JP4480424B2 - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4480424B2 JP4480424B2 JP2004064023A JP2004064023A JP4480424B2 JP 4480424 B2 JP4480424 B2 JP 4480424B2 JP 2004064023 A JP2004064023 A JP 2004064023A JP 2004064023 A JP2004064023 A JP 2004064023A JP 4480424 B2 JP4480424 B2 JP 4480424B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- resist
- film
- hole
- processed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
2,24,17 被加工膜
3 第1のレジスト膜
4,10 マスク
5,11 露光光
6,14 第1のレジストパターン
7,15 第1のホールパターン
8,16 第2のホールパターン
9 第2のレジスト膜
12 第2のレジストパターン
13 ホールパターン
Claims (1)
- 被加工膜に、複数のホールからなる所定のホールパターンを形成するパターン形成方法
であって、
前記被加工膜の上に第1のレジスト膜を形成する工程と、
前記第1のレジスト膜を加工して、前記所定のホールパターンに対応する第1のホール
パターンと、複数のホールからなり該ホールが前記第1のホールパターンの外周部を取り
囲むように配置されている第2のホールパターンとを有する第1のレジストパターンを形
成する工程と、
前記第1のレジスト膜のガラス転移点以上の温度で加熱処理を行い、前記第1のレジス
トパターンに設けられた実質的に全てのホールの寸法を縮小する工程と、
前記第1のレジストパターンの上に第2のレジスト膜を形成する工程と、
前記第1のホールパターンの上の前記第2のレジスト膜を除去することで、前記第2のレジスト膜が前記第2のホールパターンを被覆し、かつ、前記第1のホールパターンを取り囲むように加工された第2のレジストパターンを形成する工程と、
前記第2のレジストパターンおよび前記第1のレジストパターンをマスクとして前記被
加工膜をエッチングし、前記被加工膜に前記所定のホールパターンを形成する工程とを有し、
前記第1のレジスト膜と前記第2のレジスト膜は同一の材料からなり、前記第1のレジスト膜と前記第2のレジスト膜は同一の露光光源、同一組成の現像液、同一の熱処理で処理されることを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004064023A JP4480424B2 (ja) | 2004-03-08 | 2004-03-08 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004064023A JP4480424B2 (ja) | 2004-03-08 | 2004-03-08 | パターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005252165A JP2005252165A (ja) | 2005-09-15 |
JP4480424B2 true JP4480424B2 (ja) | 2010-06-16 |
Family
ID=35032335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004064023A Expired - Fee Related JP4480424B2 (ja) | 2004-03-08 | 2004-03-08 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4480424B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2003111A1 (nl) * | 2008-07-25 | 2010-01-26 | Asml Netherlands Bv | Method of designing sets of mask patterns, sets of mask patterns, and device manufacturing method. |
JP5427104B2 (ja) * | 2010-05-11 | 2014-02-26 | パナソニック株式会社 | パターン形成方法 |
US11387332B2 (en) * | 2018-06-27 | 2022-07-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56107554A (en) * | 1980-01-29 | 1981-08-26 | Nec Corp | Formation of pattern |
JPS56137630A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-27 | Nec Corp | Pattern forming |
JPS56137628A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-27 | Nec Corp | Pattern forming |
JPS56137633A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-27 | Nec Corp | Pattern forming |
JPS6317528A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-25 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH02181910A (ja) * | 1989-01-07 | 1990-07-16 | Sony Corp | レジストパターン形成方法 |
JPH03108314A (ja) * | 1989-09-21 | 1991-05-08 | Seiko Instr Inc | 半導体素子の製造方法 |
JP2001194769A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Nec Corp | フォトマスク、パターン形成方法、半導体集積回路 |
JP2001194768A (ja) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Nec Corp | レジストパターンの形成方法 |
JP2001257155A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2002057084A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-02-22 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法および露光用マスク |
JP2004348141A (ja) * | 2003-05-22 | 2004-12-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co | 水溶性ネガ型フォトレジスト |
JP2005123312A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Toshiba Corp | コンタクトホールの形成方法 |
-
2004
- 2004-03-08 JP JP2004064023A patent/JP4480424B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56107554A (en) * | 1980-01-29 | 1981-08-26 | Nec Corp | Formation of pattern |
JPS56137630A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-27 | Nec Corp | Pattern forming |
JPS56137628A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-27 | Nec Corp | Pattern forming |
JPS56137633A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-27 | Nec Corp | Pattern forming |
JPS6317528A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-25 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH02181910A (ja) * | 1989-01-07 | 1990-07-16 | Sony Corp | レジストパターン形成方法 |
JPH03108314A (ja) * | 1989-09-21 | 1991-05-08 | Seiko Instr Inc | 半導体素子の製造方法 |
JP2001194769A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Nec Corp | フォトマスク、パターン形成方法、半導体集積回路 |
JP2001194768A (ja) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Nec Corp | レジストパターンの形成方法 |
JP2001257155A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2002057084A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-02-22 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法および露光用マスク |
JP2004348141A (ja) * | 2003-05-22 | 2004-12-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co | 水溶性ネガ型フォトレジスト |
JP2005123312A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Toshiba Corp | コンタクトホールの形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005252165A (ja) | 2005-09-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7989355B2 (en) | Method of pitch halving | |
JP4885930B2 (ja) | リソグラフィによるダブルパターンニング方法 | |
US7972957B2 (en) | Method of making openings in a layer of a semiconductor device | |
US6100014A (en) | Method of forming an opening in a dielectric layer through a photoresist layer with silylated sidewall spacers | |
US20120034778A1 (en) | Double Patterning Strategy for Contact Hole and Trench in Photolithography | |
KR100647182B1 (ko) | 포토마스크, 포토마스크의 제조 방법, 및 그 포토마스크를이용한 반도체 장치의 제조 방법 | |
US8241838B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
US8058177B2 (en) | Winged vias to increase overlay margin | |
JP2007067376A (ja) | 半導体製造におけるフォトリソグラフィのシステム及びその方法 | |
CN114895521A (zh) | 图案化制程与光罩 | |
US20060073425A1 (en) | Pattern designing method, photomask manufacturing method, resist pattern forming method and semiconductor device manufacturing method | |
JP2003133295A (ja) | フォトレジストパターンをマスクに利用するエッチング方法 | |
JP2008153373A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4480424B2 (ja) | パターン形成方法 | |
US6133128A (en) | Method for patterning polysilicon gate layer based on a photodefinable hard mask process | |
KR20090050698A (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
US6361928B1 (en) | Method of defining a mask pattern for a photoresist layer in semiconductor fabrication | |
KR100498716B1 (ko) | 미세 패턴 형성방법 | |
JPH09232428A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005268627A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR19990000089A (ko) | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 | |
JP2005150222A (ja) | パターン形成方法 | |
JP2009109768A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
KR100956596B1 (ko) | 반도체 소자의 미세 게이트 형성방법 | |
JP2012220638A (ja) | パターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20051019 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070223 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20081219 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090129 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090130 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090310 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090901 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091019 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100316 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100316 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326 Year of fee payment: 3 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140326 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |