JP2005071837A - 透明導電膜積層体の製造方法及び透明導電膜積層体並びにそれを用いた物品 - Google Patents
透明導電膜積層体の製造方法及び透明導電膜積層体並びにそれを用いた物品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005071837A JP2005071837A JP2003301149A JP2003301149A JP2005071837A JP 2005071837 A JP2005071837 A JP 2005071837A JP 2003301149 A JP2003301149 A JP 2003301149A JP 2003301149 A JP2003301149 A JP 2003301149A JP 2005071837 A JP2005071837 A JP 2005071837A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- transparent conductive
- conductive film
- electric field
- frequency electric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 99
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 383
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 328
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 111
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 107
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 47
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 94
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 73
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 62
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 21
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 13
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 10
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 10
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 8
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 5
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 5
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- 150000002484 inorganic compounds Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 3
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 208000024891 symptom Diseases 0.000 claims description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 5
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 192
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 109
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 24
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- -1 halogen metal compounds Chemical class 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 8
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 8
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 6
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- SKWCWFYBFZIXHE-UHFFFAOYSA-K indium acetylacetonate Chemical compound CC(=O)C=C(C)O[In](OC(C)=CC(C)=O)OC(C)=CC(C)=O SKWCWFYBFZIXHE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NHXVNEDMKGDNPR-UHFFFAOYSA-N zinc;pentane-2,4-dione Chemical compound [Zn+2].CC(=O)[CH-]C(C)=O.CC(=O)[CH-]C(C)=O NHXVNEDMKGDNPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UVDDHYAAWVNATK-VGKOASNMSA-L (z)-4-[dibutyl-[(z)-4-oxopent-2-en-2-yl]oxystannyl]oxypent-3-en-2-one Chemical compound CC(=O)\C=C(C)/O[Sn](CCCC)(CCCC)O\C(C)=C/C(C)=O UVDDHYAAWVNATK-VGKOASNMSA-L 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- JJLKTTCRRLHVGL-UHFFFAOYSA-L [acetyloxy(dibutyl)stannyl] acetate Chemical compound CC([O-])=O.CC([O-])=O.CCCC[Sn+2]CCCC JJLKTTCRRLHVGL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- SBRQYVYPHCFSDQ-UHFFFAOYSA-L [acetyloxy(ditert-butyl)stannyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Sn](C(C)(C)C)(C(C)(C)C)OC(C)=O SBRQYVYPHCFSDQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000003570 air Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- GAURFLBIDLSLQU-UHFFFAOYSA-N diethoxy(methyl)silicon Chemical compound CCO[Si](C)OCC GAURFLBIDLSLQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PKTOVQRKCNPVKY-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(methyl)silicon Chemical compound CO[Si](C)OC PKTOVQRKCNPVKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- DRUOQOFQRYFQGB-UHFFFAOYSA-N ethoxy(dimethyl)silicon Chemical compound CCO[Si](C)C DRUOQOFQRYFQGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N hexyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OC)(OC)OC CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- MDLRQEHNDJOFQN-UHFFFAOYSA-N methoxy(dimethyl)silicon Chemical compound CO[Si](C)C MDLRQEHNDJOFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RJMRIDVWCWSWFR-UHFFFAOYSA-N methyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](C)(OCCC)OCCC RJMRIDVWCWSWFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 241000894007 species Species 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 2
- OQTSOKXAWXRIAC-UHFFFAOYSA-N tetrabutan-2-yl silicate Chemical compound CCC(C)O[Si](OC(C)CC)(OC(C)CC)OC(C)CC OQTSOKXAWXRIAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N tetrabutyl silicate Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N tetrapropan-2-yl silicate Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N tetrapropyl silicate Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)OCCC ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BCLLLHFGVQKVKL-UHFFFAOYSA-N tetratert-butyl silicate Chemical compound CC(C)(C)O[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C BCLLLHFGVQKVKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- GYZQBXUDWTVJDF-UHFFFAOYSA-N tributoxy(methyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](C)(OCCCC)OCCCC GYZQBXUDWTVJDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- HYZQBNDRDQEWAN-LNTINUHCSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;manganese(3+) Chemical compound [Mn+3].C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O HYZQBNDRDQEWAN-LNTINUHCSA-N 0.000 description 1
- SHWZFQPXYGHRKT-FDGPNNRMSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;nickel Chemical compound [Ni].C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O SHWZFQPXYGHRKT-FDGPNNRMSA-N 0.000 description 1
- XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one Chemical compound CC(C)(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIWRBSMFKVOJMN-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-phenylpropan-2-ol Chemical compound CC(C)(O)CC1=CC=CC=C1 RIWRBSMFKVOJMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDTMFDGELKWGFT-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropan-2-olate Chemical compound CC(C)(C)[O-] SDTMFDGELKWGFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- YDCWBDWPPAHSOR-UHFFFAOYSA-N C1CCC1.F.F.F.F.F.F.F.F Chemical compound C1CCC1.F.F.F.F.F.F.F.F YDCWBDWPPAHSOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000623 Cellulose acetate phthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 1
- 229920001747 Cellulose diacetate Polymers 0.000 description 1
- 229920000219 Ethylene vinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 241000233855 Orchidaceae Species 0.000 description 1
- 241000282320 Panthera leo Species 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 229920010524 Syndiotactic polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N [4-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=C(CN)C=C1 ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N acetic anhydride Substances CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N aluminium isopropoxide Chemical compound [Al+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- WPUJEWVVTKLMQI-UHFFFAOYSA-N benzene;ethoxyethane Chemical compound CCOCC.C1=CC=CC=C1 WPUJEWVVTKLMQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SOKKGFZWZZLHEK-UHFFFAOYSA-N butoxy(dimethyl)silane Chemical compound CCCCO[SiH](C)C SOKKGFZWZZLHEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJVKGSNLIFBPMO-UHFFFAOYSA-N butoxyantimony Chemical compound CCCCO[Sb] BJVKGSNLIFBPMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XXLDWSKFRBJLMX-UHFFFAOYSA-N carbon dioxide;carbon monoxide Chemical compound O=[C].O=C=O XXLDWSKFRBJLMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229940081734 cellulose acetate phthalate Drugs 0.000 description 1
