形成したものである。一方、比較例である試料 Eは、側面の第一側面部をメカ-力 ルスクライブによって形成し、第二側面部を押し割りによつて形成したものである。そ して、各試料の側面の第一側面部、第二側面部の各々について、その表面粗さの測 定を(Digital Instruments社製)原子間力顕微鏡(NanoScopelll Tapping M ode AFM)。原子間力顕微鏡を用いた測定では、測定長 40 /z mについて 10回測 定を行い、その平均値を求めた。また稜線の凹凸や膜の外周端 (端縁)の凹凸は電 子顕微鏡、実体顕微鏡によって計測した。その結果を表 2に示す。
[0101] [表 2]
Figure imgf000029_0001
[0102] 表 2から、本発明の固体撮像素子用カバーガラスの実施例である試料 Aから試料 D は、いずれもそのカバーガラスの側面の表面粗さ Raが 0. 7nm力ら 1. 3nmの範囲に あり、 3nm以下であって、第一透光面と第一側面部によって形成される稜線の凹凸 は 5 μ mから 18 μ mの範囲であって充分に小さぐさらに膜の外周端 (端縁)の凹凸 μ m力ら 27 μ mの値であって 0. 5 μ m力ら 50 μ mの範囲内に含まれるものであ ることが判明した。一方、比較例である試料 Eは、側面の表面粗さ Raが 72. 4nmを示 す場合もあり、稜線の凹凸も 122 /z mであって、さらに膜の外周端 (端縁)の凹凸も 1 78 μ mと高い値となることが判明した。
[0103] さらに、性能評価 2として、本発明の固体撮像素子用カバーガラスの経時的な耐候 性を評価するため、プレツシャタッカー試験装置を使用して、 120°C、 1. 2atmにて、 1000時間の条件で問題が発生しないか評価した。その結果、実施例の試料 A〜D については、異常が認められな力つた力 比較例である試料 Eについては、膜剥が れの発生する試料のあることが判明した。以上の結果より、本発明の固体撮像素子 用カバーガラスは、耐環境性能と ヽぅ点で優れた品位を有するものであることが判明 した。

Claims

請求の範囲
[1] 無機酸ィ匕物ガラス製の平板ガラスにおける板厚方向の表裏に第一透光面及び第 二透光面を有し、前記第一透光面に薄膜が形成された固体撮像素子用カバーガラ スであって、
前記平板ガラスにおける第一透光面上の外縁部に位置する前記薄膜の端縁に凹 凸が形成されると共に、該凹凸は、前記第一透光面と平行な面上における最大窪み 位置から最大突出位置に至るまでの突出寸法が 0. 5 μ mから 50 μ mの範囲内にあ ることを特徴とする固体撮像素子用カバーガラス。
[2] 前記平板ガラスの外周部を構成する側面の表面粗さの Ra値が 3nm以下であると 共に、該側面と前記第一透光面とが接する稜線の凹凸または該側面と前記第二透 光面とが接する稜線の凹凸の何れか一方の凹凸は、前記第一透光面または第二透 光面の何れか対応する一方の透光面と平行な面上における最大窪み位置力 最大 突出位置に至るまでの突出寸法が 0. 5 m力も 40 mの範囲内にあることを特徴と する請求項 1に記載の固体撮像素子用カバーガラス。
[3] 前記平板ガラスの側面が、前記第一透光面に隣接する第一側面部と、該第一側面 部及び前記第二透光面に隣接する第二側面部とを備え、前記第一透光面と前記第 一側面部により形成される稜線の凹凸は、前記第一透光面と平行な面上における最 大窪み位置力 最大突出位置に至るまでの突出寸法が 1. 5 mから 20 mの範囲 内にあることを特徴とする請求項 2に記載の固体撮像素子用カバーガラス。
[4] 前記平板ガラスの第一側面部及び Zまたは第二側面部力 入射して前記第二透 光面から出射するに至る光路力 波長 300nmの紫外線を 10%以上透過させること を特徴とする請求項 3に記載の固体撮像素子用カバーガラス。
[5] 前記薄膜が光学薄膜であって、膜厚が 0. 01 μ mから 100 mの範囲にあることを 特徴とする請求項 1から 4の何れかに記載の固体撮像素子用カバーガラス。
[6] 前記固体撮像素子が、 CCDまたは CMOSであることを特徴とする請求項 1から 5の 何れかに記載の固体撮像素子用カバーガラス。
[7] 前記無機酸ィ匕物ガラス製の平板ガラス力、質量0 /0で、 SiO 55〜70%、Α1 Ο 0
2 2 3
. 5〜20%、B O 5〜20%、RO 0· 1〜30% (RO = MgO + CaO+ZnO + SrO + BaO)、ZnO 0〜9%、 M O 1〜20% (M 0=Li O+Na O+K O)を含有す
2 2 2 2 2
ることを特徴とする請求項 1から 6の何れかに記載の固体撮像素子用カバーガラス。
[8] 前記無機酸ィ匕物ガラスが、無アルカリガラスであることを特徴とする請求項 1から 6 の何れかに記載の固体撮像素子用カバーガラス。
[9] ガラス原料混合物を耐熱性容器内で熔融する工程と、得られた熔融ガラスを板ガラ スに成形する工程と、該板ガラスの表裏面の一方である第一透光面に薄膜を形成す る工程と、該薄膜が形成された板ガラスを小片の板ガラス片に分割する工程とを有す ることを特徴とする固体撮像素子用カバーガラスの製造方法。
[10] 前記熔融ガラスを板ガラスに成形する工程が、熔融ガラスを下方に延伸成形して板 ガラスを得るものであることを特徴とする請求項 9に記載の固体撮像素子用カバーガ ラスの製造方法。
[11] 前記板ガラスの表裏面における薄膜が形成されていない第二透光面に、板ガラス を前記小片の板ガラス片に分割する分割予備線を刻設することを特徴とする請求項 9または 10に記載の固体撮像素子用カバーガラスの製造方法。
[12] 前記小片の板ガラス片における第一透光面及び第二透光面の両者共に 81%〜9 9%が画像透光用有効面となるように分割することを特徴とする請求項 9から 11の何 れかに記載の固体撮像素子用カバーガラスの製造方法。
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