JPH09283731A - 固体撮像素子用カバーガラス - Google Patents
固体撮像素子用カバーガラスInfo
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- JPH09283731A JPH09283731A JP8112067A JP11206796A JPH09283731A JP H09283731 A JPH09283731 A JP H09283731A JP 8112067 A JP8112067 A JP 8112067A JP 11206796 A JP11206796 A JP 11206796A JP H09283731 A JPH09283731 A JP H09283731A
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- JP
- Japan
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- film
- solid
- cover glass
- thickness
- glass substrate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 減反射膜からの放射線放出量が少なく、また
減反射膜とガラス基板の熱膨張係数が近似しているた
め、減反射膜の剥離や割れが少ない固体撮像素子用カバ
ーガラスを提供することを目的とする。 【解決手段】 ガラス基板の表面に減反射膜が形成され
てなる固体撮像素子用カバーガラスにおいて、減反射膜
が、酸化チタンからなる膜と酸化珪素からなる膜を交互
に、４層以上配設した膜構造を有することを特徴とす
る。
減反射膜とガラス基板の熱膨張係数が近似しているた
め、減反射膜の剥離や割れが少ない固体撮像素子用カバ
ーガラスを提供することを目的とする。 【解決手段】 ガラス基板の表面に減反射膜が形成され
てなる固体撮像素子用カバーガラスにおいて、減反射膜
が、酸化チタンからなる膜と酸化珪素からなる膜を交互
に、４層以上配設した膜構造を有することを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＣＤと呼ばれる固体
撮像素子を収容するアルミナ等のセラミックパッケージ
の光透過窓ガラスとして使用される固体撮像素子用カバ
ーガラスに関し、より具体的には、ガラス基板の表面に
減反射膜が形成されてなる固体撮像素子用カバーガラス
に関するものである。
撮像素子を収容するアルミナ等のセラミックパッケージ
の光透過窓ガラスとして使用される固体撮像素子用カバ
ーガラスに関し、より具体的には、ガラス基板の表面に
減反射膜が形成されてなる固体撮像素子用カバーガラス
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より固体撮像装置の一種として、ア
ルミナ等のセラミックパッケージ内にＣＣＤ等の固体撮
像素子を搭載し、光透過窓ガラスとしての機能をもつガ
ラス基板をカバーガラスとしてセラミックパッケージの
外表面に封着することによって、固体撮像素子を収納し
た電子部品が広く使われている。
ルミナ等のセラミックパッケージ内にＣＣＤ等の固体撮
像素子を搭載し、光透過窓ガラスとしての機能をもつガ
ラス基板をカバーガラスとしてセラミックパッケージの
外表面に封着することによって、固体撮像素子を収納し
た電子部品が広く使われている。
【０００３】固体撮像素子は、半導体ＩＣと同様に、シ
リコンの基板上に微細な受光素子を多数集積したもので
あり、光信号を素子に取り込む必要があるため、カバー
ガラスには、高い光透過特性を有し、固体撮像素子の機
能を損なわせないことが要求される。
リコンの基板上に微細な受光素子を多数集積したもので
あり、光信号を素子に取り込む必要があるため、カバー
ガラスには、高い光透過特性を有し、固体撮像素子の機
能を損なわせないことが要求される。
【０００４】一般にカバーガラスの材質としては、ホウ
ケイ酸ガラスや無アルカリガラスが使用されているが、
これらのガラスには、入射した光の約８％が反射すると
いう特性があるため、固体撮像素子の表面で反射した光
が、カバーガラスで再反射して戻ってくることによって