- 229920006265 cellulose acetate-butyrate film Polymers 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000013481 data capture Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- QZUFYZAIYPHVTL-UHFFFAOYSA-L diacetyloxy(butyl)tin Chemical compound CCCC[Sn](OC(C)=O)OC(C)=O QZUFYZAIYPHVTL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- BEHPKGIJAWBJMV-UHFFFAOYSA-N dimethyl(propoxy)silane Chemical compound CCCO[SiH](C)C BEHPKGIJAWBJMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004715 ethylene vinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- RZXDTJIXPSCHCI-UHFFFAOYSA-N hexa-1,5-diene-2,5-diol Chemical compound OC(=C)CCC(O)=C RZXDTJIXPSCHCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N hexafluoropropylene Chemical compound FC(F)=C(F)C(F)(F)F HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002483 hydrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- VMTCKFAPVIWNOF-UHFFFAOYSA-N methane tetrahydrofluoride Chemical compound C.F.F.F.F VMTCKFAPVIWNOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITNVWQNWHXEMNS-UHFFFAOYSA-N methanolate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].[O-]C.[O-]C.[O-]C.[O-]C ITNVWQNWHXEMNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 229920006284 nylon film Polymers 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBHBDZQAQRNXRB-UHFFFAOYSA-N propan-2-olate;titanium(3+) Chemical compound [Ti+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] KBHBDZQAQRNXRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 229910052704 radon Inorganic materials 0.000 description 1
- SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N radon atom Chemical compound [Rn] SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000003678 scratch resistant effect Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- AFCAKJKUYFLYFK-UHFFFAOYSA-N tetrabutyltin Chemical compound CCCC[Sn](CCCC)(CCCC)CCCC AFCAKJKUYFLYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 description 1
- JMXKSZRRTHPKDL-UHFFFAOYSA-N titanium ethoxide Chemical compound [Ti+4].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-] JMXKSZRRTHPKDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- BXJWDOYMROEHEN-UHFFFAOYSA-N tributylstibane Chemical compound CCCC[Sb](CCCC)CCCC BXJWDOYMROEHEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N triethylindigane Chemical compound CC[In](CC)CC OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHDIQVFFNDKAQU-UHFFFAOYSA-N tripropan-2-yl borate Chemical compound CC(C)OB(OC(C)C)OC(C)C NHDIQVFFNDKAQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Abstract
【解決手段】 大気圧もしくはその近傍の圧力下、放電空間に薄膜形成ガスを含有するガスを供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該薄膜形成ガスを励起し、プラズマ状態としたガスに透明基材を晒すことにより該透明基材上に透明導電膜を形成する透明導電膜積層体の製造方法において、透明導電膜を形成する薄膜形成ガスが、窒素ガスを含有する放電ガスを含むこと。好ましくは、高周波電界が第1の高周波電界および第2の高周波電界を重畳したものであること。
【選択図】 図6
Description
一方、上記特許文献2に記載の透明導電膜ではより低抵抗な透明導電膜という要求に到底応えることはできない。
(請求項1)
大気圧もしくはその近傍の圧力下、放電空間に薄膜形成ガスを含有するガスを供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該薄膜形成ガスを励起し、プラズマ状態としたガスに透明基材を晒すことにより該透明基材上に透明導電膜を形成する透明導電膜積層体の製造方法において、プライマー層を形成する薄膜形成ガスとして1種類以上の放電ガス、1種類以上の有機金属化合物及び1種類以上の反応性ガスからなる混合ガスを前記放電空間に供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該プライマー層を形成する薄膜形成ガスを励起し、プラズマ状態としたガスに該透明基材を晒すことにより該透明基材上にプライマー層を形成し、次いで、透明導電膜を形成する薄膜形成ガスとして窒素ガスを含有する放電ガス、1種類以上の有機金属化合物及び1種類以上の反応性ガスからなる混合ガスを該放電空間に供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該透明導電膜を形成する薄膜形成ガスを励起し、プラズマ状態としたガスに該プライマー層を形成した透明基材を晒すことにより該プライマー層上に透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項2)
大気圧もしくはその近傍の圧力下、放電空間に薄膜形成ガスを含有するガスを供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該薄膜形成ガスを励起し、プラズマ状態としたガスに透明基材を晒すことにより該透明基材上に透明導電膜を形成する透明導電膜積層体の製造方法において、プライマー層を形成する薄膜形成ガスとして1種類以上の放電ガス、1種類以上の有機金属化合物及び1種類以上の反応性ガスからなる混合ガスを前記放電空間に供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該プライマー層を形成する薄膜形成ガスを励起し、プラズマ状態としたガスに前記透明基材を晒すことにより該透明基材上にプライマー層を形成し、更に、ガスバリヤ層を形成する薄膜形成ガスとして1種類以上の放電ガス、1種類以上の有機金属化合物及び1種類以上の反応性ガスからなる混合ガスを該放電空間に供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該ガスバリヤ層を形成する薄膜形成ガスを励起し、プラズマ状態としたガスに該プライマー層を形成した透明基材を晒すことにより該プライマー層上にガスバリヤ層を形成し、次いで、透明導電膜を形成する薄膜形成ガスとして窒素ガスを含有する放電ガス、1種類以上の有機金属化合物及び1種類以上の反応性ガスからなる混合ガスを該放電空間に供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該透明導電膜を形成する薄膜形成ガスを励起し、プラズマ状態としたガスに該プライマー層及びガスバリヤ層を形成した透明基材を晒すことにより該ガスバリヤ層上に透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項3)
大気圧もしくはその近傍の圧力下、放電空間に薄膜形成ガスを含有するガスを供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該薄膜形成ガスを励起し、プラズマ状態としたガスに透明基材を晒すことにより該透明基材上に透明導電膜を形成する透明導電膜積層体の製造方法において、前記高周波電界が第1の高周波電界および第2の高周波電界を重畳したものであり、該第1の高周波電界の周波数ω1より該第2の高周波電界の周波数ω2が高く、該第1の高周波電界の強さV1、該第2の高周波電界の強さV2および放電開始電界の強さIVとの関係が、V1≧IV>V2またはV1>IV≧V2を満たし、該第2の高周波電界の出力密度が、1W/cm2以上であることを特徴とする透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項4)
大気圧もしくはその近傍の圧力下、プライマー層を形成する薄膜形成ガスとして1種類以上の放電ガス、1種類以上の有機金属化合物及び1種類以上の反応性ガスからなる混合ガスを放電空間に供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該プライマー層を形成する薄膜形成ガスを励起し、プラズマ状態としたガスに透明基材を晒すことにより該透明基材上にプライマー層を形成し、次いで、大気圧もしくはその近傍の圧力下、透明導電膜を形成する薄膜形成ガスを該放電空間に供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該透明導電膜を形成する薄膜形成ガスを励起し、プラズマ状態としたガスに該プライマー層を形成した透明基材を晒すことにより該プライマー層上に透明導電膜を形成する透明導電膜積層体の製造方法において、前記透明導電膜を形成する薄膜形成ガスが、窒素ガスを含有する放電ガス、1種類以上の有機金属化合物及び1種類以上の反応性ガスからなる混合ガスであり、且つ、前記高周波電界が第1の高周波電界および第2の高周波電界を重畳したものであり、該第1の高周波電界の周波数ω1より該第2の高周波電界の周波数ω2が高く、該第1の高周波電界の強さV1、該第2の高周波電界の強さV2および放電開始電界の強さIVとの関係が、V1≧IV>V2またはV1>IV≧V2を満たし、該第2の高周波電界の出力密度が、1W/cm2以上であることを特徴とする透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項5)
大気圧もしくはその近傍の圧力下、プライマー層を形成する薄膜形成ガスとして1種類以上の放電ガス、1種類以上の有機金属化合物及び1種類以上の反応性ガスからなる混合ガスを放電空間に供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該プライマー層を形成する薄膜形成ガスを励起し、プラズマ状態としたガスに透明基材を晒すことにより該透明基材上にプライマー層を形成し、更に、大気圧もしくはその近傍の圧力下、ガスバリヤ層を形成する薄膜形成ガスとして1種類以上の放電ガス、1種類以上の有機金属化合物及び1種類以上の反応性ガスからなる混合ガスを該放電空間に供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該ガスバリヤ層を形成する薄膜形成ガスを励起し、プラズマ状態としたガスに該プライマー層を形成した透明基材を晒すことにより該プライマー層上にガスバリヤ層を形成し、次いで、大気圧もしくはその近傍の圧力下、透明導電膜を形成する薄膜形成ガスを該放電空間に供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該透明導電膜を形成する薄膜形成ガスを励起し、プラズマ状態としたガスに該プライマー層及びガスバリヤ層を形成した透明基材を晒すことにより該ガスバリヤ層上に透明導電膜を形成する透明導電膜積層体の製造方法において、前記透明導電膜を形成する薄膜形成ガスが窒素ガスを含有する放電ガス、1種類以上の有機金属化合物及び1種類以上の反応性ガスからなる混合ガスであり、且つ、前記高周波電界が第1の高周波電界および第2の高周波電界を重畳したものであり、該第1の高周波電界の周波数ω1より該第2の高周波電界の周波数ω2が高く、該第1の高周波電界の強さV1、該第2の高周波電界の強さV2および放電開始電界の強さIVとの関係が、V1≧IV>V2またはV1>IV≧V2を満たし、該第2の高周波電界の出力密度が、1W/cm2以上であることを特徴とする透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項6)
前記ガスバリヤ層が、マグネシウム、ケイ素、ジルコニウム、チタン、タングステン、タンタル、アルミニウム、亜鉛、インジウム、クロム、バナジウム、ニオブ、錫から選ばれる少なくとも1種の元素を含む無機化合物であることを特徴とする請求項2又は5記載の透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項7)
前記プライマー層が、下記一般式(1)で表される化合物であることを特徴とする請求項1若しくは2又は請求項4乃至6のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法。
(式中、Mはケイ素、ジルコニウム、チタン、タングステン、タンタル、アルミニウム、亜鉛、インジウム、クロム、バナジウム、ニオブ、錫から選ばれる少なくとも1種の金属を表し、Rは炭素数1〜8のアルキル基を表し、xは1.50〜1.99、yは0.02〜1.00を表す。)
(請求項8)
前記一般式(1)のMがケイ素であることを特徴とする請求項7記載の透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項9)
前記透明導電膜を形成するために放電空間に導入される有機金属化合物が下記一般式(2)又は一般式(3)で表されることを特徴とする請求項1若しくは2又は請求項4乃至8のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項10)
前記プライマー層を形成する薄膜形成ガスとしての放電ガスが、窒素ガスを含むことを特徴とする請求項1若しくは2又は請求項4乃至9のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項11)
前記ガスバリヤ層を形成する薄膜形成ガスとしての放電ガスが、窒素ガスを含むことを特徴とする請求項2又は請求項4乃至10のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項12)
前記放電空間が、対向する第1電極と第2電極とで構成されることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項13)
前記第2の高周波電界の出力密度が、50W/cm2以下であることを特徴とする請求項3乃至12のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項14)
前記第2の高周波電界の出力密度が、20W/cm2以下であることを特徴とする請求項13記載の透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項15)
前記第1の高周波電界の出力密度が、1W/cm2以上であることを特徴とする請求項3乃至14のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項16)
前記第1の高周波電界の出力密度が、50W/cm2以下であることを特徴とする請求項15記載の透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項17)
前記第1の高周波電界および前記第2の高周波電界がサイン波であることを特徴とする請求項3乃至16のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項18)
前記第1の高周波電界を前記第1電極に印加し、前記第2の高周波電界を前記第2電極に印加することを特徴とする請求項3乃至17のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項19)
前記放電空間に供給される全ガス量の90〜99.9体積%が放電ガスであることを特徴とする請求項1乃至18のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項20)
前記放電ガスが、50〜100体積%の窒素ガスを含有することを特徴とする請求項19記載の透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項21)
前記第1電極又は第2電極が誘電体で被覆されていることを特徴とする請求項3乃至20のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項22)
前記誘電体の比誘電率が25℃において6〜45の無機物であることを特徴とする請求項21記載の透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項23)
前記第1電極又は第2電極の表面粗さの最大高さ(Rmax)(JIS B 0601で規定)が10μm以下であることを特徴とする請求項21又は22記載の透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項24)
前記透明導電膜が酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛、Fドープ酸化錫、Alドープ酸化亜鉛、Sbドープ酸化錫、ITO、In2O3−ZnOから選ばれる少なくとも1種を主成分とするアモルファス透明導電膜であることを特徴とする請求項1乃至23のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項25)
前記透明導電膜がITOであって、該ITOがIn/Sn原子数比で100/0.1〜100/15の範囲であることを特徴とする請求項24記載の透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項26)
前記透明導電膜の炭素含有量が0〜5.0原子数濃度の範囲であることを特徴とする請求項1乃至25のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項27)
前記透明基材が透明樹脂フィルムであることを特徴とする請求項1乃至26のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項28)
前記透明樹脂フィルムがタッチパネル用フィルム基材、液晶素子プラスチック基板、有機EL素子プラスチック基板、PDP用電磁遮蔽フィルム、電子ペーパー用フィルム基板から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項27記載の透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項29)
前記透明樹脂フィルムがロール状フィルムであることを特徴とする請求項27又は28記載の透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項30)
前記ロール状フィルム上にガスバリヤ層がない場合はプライマー層を形成した後、ガスバリヤ層を有する場合はガスバリヤ層を形成した後、巻き取ることなく透明導電性層を形成することを特徴とする請求項29記載の透明導電膜積層体の製造方法。
(請求項31)
請求項1乃至30のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法によって製造された透明導電膜積層体。
(請求項32)
前記透明導電膜積層体がパターニングされた電極であることを特徴とする請求項31記載の透明導電膜積層体。
(請求項33)
請求項31又は32記載の透明導電膜積層体を用いた物品。
各電極部の高周波プローブ(P6015A)を設置し、該高周波プローブをオシロスコープ(Tektronix社製、TDS3012B)に接続し、電圧を測定する。
電極間に放電ガスを供給し、放電が始まる電圧を放電開始電圧IVと定義する。測定器は上記高周波電圧測定と同じである。
2)放電ガスと薄膜形成ガスを構成成分とする混合ガスを放電空間に導入し、高周波電圧を印加して放電を発生させて薄膜形成ガスをプラズマ状態として、該放電空間からプラズマ状態となった薄膜形成ガスを透明基材のある放電空間外(処理空間)にジェット状に吹き出させ、該処理空間において該プラズマ状態の薄膜形成ガスに透明基材を晒す方法
3)放電ガスと薄膜形成ガスを別々に放電空間に導入し、高周波電圧を印加して放電を発生させて薄膜形成ガスをプラズマ状態として、該放電空間においてプラズマ状態の薄膜形成ガスに透明基材を晒す方法
4)放電空間に放電ガスを導入し、高周波電圧を印加して放電を発生させて放電ガスを励起してプラズマ状態として、処理空間にジェット状に吹き出させ、また薄膜形成ガスは別に処理空間に導入して、該放電空間からプラズマ状態の放電ガスを、別に処理空間に導入した薄膜形成ガスと該プラズマ状態の放電ガスを接触させて発生したプラズマ状態の薄膜形成ガスに透明基材を晒す方法。
印加電源記号 メーカー 周波数
A1 神鋼電機 3kHz
A2 神鋼電機 5kHz
A3 春日電機 15kHz
A4 神鋼電機 50kHz
A5 ハイデン研究所 100kHz*
A6 パール工業 200kHz
等の市販のものを挙げることが出来、何れも使用することが出来る。なお、*印はハイデン研究所インパルス高周波電源(連続モードで100kHz)である。
印加電源記号 メーカー 周波数
B1 パール工業 800kHz
B2 パール工業 2MHz
B3 パール工業 13.56MHz
B4 パール工業 27MHz
B5 パール工業 150MHz
等の市販のものを挙げることが出来、何れも好ましく使用出来る。
JIS−R−1635に従い、日立製作所製分光光度計U−4000型を用いて測定を行った。試験光の波長は550nmとした。
JIS−R−1637に従い、四端子法により求めた。なお、測定には三菱化学製ロレスタ−GP、MCP−T600を用いた。
炭素含有率及び酸素含有率はXPS表面分析装置を用いてその値を測定する。測定は本明細書に記載の方法にて行った。なお、ガスバリヤ層は実質的にMO2-xCyで表されるので、表2中の酸素含有率はxの値を記載した。
耐屈曲耐久性、及び耐屈曲耐久性試験後のサンプルの断線の程度を調べた。なお、耐屈曲耐久性は、透明導電層が外側になる様に、φ6mmの丸棒の周囲に沿って100gの荷重をかけ1分間変形させて元に戻した後の抵抗値Rと変形させる前の抵抗値R0の比R/R0と定義する。
透明導電膜積層体フィルムを縦横10cmの長さに切断した。このフィルムについて室温25℃相対湿度50%における表面抵抗を三菱化学製ロレスタ−GP、MCP−T600をを用いて測定した。この表面抵抗値をR0とする。このフィルムを温度80℃相対湿度40%の恒温恒湿漕で1週間処理し、再度表面抵抗値を測定した。この値をRとし、R/R0の比を求めた。この比は1に近い方が好ましい。
酸素透過度をもってガスバリヤ性の指標とした。酸素透過度は、透明導電層を積層する前の、プライマー層とガスバリヤ層が積層された高分子フィルムについて測定した。測定は、MOCON社製オキシトラン2/20型を用いて、40℃90%RHの環境下で測定した。
ライオン(株)製消しゴムNo.50を用いて9.8Nの荷重で表面を50往復させ、表面の損傷を目視で評価した。評価は以下の基準によった。
○;ごく僅か傷の発生が認められる
△;傷が認められる
×;膜が剥離する
〈密着性〉
JIS K5400に記載された碁盤目法に準じ、縦・横それぞれの方向に1mm間隔でカッターナイフを用いて11本づつ傷をつけ、セロハンテープを貼り付けて引き剥がし、この時に基材に残存する碁盤目の数を数えた。
図2に示す大気圧プラズマ放電処理装置において、アルミナで被覆したロール電極及び同様に誘電体を被覆した複数の角筒型電極のセットを以下のように作製した。
〈プライマー層A1〜A4〉
放電ガスは窒素100%ないしは窒素とヘリウムの混合ガスを表1に記載の割合で用いた。反応ガスとしては、4.5体積%のテトラエトキシシラン(TEOSと略)と0.05体積%の酸素を用いた。また、第一電極、第二電極の操業条件は表1に示すとおりである。
容器外部が水冷された撹拌容器内にビニルトリメトキシシラン(信越化学社製、商品名KBM1003)148質量部を入れ、激しく撹拌を行いながら0.01Mの塩酸水54部を徐々に添加し、更に3時間ゆっくりと撹拌を行うことによりビニルトリメトキシシランの加水分解液を得た。ついでトリメチロールプロパントリアクリレート(東亞合成化学社製、商品名アロニックスM−309)50質量部、前記ビニルトリメトキシシランの加水分解液を100質量部、未加水分解のビニルトリメトキシシラン10質量部、光開始剤2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン(メルク社製、商品名ダロキュアー1173)8質量部およびレベリング剤としてシリコンオイル(東レ・ダウコーニングシリコン社製、SH28PA)0.02質量部を混合して塗液とした。この塗液を基材上にバーコーターを用いてコーティングし、60℃で1分間加熱して塗膜中の残留溶剤を揮発除去した後、160W/cmの高圧水銀灯を用いて、積算光量800mJ/cm2の条件で紫外線を照射して塗膜の硬化を行いプライマー層を得た。
分子量約1040、融点55℃のエポキシアクリレートプレポリマー(昭和高分子株式会社製VR−60);100質量部、ジエチレングリコール;200質量部、酢酸エチル;100質量部、ベンゼンエチルエーテル;2質量部、シランカップリング剤(信越化学株式会社製KBM−503);1質量部を、50℃にて撹はん溶解して均一な溶液を得た後、ディップ法により透明支持体に塗布し、80℃、10分の条件で加熱した後、紫外線を照射をしてプライマー層を得た。
〈ガスバリヤ層い1〜い4〉
放電ガスは窒素100%ないしは窒素とヘリウムの混合ガスを表2に記載の割合で用いた。反応ガスとしては、1.5体積%のテトラエトキシシラン(TEOSと略)と0.10体積%の水素を用いた。また、第一電極、第二電極の操業条件は表2に示すとおりである。
通常のマグネトロンスパッタ装置にてBドープしたSiターゲットとして4.000×10-4Paまで排気した後、O2:Ar=3:7の混合ガスを100sccm導入し、圧力を0.1067Paになるように調整した。メインロール温度25℃、投入電力密度1W/cm2、フィルム速度1.0m/分の条件で反応性スパッタリングを行い、約30nmの厚みの酸化珪素によるガスバリヤ層ろを形成した。
減圧プラズマCVD装置を用い、以下の条件でガスバリヤ層を形成した。
圧力 66.66Pa
HMDSO(ヘキサメチルジシロキサン)流量 1slm
酸素ガス流量 10slm
成膜用ドラム表面温度(成膜温度) 100℃
上記のガス流量単位slmは、standard liter per minuteのことである。
〈透明導電膜11〜15〉
放電ガスは窒素100%ないしは窒素とヘリウムの混合ガスを表3に記載の割合で用いた。反応ガスとしては、0.25%の酸素、1.2体積%のトリス(2,4−ペンタンジオナト)インジウム(In(AcAc)3と略す)、0.05体積%のジブチル錫ジアセテート(DBDATと略す)の混合ガスを用いた。また、第一電極、第二電極の操業条件は表3に示すとおりである。
プライマー層の設けられた透明基材ないしはプライマー層及びガスバリヤ層が設けられた透明基材を、DCマグネトロンスパッタ装置に装着し、真空槽内を1.3332×10-3Pa以下まで減圧した。尚、スパッタリングターゲットは酸化インジウム:酸化錫95:5の組成のものを用いた。この後、アルゴンガスと酸素ガスとの混合ガスを(Ar:O2=1000:3)を1×10-3Paとなるまで導入し、スパッタ出力100W、基板温度100℃にて透明導電膜積層体を作製した。
プライマー層の設けられた透明基材ないしはプライマー層及びガスバリヤ層が設けられた透明基材に透明導電層としての京都エレックス(株)製有機ITOペーストニューフロコートEC−Lをディップコートして透明導電膜積層体を作製した。
26、26c、26C、36、36c、36C 電極
25a、25A、26a、26A、36a、36A 金属等の導電性母材
25b、26b、36b セラミック被覆処理誘電体
25B、26B、36B ライニング処理誘電体
31 プラズマ放電処理容器
41 電源
51 ガス発生装置
52 給気口
53 排気口
60 電極冷却ユニット
61 元巻き基材
65、66 ニップローラ
64、67 ガイドローラ
Claims (33)
- 大気圧もしくはその近傍の圧力下、放電空間に薄膜形成ガスを含有するガスを供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該薄膜形成ガスを励起し、プラズマ状態としたガスに透明基材を晒すことにより該透明基材上に透明導電膜を形成する透明導電膜積層体の製造方法において、プライマー層を形成する薄膜形成ガスとして1種類以上の放電ガス、1種類以上の有機金属化合物及び1種類以上の反応性ガスからなる混合ガスを前記放電空間に供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該プライマー層を形成する薄膜形成ガスを励起し、プラズマ状態としたガスに該透明基材を晒すことにより該透明基材上にプライマー層を形成し、次いで、透明導電膜を形成する薄膜形成ガスとして窒素ガスを含有する放電ガス、1種類以上の有機金属化合物及び1種類以上の反応性ガスからなる混合ガスを該放電空間に供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該透明導電膜を形成する薄膜形成ガスを励起し、プラズマ状態としたガスに該プライマー層を形成した透明基材を晒すことにより該プライマー層上に透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電膜積層体の製造方法。
- 大気圧もしくはその近傍の圧力下、放電空間に薄膜形成ガスを含有するガスを供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該薄膜形成ガスを励起し、プラズマ状態としたガスに透明基材を晒すことにより該透明基材上に透明導電膜を形成する透明導電膜積層体の製造方法において、プライマー層を形成する薄膜形成ガスとして1種類以上の放電ガス、1種類以上の有機金属化合物及び1種類以上の反応性ガスからなる混合ガスを前記放電空間に供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該プライマー層を形成する薄膜形成ガスを励起し、プラズマ状態としたガスに前記透明基材を晒すことにより該透明基材上にプライマー層を形成し、更に、ガスバリヤ層を形成する薄膜形成ガスとして1種類以上の放電ガス、1種類以上の有機金属化合物及び1種類以上の反応性ガスからなる混合ガスを該放電空間に供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該ガスバリヤ層を形成する薄膜形成ガスを励起し、プラズマ状態としたガスに該プライマー層を形成した透明基材を晒すことにより該プライマー層上にガスバリヤ層を形成し、次いで、透明導電膜を形成する薄膜形成ガスとして窒素ガスを含有する放電ガス、1種類以上の有機金属化合物及び1種類以上の反応性ガスからなる混合ガスを該放電空間に供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該透明導電膜を形成する薄膜形成ガスを励起し、プラズマ状態としたガスに該プライマー層及びガスバリヤ層を形成した透明基材を晒すことにより該ガスバリヤ層上に透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電膜積層体の製造方法。
- 大気圧もしくはその近傍の圧力下、放電空間に薄膜形成ガスを含有するガスを供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該薄膜形成ガスを励起し、プラズマ状態としたガスに透明基材を晒すことにより該透明基材上に透明導電膜を形成する透明導電膜積層体の製造方法において、前記高周波電界が第1の高周波電界および第2の高周波電界を重畳したものであり、該第1の高周波電界の周波数ω1より該第2の高周波電界の周波数ω2が高く、該第1の高周波電界の強さV1、該第2の高周波電界の強さV2および放電開始電界の強さIVとの関係が、V1≧IV>V2またはV1>IV≧V2を満たし、該第2の高周波電界の出力密度が、1W/cm2以上であることを特徴とする透明導電膜積層体の製造方法。
- 大気圧もしくはその近傍の圧力下、プライマー層を形成する薄膜形成ガスとして1種類以上の放電ガス、1種類以上の有機金属化合物及び1種類以上の反応性ガスからなる混合ガスを放電空間に供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該プライマー層を形成する薄膜形成ガスを励起し、プラズマ状態としたガスに透明基材を晒すことにより該透明基材上にプライマー層を形成し、次いで、大気圧もしくはその近傍の圧力下、透明導電膜を形成する薄膜形成ガスを該放電空間に供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該透明導電膜を形成する薄膜形成ガスを励起し、プラズマ状態としたガスに該プライマー層を形成した透明基材を晒すことにより該プライマー層上に透明導電膜を形成する透明導電膜積層体の製造方法において、前記透明導電膜を形成する薄膜形成ガスが、窒素ガスを含有する放電ガス、1種類以上の有機金属化合物及び1種類以上の反応性ガスからなる混合ガスであり、且つ、前記高周波電界が第1の高周波電界および第2の高周波電界を重畳したものであり、該第1の高周波電界の周波数ω1より該第2の高周波電界の周波数ω2が高く、該第1の高周波電界の強さV1、該第2の高周波電界の強さV2および放電開始電界の強さIVとの関係が、V1≧IV>V2またはV1>IV≧V2を満たし、該第2の高周波電界の出力密度が、1W/cm2以上であることを特徴とする透明導電膜積層体の製造方法。
- 大気圧もしくはその近傍の圧力下、プライマー層を形成する薄膜形成ガスとして1種類以上の放電ガス、1種類以上の有機金属化合物及び1種類以上の反応性ガスからなる混合ガスを放電空間に供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該プライマー層を形成する薄膜形成ガスを励起し、プラズマ状態としたガスに透明基材を晒すことにより該透明基材上にプライマー層を形成し、更に、大気圧もしくはその近傍の圧力下、ガスバリヤ層を形成する薄膜形成ガスとして1種類以上の放電ガス、1種類以上の有機金属化合物及び1種類以上の反応性ガスからなる混合ガスを該放電空間に供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該ガスバリヤ層を形成する薄膜形成ガスを励起し、プラズマ状態としたガスに該プライマー層を形成した透明基材を晒すことにより該プライマー層上にガスバリヤ層を形成し、次いで、大気圧もしくはその近傍の圧力下、透明導電膜を形成する薄膜形成ガスを該放電空間に供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該透明導電膜を形成する薄膜形成ガスを励起し、プラズマ状態としたガスに該プライマー層及びガスバリヤ層を形成した透明基材を晒すことにより該ガスバリヤ層上に透明導電膜を形成する透明導電膜積層体の製造方法において、前記透明導電膜を形成する薄膜形成ガスが窒素ガスを含有する放電ガス、1種類以上の有機金属化合物及び1種類以上の反応性ガスからなる混合ガスであり、且つ、前記高周波電界が第1の高周波電界および第2の高周波電界を重畳したものであり、該第1の高周波電界の周波数ω1より該第2の高周波電界の周波数ω2が高く、該第1の高周波電界の強さV1、該第2の高周波電界の強さV2および放電開始電界の強さIVとの関係が、V1≧IV>V2またはV1>IV≧V2を満たし、該第2の高周波電界の出力密度が、1W/cm2以上であることを特徴とする透明導電膜積層体の製造方法。
- 前記ガスバリヤ層が、マグネシウム、ケイ素、ジルコニウム、チタン、タングステン、タンタル、アルミニウム、亜鉛、インジウム、クロム、バナジウム、ニオブ、錫から選ばれる少なくとも1種の元素を含む無機化合物であることを特徴とする請求項2又は5記載の透明導電膜積層体の製造方法。
- 前記プライマー層が、下記一般式(1)で表される化合物であることを特徴とする請求項1若しくは2又は請求項4乃至6のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法。
一般式(1) MOx(R)y
(式中、Mはケイ素、ジルコニウム、チタン、タングステン、タンタル、アルミニウム、亜鉛、インジウム、クロム、バナジウム、ニオブ、錫から選ばれる少なくとも1種の金属を表し、Rは炭素数1〜8のアルキル基を表し、xは1.50〜1.99、yは0.02〜1.00を表す。) - 前記一般式(1)のMがケイ素であることを特徴とする請求項7記載の透明導電膜積層体の製造方法。
- 前記プライマー層を形成する薄膜形成ガスとしての放電ガスが、窒素ガスを含むことを特徴とする請求項1若しくは2又は請求項4乃至9のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法。
- 前記ガスバリヤ層を形成する薄膜形成ガスとしての放電ガスが、窒素ガスを含むことを特徴とする請求項2又は請求項4乃至10のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法。
- 前記放電空間が、対向する第1電極と第2電極とで構成されることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法。
- 前記第2の高周波電界の出力密度が、50W/cm2以下であることを特徴とする請求項3乃至12のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法。
- 前記第2の高周波電界の出力密度が、20W/cm2以下であることを特徴とする請求項13記載の透明導電膜積層体の製造方法。
- 前記第1の高周波電界の出力密度が、1W/cm2以上であることを特徴とする請求項3乃至14のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法。
- 前記第1の高周波電界の出力密度が、50W/cm2以下であることを特徴とする請求項15記載の透明導電膜積層体の製造方法。
- 前記第1の高周波電界および前記第2の高周波電界がサイン波であることを特徴とする請求項3乃至16のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法。
- 前記第1の高周波電界を前記第1電極に印加し、前記第2の高周波電界を前記第2電極に印加することを特徴とする請求項3乃至17のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法。
- 前記放電空間に供給される全ガス量の90〜99.9体積%が放電ガスであることを特徴とする請求項1乃至18のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法。
- 前記放電ガスが、50〜100体積%の窒素ガスを含有することを特徴とする請求項19記載の透明導電膜積層体の製造方法。
- 前記第1電極又は第2電極が誘電体で被覆されていることを特徴とする請求項3乃至20のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法。
- 前記誘電体の比誘電率が25℃において6〜45の無機物であることを特徴とする請求項21記載の透明導電膜積層体の製造方法。
- 前記第1電極又は第2電極の表面粗さの最大高さ(Rmax)(JIS B 0601で規定)が10μm以下であることを特徴とする請求項21又は22記載の透明導電膜積層体の製造方法。
- 前記透明導電膜が酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛、Fドープ酸化錫、Alドープ酸化亜鉛、Sbドープ酸化錫、ITO、In2O3−ZnOから選ばれる少なくとも1種を主成分とするアモルファス透明導電膜であることを特徴とする請求項1乃至23のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法。
- 前記透明導電膜がITOであって、該ITOがIn/Sn原子数比で100/0.1〜100/15の範囲であることを特徴とする請求項24記載の透明導電膜積層体の製造方法。
- 前記透明導電膜の炭素含有量が0〜5.0原子数濃度の範囲であることを特徴とする請求項1乃至25のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法。
- 前記透明基材が透明樹脂フィルムであることを特徴とする請求項1乃至26のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法。
- 前記透明樹脂フィルムがタッチパネル用フィルム基材、液晶素子プラスチック基板、有機EL素子プラスチック基板、PDP用電磁遮蔽フィルム、電子ペーパー用フィルム基板から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項27記載の透明導電膜積層体の製造方法。
- 前記透明樹脂フィルムがロール状フィルムであることを特徴とする請求項27又は28記載の透明導電膜積層体の製造方法。
- 前記ロール状フィルム上にガスバリヤ層がない場合はプライマー層を形成した後、ガスバリヤ層を有する場合はガスバリヤ層を形成した後、巻き取ることなく透明導電性層を形成することを特徴とする請求項29記載の透明導電膜積層体の製造方法。
- 請求項1乃至30のいずれか1項記載の透明導電膜積層体の製造方法によって製造された透明導電膜積層体。
- 前記透明導電膜積層体がパターニングされた電極であることを特徴とする請求項31記載の透明導電膜積層体。
- 請求項31又は32記載の透明導電膜積層体を用いた物品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003301149A JP4539059B2 (ja) | 2003-08-26 | 2003-08-26 | 透明導電膜積層体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003301149A JP4539059B2 (ja) | 2003-08-26 | 2003-08-26 | 透明導電膜積層体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005071837A true JP2005071837A (ja) | 2005-03-17 |
JP4539059B2 JP4539059B2 (ja) | 2010-09-08 |
Family
ID=34405851
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003301149A Expired - Fee Related JP4539059B2 (ja) | 2003-08-26 | 2003-08-26 | 透明導電膜積層体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4539059B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007296691A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Konica Minolta Holdings Inc | ガスバリア性材料、ガスバリア性材料の製造方法、透明導電膜付ガスバリア性材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2008056967A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Konica Minolta Holdings Inc | ガスバリア性樹脂基材および有機エレクトロルミネッセンスデバイス |
WO2012050161A1 (ja) * | 2010-10-15 | 2012-04-19 | リンテック株式会社 | 透明導電性フィルム、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
