JP4690686B2 - Euv源 - Google Patents
Euv源 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4690686B2 JP4690686B2 JP2004272681A JP2004272681A JP4690686B2 JP 4690686 B2 JP4690686 B2 JP 4690686B2 JP 2004272681 A JP2004272681 A JP 2004272681A JP 2004272681 A JP2004272681 A JP 2004272681A JP 4690686 B2 JP4690686 B2 JP 4690686B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- radiation source
- chamber
- irradiation
- euv
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G1/00—X-ray apparatus involving X-ray tubes; Circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
- H05G2/005—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas containing a metal as principal radiation generating component
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
Description
照射ゾーンは、第1の圧力を維持するための第1の真空発生器手段に接続される照射チャンバに位置し、
放出されたEUV放射を収集しかつ調整する手段は、第1の圧力より低い第2の圧力を維持するための第2真空発生器手段に接続される伝達チャンバに設置され、
伝達チャンバは、照射ゾーンに非常に近接して設置され、かつ光学軸に配置されたサイズの小さい絞りを介して、照射チャンバとつながり
照射ゾーンの放射生成物質の流れは、光学軸に対して横断して延びる方向に流れる。
2 伝達チャンバ
2a 壁
3 照射ゾーン
4 絞り
4a 中間壁
5、6 パワーレーザビーム
5a、6a 窓
5b 供給源
5c、5d ミラー
7 注入手段
8 再循環パイプ
9 主ポンプ
10 再循環器
11 第1の真空発生手段
12 第2の真空発生手段
13 収集器デバイス
13a 外部楕円ミラー
13b 内部楕円ミラー
14 デブリス除去デバイス
15 注入器
16 ダイバータ
20 マスク
21 マスク保持デバイス
22 半導体ウェハ
23 ウェハ支持体
24 層
25 入射部
26 光学縮小系
Claims (13)
- 極紫外線(EUV)における放射源であり、放射源は、放射生成物質の流れを照射ゾーン(3)の入口に注入する手段(7、15)と、照射ゾーン(3)を出る放射生成物質の流れをピックアップする手段(8、16)と、パワーレーザ放射(5、6)を生成し、かつ照射ゾーン(3)の放射生成物質に合焦させる手段と、照射ゾーン(3)の放射生成物質によって放出されたEUV放射を収集しかつ調整する手段(13)と、照射ゾーン(3)が位置する照射チャンバ(1)に接続される、第1の圧力(P1)を維持するための第1の真空発生器手段(11)とを備える放射源であって、
放出されたEUV放射を収集しかつ調整する手段(13)が、第1の圧力(P1)より低い第2の圧力(P2)を維持するための第2の真空発生器手段(12)に接続される伝達チャンバ(2)に設置されること、
伝達チャンバ(2)が、照射ゾーン(3)に非常に近接して設置され、かつ光学軸(I−I)に配置されたサイズの小さい絞り(4)を介して、照射チャンバ(1)とつながること、
照射ゾーン(3)の放射生成物質の流れが、光学軸(I−I)に対して横断して延びる方向(II−II)に流れること、および
パワーレーザ放射が、絞り(4)に向かって面する放射生成物質の流れの面で放射生成物質の流れに当たることを特徴とする放射源。 - 第2の圧力(P2)が、第1の圧力(P1)の10分の1以下であることを特徴とする、請求項1に記載の放射源。
- 第1の圧力(P1)は5×10−3ミリバール以下であるが、第2の圧力(P2)は5×10−4ミリバール以下であることを特徴とする、請求項2に記載の放射源。
- 放射生成物質が気体キセノンであることを特徴とする、請求項1に記載の放射源。
- 放射生成物質が液体キセノンであることを特徴とする、請求項1に記載の放射源。
- 放射生成物質がスズであることを特徴とする、請求項1に記載の放射源。
- パワーレーザ放射が、照射ゾーン(3)に収束する複数のレーザビームによって構成されることを特徴とする、請求項1に記載の放射源。
- 入射パワーレーザビーム(5、6)が、絞り(4)を通過することによって照射チャンバ(1)に入ることを特徴とする、請求項7に記載の放射源。
- パワーレーザビーム(5、6)が、絞り(4)から上流側で照射チャンバに入り、中間壁(4a)に沿って照射ゾーン(3)に向かって伝播し、絞り(4)自体は、円錐形状の中間壁(4a)に作られ、中間壁の頂部は、照射ゾーン(3)に向かって向けられることを特徴とする、請求項7に記載の放射源。
- 伝達チャンバ(2)が、光学軸(I−I)に配置されかつ照射ゾーン(3)に1つの焦点がある、1つまたは複数の楕円ミラー(13a、13b)を含むことを特徴とする、請求項1に記載の放射源。
- デブリス除去デバイスをさらに含み、該デブリス除去デバイスが、絞り(4)に面しかつ絞り(4)に近接する伝達チャンバ(2)に設けられており、照射チャンバ(1)から出て来るイオンおよび他の粒子の通過を妨害しながら、放出されたEUV放射を収集しかつ調整する手段(13)に対してEUV放射を伝達することを特徴とする、請求項1に記載の放射源。
- デブリス除去デバイス(14)が、絞り(4)から下流側に配置され、ヘリウム、アルゴン、またはクリプトンの横断方向の流れを含むことを特徴とする、請求項11に記載の放射源。
- EUV放射(B)を生成するEUV放射源(A)と、マスク(20)を支持するようになされたマスク支持デバイス(21)と、処理用の半導体ウェハ(22)を支持するようになされた半導体ウェハ支持体(23)と、半導体ウェハ(22)に、EUV放射(B)によって照射されたマスク(20)の一部の画像を投影するようになされた光学系(25、26)とを備えるフォトリソグラフィ装置であって、放射源(A)が、請求項1から12のいずれか一項に記載の放射源であり、放射源(A)が、EUV放射(B)を光学系(25、26)の入射部(25)に合焦させるように、光学系(25、26)の入射部(25)に1つの焦点を有する楕円ミラーを含むことを特徴とするフォトリソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0311280A FR2860385B1 (fr) | 2003-09-26 | 2003-09-26 | Source euv |
FR0311280 | 2003-09-26 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005108834A JP2005108834A (ja) | 2005-04-21 |
JP2005108834A5 JP2005108834A5 (ja) | 2011-02-24 |
JP4690686B2 true JP4690686B2 (ja) | 2011-06-01 |
Family
ID=34307180
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004272681A Expired - Fee Related JP4690686B2 (ja) | 2003-09-26 | 2004-09-21 | Euv源 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7095038B2 (ja) |
EP (1) | EP1528846B1 (ja) |
JP (1) | JP4690686B2 (ja) |
AT (1) | ATE453309T1 (ja) |
DE (1) | DE602004024754D1 (ja) |
