JP2005055537A - 設計パターンの作成方法、フォトマスクの製造方法、レジストパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】適正なホールパターンを形成することが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】斜入射照明を用いて、基板上に形成されたフォトレジスト膜に、ホールパターンを含む露光マスク上のパターンを投影する工程(S4)と、パターンが投影されたフォトレジスト膜を現像して、露光マスクに含まれるホールパターンに対応したホールパターンをフォトレジスト膜に形成する工程と(S5)、現像されたフォトレジスト膜を加熱することで、フォトレジスト膜に形成されたホールパターンを縮小する工程(S6)とを備える。
【選択図】 図1
【解決手段】斜入射照明を用いて、基板上に形成されたフォトレジスト膜に、ホールパターンを含む露光マスク上のパターンを投影する工程(S4)と、パターンが投影されたフォトレジスト膜を現像して、露光マスクに含まれるホールパターンに対応したホールパターンをフォトレジスト膜に形成する工程と(S5)、現像されたフォトレジスト膜を加熱することで、フォトレジスト膜に形成されたホールパターンを縮小する工程(S6)とを備える。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パターン形成方法及び半導体装置の製造方法、特にホールパターンの形成技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の微細化及び高集積化に伴い、微細なホールパターンを形成することが難しくなってきている。そこで、フォトレジスト膜にホールパターンを形成した後、フォトレジスト膜を熱フローすることでホールパターンを縮小化する方法が提案されている。熱フローを用いた場合、各ホールパターンの縮小量は、パターン密度或いは隣接パターンまでの距離によって異なったものとなる(例えば、非特許文献1参照)。
【0003】
したがって、密集パターン領域と疎パターン領域が混在する場合、全てのパターンについて所定のリソグラフィマージンを確保することが難しくなる。すなわち、隣接パターンまでの距離が大きいホールパターンは、熱フローによる縮小量が大きいため、熱フロー前にサイズの大きいホールパターンを形成しておくことができ、所定のリソグラフィマージンを確保することが容易である。一方、隣接パターンまでの距離が小さいホールパターンは、パターン密度が高いゆえ、熱フローによる縮小量が大きくなると、所定のリソグラフィマージンを確保することが極めて困難となる。
【0004】
したがって、熱フローによってホールパターンを縮小する場合、隣接パターンまでの距離が小さいホールパターンのリソグラフィマージンを確保することが困難であった。
【0005】
【非特許文献1】
Proc. SPIE vol.4690, 671−678頁, 2002年 ”70nm Contact Hole Pattern with Shrink Technology” Lin−Hung Shiu,
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
このように、微細なホールパターンを形成するために、フォトレジスト膜を熱フローすることでホールパターンを縮小化する方法が提案されているが、密集パターン領域と疎パターン領域が混在する場合、全ての領域において適正なホールパターンを形成することが困難であった。
【0007】
本発明は、上記従来の課題に対してなされたものであり、適正なホールパターンを形成することが可能なパターン形成方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明に第1の視点に係るパターン形成方法は、斜入射照明を用いて、基板上に形成されたフォトレジスト膜に、ホールパターンを含む露光マスク上のパターンを投影する工程と、前記パターンが投影されたフォトレジスト膜を現像して、前記露光マスクに含まれるホールパターンに対応したホールパターンを前記フォトレジスト膜に形成する工程と、前記現像されたフォトレジスト膜を加熱することで、前記フォトレジスト膜に形成されたホールパターンを縮小する工程と、を備えたことを特徴とする。
【0009】
本発明の第2の視点に係るパターン形成方法は、通常照明を用いて、基板上に形成されたフォトレジスト膜に、ホールパターンを含むレベンソン型の露光マスク上のパターンを投影する工程と、前記パターンが投影されたフォトレジスト膜を現像して、前記露光マスクに含まれるホールパターンに対応したホールパターンを前記フォトレジスト膜に形成する工程と、前記現像されたフォトレジスト膜を加熱することで、前記フォトレジスト膜に形成されたホールパターンを縮小する工程と、を備えたことを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
【0011】
図1は、本実施形態に係るパターン形成方法の概略を示したフローチャートである。
【0012】
まず、所望のパターンを形成するための設計パターン(設計データ)を用意する(S1)。図2は、この設計パターンに含まれる各種ホールパターンを示したものである。図2に示すように、領域A1(疎パターン領域)にはホールパターン11が、領域A2(密集パターン領域)にはホールパターン21が、領域A3(ホールパターンが一方向に高密度で配列したチェーンパターン領域)にはホールパターン31が配置されている。ホールパターン11は例えばロジック回路が主体の周辺回路領域に含まれ、ホールパターン21は例えばメモリセル領域に含まれている。図2に示すように、疎パターン領域では隣接するホールパターン間の距離が大きく、密集パターン領域では隣接するホールパターン間の距離が小さくなっている。
【0013】
なお、図面上では領域A1、A2及びA3を近くに描いているが、実際には領域A1、A2及びA3は離れた位置に設けられている。また、図2は典型的ないくつかのパターンを示したものであり、実際には各種のパターン密度領域が存在している。さらに、図に示した例では、各ホールパターンの形状を正方形としているが、長方形等の形状でもよい。
【0014】
次に、上述した設計パターンに対して、図3に示すように、各ホールパターンが含まれる領域のパターン配置に応じて、ホールパターンのサイズを拡大するような補正を行う(S2)。すなわち、パターン密度(例えば、単位面積当たりのホールパターンの個数)が低い領域ほどホールパターンの拡大量を大きく、パターン密度が高い領域ほどホールパターンの拡大量を小さくするような補正を行う。言い換えると、隣接パターンまでの距離が大きいほど拡大量を大きく、隣接パターンまでの距離が小さいほど拡大量を小さくするような補正を行う。その結果、図3に示すように、ホールパターン12、22及び32が得られる。なお、パターン密度が極めて高い領域については、ホールパターンの拡大量を実質的にゼロに設定するようにしてもよい。また、チェーンパターンでは、チェーンパターンの延伸方向と垂直な方向でフォトレジストのホールパターンの縮小量が相対的に大きくなるため、そのような方向に対して設計パターンのホールパターンの拡大量を相対的に大きく設定する。
【0015】
図4は、本補正によるホールパターンの拡大量と、後述するフォトレジストの熱処理(熱フロー)によって生じるホールパターンの縮小量を示した図である。
図4に示すように、隣接パターンまでの距離が遠くなるほど、フォトレジストのホールパターンの縮小量は大きくなる。そこで、例えば、熱処理によって生じるフォトレジストのホールパターンの縮小量に対応するように、設計パターンのホールパターンの拡大量を設定する。
【0016】
また、ホールパターンの拡大量は、後述する熱処理工程におけるフォトレジストの加熱フロー条件を考慮して設定する。具体的には、熱処理温度、熱処理時間、使用するフォトレジストの特性等を考慮して、ホールパターンの拡大量を設定する。さらに、ホールパターンのリソグラフィマージンができるだけ大きくなるように、ホールパターンの拡大量を設定する。
【0017】
次に、補正された設計パターンに対応したパターンを露光基板(マスク基板)上に形成する(S3)。後述するS4のステップにおいて斜入射照明を用いて露光を行う方法(第1の方法)の場合には、図5に示すように、通常マスクが形成される。すなわち、露光基板101上に、通常のホールパターン13、23及び33が形成される。後述するS4のステップにおいて通常照明を用いて露光を行う方法(第2の方法)の場合には、図6に示すように、レベンソン型位相シフトマスクが形成される。すなわち、露光基板102上に、ホールパターン14(シフタの無いホールパターン)、24(24aはシフタの無いホールパターン、24bはシフタの有るホールパターン)及び34(34aはシフタの無いホールパターン、34bはシフタの有るホールパターン)が形成される。
【0018】
次に、S3のステップで得られた露光基板を用いて露光を行う。すなわち、トランジスタ等の素子を形成するための半導体基板(素子形成用基板)上に形成されたフォトレジスト膜に、S3のステップで得られたパターンを投影する。その結果、露光基板上のパターンが投影された部分のフォトレジスト膜が選択的に感光される(S4)。
【0019】
第1の方法においては、図5に示した通常マスクを用い、斜入射照明を用いて露光を行う。斜入射照明は、露光基板に斜めに光を入射させて露光を行うものであり、高密度パターンを高解像度で解像することができ、高密度パターンに適した照明である。斜入射照明としては、図7(a)に示した輪帯照明、図7(b)に示した四つ目照明、図7(c)に示した二つ目照明、図7(d)に示した五つ目照明等があげられる。
【0020】
第2の方法においては、図6に示したレベンソン型位相シフトマスクを用い、図8に示したコヒーレンスファクタσの小さい通常照明を用いて露光を行う。通常照明は、露光基板に垂直に光を入射させて露光を行うものである。コヒーレンスファクタσの小さい通常照明及びレベンソン型位相シフトマスクを用いることで、高密度パターンを高解像度で解像することができ、高密度パターンに適した露光を行うことができる。なお、コヒーレンスファクタσは、例えば0.4以下程度であることが望ましい。
【0021】
次に、露光されたフォトレジスト膜を現像する(S5)。現像処理により、図9に示すように、第1の方法及び第2の方法ともに、半導体基板111上のフォトレジスト膜112にホールパターン15、25及び35が形成される。図10(a)は疎パターン領域に形成されたホールパターン15の断面を、図10(b)は密集パターン領域に形成されたホールパターン25の断面を示している。
【0022】
次に、フォトレジスト膜の熱フローを行う。その結果、図9に示した各ホールパターン16、26及び36が縮小し、図11に示すように、縮小したホールパターン16、26及び36が形成される(S6)。すなわち、フォトレジスト膜を加熱して軟化させることで、ホールパターン近傍のフォトレジストがホール内に流れ込み、ホールパターンが縮小する。すでに述べたように、疎パターン領域に形成されたホールパターンの縮小量は大きく、密集パターン領域に形成されたホールパターンの縮小量は小さい。したがって、熱フローの条件及び図3に示した各ホールパターン12、22及び32のサイズを最適化しておくことにより、図2に示した原設計パターンに含まれる各ホールパターン11、21及び31のサイズに対応した所望サイズのホールパターン16、26及び36を得ることができる。図12(a)は疎パターン領域のホールパターン16の断面を、図12(b)は密集パターン領域のホールパターン26の断面を示している。
【0023】
その後、このようにして得られたフォトレジストパターンをマスクとして用い、半導体基板上に形成された絶縁膜をエッチングすることで、絶縁膜にコンタクトホールが形成される(S7)。
【0024】
以上述べたように、本実施形態によれば、疎パターン領域に含まれるホールパターンについては、熱フローによる縮小量が大きいため、熱フロー前にサイズの大きいホールパターンをフォトレジスト膜に形成しておくことで、所定のリソグラフィマージンを容易に確保することができる。一方、密集パターン領域に含まれるホールパターンについては逆に、単に熱フローを行った場合には所定のリソグラフィマージンを確保し難くなる。本実施形態の第1の方法では、斜入射照明を用いることで、密集パターン領域に適した露光を行うことができ、密集パターン領域に含まれるホールパターンについても所定のリソグラフィマージンを容易に確保することが可能となる。本実施形態の第2の方法では、コヒーレンスファクタσの小さい通常照明及びレベンソン型位相シフトマスクを用いることで、高密度パターンに適した露光を行うことができ、密集パターン領域に含まれるホールパターンについても所定のリソグラフィマージンを容易に確保することが可能となる。
【0025】
以下、本実施形態の具体例について説明する。
【0026】
(具体例1)
半導体基板(半導体ウエハ)上に、クラリアント・ジャパン社製のArF有機反射防止膜 ARC29A をスピンコートし、さらに215℃で1分間ベークして、厚さ80nmの反射防止膜を形成した。続いて、この反射防止膜上に、信越化学社製のArFポジレジストをスピンコートし、さらに110℃で1分間ベークして、厚さ400nmのフォトレジスト膜を形成した。
【0027】
次に、フォトマスクとして透過率6%のハーフトーンマスクを用い、ArFエキシマレーザー露光装置により、NA=0.78、σ=0.95、2/3輪帯照明の条件で、フォトレジスト膜を露光した。さらに、100℃で1分間、フォトレジスト膜をベークした。続いて、2.38重量%のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液にてフォトレジスト膜を現像し、設計パターンサイズより大きいサイズのコンタクトホールパターンを形成した。このときの各コンタクトホールパターンのサイズは、予め実験的に求めておいた隣接したパターンまでの距離と熱フローによる縮小量との関係から決定した。
【0028】
次に、165℃で90秒間、フォトレジスト膜をベークした。その結果、フォトレジスト膜の熱フローにより、コンタクトホールパターンが縮小し、90nmのサイズのコンタクトホールパターンが得られた。寸法変動±10%でのマージンは、露光量裕度2%のときフォーカス裕度0.15μmであり、良好な結果が得られた。
