JP2005108834A - Ｅｕｖ源 - Google Patents

Abstract

【課題】ＥＵＶ放射の強度を増加させる、新規のＥＵＶ放射源およびフォトリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】本発明のＥＵＶ放射源は、照射ゾーン３を含む照射チャンバ１を備え、照射ゾーン内において、光学軸Ｉ−Ｉに対して横断して延びる方向ＩＩ−ＩＩに沿って伝播するキセノンの流れなどの、放射生成物質の流れが生成される。照射ゾーン３は、光学軸Ｉ−Ｉに配置され、照射チャンバ１を伝達チャンバ２とつながるようにする隔壁４に近接する。パワーレーザビーム５、６は、照射ゾーン３において放射生成物質の流れに当たり、ＥＵＶ放射を生成し、ＥＵＶ放射は、隔壁４を通って伝播し、楕円ミラー１３によって伝達チャンバ２において調整される。作動ポンプ１１、１２は、照射チャンバ１の圧力Ｐ１より十分に低い、伝達チャンバ２内の圧力Ｐ２を維持する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体部品を作成するために用いるフォトリソグラフィ法に関し、より詳細には、本発明は、７０ナノメートル（ｎｍ）以下の幾何学的形状の微小電子半導体部品を生産するために用いるように、極紫外線（ＥＵＶ）放射を生成する手段に関する。

微小電子部品、たとえば、ダイナミックメモリチップを製造する時、半導体ウェハは、低圧力のガス雰囲気を含むプロセスチャンバ内で処理される。

こうしたプロセスの工程のいくつかは、フォトリソグラフィ法を用いることにあり、フォトリソグラフィ法において、光放射を用いて、半導体ウェハを覆う感光性材料の表面層を処理する、すなわち硬化させ、その表面層は、その後、半導体の一定のゾーンが化学的にエッチングされることを防ぐ。

部品密度をますます高めた集積回路を作ることが望ましく、したがって、ますます小さいサイズのレリーフすなわち他とは異なるゾーンを有するマスクを作ることが必要である。このように、トランジスタおよびダイオードなどの個々の部品は、ますます小さなサイズで作られることができ、したがって、そのような部品が、半導体ウェハの所与のエリアにますます数を増やして集積化されることが可能になる。残念ながら、半導体ウェハでフォトリソグラフィを用いて作ることができる個々の部品および細部のサイズは、用いられる放射の波長によって決まる。したがって、ますます短い波長の放射を放出することが必要である。

現在の動向は、ＥＵＶ放射として知られている約１３．５ｎｍの波長を有する放射を使用することである。ＥＵＶ放射帯域は一般に、５ｎｍから２０ｎｍまでにわたる。

さらに、感光性層を処理する、すなわち硬化させるために、フォトリソグラフィ処理に必要とされる時間は、フォトリソグラフィ処理中に層が受ける放射の強度に正比例する。処理時間を減らすため、したがって、微小電子部品を生産する速度を上げるために、できるだけ強い放射源を有すること、同様に、放射源と処理されるべき層の間でできるだけ効率よく放射を伝達することが有利である。

このために、米国特許第６１３３５７７号明細書において、放射生成物質、すなわち、アルゴン、ヘリウム、またはキセノンなどの稀ガスの流れを、照射ゾーンの入口に超音速で注入する手段を備える、ハイパワーＥＵＶ放射源を作る提案がすでになされている。拡散手段によって、放射生成物質の流れは、照射ゾーンからの出口で収集されることが可能になる。そのため、１つまたは複数のエネルギービームが、生成され、かつ照射ゾーンの放射生成物質に合焦させられることを可能にする手段は、照射ゾーンにおいて放射生成物質によって放出されるＥＵＶ放射を生成するのに役立つ。このＥＵＶ放射は、光学手段によって収集されかつ合焦させられる。放射生成ガスの流れを注入する手段、放射生成ガスの流れを収集する手段、および放出されたＥＵＶ放射を収集しかつ合焦させる手段などの要素の全ては、約１．３ミリバール（１３０パスカル）の圧力で維持される単一のチャンバ内に収容される。

こうしたデバイスは、処理されるべき層が受けるＥＵＶ放射が全く不十分であるため、微小電子部品を生産するフォトリソグラフィ処理には適用可能でないことが理解できる。

米国特許第６５７６９１２号明細書は、ＥＵＶ放射によるリソグラフィのための装置を開示し、その装置において、放射源は、レーザプラズマ源、放電プラズマ源、またはシンクロトロン放射源である場合がある。その特許は、これらの放射源が、約０．１ミリバールの圧力を必要としてもよいことを教示する。

したがって、その特許は、特に、約１３．５ｎｍの範囲の放射を放出する、キセノンを用いた放電プラズマの例を示す。プラズマは、通常の圧力が０．１ミリバールである容器内で生成される。こうした圧力では、ＥＵＶ放射は急速に吸収される。すなわち、１メートル（ｍ）の長さの経路に沿って進んだ後、放射の０．３％のみが残る。

周囲ガスによって放射が吸収されることを避けるために、その特許は、放射伝達デバイスが備わっており、かつガスの通過を妨害しながらＥＵＶ放射に対して透過性がある壁によって、第２の真空チャンバから分離される第１の真空チャンバに光放出ゾーンを限定することによって、高圧ゾーンにおける放射経路を制限することを推奨しており、第２の真空チャンバは、６０００リットル／秒（Ｌ／ｓ）の有効排気速度を有するターボ分子ポンプにより、１００分の１だけ低い圧力で維持される。

中間壁を通して放射を伝達するデバイスは、放射の伝播方向にほぼ平行な壁で分離された、複数の隣接する狭いチャネルを有する構造によって構成される。チャネルは、直径が、０．２ミリメートル（ｍｍ）から０．７ｍｍの範囲にあり、５ｍｍから５０ｍｍの長さを有する。

第１の困難さは、その特許に述べられるＥＵＶ放射源が、半導体業界の現在の要件にとって十分でないＥＵＶパワーを送出することにある。

第２の困難さは、隣接する狭いチャネルを有する放射伝達デバイスの相対的な複雑さ、および、サイズの小さいチャネルが、所定期間にわたって徐々に詰まるようになるというかなりのリスクを呈することにある。

さらに、その特許は、異なる圧力の２つのチャンバの間の中間壁において、ＥＵＶ放射に対して透過性があるタイプの開口を利用すること（それは、こうした開口が、ガスが下流側の伝達チャンバに向かってへ通過するのを妨げないと思われるため）か、または、薄い窓を利用すること（それは、薄い窓が、照射ゾーンに存在する高温によって損傷を受ける危険があると思われるため）、のいずれにも反対する助言を行う。
米国特許第６１３３５７７号明細書 米国特許第６５７６９１２号明細書 欧州特許出願公開第０８５８２４９号明細書 欧州特許出願公開第１０４７２８８号明細書 米国特許第６３０４６３０号明細書

本発明によって提起される問題は、前記エネルギーが、微小電子部品の製造における産業応用に十分になるように、フォトリソグラフィ処理において処理されるべき層に到達するＥＵＶ放射の強度を増加させることを十分に可能にさせる、新規のＥＵＶ放射源およびこうした放射源を用いたフォトリソグラフィ装置を発明することである。

本発明はまた、複数チャネルを有する放射伝達デバイスを用いることを回避しようとする。それは、複数チャネルを有するデバイスが、上述の欠点を呈し、また、入射レーザ放射が下流側の伝達チャンバから来る場合に、入射レーザ放射が通過するのを妨げるからである。

本発明はまた、半導体フォトリソグラフィ装置に受け入れられる空間に適合するサイズの小さいポンプを使用することを可能にさせる、適度の排気速度を有する真空ポンプを用いながら、これら問題を解決しようとする。

これらの目的および他の目的を達成するために、本発明は、極紫外線（ＥＵＶ）における放射源であって、放射源は、放射生成物質の流れを照射ゾーンの入口に注入する手段と、照射ゾーンを出て来る放射生成物質の流れをピックアップする手段と、パワーレーザ放射を生成し、かつ照射ゾーンの放射生成物質に合焦させる手段と、照射ゾーンの放射生成物質によって放出されたＥＵＶ放射を収集しかつ調整する手段とを備える、放射源を提供する。本発明によれば、
照射ゾーンは、第１の圧力を維持するための第１の真空発生器手段に接続される照射チャンバに位置し、
放出されたＥＵＶ放射を収集しかつ調整する手段は、第１の圧力より低い第２の圧力を維持するための第２真空発生器手段に接続される伝達チャンバに設置され、
伝達チャンバは、照射ゾーンに非常に近接して設置され、かつ光学軸に配置されたサイズの小さい隔壁を介して、照射チャンバとつながり
照射ゾーンの放射生成物質の流れは、光学軸に対して横断して延びる方向に流れる。

有利な実施形態において、第２の圧力は、第１の圧力の１０分の１以下である。

有利には、第１の圧力は約５×１０^−３ミリバールであるように選択され、第２の圧力は約５×１０^−４ミリバールであるように選択される場合がある。

放射生成物質は、気体キセノンであってよく、または有利には、液体キセノンであってよい。

別法として、放射生成物質はスズである。

パワーレーザ放射が、隔壁に向かって面する面を介して照射ゾーンに達するのが好ましい。第１の解決方法は、パワーレーザビームが、隔壁を通過することによって、伝達チャンバから放射チャンバに入るようにさせることにある。

第２の解決方法は、形状が円錐であり、円錐の頂部が照射ゾーンの方に向く中間壁に作られる隔壁を設けることによって、隔壁からすぐ上流側にある照射ゾーンにパワーレーザビームを送ることにある。そのため、パワーレーザビームは、隔壁から上流側で照射チャンバに入り、円錐中間壁に沿って照射ゾーンの方に伝播する。

ＥＵＶ放射を収集しかつ調整する手段は、有利には、隔壁から下流側で、光学軸に配置されかつ照射ゾーンに位置する１つの焦点を有する、１つまたは複数の楕円ミラーを備えてもよい。

有利には、デブリス除去デバイス（ａｎｔｉ−ｄｅｂｒｉｓ ｄｅｖｉｃｅ）を設けることも可能であり、このデブリス除去デバイスは、隔壁に面しかつ隔壁に近接する伝達チャンバに設置される、照射チャンバから出て来るイオンおよび他の粒子の通過を妨害しながら、放出されたＥＵＶ放射を収集しかつ調整する手段に対してＥＵＶ放射を伝達する。たとえば、デブリス除去デバイスは、隔壁から下流側に配置され、かつヘリウム、アルゴン、またはクリプトンの横断方向の流れ、およびその横断方向の流れによって伴出するデブリスを収集する手段に関連付けられる、ヘリウム、アルゴン、またはクリプトンの横断方向の流れを含んでもよい。

本発明はまた、ＥＵＶ放射を生成する先に規定したＥＵＶ放射源と、マスクを支持するようになされたマスク支持デバイスと、処理用の半導体ウェハを支持するようになされた半導体ウェハ支持体と、半導体ウェハに、ＥＵＶ放射によって照射されたマスクの一部の画像を投影するようになされた光学系とを備える、フォトリソグラフィ装置を提供する。

本発明の他の目的、特徴、および利点は、添付図を参照してなされる特定の実施形態の以下の説明から明らかになる。

図１は、本発明のＥＵＶ源の一般的な構造を示す図である。照射チャンバ１、伝達チャンバ２、照射チャンバ１に位置する照射ゾーン３、および照射チャンバ１と伝達チャンバ２の間に位置する中間壁４ａに設けられた隔壁４を見ることができる。隔壁４は、放出されたＥＵＶ放射が隔壁４に沿って集められる汎用軸である光学軸Ｉ−Ｉに配置される。

注入パイプなどの注入手段７は、放射生成物質の流れを照射ゾーン３に注入するのに役立ち、その流れは、光学軸Ｉ−Ｉに対して横断して延びる方向ＩＩ−ＩＩに伝播する。放射生成物質の流れは、再循環パイプ８によって、照射ゾーン３から出口で集められ、再循環パイプ８は、放射生成物質の流れを、一次ポンプ９を介して再循環器１０に戻し、再循環器１０は次に、注入パイプ７を介して照射ゾーン３に流れを再注入する。

パワーレーザ放射は、照射ゾーン３に送られ、その放射は好ましくは、ＥＵＶ放射を生成するために、照射ゾーン３に収束し、かつ放射生成物質の流れに当たる複数のパワーレーザビーム５、６で構成される。

レーザビームは好ましくは、隔壁４に向かって面する放射生成物質の流れの面で放射生成物質の流れに当たり、隔壁４が照射ゾーン３に非常に近接することを確実にするように配置される。結果として、放出されたＥＵＶ放射は、優先的に隔壁４を通って、光学軸Ｉ−Ｉを中心とする伝達チャンバ２に向かって伝播する。伝達チャンバ２において、収集器デバイス１３などの手段が、照射ゾーン３において放射生成物質によって放出されたＥＵＶ放射を収集しかつ調整するのに役立つ。

伝達チャンバ２に配置される収集器デバイス１３は有利には、光学軸Ｉ−Ｉに配置されかつ第１の焦点が照射ゾーン３に位置する、１つまたは複数の楕円ミラーを備えてもよい。結果として、楕円ミラーは、ＥＵＶ放射の主要な部分を反射して、楕円ミラーの第２の焦点に向かってＥＵＶ放射の主要な部分を送るようにし、その第２の焦点は、利用ゾーンに設置される。

デブリス除去デバイス１４は有利には、隔壁４に面しかつ近接する伝達チャンバ２に設けられることができ、隔壁４から収集器デバイス１３に向かって通過するイオンおよび他の粒子を止めながら、ＥＵＶ放射を収集器デバイス１３へ伝達する。

デブリス除去デバイス１４は、たとえば、隔壁４から下流側で流れる、ヘリウム、アルゴン、またはクリプトンの横断方向の流れを含んでよい。

照射ゾーン３において、放射生成物質は、たとえば、気体キセノンの流れ、霧化によって得られるキセノンの微小液滴の流れ、または、液体キセノンの流れによって構成されてもよい。

別法として、キセノンより良好な変換率を有し、したがって、より高い強度のＥＵＶ放射を生成することができる、スズでできたターゲットを用いることを想定することが可能である。ターゲットは、固体スズの円板か、または、スズ、インジウム、および鉛の合金などの、周囲温度で液状であるスズ合金の流れであってよい。

照射チャンバ１は、漏れない壁によって囲まれ、サイズが小さい、たとえば、直径が約１０ｍｍである隔壁４を介してのみ伝達チャンバ２とつながる防漏チャンバである。

伝達チャンバ２はまた、漏れない壁によって囲まれ、サイズが小さい隔壁４を介してのみ照射チャンバ１とつながる防漏チャンバである。

照射チャンバ１は、第１の圧力Ｐ１を維持する第１の真空発生器手段１１に接続される。たとえば、図１に示すように、第１の真空発生器手段１１は、１つまたは複数の第１の二次ターボ分子ポンプ１１を備えてもよく、その入口は照射チャンバ１に接続され、その出口は一次ポンプ９の入口に接続される。

同様に、伝達チャンバ２は、第２の圧力Ｐ２を維持する第２の真空発生器手段１２に接続される。たとえば、第２の真空発生器手段１２は、１つまたは複数の第２の二次ターボ分子ポンプ１２を備えてもよく、その入口は伝達チャンバ２に接続され、その出口は一次ポンプ９の入口に接続される。

伝達チャンバ２に存在する第２の圧力Ｐ２は、以下に示す理由により、照射チャンバ１に存在する第１の圧力Ｐ１よい低い。

放射生成物質の流れをレーザ励起することによって動作するこうしたＥＵＶ放射源において、気体または液体の形態の放射生成物質は、照射チャンバ１に急速に拡散する傾向があり、それによって、照射チャンバ１に存在する気体圧力が増加する。残念ながら、高い気体圧力は、ＥＵＶ放射の伝播をすぐに妨害する。したがって、ＥＵＶ放射の伝播経路に、不要な放射を吸収することを避けるのに十分に高い真空を維持することが必要である。しかし、ＥＵＶ放射が、十分な長さにわたって伝播することを可能にするのに必要な約５×１０^−４ミリバールの低圧を維持することは、たとえば、３０，０００Ｌ／ｓを超える非常に高い効率の排気速度を供給することができる真空ポンプを利用できることが必要となる。残念ながら、こうしたポンプは、大きくて、半導体フォトリソグラフィ処理用のＥＵＶ放射において相応に用いることができない。

したがって、２つの異なる圧力で真空を維持するために、２つの別個のチャンバ、すなわち、照射チャンバ１と伝達チャンバ２を有することを利用する。

照射チャンバ１において、真空は、比較的高い第１の圧力Ｐ１に維持され、照射チャンバ１においてＥＵＶ放射がたどる経路長が非常に短くなることを確保するように配置される。これは、隔壁４が照射ゾーン３に非常に近接していること、および、パワーレーザ放射が、隔壁４に面する放射生成物質の流れの面で放射生成物質の流れに当たることによって達成される。

対照的に、伝達チャンバ２は、照射チャンバ１の圧力Ｐ１より低い圧力Ｐ２で維持される。結果として、伝達チャンバ２への経路での不要なＥＵＶ放射の吸収が減る。

伝達チャンバ２の第２の圧力Ｐ２は好ましくは、照射チャンバ１の第１の圧力Ｐ１の１０分の１以下である。

たとえば、約５×１０^−３ミリバール以下の第１の圧力Ｐ１、および５×１０^−４ミリバール以下の第２の圧力を提供することによって、良好な結果を得ることができる。

５×１０^−３ミリバールの真空は、約３０００Ｌ／ｓの全キセノン排気速度を提供する１つまたは２つの第１のターボ分子ポンプ１１によって照射チャンバ１で達成することができる。そのため、第１のターボ分子ポンプ１１のサイズは、半導体部品を製造するためのフォトリソグラフィ設備において受け入れることができるサイズに適合する。

サイズが小さい、たとえば、約１０ｍｍの直径を有する単一の隔壁４の存在によって、伝達チャンバ２へ伝播する放射生成物質の流れが、非常に大幅に、約１０分の１に減ることがわかっている。結果として、１つまたは２つの二次ターボ分子ポンプ１２（その全キセノン排気速度は同様に、３０００Ｌ／ｓに等しい）によって、伝達チャンバ２において高い真空を実施し維持することができる。そのため、二次ターボ分子ポンプ１２のサイズは、小さく保たれ、組み立て品は、半導体を製造するためのフォトリソグラフィ設備で利用可能な空間に適合したままになる。

単一の隔壁４は、複数の指向性を有するという利点を提示する。すなわち、単一の隔壁は、光学軸Ｉ−Ｉに対して著しく斜めである放射が通過することを可能にする。

そのため、図１に示すように、照射チャンバ１に入射するパワーレーザビーム５および６が、斜めの方向で隔壁４を通って直接入るようにさせることが可能である。こうした状況下で、供給源５ｂなどのレーザ源から出て来る入射レーザビーム５および６は、窓５ａおよび６ａを介して伝達チャンバ２に入ることができ、入射レーザビームは、ミラー５ｃおよび５ｄなどのミラー（そのミラーは、収集器デバイス１３の外側にある）によって反射されて、その後、隔壁４の方へ伝播することができ、その時に、レーザビームは、隔壁４に非常に近接する照射ゾーン３にある放射生成物質の流れの表面に当たることになる。

別法として、隔壁４から上流側で照射チャンバ１に直接入り、隔壁４から上流側で、中間壁４ａに沿って照射ゾーン３の方に伝播する入射レーザビームを与えてもよい。こうした状況下で、隔壁４は、有利には、形状が円錐で、円錐の頂部が照射ゾーン３に向かって向く中間壁４ａに作られる。

ここで、縦断面で本発明のＥＵＶ源の第１の実際的な実施形態を示す、図２および図３を参照する。

図２および図３は、図１の理論的な図の要素と同じ要素を示し、これらの要素は、同じ参照符号によって特定される。

そのため、隔壁４を備えた中間壁４ａによって分離される照射チャンバ１および伝達チャンバ２を見ることができる。第１の二次ポンプ１１は側方に配設され、その吸引オリフィスは、照射チャンバ１と直につながっているのを見ることができる。同様に、第２の二次ポンプ１２は側方に配設され、その吸引オリフィスは、伝達チャンバ２と直につながっているのを見ることができる。

照射チャンバ１において、照射ゾーン３は、注入パイプ７に接続した注入器１５と再循環パイプ８に接続したダイバータ１６との間に位置する。注入パイプ７および再循環パイプ８は、注入器１５およびダイバータ１６にそれぞれ接続するためにベンドを有し、注入パイプ７および再循環パイプ８は、軸方向に照射チャンバ１に入る。照射ゾーンは、たとえば長さが短く、約３ｍｍ長である。

例を挙げると、収集器デバイス１３は、２つの同軸楕円ミラー、すなわち、外部楕円ミラー１３ａおよび内部楕円ミラー１３ｂを備える。内部楕円ミラー１３ｂは、図に見られるように、隔壁４から後退しているが、外部楕円ミラー１３ａは、照射チャンバ１と伝達チャンバ２との間の中間壁４ａの円錐部分に接続される。別法として、外部楕円ミラー１３ａは有利には、収集されるＥＵＶ放射の量を最適化するために、隔壁４を囲む双曲線ミラーに接続される場合がある。

収集器デバイス１３は、光学軸Ｉ−Ｉに中心を持ち、約１２０°の円錐をほぼ画定する立体角にわたって放出されるＥＵＶ放射を集める。

伝達チャンバ２は、放出されたＥＵＶ放射に対して透過性があり、任意に、所望の放射より長い波長の放射をなくすフィルタとして働く壁２ａによって下流側で閉じられる。壁２ａは、伝達チャンバ２内部の雰囲気を壁２ａから下流側の雰囲気から隔離する。

収集器デバイス１３のミラーは形が楕円であり、第１の焦点は放射ゾーン３に位置し、第２の焦点は、半導体ウェハを処理する放射を減らす光学縮小系２６を有するマスクリピータの光学系の入射部２５（図５）に位置する。そのため、ＥＵＶ放射は、光学系２５、２６の入射部２５に合焦する。

図４は、パイプ７および８が、それぞれ注入器１５およびダイバータ１６と一直線上になるよう、照射チャンバ１に径方向に貫通する、図２のＥＵＶ放射の変形形態を示す。

図５は、半導体ウェハを処理する本発明のＥＵＶ源の使用を示す。

放射源は、矩形で表され、参照符号Ａで特定される。ＥＵＶ放射Ｂは、マスク支持デバイス２１によって支持されるマスク２０に対して、マスクリピータの入射部２５を通して送られる。マスク２０は、反射性を有し、放射を反射してマスク縮小器の光学縮小系２６を通して半導体ウェハ２２（それ自体は、ウェハ支持体２３によって支持される）に送る。例を挙げると、半導体ウェハ２２は、マスク２０のパターンを呈するために、ＥＵＶ放射によって処理されるべき層２４で覆った表面を有し、縮小率は、縮小系２６の光学部品によって決まる。

本発明は、明示的に述べた実施形態に限定されず、当業者の能力内にある種々の変形形態および一般化形態を含む。

本発明の実施形態におけるＥＵＶ源の一般的な構造を示す図である。 図１のＥＵＶ源の実際的な実施形態を示す縦断面図である。 図２の照射ゾーンを示す拡大図である。 本発明のＥＵＶ源の実際的な変形実施形態を示す図である。 本発明のＥＵＶ源のフォトリソグラフィデバイスへの適用を示す図である。

符号の説明

１ 照射チャンバ
２ 伝達チャンバ
２ａ 壁
３ 照射ゾーン
４ 隔壁
４ａ 中間壁
５、６ パワーレーザビーム
５ａ、６ａ 窓
５ｂ 供給源
５ｃ、５ｄ ミラー
７ 注入手段
８ 再循環パイプ
９ 主ポンプ
１０ 再循環器
１１ 第１の真空発生手段
１２ 第２の真空発生手段
１３ 収集器デバイス
１３ａ 外部楕円ミラー
１３ｂ 内部楕円ミラー
１４ デブリス除去デバイス
１５ 注入器
１６ ダイバータ
２０ マスク
２１ マスク保持デバイス
２２ 半導体ウェハ
２３ ウェハ支持体
２４ 層
２５ 入射部
２６ 光学縮小系

Claims (15)

1. 極紫外線（ＥＵＶ）における放射源であり、放射源は、放射生成物質の流れを照射ゾーン（３）の入口に注入する手段（７、１５）と、照射ゾーン（３）を出る放射生成物質の流れをピックアップする手段（８、１６）と、パワーレーザ放射（５、６）を生成し、かつ照射ゾーン（３）の放射生成物質に合焦させる手段と、照射ゾーン（３）の放射生成物質によって放出されたＥＵＶ放射を収集しかつ調整する手段（１３）と、照射ゾーン（３）が位置する照射チャンバ（１）に接続される、第１の圧力（Ｐ１）を維持するための第１の真空発生器手段（１１）とを備える放射源であって、
   放出されたＥＵＶ放射を収集しかつ調整する手段（１３）が、第１の圧力（Ｐ１）より低い第２の圧力（Ｐ２）を維持するための第２の真空発生器手段（１２）に接続される伝達チャンバ（２）に設置されること、
   伝達チャンバ（２）が、照射ゾーン（３）に非常に近接して設置され、かつ光学軸（Ｉ−Ｉ）に配置されたサイズの小さい隔壁（４）を介して、照射チャンバ（１）とつながること、および、
   照射ゾーン（３）の放射生成物質の流れが、光学軸（Ｉ−Ｉ）に対して横断して延びる方向（ＩＩ−ＩＩ）に流れることを特徴とする放射源。
2. 第２の圧力（Ｐ２）が、第１の圧力（Ｐ１）の１０分の１以下であることを特徴とする、請求項１に記載の放射源。
3. 第１の圧力（Ｐ１）は５×１０^−３ミリバール以下であるが、第２の圧力（Ｐ２）は５×１０^−４ミリバール以下であることを特徴とする、請求項２に記載の放射源。
4. 放射生成物質が気体キセノンであることを特徴とする、請求項１に記載の放射源。
5. 放射生成物質が液体キセノンであることを特徴とする、請求項１に記載の放射源。
6. 放射生成物質がスズであることを特徴とする、請求項１に記載の放射源。
7. パワーレーザ放射が、隔壁（４）に向かって面する放射生成物質の流れの面で放射生成物質の流れに当たることを特徴とする、請求項１に記載の放射源。
8. パワーレーザ放射が、照射ゾーン（３）に収束する複数のレーザビームによって構成されることを特徴とする、請求項１に記載の放射源。
9. 入射パワーレーザビーム（５、６）が、隔壁（４）を通過することによって照射チャンバ（１）に入ることを特徴とする、請求項８に記載の放射源。
10. パワーレーザビーム（５、６）が、隔壁（４）から上流側で照射チャンバに入り、中間壁（４ａ）に沿って照射ゾーン（３）に向かって伝播し、隔壁（４）自体は、円錐形状の中間壁（４ａ）に作られ、中間壁の頂部は、照射ゾーン（３）に向かって向けられることを特徴とする、請求項８に記載の放射源。
11. 伝達チャンバ（２）が、光学軸（Ｉ−Ｉ）に配置されかつ照射ゾーン（３）に１つの焦点がある、１つまたは複数の楕円ミラー（１３ａ、１３ｂ）を含むことを特徴とする、請求項１に記載の放射源。
12. デブリス除去デバイスをさらに含み、該デブリス除去デバイスが、隔壁（４）に面しかつ隔壁（４）に近接する伝達チャンバ（２）に設けられており、照射チャンバ（１）から出て来るイオンおよび他の粒子の通過を妨害しながら、放出されたＥＵＶ放射を収集しかつ調整する手段（１３）に対してＥＵＶ放射を伝達することを特徴とする、請求項１に記載の放射源。
13. デブリス除去デバイス（１４）が、隔壁（４）から下流側に配置され、ヘリウム、アルゴン、またはクリプトンの横断方向の流れを含むことを特徴とする、請求項１２に記載の放射源。
14. ＥＵＶ放射（Ｂ）を生成するＥＵＶ放射源（Ａ）と、マスク（２０）を支持するようになされたマスク支持デバイス（２１）と、処理用の半導体ウェハ（２２）を支持するようになされた半導体ウェハ支持体（２３）と、半導体ウェハ（２２）に、ＥＵＶ放射（Ｂ）によって照射されたマスク（２０）の一部の画像を投影するようになされた光学系（２５、２６）とを備えるフォトリソグラフィ装置であって、放射源（Ａ）が、請求項１から１３のいずれか一項に記載の放射源であることを特徴とするフォトリソグラフィ装置。
15. 放射源（Ａ）が、ＥＵＶ放射（Ｂ）を光学系（２５、２６）の入射部（２５）に合焦させるように、光学系（２５、２６）の入射部（２５）に１つの焦点を有する楕円ミラーを含むことを特徴とする、請求項１４に記載のフォトリソグラフィ装置。

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