信号ノイズが発生することがあった。
ケイ酸ガラスや無アルカリガラスが使用されているが、
これらのガラスには、入射した光の約８％が反射すると
いう特性があるため、固体撮像素子の表面で反射した光
が、カバーガラスで再反射して戻ってくることによって
信号ノイズが発生することがあった。
【０００５】そこで高品質の画像が要求される固体撮像
素子では、ガラス基板の片面あるいは両面に減反射膜を
形成し、波長４００〜７００ｎｍの可視光領域における
反射を抑えることによって信号ノイズの低減を図ってお
り、この種の減反射膜としては、弗化マグネシウム、酸
化ジルコニウム及び酸化アルミニウムからなる３層構造
の膜が、広く使われている。
素子では、ガラス基板の片面あるいは両面に減反射膜を
形成し、波長４００〜７００ｎｍの可視光領域における
反射を抑えることによって信号ノイズの低減を図ってお
り、この種の減反射膜としては、弗化マグネシウム、酸
化ジルコニウム及び酸化アルミニウムからなる３層構造
の膜が、広く使われている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】近年、この種のガラス
基板に含まれる放射性同位元素が原因となってカバーガ
ラスからα線等の放射線が放出され、固体撮像素子の機
能を低下させるという問題が指摘されている。
基板に含まれる放射性同位元素が原因となってカバーガ
ラスからα線等の放射線が放出され、固体撮像素子の機
能を低下させるという問題が指摘されている。
【０００７】すなわちガラス基板から放射線が放出さ
れ、これが固体撮像素子に入射すると、誤動作を引き起
こし信号ノイズが発生する場合がある。特に単位面積当
りの画素数の増大による高精度化が進められるに従い、
素子がますます微細になり、そのため放射線の影響が一
層顕著に現れるようになってきている。
れ、これが固体撮像素子に入射すると、誤動作を引き起
こし信号ノイズが発生する場合がある。特に単位面積当
りの画素数の増大による高精度化が進められるに従い、
素子がますます微細になり、そのため放射線の影響が一
層顕著に現れるようになってきている。
【０００８】このような放射線が固体撮像素子の誤動作
を引き起こすという問題は、ガラス基板だけではなく、
減反射膜にも係わっており、減反射膜から放出される放
射線もできるだけ少ないことが望まれる。
を引き起こすという問題は、ガラス基板だけではなく、
減反射膜にも係わっており、減反射膜から放出される放
射線もできるだけ少ないことが望まれる。
【０００９】ところが上記したように一般に普及してい
る減反射膜には、高屈折率材料として酸化ジルコニウム
が用いられているが、酸化ジルコニウムは、不純物とし
てＵ、Ｔｈといった放射性同位元素を比較的多く含有す
るため、放射線の放出量が多い。そのため例え放射線の
放出量の少ないガラス基板を使用しても、その表面に上
記のような減反射膜を形成すると、カバーガラスから放
出される放射線量が多くなり、固体撮像素子の誤動作を
引き起こす虞れがあった。
る減反射膜には、高屈折率材料として酸化ジルコニウム
が用いられているが、酸化ジルコニウムは、不純物とし
てＵ、Ｔｈといった放射性同位元素を比較的多く含有す
るため、放射線の放出量が多い。そのため例え放射線の
放出量の少ないガラス基板を使用しても、その表面に上
記のような減反射膜を形成すると、カバーガラスから放
出される放射線量が多くなり、固体撮像素子の誤動作を
引き起こす虞れがあった。
【００１０】また弗化マグネシウムは、低屈折率材料と
して用いられ、効率良く減反射特性を得るのに適した材
料であるが、これの熱膨張係数は、３０〜３８０℃の温
度範囲で１８８×１０-7／℃であり、ガラス基板の熱膨
張係数（約６０〜７０×１０-7／℃）と大きく異なって
いる。そのため弗化マグネシウムを含む減反射膜をカバ
ーガラスの表面に形成すると、カバーガラスを固体撮像
素子パッケージに封着する工程で加熱した時、減反射膜
に内部応力が発生し、ガラス基板から剥離したり、割れ
たりしやすくなる。
して用いられ、効率良く減反射特性を得るのに適した材
料であるが、これの熱膨張係数は、３０〜３８０℃の温
度範囲で１８８×１０-7／℃であり、ガラス基板の熱膨
張係数（約６０〜７０×１０-7／℃）と大きく異なって
いる。そのため弗化マグネシウムを含む減反射膜をカバ
ーガラスの表面に形成すると、カバーガラスを固体撮像
素子パッケージに封着する工程で加熱した時、減反射膜
に内部応力が発生し、ガラス基板から剥離したり、割れ
たりしやすくなる。
【００１１】本発明は、上記事情に鑑みなされたもので
あり、減反射膜からの放射線放出量が少なく、また減反
射膜とガラス基板の熱膨張係数が近似しているため、減
反射膜の剥離や割れが少ない固体撮像素子用カバーガラ
スを提供することを目的とするものである。
あり、減反射膜からの放射線放出量が少なく、また減反
射膜とガラス基板の熱膨張係数が近似しているため、減
反射膜の剥離や割れが少ない固体撮像素子用カバーガラ
スを提供することを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像素子用
カバーガラスは、ガラス基板の表面に減反射膜が形成さ
れてなる固体撮像素子用カバーガラスにおいて、減反射
膜が、酸化チタンからなる膜と酸化珪素からなる膜を交
互に、４層以上配設した膜構造を有することを特徴とす
る。
カバーガラスは、ガラス基板の表面に減反射膜が形成さ
れてなる固体撮像素子用カバーガラスにおいて、減反射
膜が、酸化チタンからなる膜と酸化珪素からなる膜を交
互に、４層以上配設した膜構造を有することを特徴とす
る。
【００１３】また本発明の固体撮像素子用カバーガラス
は、減反射膜が、外側からガラス基板に向かって、厚さ
４０〜１００ｎｍのＳｉＯ2 膜、厚さ９０〜２００ｎｍ
のＴｉＯ2 膜、厚さ１０〜５０ｎｍのＳｉＯ2 膜、厚さ
５〜３５ｎｍのＴｉＯ2 膜の４層構造を有することを特
徴とし、さらに厚さ４０〜１００ｎｍのＳｉＯ2 膜、厚
さ９０〜２００ｎｍのＴｉＯ2 膜、厚さ１０〜５０ｎｍ
のＳｉＯ2 膜、厚さ５〜３５ｎｍのＴｉＯ2 膜、厚さ１
００〜１７０ｎｍのＳｉＯ2 膜の５層構造を有すること
を特徴とする。
は、減反射膜が、外側からガラス基板に向かって、厚さ
４０〜１００ｎｍのＳｉＯ2 膜、厚さ９０〜２００ｎｍ
のＴｉＯ2 膜、厚さ１０〜５０ｎｍのＳｉＯ2 膜、厚さ
５〜３５ｎｍのＴｉＯ2 膜の４層構造を有することを特
徴とし、さらに厚さ４０〜１００ｎｍのＳｉＯ2 膜、厚
さ９０〜２００ｎｍのＴｉＯ2 膜、厚さ１０〜５０ｎｍ
のＳｉＯ2 膜、厚さ５〜３５ｎｍのＴｉＯ2 膜、厚さ１
００〜１７０ｎｍのＳｉＯ2 膜の５層構造を有すること
を特徴とする。
【００１４】また本発明の固体撮像素子用カバーガラス
は、ガラス基板のウラン（Ｕ）、トリウム（Ｔｈ）の量
が、各々５０ｐｐｂ以下であることを特徴とする。
は、ガラス基板のウラン（Ｕ）、トリウム（Ｔｈ）の量
が、各々５０ｐｐｂ以下であることを特徴とする。
【００１５】
【作用】本発明の固体撮像素子用カバーガラスは、減反
射膜が、ＵやＴｈといった放射性同位元素の含有量が少
ない酸化チタンと酸化珪素の交互の膜から構成されてな
るため、酸化ジルコニウムを使用した従来の減反射膜に
比べて放射線の放出量が少なくなる。
射膜が、ＵやＴｈといった放射性同位元素の含有量が少
ない酸化チタンと酸化珪素の交互の膜から構成されてな
るため、酸化ジルコニウムを使用した従来の減反射膜に
比べて放射線の放出量が少なくなる。
【００１６】そのためガラス基板として、放射性同位元
素の含有量が少ない低放射線性ガラス、例えば特開平７
−２１５７３３号公報に開示されているようなガラス中
のウラン、トリウムの量が各々５０ｐｐｂ以下である低
放射線性ガラスを用いることによって、放射線の放出量
が非常に少ない減反射膜付きカバーガラスを得ることが
可能となる。
素の含有量が少ない低放射線性ガラス、例えば特開平７
−２１５７３３号公報に開示されているようなガラス中
のウラン、トリウムの量が各々５０ｐｐｂ以下である低
放射線性ガラスを用いることによって、放射線の放出量
が非常に少ない減反射膜付きカバーガラスを得ることが
可能となる。
【００１７】また酸化チタンの熱膨張係数は、８０×１
０-7／℃であり、また酸化珪素の熱膨張係数は、５．５
×１０-7／℃であり、これらの材料は、弗化マグネシウ
ムに比べて、ガラス基板の熱膨張係数に近似しているた
め、剥離や割れを抑えることが可能となる。
０-7／℃であり、また酸化珪素の熱膨張係数は、５．５