【0029】
(具体例2)
半導体基板(半導体ウエハ)上に、クラリアント・ジャパン社製のArF有機反射防止膜 ARC29A をスピンコートし、さらに215℃で1分間ベークして、厚さ80nmの反射防止膜を形成した。続いて、この反射防止膜上に、信越化学社製のArFポジレジストをスピンコートし、さらに110℃で1分間ベークして、厚さ400nmのフォトレジスト膜を形成した。
【0030】
次に、フォトマスクとしてレベンソン型位相シフトマスクを用い、ArFエキシマレーザー露光装置により、NA=0.78、σ=0.3の条件で、フォトレジスト膜を露光した。さらに、100℃で1分間、フォトレジスト膜をベークした。続いて、2.38重量%のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液にてフォトレジスト膜を現像し、所望サイズより大きいサイズのコンタクトホールパターンを形成した。形成したパターンは、X方向のピッチが140nm、Y方向のピッチが10μmのチェーン状パターンであり、各コンタクトホールパターンのサイズは、X方向の長さ70nm、Y方向の長さ170nmである。
【0031】
次に、165℃で90秒間、フォトレジスト膜をベークした。その結果、フォトレジスト膜の熱フローにより、コンタクトホールパターンが縮小し、X方向の長さ70nm、Y方向の長さ90nmのコンタクトホールパターンが得られた。
寸法変動±10%でのマージンは、露光量裕度2%のときフォーカス裕度0.15μmであり、良好な結果が得られた。
【0032】
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示された構成要件を適宜組み合わせることによって種々の発明が抽出され得る。例えば、開示された構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、所定の効果が得られるものであれば発明として抽出され得る。
【0033】
【発明の効果】
本発明によれば、微細なホールパターンを適正に形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係るパターン形成方法の概略を示したフローチャートである。
【図2】本発明の実施形態に係り、設計パターンに含まれるホールパターンの例を示した図である。
【図3】本発明の実施形態に係り、補正された設計パターンに含まれるホールパターンの例を示した図である。
【図4】補正によるホールパターンの拡大量及びフォトレジストの熱処理によって生じるホールパターンの縮小量を示した図である。
【図5】本発明の実施形態に係り、露光基板に形成されたホールパターンの一例を示した図である。
【図6】本発明の実施形態に係り、露光基板に形成されたホールパターンの他の例を示した図である。
【図7】斜入射照明のいくつかの例を示した図である。
【図8】通常照明の例を示した図である。
【図9】本発明の実施形態に係り、現像後のホールパターンの例を示した平面図である。
【図10】本発明の実施形態に係り、現像後のホールパターンの例を示した断面図である。
【図11】本発明の実施形態に係り、熱処理後のホールパターンの例を示した平面図である。
【図12】本発明の実施形態に係り、熱処理後のホールパターンの例を示した断面図である。
【符号の説明】
11〜16、21〜26、31〜36…ホールパターン
101、102…露光基板
111…半導体基板
112…フォトレジスト膜
【発明の属する技術分野】
本発明は、パターン形成方法及び半導体装置の製造方法、特にホールパターンの形成技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の微細化及び高集積化に伴い、微細なホールパターンを形成することが難しくなってきている。そこで、フォトレジスト膜にホールパターンを形成した後、フォトレジスト膜を熱フローすることでホールパターンを縮小化する方法が提案されている。熱フローを用いた場合、各ホールパターンの縮小量は、パターン密度或いは隣接パターンまでの距離によって異なったものとなる(例えば、非特許文献1参照)。
【0003】
したがって、密集パターン領域と疎パターン領域が混在する場合、全てのパターンについて所定のリソグラフィマージンを確保することが難しくなる。すなわち、隣接パターンまでの距離が大きいホールパターンは、熱フローによる縮小量が大きいため、熱フロー前にサイズの大きいホールパターンを形成しておくことができ、所定のリソグラフィマージンを確保することが容易である。一方、隣接パターンまでの距離が小さいホールパターンは、パターン密度が高いゆえ、熱フローによる縮小量が大きくなると、所定のリソグラフィマージンを確保することが極めて困難となる。
【0004】
したがって、熱フローによってホールパターンを縮小する場合、隣接パターンまでの距離が小さいホールパターンのリソグラフィマージンを確保することが困難であった。
【0005】
【非特許文献1】
Proc. SPIE vol.4690, 671−678頁, 2002年 ”70nm Contact Hole Pattern with Shrink Technology” Lin−Hung Shiu,
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
このように、微細なホールパターンを形成するために、フォトレジスト膜を熱フローすることでホールパターンを縮小化する方法が提案されているが、密集パターン領域と疎パターン領域が混在する場合、全ての領域において適正なホールパターンを形成することが困難であった。
【0007】
本発明は、上記従来の課題に対してなされたものであり、適正なホールパターンを形成することが可能なパターン形成方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明に第1の視点に係るパターン形成方法は、斜入射照明を用いて、基板上に形成されたフォトレジスト膜に、ホールパターンを含む露光マスク上のパターンを投影する工程と、前記パターンが投影されたフォトレジスト膜を現像して、前記露光マスクに含まれるホールパターンに対応したホールパターンを前記フォトレジスト膜に形成する工程と、前記現像されたフォトレジスト膜を加熱することで、前記フォトレジスト膜に形成されたホールパターンを縮小する工程と、を備えたことを特徴とする。
【0009】
本発明の第2の視点に係るパターン形成方法は、通常照明を用いて、基板上に形成されたフォトレジスト膜に、ホールパターンを含むレベンソン型の露光マスク上のパターンを投影する工程と、前記パターンが投影されたフォトレジスト膜を現像して、前記露光マスクに含まれるホールパターンに対応したホールパターンを前記フォトレジスト膜に形成する工程と、前記現像されたフォトレジスト膜を加熱することで、前記フォトレジスト膜に形成されたホールパターンを縮小する工程と、を備えたことを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
【0011】
図1は、本実施形態に係るパターン形成方法の概略を示したフローチャートである。
【0012】
まず、所望のパターンを形成するための設計パターン(設計データ)を用意する(S1)。図2は、この設計パターンに含まれる各種ホールパターンを示したものである。図2に示すように、領域A1(疎パターン領域)にはホールパターン11が、領域A2(密集パターン領域)にはホールパターン21が、領域A3(ホールパターンが一方向に高密度で配列したチェーンパターン領域)にはホールパターン31が配置されている。ホールパターン11は例えばロジック回路が主体の周辺回路領域に含まれ、ホールパターン21は例えばメモリセル領域に含まれている。図2に示すように、疎パターン領域では隣接するホールパターン間の距離が大きく、密集パターン領域では隣接するホールパターン間の距離が小さくなっている。
【0013】
なお、図面上では領域A1、A2及びA3を近くに描いているが、実際には領域A1、A2及びA3は離れた位置に設けられている。また、図2は典型的ないくつかのパターンを示したものであり、実際には各種のパターン密度領域が存在している。さらに、図に示した例では、各ホールパターンの形状を正方形としているが、長方形等の形状でもよい。
【0014】
次に、上述した設計パターンに対して、図3に示すように、各ホールパターンが含まれる領域のパターン配置に応じて、ホールパターンのサイズを拡大するような補正を行う(S2)。すなわち、パターン密度(例えば、単位面積当たりのホールパターンの個数)が低い領域ほどホールパターンの拡大量を大きく、パターン密度が高い領域ほどホールパターンの拡大量を小さくするような補正を行う。言い換えると、隣接パターンまでの距離が大きいほど拡大量を大きく、隣接パターンまでの距離が小さいほど拡大量を小さくするような補正を行う。その結果、図3に示すように、ホールパターン12、22及び32が得られる。なお、パターン密度が極めて高い領域については、ホールパターンの拡大量を実質的にゼロに設定するようにしてもよい。また、チェーンパターンでは、チェーンパターンの延伸方向と垂直な方向でフォトレジストのホールパターンの縮小量が相対的に大きくなるため、そのような方向に対して設計パターンのホールパターンの拡大量を相対的に大きく設定する。
【0015】
図4は、本補正によるホールパターンの拡大量と、後述するフォトレジストの熱処理(熱フロー)によって生じるホールパターンの縮小量を示した図である。
図4に示すように、隣接パターンまでの距離が遠くなるほど、フォトレジストのホールパターンの縮小量は大きくなる。そこで、例えば、熱処理によって生じるフォトレジストのホールパターンの縮小量に対応するように、設計パターンのホールパターンの拡大量を設定する。
【0016】
また、ホールパターンの拡大量は、後述する熱処理工程におけるフォトレジストの加熱フロー条件を考慮して設定する。具体的には、熱処理温度、熱処理時間、使用するフォトレジストの特性等を考慮して、ホールパターンの拡大量を設定する。さらに、ホールパターンのリソグラフィマージンができるだけ大きくなるように、ホールパターンの拡大量を設定する。
【0017】
次に、補正された設計パターンに対応したパターンを露光基板(マスク基板)上に形成する(S3)。後述するS4のステップにおいて斜入射照明を用いて露光を行う方法(第1の方法)の場合には、図5に示すように、通常マスクが形成される。すなわち、露光基板101上に、通常のホールパターン13、23及び33が形成される。後述するS4のステップにおいて通常照明を用いて露光を行う方法(第2の方法)の場合には、図6に示すように、レベンソン型位相シフトマスクが形成される。すなわち、露光基板102上に、ホールパターン14(シフタの無いホールパターン)、24(24aはシフタの無いホールパターン、24bはシフタの有るホールパターン)及び34(34aはシフタの無いホールパターン、34bはシフタの有るホールパターン)が形成される。
【0018】
次に、S3のステップで得られた露光基板を用いて露光を行う。すなわち、トランジスタ等の素子を形成するための半導体基板(素子形成用基板)上に形成されたフォトレジスト膜に、S3のステップで得られたパターンを投影する。その結果、露光基板上のパターンが投影された部分のフォトレジスト膜が選択的に感光される(S4)。
【0019】
第1の方法においては、図5に示した通常マスクを用い、斜入射照明を用いて露光を行う。斜入射照明は、露光基板に斜めに光を入射させて露光を行うものであり、高密度パターンを高解像度で解像することができ、高密度パターンに適した照明である。斜入射照明としては、図7(a)に示した輪帯照明、図7(b)に示した四つ目照明、図7(c)に示した二つ目照明、図7(d)に示した五つ目照明等があげられる。
【0020】
第2の方法においては、図6に示したレベンソン型位相シフトマスクを用い、図8に示したコヒーレンスファクタσの小さい通常照明を用いて露光を行う。通常照明は、露光基板に垂直に光を入射させて露光を行うものである。コヒーレンスファクタσの小さい通常照明及びレベンソン型位相シフトマスクを用いることで、高密度パターンを高解像度で解像することができ、高密度パターンに適した露光を行うことができる。なお、コヒーレンスファクタσは、例えば0.4以下程度であることが望ましい。
【0021】
次に、露光されたフォトレジスト膜を現像する(S5)。現像処理により、図9に示すように、第1の方法及び第2の方法ともに、半導体基板111上のフォトレジスト膜112にホールパターン15、25及び35が形成される。図10(a)は疎パターン領域に形成されたホールパターン15の断面を、図10(b)は密集パターン領域に形成されたホールパターン25の断面を示している。
【0022】
次に、フォトレジスト膜の熱フローを行う。その結果、図9に示した各ホールパターン16、26及び36が縮小し、図11に示すように、縮小したホールパターン16、26及び36が形成される(S6)。すなわち、フォトレジスト膜を加熱して軟化させることで、ホールパターン近傍のフォトレジストがホール内に流れ込み、ホールパターンが縮小する。すでに述べたように、疎パターン領域に形成されたホールパターンの縮小量は大きく、密集パターン領域に形成されたホールパターンの縮小量は小さい。したがって、熱フローの条件及び図3に示した各ホールパターン12、22及び32のサイズを最適化しておくことにより、図2に示した原設計パターンに含まれる各ホールパターン11、21及び31のサイズに対応した所望サイズのホールパターン16、26及び36を得ることができる。図12(a)は疎パターン領域のホールパターン16の断面を、図12(b)は密集パターン領域のホールパターン26の断面を示している。
【0023】
その後、このようにして得られたフォトレジストパターンをマスクとして用い、半導体基板上に形成された絶縁膜をエッチングすることで、絶縁膜にコンタクトホールが形成される(S7)。
【0024】
以上述べたように、本実施形態によれば、疎パターン領域に含まれるホールパターンについては、熱フローによる縮小量が大きいため、熱フロー前にサイズの大きいホールパターンをフォトレジスト膜に形成しておくことで、所定のリソグラフィマージンを容易に確保することができる。一方、密集パターン領域に含まれるホールパターンについては逆に、単に熱フローを行った場合には所定のリソグラフィマージンを確保し難くなる。本実施形態の第1の方法では、斜入射照明を用いることで、密集パターン領域に適した露光を行うことができ、密集パターン領域に含まれるホールパターンについても所定のリソグラフィマージンを容易に確保することが可能となる。本実施形態の第2の方法では、コヒーレンスファクタσの小さい通常照明及びレベンソン型位相シフトマスクを用いることで、高密度パターンに適した露光を行うことができ、密集パターン領域に含まれるホールパターンについても所定のリソグラフィマージンを容易に確保することが可能となる。
【0025】
以下、本実施形態の具体例について説明する。
【0026】
(具体例1)
半導体基板(半導体ウエハ)上に、クラリアント・ジャパン社製のArF有機反射防止膜 ARC29A をスピンコートし、さらに215℃で1分間ベークして、厚さ80nmの反射防止膜を形成した。続いて、この反射防止膜上に、信越化学社製のArFポジレジストをスピンコートし、さらに110℃で1分間ベークして、厚さ400nmのフォトレジスト膜を形成した。
【0027】
次に、フォトマスクとして透過率6%のハーフトーンマスクを用い、ArFエキシマレーザー露光装置により、NA=0.78、σ=0.95、2/3輪帯照明の条件で、フォトレジスト膜を露光した。さらに、100℃で1分間、フォトレジスト膜をベークした。続いて、2.38重量%のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液にてフォトレジスト膜を現像し、設計パターンサイズより大きいサイズのコンタクトホールパターンを形成した。このときの各コンタクトホールパターンのサイズは、予め実験的に求めておいた隣接したパターンまでの距離と熱フローによる縮小量との関係から決定した。
【0028】
次に、165℃で90秒間、フォトレジスト膜をベークした。その結果、フォトレジスト膜の熱フローにより、コンタクトホールパターンが縮小し、90nmのサイズのコンタクトホールパターンが得られた。寸法変動±10%でのマージンは、露光量裕度2%のときフォーカス裕度0.15μmであり、良好な結果が得られた。
【0029】
(具体例2)
半導体基板(半導体ウエハ)上に、クラリアント・ジャパン社製のArF有機反射防止膜 ARC29A をスピンコートし、さらに215℃で1分間ベークして、厚さ80nmの反射防止膜を形成した。続いて、この反射防止膜上に、信越化学社製のArFポジレジストをスピンコートし、さらに110℃で1分間ベークして、厚さ400nmのフォトレジスト膜を形成した。
【0030】
次に、フォトマスクとしてレベンソン型位相シフトマスクを用い、ArFエキシマレーザー露光装置により、NA=0.78、σ=0.3の条件で、フォトレジスト膜を露光した。さらに、100℃で1分間、フォトレジスト膜をベークした。続いて、2.38重量%のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液にてフォトレジスト膜を現像し、所望サイズより大きいサイズのコンタクトホールパターンを形成した。形成したパターンは、X方向のピッチが140nm、Y方向のピッチが10μmのチェーン状パターンであり、各コンタクトホールパターンのサイズは、X方向の長さ70nm、Y方向の長さ170nmである。
【0031】
次に、165℃で90秒間、フォトレジスト膜をベークした。その結果、フォトレジスト膜の熱フローにより、コンタクトホールパターンが縮小し、X方向の長さ70nm、Y方向の長さ90nmのコンタクトホールパターンが得られた。
寸法変動±10%でのマージンは、露光量裕度2%のときフォーカス裕度0.15μmであり、良好な結果が得られた。
【0032】
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示された構成要件を適宜組み合わせることによって種々の発明が抽出され得る。例えば、開示された構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、所定の効果が得られるものであれば発明として抽出され得る。
【0033】
【発明の効果】
本発明によれば、微細なホールパターンを適正に形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係るパターン形成方法の概略を示したフローチャートである。
【図2】本発明の実施形態に係り、設計パターンに含まれるホールパターンの例を示した図である。
【図3】本発明の実施形態に係り、補正された設計パターンに含まれるホールパターンの例を示した図である。
【図4】補正によるホールパターンの拡大量及びフォトレジストの熱処理によって生じるホールパターンの縮小量を示した図である。
【図5】本発明の実施形態に係り、露光基板に形成されたホールパターンの一例を示した図である。
【図6】本発明の実施形態に係り、露光基板に形成されたホールパターンの他の例を示した図である。
【図7】斜入射照明のいくつかの例を示した図である。
【図8】通常照明の例を示した図である。
【図9】本発明の実施形態に係り、現像後のホールパターンの例を示した平面図である。
【図10】本発明の実施形態に係り、現像後のホールパターンの例を示した断面図である。
【図11】本発明の実施形態に係り、熱処理後のホールパターンの例を示した平面図である。
【図12】本発明の実施形態に係り、熱処理後のホールパターンの例を示した断面図である。
【符号の説明】
11〜16、21〜26、31〜36…ホールパターン
101、102…露光基板
111…半導体基板
112…フォトレジスト膜
Claims (10)
- 斜入射照明を用いて、基板上に形成されたフォトレジスト膜に、ホールパターンを含む露光マスク上のパターンを投影する工程と、
前記パターンが投影されたフォトレジスト膜を現像して、前記露光マスクに含まれるホールパターンに対応したホールパターンを前記フォトレジスト膜に形成する工程と、
前記現像されたフォトレジスト膜を加熱することで、前記フォトレジスト膜に形成されたホールパターンを縮小する工程と、を備えたことを特徴とするパターン形成方法。 - 通常照明を用いて、基板上に形成されたフォトレジスト膜に、ホールパターンを含むレベンソン型の露光マスク上のパターンを投影する工程と、
前記パターンが投影されたフォトレジスト膜を現像して、前記露光マスクに含まれるホールパターンに対応したホールパターンを前記フォトレジスト膜に形成する工程と、
前記現像されたフォトレジスト膜を加熱することで、前記フォトレジスト膜に形成されたホールパターンを縮小する工程と、を備えたことを特徴とするパターン形成方法。 - 前記露光マスク上のパターンは、第1の設計パターンに含まれるホールパターンを各ホールパターンが含まれる領域のパターン配置に応じて拡大した第2の設計パターンから得られたものであることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン形成方法。
- 前記斜入射照明は、輪帯照明又は2つ以上の開口部を持つ照明であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のパターン形成方法。
- 前記第2の設計パターンに含まれるホールパターンのサイズは、第1の設計パターンにおける各ホールパターンと隣接するパターンとの距離を考慮して決められ、隣接パターンまでの距離が大きいほど拡大量は大きく、隣接パターンまでの距離が小さいほど拡大量が小さいことを特徴とする請求項3に記載のパターン形成方法。
- 前記第2の設計パターンに含まれるホールパターンのサイズは、予め求められた前記フォトレジスト膜を加熱する工程で縮小されるホールパターンの縮小量を考慮して決められることを特徴とする請求項3に記載のパターン形成方法。
- 前記第2の設計パターンに含まれるホールパターンのサイズは、各ホールパターンのリソグラフィマージンを考慮して決められることを特徴とする請求項3に記載のパターン形成方法。
- 前記第1の設計パターン及び第2の設計パターンには、メモリセル領域及び周辺回路領域が含まれ、
前記周辺回路領域における隣接パターン間の距離の方が、前記メモリセル領域における隣接パターン間の距離よりも大きいことを特徴とする請求項3に記載のパターン形成方法。 - 斜入射照明を用いて、基板上に形成されたフォトレジスト膜に、ホールパターンを含む露光マスク上のパターンを投影する工程と、
前記パターンが投影されたフォトレジスト膜を現像して、前記露光マスクに含まれるホールパターンに対応したホールパターンを前記フォトレジスト膜に形成する工程と、
前記現像されたフォトレジスト膜を加熱することで、前記フォトレジスト膜に形成されたホールパターンを縮小する工程と、
前記縮小されたホールパターンが形成されたフォトレジスト膜をマスクとしてエッチングを行う工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 通常照明を用いて、基板上に形成されたフォトレジスト膜に、ホールパターンを含むレベンソン型の露光マスク上のパターンを投影する工程と、
前記パターンが投影されたフォトレジスト膜を現像して、前記露光マスクに含まれるホールパターンに対応したホールパターンを前記フォトレジスト膜に形成する工程と、
前記現像されたフォトレジスト膜を加熱することで、前記フォトレジスト膜に形成されたホールパターンを縮小する工程と、
前記縮小されたホールパターンが形成されたフォトレジスト膜をマスクとしてエッチングを行う工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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