FR (1) | FR2860385B1 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7439530B2 (en) | 2005-06-29 | 2008-10-21 | Cymer, Inc. | LPP EUV light source drive laser system |
US7034320B2 (en) * | 2003-03-20 | 2006-04-25 | Intel Corporation | Dual hemispherical collectors |
JP2005190904A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Ushio Inc | 極端紫外光源 |
US7482609B2 (en) | 2005-02-28 | 2009-01-27 | Cymer, Inc. | LPP EUV light source drive laser system |
ATE489839T1 (de) | 2006-05-16 | 2010-12-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Verfahren zur erhöhung der umwandlungseffizienz einer euv- und/oder weichen röntgenstrahlenlampe und entsprechendes gerät |
US7655925B2 (en) * | 2007-08-31 | 2010-02-02 | Cymer, Inc. | Gas management system for a laser-produced-plasma EUV light source |
CN101849212A (zh) * | 2007-11-08 | 2010-09-29 | Asml荷兰有限公司 | 辐射系统和方法以及光谱纯度滤光片 |
EP2083328B1 (en) * | 2008-01-28 | 2013-06-19 | Media Lario s.r.l. | Grazing incidence collector for laser produced plasma sources |
EP2182412A1 (en) * | 2008-11-04 | 2010-05-05 | ASML Netherlands B.V. | Radiation source and lithographic apparatus |
US8330131B2 (en) * | 2010-01-11 | 2012-12-11 | Media Lario, S.R.L. | Source-collector module with GIC mirror and LPP EUV light source |
WO2012177900A1 (en) | 2011-06-22 | 2012-12-27 | Research Triangle Institute, International | Bipolar microelectronic device |
US20150097107A1 (en) * | 2012-03-20 | 2015-04-09 | Fst Inc. | Apparatus for generating extreme ultraviolet light using plasma |
NL2010965A (en) | 2012-06-22 | 2013-12-24 | Asml Netherlands Bv | Radiation source and lithographic apparatus. |
US10880979B2 (en) | 2015-11-10 | 2020-12-29 | Kla Corporation | Droplet generation for a laser produced plasma light source |
US10021773B2 (en) | 2015-11-16 | 2018-07-10 | Kla-Tencor Corporation | Laser produced plasma light source having a target material coated on a cylindrically-symmetric element |
US9918375B2 (en) * | 2015-11-16 | 2018-03-13 | Kla-Tencor Corporation | Plasma based light source having a target material coated on a cylindrically-symmetric element |
KR102024760B1 (ko) * | 2018-01-18 | 2019-09-25 | 한국원자력연구원 | 빔집속장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01137543A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-30 | Fujitsu Ltd | レーザ励起x線発生装置 |
JPH0837096A (ja) * | 1994-07-26 | 1996-02-06 | Nikon Corp | X線発生装置 |
JPH10221499A (ja) * | 1997-02-07 | 1998-08-21 | Hitachi Ltd | レーザプラズマx線源およびそれを用いた半導体露光装置並びに半導体露光方法 |
JP2000089000A (ja) * | 1998-09-14 | 2000-03-31 | Nikon Corp | X線発生装置 |
JP2003257698A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Saifasha:Yugen | レーザプラズマx線発生装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6541786B1 (en) * | 1997-05-12 | 2003-04-01 | Cymer, Inc. | Plasma pinch high energy with debris collector |
DE19962160C2 (de) * | 1999-06-29 | 2003-11-13 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtungen zur Erzeugung von Extrem-Ultraviolett- und weicher Röntgenstrahlung aus einer Gasentladung |
US6304630B1 (en) * | 1999-12-24 | 2001-10-16 | U.S. Philips Corporation | Method of generating EUV radiation, method of manufacturing a device by means of said radiation, EUV radiation source unit, and lithographic projection apparatus provided with such a radiation source unit |
DE10251435B3 (de) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Xtreme Technologies Gmbh | Strahlungsquelle zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung |
-
2003
- 2003-09-26 FR FR0311280A patent/FR2860385B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-09-20 AT AT04292256T patent/ATE453309T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-09-20 EP EP04292256A patent/EP1528846B1/fr not_active Not-in-force
