JP2005072562A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層が積層され、かつ前記第１導電型半導体層に接続された第１電極及び前記第２導電型半導体層に接続された第２電極を有する半導体レーザ素子であって、
   前記第２電極は、オーミック電極とパッド電極とからなり、前記オーミック電極は、前
   記第２導電型半導体層の一部にストライプ状にオーミック接続され、該パッド電極は、そ
   の表面であって、前記第２導電型半導体層とオーミック電極とがオーミック接続された領
   域の実質的に一方向側においてのみワイヤボンディングに十分な領域が確保されており、
   前記第１電極は、前記第１導電型半導体層表面に対して前記第２電極と同一面側に形成
   され、かつ前記オーミック接続された領域に対して前記パッド電極と同一方向側にのみ配
   置され、
   前記第２導電型半導体層は、前記オーミック接続された領域の両側で光の閉じ込めを確
   保し得る最小限の幅に設定されてなることを特徴とする半導体レーザ素子。
2. 第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層が積層され、かつ前記第１導電型半導体層に接続された第１電極及び前記第２導電型半導体層に接続された第２電極を有する半導体レーザ素子であって、
   前記第２電極は、オーミック電極とパッド電極とからなり、前記オーミック電極は、ス
   トライプ状に延設され、前記第２導電型半導体層の一部にストライプ状にオーミック接続
   され、前記パッド電極は、前記オーミック電極に電気的に接続され、少なくとも前記オー
   ミック電極の延設方向とは異なる方向に突出しており、さらに、その表面であって、前記
   第２導電型半導体層とオーミック電極とがオーミック接続された領域の実質的に一方向側
   においてのみ、外部と電気的な接続をするための十分な領域が確保されており、
   前記第１電極は、前記第１導電型半導体層表面に対して前記第２電極と同一面側に形成
   され、かつ前記オーミック接続された領域に対して前記パッド電極と同一方向側にのみ配
   置されてなることを特徴する半導体レーザ素子。
3. 第２電極が、ストライプ状に延設されたオーミック電極と、該オーミック電極に電気的に接続され、少なくとも前記オーミック電極の延設方向とは異なる方向に突出したパッド電極とからなる請求項１に記載の半導体レーザ素子。
4. ワイヤボンディングに十分な領域が、１０００μｍ2以上の面積を有してなる請求項１又は３に記載の半導体レーザ素子。
5. 外部と電気的な接続をするための十分な領域が、１０００μｍ2以上の面積を有してなる請求項２に記載の半導体レーザ素子。
6. パッド電極は、第１電極を２分するように配置されてなる請求項２〜５のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。
7. パッド電極は、オーミック電極の延設方向において、２つの第１の電極に挟まれてなる請求項２〜５のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。
8. パッド電極は、オーミック電極の延設方向において、半導体レーザ素子の２つの対向する端面の一方に設けられ、前記端面の他方に第１の電極が設けられてなる請求項２〜５のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。
9. 第２導電型半導体層は、オーミック電極と接続された領域の延設方向に対して異なる方向にその一部が突出し、第２電極は、突出した領域を含む第２導電型半導体層上にのみに配置されてなる請求項１〜８のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。
10. 第２電極は、絶縁膜を介して第１導電型半導体層上にまで延設されてなる請求項１〜８のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。
11. 第２導電型半導体層とオーミック電極とがストライプ状のオーミック接続された領域が、第２導電型半導体層表面にストライプ状のリッジを形成することにより規定されてなる請求項１〜１０のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。
12. リッジが、第２導電型半導体層の端部から、リッジ幅の２〜５０倍の範囲内に配置してなる請求項１１に記載の半導体レーザ素子。
13. 第１電極は、第２導電型半導体層側から少なくとも該第２導電型半導体層の一部が除去されて第１導電型半導体層が露出された領域に形成されており、該露出された第１導電型半導体層が、第２導電型半導体層の幅の１／２〜１０倍の範囲内の幅に設定されてなる請求項１〜１２のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。
14. 活性層及び第２導電型半導体層が、周波数−インピーダンス特性を阻害しない容量となる面積に設定されてなる請求項１〜１３のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。