JP2005071586A - 回路装置、メモリ装置及びクロックスキュー補償方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】外部クロック信号と出力データ信号とのセンタリングエラーを起こすクロックスキューを補償するために、メモリ装置の内部に出力データ信号と外部クロック信号との位相差を検出してアップまたはダウン信号を発生する位相検出部と、スキュー補償を指令するカリブレーション信号によってイネーブルされ、アップまたはダウン信号に応答して所定のオフセットコードを発生させるアップダウンカウンターを含む。オフセットコードは、DLL回路にフィードバックされて、これによって外部クロック信号のエッジが出力データ信号の中間点がセンタリングされる。これにより、コントローラとメモリ装置との通信なしにオフセットコードを発生させうる。
【選択図】図8
Description
共通クロック方式では、最小クロック周期の制限のためにクロックCLKを高速化させることが不可能である。これに対して、最小クロック周期tCLKminのt2成分を減らすための方法として、ソースシンクロナス方式では、図3のようなソースシンクロナス方式が導入された。図3に示すように、データ経路に存在する伝送ライン120と同様にクロック経路にも伝送ライン220をおいて、最小クロック周期tCLKminでt2成分をなくすことによって、データとクロックCLKとの間の伝送ラインによるタイミング不一致を減らす。レシーバー130で受信されるデータは、図4のように、クロックCLKのエッジに同期して伝送される。
810 DLL回路
811 第1位相検出部
812 ステートマシン
813 第1合算部
814 第2合算部
815 第1ミキサー部
816 第2ミキサー部
820 第1経路部
830 第2経路部
840 第3経路部
850 出力ドライバ複写部
860、871、872、873、874 MUX部
881、882、883、884 出力ドライバ
890 位相検出部
895 アップダウンカウンター
CTM クロック信号
CAL キャリブレーション信号
FSM 最終ステートマシン
DQx 出力データパッド
Claims (14)
- 出力データ信号と外部クロック信号との間のスキューを補償する回路装置において、
前記出力データ信号と前記外部クロック信号との位相差を検出してアップまたはダウン信号を発生する位相検出部と、
前記スキューの補償を指令するキャリブレーション信号によってイネーブルされ、前記アップまたはダウン信号に応答して所定のオフセットコードを発生するアップダウンカウンターと、
前記キャリブレーション信号に応答して前記オフセットコードを受信し、前記外部クロック信号に対して第1及び第2位相差をそれぞれ有する第1クロック信号及び第2クロック信号を発生するDLL回路と、
前記第1クロック信号に応答して前記出力データ信号を発生する出力ドライバと、
を具備することを特徴とする回路装置。 - 前記DLL回路は、
前記外部クロック信号に対して0゜の前記第1位相差を有する前記第1クロック信号と、前記外部クロック信号に対して90゜の前記第2位相差を有する前記第2クロック信号とを発生することを特徴とする請求項1に記載の回路装置。 - 前記DLL回路は、
前記第2クロック信号と前記外部クロック信号との位相差を検出する位相検出部と、
前記位相検出部により検出された前記位相差に応答して遅延を調整するステートマシンと、
前記キャリブレーション信号に応答して前記アップダウンカウンターから提供されるオフセットコードを受信する第1合算部と、
前記第1合算部の出力と前記ステートマシンの出力とを受信する第2合算部と、
前記第2合算部の出力に応答して前記第1クロック信号を発生する第1位相ミキサー部と、
前記ステートマシンの出力に応答して前記第2クロック信号を発生する第2位相ミキサー部と、
を具備することを特徴とする請求項2に記載の回路装置。 - 出力データ信号と外部クロック信号との間のスキューを補償するメモリ装置において、
前記出力データ信号と前記外部クロック信号との位相差を検出してアップまたはダウン信号を発生する位相検出部と、
前記スキュー補償を指令するキャリブレーション信号によってイネーブルされ、前記アップまたはダウン信号に応答して所定のオフセットコードを発生するアップダウンカウンターと、
前記キャリブレーション信号に応答して前記オフセットコードを受信し、前記外部クロック信号に対して第1及び第2位相差をそれぞれ有する第1クロック信号及び第2クロック信号を発生するDLL回路と、
前記第1クロック信号によってトグルされ、前記キャリブレーション信号に応答して前記出力データ信号を発生する出力ドライバと、
前記出力ドライバと同一に構成され、前記第2クロック信号を入力して前記DLL回路にフィードバックする出力ドライバ複写部と、