×１０-7／℃であり、これらの材料は、弗化マグネシウ
ムに比べて、ガラス基板の熱膨張係数に近似しているた
め、剥離や割れを抑えることが可能となる。
【００１８】さらに本発明においては、酸化チタンと酸
化珪素からなる層を交互に、４層以上配設することによ
って、所望の減反射特性を得ることが可能となる。ただ
し層数が６層より多くなると、膜材料や成膜に要するコ
ストが大となるため、コスト面を考慮すると、５層以下
にすることが望ましい。
化珪素からなる層を交互に、４層以上配設することによ
って、所望の減反射特性を得ることが可能となる。ただ
し層数が６層より多くなると、膜材料や成膜に要するコ
ストが大となるため、コスト面を考慮すると、５層以下
にすることが望ましい。
【００１９】特に外側からガラス基板に向かって、厚さ
４０〜１００ｎｍのＳｉＯ2 膜、厚さ９０〜２００ｎｍ
のＴｉＯ2 膜、厚さ１０〜５０ｎｍのＳｉＯ2 膜、厚さ
５〜３５ｎｍのＴｉＯ2 膜の４層構造を有する減反射膜
は、可視光領域における反射を非常に少なくすることが
でき、また厚さ４０〜１００ｎｍのＳｉＯ2 膜、厚さ９
０〜２００ｎｍのＴｉＯ2 膜、厚さ１０〜５０ｎｍのＳ
ｉＯ2 膜、厚さ５〜３５ｎｍのＴｉＯ2 膜、厚さ１００
〜１７０ｎｍのＳｉＯ2 膜の５層構造を有する減反射膜
は、可視光領域における反射をより一層少なくすること
ができるため好ましい。尚、これらの膜の厚さは、いず
れも実膜厚を表すものである。
４０〜１００ｎｍのＳｉＯ2 膜、厚さ９０〜２００ｎｍ
のＴｉＯ2 膜、厚さ１０〜５０ｎｍのＳｉＯ2 膜、厚さ
５〜３５ｎｍのＴｉＯ2 膜の４層構造を有する減反射膜
は、可視光領域における反射を非常に少なくすることが
でき、また厚さ４０〜１００ｎｍのＳｉＯ2 膜、厚さ９
０〜２００ｎｍのＴｉＯ2 膜、厚さ１０〜５０ｎｍのＳ
ｉＯ2 膜、厚さ５〜３５ｎｍのＴｉＯ2 膜、厚さ１００
〜１７０ｎｍのＳｉＯ2 膜の５層構造を有する減反射膜
は、可視光領域における反射をより一層少なくすること
ができるため好ましい。尚、これらの膜の厚さは、いず
れも実膜厚を表すものである。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の固体撮像素子用カバーガラス
を実施例に基づいて詳細に説明する。
を実施例に基づいて詳細に説明する。
【００２１】表１は、本発明の固体撮像素子用カバーガ
ラス（試料Ｎｏ．１、２）と比較例の固体撮像素子用カ
バーガラス（試料Ｎｏ．３）を示すものである。
ラス（試料Ｎｏ．１、２）と比較例の固体撮像素子用カ
バーガラス（試料Ｎｏ．３）を示すものである。
【００２２】
【表１】
【００２３】これらのカバーガラスは、次のようにして
作製した。
作製した。
【００２４】まず重量％で、ＳｉＯ2 ６６．０％、Ａ
ｌ2 Ｏ3 ９．５％、Ｂ2 Ｏ3 ９．０％、Ｌｉ2 Ｏ
５．９％、Ｎａ2 Ｏ ５．５％、ＭｇＯ ０．９％、Ｚ
ｎＯ３．１％、Ｓｂ2 Ｏ3 ０．１％の組成を有し、熱
膨張係数が６８×１０-7／℃であり、光学研磨加工を施
して２０×２０×１ｍｍの寸法に形成したガラス基板を
準備した。
ｌ2 Ｏ3 ９．５％、Ｂ2 Ｏ3 ９．０％、Ｌｉ2 Ｏ
５．９％、Ｎａ2 Ｏ ５．５％、ＭｇＯ ０．９％、Ｚ
ｎＯ３．１％、Ｓｂ2 Ｏ3 ０．１％の組成を有し、熱
膨張係数が６８×１０-7／℃であり、光学研磨加工を施
して２０×２０×１ｍｍの寸法に形成したガラス基板を
準備した。
【００２５】このガラス基板は、不純物としてＵを１５
ｐｐｂ、Ｔｈを１０ｐｐｂ、Ｒａを１ｐｐｂ未満含んで
おり、α線放出量が０．００２ｃ／ｃｍ2 ・ｈである。
ｐｐｂ、Ｔｈを１０ｐｐｂ、Ｒａを１ｐｐｂ未満含んで
おり、α線放出量が０．００２ｃ／ｃｍ2 ・ｈである。
【００２６】そして図１に示すように、このガラス基板
１０の両面に真空蒸着法によって表１に示す膜構造とな
るように減反射膜１１、１２を形成した。尚、膜の第１
層とは、最も外側（空気側）に位置する層のことであ
る。
１０の両面に真空蒸着法によって表１に示す膜構造とな
るように減反射膜１１、１２を形成した。尚、膜の第１
層とは、最も外側（空気側）に位置する層のことであ
る。
【００２７】こうして作製した各カバーガラスのα線放
出量、膜の剥離の有無を調べたところ、本発明のカバー
ガラス（試料Ｎｏ．１、２）は、いずれもα線放出量が
少なく、また膜の剥離も認められなかった。
出量、膜の剥離の有無を調べたところ、本発明のカバー
ガラス（試料Ｎｏ．１、２）は、いずれもα線放出量が
少なく、また膜の剥離も認められなかった。
【００２８】それに対し、比較例である試料Ｎｏ．３の
カバーガラスは、α線放出量が多く、しかも膜の剥離が
認められた。
カバーガラスは、α線放出量が多く、しかも膜の剥離が
認められた。
【００２９】また本発明のカバーガラス（試料Ｎｏ．
１、２）の透過率を測定したところ、図２に示すように
いずれも、波長４００〜７００ｎｍの可視光領域におけ
る反射が少なく、特に波長４５０〜６５０ｎｍの領域に
おける反射は、２％以下であり、非常に反射が少ないこ
とが理解できた。
１、２）の透過率を測定したところ、図２に示すように
いずれも、波長４００〜７００ｎｍの可視光領域におけ
る反射が少なく、特に波長４５０〜６５０ｎｍの領域に
おける反射は、２％以下であり、非常に反射が少ないこ
とが理解できた。
【００３０】尚、表のα線放出量は、ガスフロー比例計
数管測定装置を用いて測定した。また膜の剥離の有無
は、各カバーガラスを加熱炉に入れ、５３０℃、６０分
間の条件で熱処理した後、それらの表面状態を目視で観
察することによって調べたものである。
数管測定装置を用いて測定した。また膜の剥離の有無
は、各カバーガラスを加熱炉に入れ、５３０℃、６０分
間の条件で熱処理した後、それらの表面状態を目視で観
察することによって調べたものである。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明の固体撮像素子用カ
バーガラスは、減反射膜からの放射線放出量が少なく、
しかも減反射膜とガラス基板の熱膨張係数が近似してい
るため、減反射膜の剥離や割れを防止することが可能で
ある。
バーガラスは、減反射膜からの放射線放出量が少なく、
しかも減反射膜とガラス基板の熱膨張係数が近似してい
るため、減反射膜の剥離や割れを防止することが可能で
ある。
【図１】本発明の固体撮像素子用カバーガラスを示す模
式的断面図である。
式的断面図である。
【図２】試料Ｎｏ．１、２のカバーガラスの波長４００
〜７００ｎｍにおける分光透過率特性を示す曲線図であ
る。
〜７００ｎｍにおける分光透過率特性を示す曲線図であ
る。
１０ ガラス基板 １１、１２ 減反射膜
Claims (4)
- 【請求項１】 ガラス基板の表面に減反射膜が形成され
てなる固体撮像素子用カバーガラスにおいて、減反射膜
が、酸化チタンからなる膜と酸化珪素からなる膜を交互
に、４層以上配設した膜構造を有することを特徴とする
固体撮像素子用カバーガラス。 - 【請求項２】 減反射膜が、外側からガラス基板に向か
って、厚さ４０〜１００ｎｍのＳｉＯ2 膜、厚さ９０〜
２００ｎｍのＴｉＯ2 膜、厚さ１０〜５０ｎｍのＳｉＯ
2 膜、厚さ５〜３５ｎｍのＴｉＯ2 膜の４層構造を有す
ることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子用カバ
ーガラス。 - 【請求項３】 減反射膜が、外側からガラス基板に向か
って、厚さ４０〜１００ｎｍのＳｉＯ2 膜、厚さ９０〜
２００ｎｍのＴｉＯ2 膜、厚さ１０〜５０ｎｍのＳｉＯ
2 膜、厚さ５〜３５ｎｍのＴｉＯ2 膜、厚さ１００〜１
７０ｎｍのＳｉＯ2 膜の５層構造を有することを特徴と
する請求項１記載の固体撮像素子用カバーガラス。 - 【請求項４】 ガラス基板のウラン（Ｕ）、トリウム
（Ｔｈ）の量が、各々５０ｐｐｂ以下であることを特徴
とする請求項１記載の固体撮像素子用カバーガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8112067A JPH09283731A (ja) | 1996-04-08 | 1996-04-08 | 固体撮像素子用カバーガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8112067A JPH09283731A (ja) | 1996-04-08 | 1996-04-08 | 固体撮像素子用カバーガラス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283731A true JPH09283731A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=14577235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8112067A Pending JPH09283731A (ja) | 1996-04-08 | 1996-04-08 | 固体撮像素子用カバーガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09283731A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005117011A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-28 | United Microelectronics Corp | ウエハーレベルパッケージの方法及び構造 |
| WO2006041074A1 (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-20 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | 固体撮像素子用カバーガラス及びその製造方法 |
| JP2006140458A (ja) * | 2004-10-12 | 2006-06-01 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 固体撮像素子用カバーガラス及びその製造方法 |
| WO2008027173A1 (en) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Micron Technology, Inc. | Reducing reflections in image sensors |
| JP2014172770A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Asahi Glass Co Ltd | 光学ガラス |
-
1996
- 1996-04-08 JP JP8112067A patent/JPH09283731A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005117011A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-28 | United Microelectronics Corp | ウエハーレベルパッケージの方法及び構造 |
| JP4632694B2 (ja) * | 2003-10-08 | 2011-02-16 | 聯華電子股▲ふん▼有限公司 | ウエハーレベルパッケージの方法及び構造 |
| WO2006041074A1 (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-20 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | 固体撮像素子用カバーガラス及びその製造方法 |
| JP2006140458A (ja) * | 2004-10-12 | 2006-06-01 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 固体撮像素子用カバーガラス及びその製造方法 |
| WO2008027173A1 (en) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Micron Technology, Inc. | Reducing reflections in image sensors |
| JP2014172770A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Asahi Glass Co Ltd | 光学ガラス |
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