JP2005112880A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびその製法ならびにそれを用いた半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁基板もしくはリードフレーム上に半導体素子が搭載され、上記絶縁基板もしくはリードフレームと半導体素子が接続用電極部あるいは導電体配線により導通され、半導体素子を包含した状態で樹脂封止されてなる半導体装置の、上記半導体素子を包含するためのエポキシ樹脂組成物であって、エポキシ樹脂(A),フェノール樹脂(B)および硬化促進剤(C)とともに下記の(D),(E)を含有している。
(D)上記接続用電極部間距離または導電体配線間距離より大きな粒径を備えた下記の無機質充填剤(d)の含有割合が、無機質充填剤全体の2.5ppm以下に設定されているカーボンブラック以外の無機質充填剤。
(d)粒子表面がカーボンにて被覆された無機質充填剤。
(E)カーボンブラック製造に由来する最大長径10μm以上の粗粒が存在しない、カーボンブラック。
【選択図】なし
Description
(A)エポキシ樹脂。
(B)フェノール樹脂。
(C)硬化促進剤。
(D)上記接続用電極部間距離または導電体配線間距離より大きな粒径を備えた下記の無機質充填剤(d)の含有割合が、無機質充填剤全体の2.5ppm以下に設定されているカーボンブラック以外の無機質充填剤。
(d)粒子表面がカーボンにて被覆された無機質充填剤。
(E)カーボンブラック製造に由来する最大長径10μm以上の粗粒が存在しない、カーボンブラック。
(d)粒子表面がカーボンにて被覆された無機質充填剤。
(1)原料である油が不完全燃焼せず固化したコークス。
(2)製造炉内壁が剥がれ落ちたグリッド。
(α)水中にてカーボンブラックを分散させた後、このカーボンブラック分散液を、膜孔3μmのフィルターを通して26.66×102 Pa程度の減圧下で濾過し、その後、フィルターを通過した濾液を乾燥機を用いて乾燥処理する。
(β)造粒されたカーボンブラックをジェットミル等の粉砕機で粉砕した後、分級ローターあるいはサイクロンを用いて分級し、最大長径10μm以上の粗粒を除去する。
下記の一般式(a)で表されるビフェニル型エポキシ樹脂(エポキシ当量192、融点100℃)
下記の一般式(b)で表される繰り返し単位を有するエポキシ樹脂(エポキシ当量170、融点60℃)
下記の一般式(c)で表されるフェノールアラルキル樹脂(水酸基当量170、融点83℃)
トリフェニルホスフィン(TPP)
ブロム化エポキシ樹脂
三酸化アンチモン
カルナバワックス
球状溶融シリカ粉末(平均粒径30μm)であり、下記に示すカーボン被覆溶融シリカ粉末a1〜a3を含有するものである。
a1:長径60μmを超えるカーボン被覆溶融シリカ粉末 10ppm
a2:長径30μmを超えるカーボン被覆溶融シリカ粉末 20ppm
a3:長径20μmを超えるカーボン被覆溶融シリカ粉末 40ppm
球状溶融シリカ粉末(平均粒径20μm)であり、下記に示すカーボン被覆溶融シリカ粉末b1〜b3を含有するものである。
b1:長径60μmを超えるカーボン被覆溶融シリカ粉末 0ppm
b2:長径30μmを超えるカーボン被覆溶融シリカ粉末 0ppm
b3:長径20μmを超えるカーボン被覆溶融シリカ粉末 0ppm
球状溶融シリカ粉末(平均粒径2μm)であり、下記に示すカーボン被覆溶融シリカ粉末c1〜c3を含有するものである。
c1:長径60μmを超えるカーボン被覆溶融シリカ粉末 0ppm
c2:長径30μmを超えるカーボン被覆溶融シリカ粉末 0ppm
c3:長径20μmを超えるカーボン被覆溶融シリカ粉末 0ppm
最大長径10μm以上の粗粒が存在しない、粗粒除去処理〔先に述べた処理方法(α)〕済みのカーボンブラック(一次粒子径28nm、DBP吸油量76cm3 /100g)
未処理のカーボンブラック(東海カーボン社製、#7360SB、一次粒子径95nm、DBP吸油量117cm3 /100g)
下記の表1〜表2に示す各原料を、同表に示す割合で配合し、80〜120℃に加熱したロール混練機(5分間)にかけて溶融混練した。つぎに、この溶融物を冷却した後粉砕し、さらにタブレット成形金型にて打錠することによりエポキシ樹脂組成物製タブレットを作製した。
208ピンQFP(クワッドフラットパッケージ)タイプ:サイズ28mm×28mm×厚み2.8mm
半導体素子3サイズ:10mm×10mm×厚み370μm
金属リードフレーム7:銅製(サイズ:11mm×11mm×厚み100μm)
ワイヤー6:金製、直径10μm、ピッチ35μm、ワイヤー間距離25μm
ボールグリッドアレイ(BGA)タイプ:サイズ35mm×35mm×厚み1.5mm
樹脂封止層4b(エポキシ樹脂組成物硬化体)サイズ:35mm×35mm×厚み1.2mm
半導体素子3サイズ:10mm×10mm×厚み370μm
絶縁基板5:ビスマレイミドトリアジン(BT)樹脂/ガラスクロス基板(サイズ:40mm×40mm×0.3mm)
ワイヤー6:金製、直径20μm、ピッチ50μm、ワイヤー間距離30μm
フリップチップボールグリッドアレイ(FC−BGA)タイプ:サイズ12mm×12mm×厚み1mm
樹脂封止層4a(エポキシ樹脂組成物硬化体)サイズ:12mm×12mm×厚み600μm
半導体素子3サイズ:10mm×10mm×厚み370μm
絶縁基板1:ビスマレイミドトリアジン(BT)樹脂/ガラスクロス基板(サイズ:14mm×14mm×厚み300μm)
接続用電極部2:金バンプ、直径20μm、ピッチ50μm、金バンプ間距離30μm
2 接続用電極部
3 半導体素子
4a,4b,4c,4d 封止樹脂
6 ワイヤー
7,10 リードフレーム
Claims (6)
- 絶縁基板もしくはリードフレーム上に半導体素子が搭載され、上記絶縁基板もしくはリードフレームと半導体素子が接続用電極部あるいは導電体配線により導通され、半導体素子を包含した状態で樹脂封止されてなる半導体装置の、上記半導体素子を包含するためのエポキシ樹脂組成物であって、下記の(A)〜(E)成分を含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
(A)エポキシ樹脂。
(B)フェノール樹脂。
(C)硬化促進剤。
(D)上記接続用電極部間距離または導電体配線間距離より大きな粒径を備えた下記の無機質充填剤(d)の含有割合が、無機質充填剤全体の2.5ppm以下に設定されているカーボンブラック以外の無機質充填剤。
(d)粒子表面がカーボンにて被覆された無機質充填剤。
(E)カーボンブラック製造に由来する最大長径10μm以上の粗粒が存在しない、カーボンブラック。 - 上記(A)〜(E)成分を含有するエポキシ樹脂組成物の硬化成形品の断面に、(E)成分であるカーボンブラック製造に由来する最大長径10μm以上の粗粒が存在しない請求項1記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 上記(D)成分を除く、上記(A)〜(C)および(E)成分を含有するエポキシ樹脂組成物の硬化成形品の断面に、(E)成分であるカーボンブラック製造に由来する最大長径10μm以上の粗粒が存在しない請求項1記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 上記(E)成分であるカーボンブラックが、一次粒子径5〜100nm、DBP吸油量50〜100cm3 /100gである請求項1〜3のいずれか一項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 下記の(A)〜(E)成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法であって、上記(D)成分を除いたエポキシ樹脂組成物を準備する工程と、この(D)成分を除いたエポキシ樹脂組成物を用いて所定形状の確認用硬化成形品を作製する工程と、上記確認用硬化成形品の断面に、カーボンブラック製造に由来する最大長径10μm以上の粗粒が存在しないことを確認する工程と、上記最大長径10μm以上の粗粒が存在しないことが確認されたカーボンブラックを用い、これとともに残りの成分を配合する工程とを備えたことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法。
(A)エポキシ樹脂。
(B)フェノール樹脂。
(C)硬化促進剤。
(D)上記接続用電極部間距離または導電体配線間距離より大きな粒径を備えた下記の無機質充填剤(d)の含有割合が、無機質充填剤全体の2.5ppm以下に設定されているカーボンブラック以外の無機質充填剤。
(d)粒子表面がカーボンにて被覆された無機質充填剤。
(E)カーボンブラック製造に由来する最大長径10μm以上の粗粒が存在しない、カーボンブラック。 - 絶縁基板もしくはリードフレーム上に半導体素子が搭載され、上記絶縁基板もしくはリードフレームと半導体素子が接続用電極部あるいは導電体配線により導通され、半導体素子を包含するよう請求項1〜4のいずれか一項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて樹脂封止されてなる半導体装置。
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JP2005298601A (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料及び樹脂封止型半導体装置 |
CN101492565A (zh) * | 2008-01-25 | 2009-07-29 | 信越化学工业株式会社 | 半导体封装用环氧树脂组合物的制造方法、半导体封装用环氧树脂组合物及半导体装置 |
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2003
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