を具備することを特徴とするメモリ装置。 - 前記DLL回路は、
前記外部クロック信号に対して0゜の前記第1位相差を有する前記第1クロック信号と、前記外部クロック信号に対して90゜の前記第2位相差を有する前記第2クロック信号とを発生することを特徴とする請求項4に記載のメモリ装置。 - 前記メモリ装置は、
前記第1クロック信号が通る伝送ラインを含む第1経路部と、
前記第2クロック信号が通る伝送ラインを含み、前記第2クロック信号のデューティーを調節する第2経路部と、
前記第1クロック信号のデューティーを調節する第3経路部と、
を具備することを特徴とする請求項4に記載のメモリ装置。 - 前記メモリ装置は、
前記第1クロック信号、前記キャリブレーション信号及び内部データ信号に応答して前記出力ドライバを制御するマルチプレクサを具備することを特徴とする請求項4に記載のメモリ装置。 - 前記DLL回路は、
前記外部クロック信号と前記出力ドライバ複写部の出力とを入力して前記外部クロック信号と前記出力ドライバ複写部出力との間の位相差を検出する位相検出部と、
前記位相検出部により検出された前記位相差に応答して可変遅延量を調整するステートマシンと、
前記キャリブレーション信号に応答して前記アップダウンカウンターから提供されるオフセットコードを受信する第1合算部と、
前記第1合算部の出力と前記ステートマシンの出力とを受信する第2合算部と、
前記第2合算部の出力に応答して前記第1クロック信号を発生する第1位相ミキサー部と、
前記ステートマシンの出力に応答して前記第2クロック信号を発生する第2位相ミキサー部と、
を具備することを特徴とする請求項4に記載のメモリ装置。 - 前記メモリ装置は、
前記外部クロック信号と前記出力データ信号との間のセンタリングエラーを前記第1クロック信号に反映させるために、前記オフセットコードを前記第1合算部に提供することを特徴とする請求項8に記載のメモリ装置。 - 出力データ信号と外部クロック信号との間のスキューを補償する方法において、
前記出力データ信号と前記外部クロック信号との位相差を検出してアップまたはダウン信号を発生する段階と、
前記スキュー補償を指令するカリブレーション信号と前記アップまたはダウン信号とに応答して所定のオフセットコードを発生する段階と、
DLL回路を通じて前記外部クロック信号に対して第1及び第2位相差をそれぞれ有する第1クロック信号及び第2クロック信号を発生する段階と、
前記第2クロック信号と前記外部クロック信号との位相差を検出する段階と、
前記検出された位相差に応答して遅延を調整する段階と、
前記キャリブレーション信号に応答して前記アップダウンカウンターから提供されるオフセットコードを受信して前記第1クロック信号と前記第2クロック信号とを発生する段階と、
を具備することを特徴とするクロックスキュー補償方法。 - 前記外部クロック信号に対して0゜の前記第1位相差を有するように前記第1クロック信号を発生し、前記外部クロック信号に対して90゜の前記第2位相差を有するように前記第2クロック信号を発生することを特徴とする請求項10に記載のクロックスキュー補償方法。
- メモリ装置の出力データ信号と外部クロック信号との間のスキューを補償する方法において、
前記外部クロック信号に対して第1及び第2位相差をそれぞれ有する第1クロック信号及び第2クロック信号を発生する段階と、
前記出力データ信号と前記外部クロック信号との位相差を検出してアップまたはダウン信号を発生する段階と、
前記スキューの補償を指令するキャリブレーション信号を活性化し、前記アップまたはダウン信号に応答して所定のオフセットコードを発生する段階と、
前記活性化されたキャリブレーション信号に応答して前記オフセットコードを受信し、前記第1クロック信号のエッジと前記第1クロック信号によってトグルされる前記出力データ信号のエッジとを一致させる段階と、
前記キャリブレーション信号の非活性化に応答して前記オフセットコードをリセットする段階と、
前記オフセットコードのリセットに応答して前記外部クロック信号のエッジに前記出力データ信号の中間点を一致させる段階と、
を具備することを特徴とするメモリ装置のクロックスキュー補償方法。 - 前記外部クロック信号に対して0゜の前記第1位相差を有するように前記第1クロック信号を発生し、前記外部クロック信号に対して90゜の前記第2位相差を有するように前記第2クロック信号を発生することを特徴とする請求項12に記載のメモリ装置のクロックスキュー補償方法。
- 前記メモリ装置は、
位相検出部と、
アップダウンカウンターと、
を具備し、前記位相検出部及び前記アップダウンカウンターは前記クロックスキューに相当する前記オフセットコードを発生させることを特徴とする請求項12に記載のメモリ装置のクロックスキュー補償方法。
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