JP5190758B2 (ja) * | 2005-10-05 | 2013-04-24 | 住友金属鉱山株式会社 | 透明導電層付フィルムとフレキシブル機能性素子、フレキシブル分散型エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びにそれを用いた電子デバイス |
JP5580986B2 (ja) * | 2006-07-14 | 2014-08-27 | コニカミノルタ株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
WO2017110463A1 (ja) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリアーフィルム及びその製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002100472A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-04-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 成膜装置、発光装置及びその作製方法 |
JP2003105541A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Konica Corp | 膜の形成方法、基材、及び表示装置 |
JP2003234028A (ja) * | 2001-12-03 | 2003-08-22 | Konica Corp | 透明導電膜形成方法、該方法により形成された透明導電膜および該透明導電膜を有する物品 |
-
2003
- 2003-08-26 JP JP2003301149A patent/JP4539059B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002100472A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-04-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 成膜装置、発光装置及びその作製方法 |
JP2003105541A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Konica Corp | 膜の形成方法、基材、及び表示装置 |
JP2003234028A (ja) * | 2001-12-03 | 2003-08-22 | Konica Corp | 透明導電膜形成方法、該方法により形成された透明導電膜および該透明導電膜を有する物品 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5190758B2 (ja) * | 2005-10-05 | 2013-04-24 | 住友金属鉱山株式会社 | 透明導電層付フィルムとフレキシブル機能性素子、フレキシブル分散型エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びにそれを用いた電子デバイス |
JP2007296691A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Konica Minolta Holdings Inc | ガスバリア性材料、ガスバリア性材料の製造方法、透明導電膜付ガスバリア性材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP5580986B2 (ja) * | 2006-07-14 | 2014-08-27 | コニカミノルタ株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2008056967A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Konica Minolta Holdings Inc | ガスバリア性樹脂基材および有機エレクトロルミネッセンスデバイス |
WO2012050161A1 (ja) * | 2010-10-15 | 2012-04-19 | リンテック株式会社 | 透明導電性フィルム、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
JP2012086378A (ja) * | 2010-10-15 | 2012-05-10 | Lintec Corp | 透明導電性フィルム、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス |
WO2017110463A1 (ja) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリアーフィルム及びその製造方法 |
JPWO2017110463A1 (ja) * | 2015-12-22 | 2018-10-11 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリアーフィルム及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4539059B2 (ja) | 2010-09-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5115522B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
JP5082242B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
JP4433680B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
JP4876918B2 (ja) | 透明導電膜 | |
JP5157169B2 (ja) | ガスバリア積層体、有機エレクトロルミネッセンス素子及びガスバリア積層体の製造方法 | |
JPWO2005059202A1 (ja) | 薄膜形成方法並びに該方法により薄膜が形成された基材 | |
JP2005272957A (ja) | 表面処理方法及び該表面処理方法により表面処理された基材 | |
JP4539059B2 (ja) | 透明導電膜積層体の製造方法 | |
JPWO2008047549A1 (ja) | 透明導電膜基板及びこれに用いる酸化チタン系透明導電膜の形成方法 | |
JP4899863B2 (ja) | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 | |
JP4686956B2 (ja) | 機能体の形成方法 | |
JP4314777B2 (ja) | 透明導電膜積層体の製造方法 | |
JP2005259628A (ja) | 透明導電膜形成方法、該方法により形成された透明導電膜および該透明導電膜を有する物品 | |
JP2004011014A (ja) | 金属原子含有膜、金属原子含有膜材料及び金属原子含有膜の形成方法 | |
JP4797318B2 (ja) | 透明導電膜積層体及びその形成方法 | |
JP4192505B2 (ja) | 透明導電膜形成方法 | |
JP2003342734A (ja) | 透明導電膜、その形成方法及びそれを有する物品 | |
JP2004107690A (ja) | 光学薄膜の形成方法、反射防止フィルムの製造方法及び反射防止フィルム | |
JP2004010911A (ja) | 透明導電膜の形成方法及びた透明導電膜を有する物品 | |
JP2005200737A (ja) | 透明導電膜形成方法 | |
JP4218273B2 (ja) | 透明導電性薄膜を有する物品及びその製造方法、並びに薄膜形成装置 | |
JP4269754B2 (ja) | 透明導電膜積層体およびその製造方法 | |
JP2004039469A (ja) | 透明導電性薄膜の形成方法、透明導電性物品及び透明導電性フィルム | |
JP4314779B2 (ja) | 透明導電膜、その形成方法及びそれを有する物品 | |
JP2004143525A (ja) | 薄膜形成方法、薄膜、透明導電膜及び大気圧プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060809 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100309 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100428 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100601 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100614 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |