CN211264030U - 一种阵列基板、液晶面板和显示装置 - Google Patents

一种阵列基板、液晶面板和显示装置 Download PDF

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孙吉星
关晓阳
王馨蕊
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Abstract

本实用新型涉及显示设备技术领域,公开了一种阵列基板、液晶面板和显示装置,该阵列基板包括用于与覆晶薄膜基板电性连接的焊盘区域,焊盘区域包括:形成于阵列基板侧面上的多个第一电连接端,每个第一电连接端包括至少一个沿垂直于侧面的延伸方向延伸的凹槽,每个凹槽的表面形成有一层第一导电层;形成于阵列基板顶面且与每个第一电连接端一一对应的第二导电层,每对一一对应的第二导电层和第一电连接端中,第二导电层的第一端与第一电连接端中全部凹槽内的第一导电层电连接,第二端与阵列基板的内部电路电连接。该阵列基板通过改良与覆晶薄膜基板电连接的焊盘区域的结构,使得覆晶薄膜基板与阵列基板电连接的导通效果增强、电学性能更为稳定。

Description

一种阵列基板、液晶面板和显示装置
技术领域
本实用新型涉及显示设备技术领域,特别涉及一种阵列基板、液晶面板和显示装置。
背景技术
随着市场对于显示设备边框越来越窄的需求,液晶显示屏与COF(Chip on Film,覆晶薄膜)基板采用侧面连接的方式连接将成为一种较佳的解决方案。侧面连接的方式能够产出极窄边框的液晶显示屏,大幅的提升显示区域的面积,同时在拼接领域使用侧面连接的液晶显示屏也能够达到极窄拼接的效果。
但是现有的液晶显示屏与COF基板的侧面连接方式中,存在液晶显示屏与COF基板连接的引脚面积窄的问题,使得液晶显示屏的与COF基板压合接触之后的导电粒子数量较少,从而影响线路的导通性和长期的稳定性,极易发生各种线不良,这种连接方式使得液晶显示屏与COF基板连接后的整体设备良率较低,稳定性较差。
实用新型内容
本实用新型提供了一种阵列基板、液晶面板和显示装置,上述阵列基板通过改良与覆晶薄膜基板电连接的焊盘区域的结构,使得覆晶薄膜基板与阵列基板电连接的导通效果增强、电学性能更为稳定。
为达到上述目的,本实用新型提供以下技术方案:
一种阵列基板,所述阵列基板包括用于与覆晶薄膜基板电性连接的焊盘区域,所述焊盘区域包括:
形成于所述阵列基板侧面上的多个第一电连接端,多个第一电连接端沿阵列基板侧面的延伸方向排列,每个所述第一电连接端包括至少一个沿垂直于侧面的延伸方向延伸的凹槽,每个所述凹槽的表面形成有一层第一导电层;
形成于所述阵列基板顶面且与每个所述第一电连接端一一对应的第二导电层,每对一一对应的第二导电层和第一电连接端中,第二导电层的第一端与第一电连接端中全部凹槽内的第一导电层电连接,第二端与阵列基板的内部电路电连接。
上述阵列基板通过焊盘区域与覆晶薄膜基板电性连接,焊盘区域包括位于阵列基板侧面的多个第一电连接端和位于阵列基板顶面且与第一电连接端一一对应的第二导电层,覆晶薄膜基板与全部第一电连接端中的第一导电层电性连接,由于第一导电层与第二导线层的第一端电性连接,第二导电层的第二端与阵列基板的内部电路电连接,从而实现了覆晶薄膜基板与阵列基板内部电路的电连接,由于每个第一电连接端包括至少一个沿垂直于侧面的延伸方向延伸的凹槽,每个凹槽的表面形成有一层第一导电层,因此每个第一导电层覆盖凹槽内表面,与现有技术中第一导电层的形状为长条状相比,本实用新型中的第一导电层的面积大大增加,因此本实用新型提供的阵列基板增加了覆晶薄膜基板与阵列基板电连接时的接触面积,从而增加了电连接后导电粒子的数量,使得覆晶薄膜基板与阵列基板电连接的导通效果增强、电学性能更为稳定,同时由于覆晶薄膜基板与阵列基板电连接时的接触面积的增加,使得覆晶薄膜基板与阵列基板的连接更为牢固。
优选地,每个所述第一电连接端沿阵列基板侧面的延伸方向的尺寸为0.1mm至0.3mm。
优选地,所述凹槽沿平行于阵列基板顶面的截面的形状为半圆形。
优选地,每个所述第一电连接端包括一个凹槽。
优选地,每个所述第一电连接端包括多个凹槽。
优选地,所述凹槽沿平行于阵列基板顶面的截面的半径为0.01mm至0.2mm。
优选地,所述凹槽沿平行于阵列基板顶面的截面的形状为多边形。
优选地,所述第一导电层和所述第二导电层为一体式结构。
本实用新型还提供了一种液晶面板,包括上述技术方案中提供的任意一种阵列基板。
本实用新型还提供了一种显示装置,包括上述技术方案中提供的任意一种液晶面板以及与所述液晶面板的侧面连接的覆晶薄膜基板,所述覆晶薄膜基板与所述阵列基板连接的表面上设置有多个与所述第一电连接端一一对应以与各个第一电连接端电连接的第二电连接端,每个所述第二电连接端包括与第一电连接端中的凹槽一一对应且相互配合的凸起。
附图说明
图1为本实用新型提供的一种显示装置中覆晶薄膜基板与阵列基板侧面连接的结构示意图;
图2为本实用新型提供的一种阵列基板的结构示意图;
图3a-图3e为本实用新型提供的一种阵列基板的制备过程分步示意图;
图4为本实用新型提供的一种显示装置中的覆晶薄膜基板的结构示意图。
图标:
1-阵列基板;11-侧面;12-顶面;13-凹槽;14-第一导电层;15-第二导电层;2-覆晶薄膜基板;21-凸起;3-开孔。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参考图1、图2,本实用新型提供一种阵列基板1,阵列基板1包括用于与覆晶薄膜基板2电性连接的焊盘区域,焊盘区域包括:
形成于阵列基板1侧面11上的多个第一电连接端,多个第一电连接端沿阵列基板1侧面11的延伸方向排列,每个第一电连接端包括至少一个沿垂直于侧面11的延伸方向延伸的凹槽13,每个凹槽13的表面形成有一层第一导电层14;
形成于阵列基板1顶面12且与每个第一电连接端一一对应的第二导电层15,每对一一对应的第二导电层15和第一电连接端中,第二导电层15的第一端与第一电连接端中全部凹槽13内的第一导电层14电连接,第二端与阵列基板1的内部电路电连接。
上述阵列基板1通过焊盘区域与覆晶薄膜基板2电性连接,焊盘区域包括位于阵列基板1侧面11的多个第一电连接端和位于阵列基板1顶面12且与第一电连接端一一对应的第二导电层15,覆晶薄膜基板2与全部第一电连接端中的第一导电层14电性连接,由于第一导电层14与第二导线层的第一端电性连接,第二导电层15的第二端与阵列基板1的内部电路电连接,从而实现了覆晶薄膜基板2与阵列基板1内部电路的电连接,由于每个第一电连接端包括至少一个沿垂直于侧面11的延伸方向延伸的凹槽13,每个凹槽13的表面形成有一层第一导电层14,因此每个第一导电层14覆盖凹槽13内表面,与现有技术中第一导电层14的形状为长条状相比,本实用新型中的第一导电层14的面积大大增加,因此本实用新型提供的阵列基板1增加了覆晶薄膜基板2与阵列基板1电连接时的接触面积,从而增加了电连接后导电粒子的数量,使得覆晶薄膜基板2与阵列基板1电连接的导通效果增强、电学性能更为稳定,同时由于覆晶薄膜基板2与阵列基板1电连接时的接触面积的增加,使得覆晶薄膜基板2与阵列基板1的连接更为牢固。
具体地,每个第一电连接端沿阵列基板1侧面11的延伸方向的尺寸为0.1mm至0.3mm。
具体地,如图1和图2所示,凹槽13沿平行于阵列基板1顶面12的截面的形状为半圆形。
在一种实施方式中,凹槽13采用半圆柱状即沿平行于阵列基板1顶面12的截面的形状为半圆形的设计,这样一方面有利于增大形成于凹槽13表面的第一导电层14的表面积,从而提高与覆晶薄膜基板2的接触面积,进而提高与覆晶薄膜基板2电连接后的导电粒子的数量,使得覆晶薄膜基板2与阵列基板1电连接的导通效果增强、电学性能更为稳定,同时由于接触面积的增加,使得覆晶薄膜基板2与阵列基板1的连接更为牢固;另一方面,这样的设计制作简便、制作成本低。
具体地,如图2所示,每个第一电连接端包括一个凹槽13。
具体地,每个第一电连接端包括多个凹槽13。
在一种实施方式中,每个第一电连接端包括一个凹槽13,此时凹槽13沿平行于阵列基板1顶面12的截面的直径与每个第一电连接端沿阵列基板1侧面11的延伸方向的尺寸相同,这种实施方式制作简便,可以节省制作工序从而减少制备时间;在另一种实施方式中,每个第一电连接端包括多个凹槽13,此时每个凹槽13沿平行于阵列基板1顶面12的截面的直径等于每个第一电连接端沿阵列基板1侧面11的延伸方向的尺寸除以每个第一电连接端中凹槽13的数量,这种实施方式中每个第一电连接端与覆晶薄膜基板2的接触面积进一步增加,从而可以进一步提高阵列基板1与覆晶薄膜基板2连接后的电学性能,且使得覆晶薄膜基板2与阵列基板1的连接更为牢固。
具体地,当第一电连接端包括多个凹槽13时,每个凹槽13沿平行于阵列基板1顶面12的截面的半径为0.01mm至0.2mm。
具体地,当第一电连接端包括多个凹槽13时,每个凹槽13沿平行于阵列基板1顶面12的截面的半径可以为:0.01mm、0.04mm、0.08mm、0.10mm、0.14mm、0.15mm、0.19mm等等。
具体地,凹槽13沿平行于阵列基板1顶面12的截面的形状为多边形。
在另一种实施方式中,凹槽13沿平行于阵列基板1顶面12的截面的形状为多边形,或者也可以采用其他的形状来达到增加阵列基板1与覆晶薄膜基板2电连接时的接触面积的效果,本实用新型不做限定。
具体地,第一导电层14和第二导电层15为一体式结构。
第一导电层14和第二导电层15均采用导电材料,第一导电层14和第二导电层15可以通过一次工艺形成,具体地,上述阵列基板1的制备可以采用如下步骤:如图3a和图3b所示,首先在未形成焊盘区域的阵列基板1上沿阵列基板1的厚度方向进行打孔以在阵列基板1的侧面11形成凹槽13,打孔的方式可以采用激光打孔;然后如图3c所示,通过转印工艺或者气相沉积法等方式在开孔3位置和阵列基板1的正面分别形成第一导电层14和第二导电层15;如图3d和图3e所示,后续制程与传统阵列基板1的制程相同,进行对核、切割等,此处不再赘述。
本实用新型还提供了一种液晶面板,包括上述技术方案中提供的任意一种阵列基板1。
本实用新型还提供了一种显示装置,如图1和图4所示,包括上述技术方案中提供的任意一种液晶面板以及与液晶面板的侧面11连接的覆晶薄膜基板2,覆晶薄膜基板2与阵列基板1连接的表面上设置有多个与第一电连接端一一对应以与各个第一电连接端电连接的第二电连接端,每个第二电连接端包括与第一电连接端中的凹槽13一一对应且相互配合的凸起21。
上述显示装置中,液晶面板中的阵列基板1通过多个第一电连接端与覆晶薄膜基板2进行电性连接,每个第一电连接端包括至少一个沿垂直于侧面11的延伸方向延伸的凹槽13,每个凹槽13的表面形成有一层第一导电层14,覆晶薄膜基板2与阵列基板1连接的表面上设置有多个与第一电连接端一一对应的第二电连接端,每个第二电连接端包括与第一电连接端中的凹槽13一一对应且相互配合的凸起21,阵列基板1与覆晶薄膜基板2电性连接时,第二电连接端中的凸起21分别与第一电性连接端的合个凹槽13内的第一导电层14接触,大大增加了电连接的接触面积,从而增加了电连接后导电粒子的数量,使得覆晶薄膜基板2与阵列基板1电连接的导通效果增强、电学性能更为稳定,同时由于覆晶薄膜基板2与阵列基板1电连接时的接触面积的增加,使得覆晶薄膜基板2与阵列基板1的连接更为牢固。
具体地,如图4所示,当第一连接端中各个凹槽13沿平行于阵列基板1顶面12的截面的形状为半圆形时,第二电连接端中的每个凸起21的形状为半圆柱状,且每个凸起21沿平行于阵列基板1顶面12的截面的半径与各个凹槽13沿平行于阵列基板1顶面12的截面的半径相同。这种实施方式中,覆晶薄膜基板2通过气相沉积法等工艺,在覆晶薄膜基板2与阵列基板1电连接的区域形成与每个第一电连接端一一对应的半圆柱状的电极以与每个第一电连接端中的凹槽13相互配合。具体工艺步骤如下:首先在覆晶薄膜基板2与阵列基板1电连接的区域增加半圆形掩板固定,然后将覆晶薄膜基板2放置到气相沉积设备中,最后在掩板定型的作用下,覆晶薄膜基板2与阵列基板1电连接的区域沉积形成多个半圆柱状的电极。
具体地,当第一连接端中各个凹槽13沿平行于阵列基板1顶面12的截面的形状为多边形时,第二电连接端中的每个凸起21的形状为多边形柱状,且每个凸起21沿平行于阵列基板1顶面12的截面中各侧边边长及相邻侧边之间的角度与凹槽13沿平行于阵列基板1顶面12的截面中各侧边边长及相邻侧边之间的角度相同。
具体地,上述各个凸起21均采用导电材料。
显然,本领域的技术人员可以对本实用新型实施例进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样,倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内,则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括用于与覆晶薄膜基板电性连接的焊盘区域,所述焊盘区域包括:
形成于所述阵列基板侧面上的多个第一电连接端,多个第一电连接端沿阵列基板侧面的延伸方向排列,每个所述第一电连接端包括至少一个沿垂直于侧面的延伸方向延伸的凹槽,每个所述凹槽的表面形成有一层第一导电层;
形成于所述阵列基板顶面且与每个所述第一电连接端一一对应的第二导电层,每对一一对应的第二导电层和第一电连接端中,第二导电层的第一端与第一电连接端中全部凹槽内的第一导电层电连接,第二端与阵列基板的内部电路电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,每个所述第一电连接端沿阵列基板侧面的延伸方向的尺寸为0.1mm至0.3mm。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述凹槽沿平行于阵列基板顶面的截面的形状为半圆形。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,每个所述第一电连接端包括一个凹槽。
5.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,每个所述第一电连接端包括多个凹槽。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述凹槽沿平行于阵列基板顶面的截面的半径为0.01mm至0.15mm。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述凹槽沿平行于阵列基板顶面的截面的形状为多边形。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电层和所述第二导电层为一体式结构。
9.一种液晶面板,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的阵列基板。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求9所述的液晶面板以及与所述液晶面板的侧面连接的覆晶薄膜基板,所述覆晶薄膜基板与所述阵列基板连接的表面上设置有多个与所述第一电连接端一一对应以与各个第一电连接端电连接的第二电连接端,每个所述第二电连接端包括与第一电连接端中的凹槽一一对应且相互配合的凸起。
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