- 2004-09-20 DE DE602004024754T patent/DE602004024754D1/de active Active
- 2004-09-21 JP JP2004272681A patent/JP4690686B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-22 US US10/946,109 patent/US7095038B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01137543A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-30 | Fujitsu Ltd | レーザ励起x線発生装置 |
JPH0837096A (ja) * | 1994-07-26 | 1996-02-06 | Nikon Corp | X線発生装置 |
JPH10221499A (ja) * | 1997-02-07 | 1998-08-21 | Hitachi Ltd | レーザプラズマx線源およびそれを用いた半導体露光装置並びに半導体露光方法 |
JP2000089000A (ja) * | 1998-09-14 | 2000-03-31 | Nikon Corp | X線発生装置 |
JP2003257698A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Saifasha:Yugen | レーザプラズマx線発生装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ATE453309T1 (de) | 2010-01-15 |
US20050072942A1 (en) | 2005-04-07 |
JP2005108834A (ja) | 2005-04-21 |
FR2860385B1 (fr) | 2007-06-01 |
FR2860385A1 (fr) | 2005-04-01 |
EP1528846A2 (fr) | 2005-05-04 |
EP1528846A3 (fr) | 2005-06-08 |
EP1528846B1 (fr) | 2009-12-23 |
US7095038B2 (en) | 2006-08-22 |
DE602004024754D1 (de) | 2010-02-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4690686B2 (ja) | Euv源 | |
JP2005108834A5 (ja) | ||
EP1016092B1 (en) | Method and apparatus for producing extreme ultra-violet light for use in photolithography | |
US6493423B1 (en) | Method of generating extremely short-wave radiation, method of manufacturing a device by means of said radiation, extremely short-wave radiation source unit and lithographic projection apparatus provided with such a radiation source unit | |
KR100588113B1 (ko) | 리소그래피 투영장치용 방사원 | |
JP3118515U (ja) | 極紫外光源内のガス噴射制御のためのノズル | |
JP4391453B2 (ja) | リソグラフィ機器、放射システム、汚染物質トラップ、デバイスの製造方法、及び汚染物質トラップ内で汚染物質を捕らえる方法 | |
US5763930A (en) | Plasma focus high energy photon source | |
US7755070B2 (en) | Arrangement for the suppression of unwanted spectral components in a plasma-based EUV radiation source | |
US6304630B1 (en) | Method of generating EUV radiation, method of manufacturing a device by means of said radiation, EUV radiation source unit, and lithographic projection apparatus provided with such a radiation source unit | |
US10101664B2 (en) | Apparatus and methods for optics protection from debris in plasma-based light source | |
US6190835B1 (en) | System and method for providing a lithographic light source for a semiconductor manufacturing process | |
US7872729B2 (en) | Filter system for light source | |
JP2008503078A (ja) | 極端紫外線発生装置および該装置の極端紫外線を用いたリソグラフィー用光源への応用 | |
KR20030090745A (ko) | 극자외선광 특히 리소그라피 공정용 극자외선광을발생시키는 방법 및 장치 | |
TW201142538A (en) | Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP5448402B2 (ja) | ガスフロー式spfを備えた極端紫外光源装置 | |
JP2001311799A (ja) | 平版投影装置用の照射源 | |
TWI519903B (zh) | 紫外光微影裝置及圖案化的方法 | |
US9992856B2 (en) | Solution for EUV power increment at wafer level | |
US6633048B2 (en) | High output extreme ultraviolet source | |
KR101207983B1 (ko) | 플라즈마를 이용한 극자외선 발생장치 | |
JP2003092199A (ja) | 光源装置及びそれを用いた露光装置 | |
JP7454561B2 (ja) | Euv光源中の放射源材料の汚染を軽減するための装置及び方法 | |
JP2021152601A (ja) | 極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070828 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070914 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100629 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100924 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100929 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101228 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20101228 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110201 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110218 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140225 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |