JP2005051054A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 半導体装置の表面にメタル領域と非メタル領域とが形成されている半導体装置において、導電性接着剤を使用して、導電部材とメタル領域とを接続する場合に、半導体装置から導電部材が剥離することを防止し、ソース電極における大電力、大電流を維持することができる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体装置の表面にメタル領域と非メタル領域とが形成され、導電性接着剤を介して、導電部材と前記メタル領域とが接続されると共に、導電性接着剤を介して、前記導電部材と前記非メタル領域とが接着されていることを特徴とする。
【選択図】 図１
【解決手段】 半導体装置の表面にメタル領域と非メタル領域とが形成され、導電性接着剤を介して、導電部材と前記メタル領域とが接続されると共に、導電性接着剤を介して、前記導電部材と前記非メタル領域とが接着されていることを特徴とする。
【選択図】 図１
Description
本発明は、縦型ＭＯＳＦＥＴ等の半導体装置に関する。
以下に、本発明の背景技術について図面を参照して説明する。
図７は、半導体装置の一例である縦型ＭＯＳＦＥＴ２００を示す図である。
図７（１）は、縦型ＭＯＳＦＥＴ２００のペレット表面における構成を示す図であり、図７（２）は、図７（１）に示す縦型ＭＯＳＦＥＴ２００におけるＮ−Ｎの断面を示す断面図である。
図７は、半導体装置の一例である縦型ＭＯＳＦＥＴ２００を示す図である。
図７（１）は、縦型ＭＯＳＦＥＴ２００のペレット表面における構成を示す図であり、図７（２）は、図７（１）に示す縦型ＭＯＳＦＥＴ２００におけるＮ−Ｎの断面を示す断面図である。
縦型ＭＯＳＦＥＴ２００は、ソース電極２０１を形成する第一メタル層２０１ｂと、第一メタル層２０１ｂの一部を保護する絶縁膜２０２と、絶縁膜２０２の存在しない領域に形成された第二メタル層２０１ａと、ゲート電極２０３とを有する。
なお、図７（１）に示すように、縦型ＭＯＳＦＥＴ２００のペレット表面に第二メタル層２０１ａと絶縁膜２０２とゲート電極２０３とが配置されている。また、図７（２）に示すように、縦型ＭＯＳＦＥＴ２００において、ソース電極２０１は、アクティブセル領域を覆う状態で第一メタル層２０１ｂと、第二メタル層２０１ａとで構成されている。
なお、図７（１）に示すように、縦型ＭＯＳＦＥＴ２００のペレット表面に第二メタル層２０１ａと絶縁膜２０２とゲート電極２０３とが配置されている。また、図７（２）に示すように、縦型ＭＯＳＦＥＴ２００において、ソース電極２０１は、アクティブセル領域を覆う状態で第一メタル層２０１ｂと、第二メタル層２０１ａとで構成されている。
縦型ＭＯＳＦＥＴ２００において、大電力、大電流を得るために、ソース電極２０１と接続される導電部材として、図７に示すクリップ電極２０４が使用される場合が多い。クリップ電極２０４は、板状部分を有してクリップ構造を備える低抵抗の導電部材である。
図７に示すように、通常では、クリップ電極２０４を縦型ＭＯＳＦＥＴ２００に接続する場合、導電性接着剤２０５を使用して、ペレット表面に形成された第二メタル層２０１ａの一部と、クリップ電極２０４とを接続している。導電性接着剤２０５は、密着性、接着性、面剥離性、接合強度等が優れ、接合部の柔軟性、実装温度の低温化等のメリットがある導電性の接着剤である。
なお、導電性接着剤を使用して、電極に導電部材を接続する例として、特許文献１に記載のものがある。
特開２００２−０１５８３８
図７に示すように、通常では、クリップ電極２０４を縦型ＭＯＳＦＥＴ２００に接続する場合、導電性接着剤２０５を使用して、ペレット表面に形成された第二メタル層２０１ａの一部と、クリップ電極２０４とを接続している。導電性接着剤２０５は、密着性、接着性、面剥離性、接合強度等が優れ、接合部の柔軟性、実装温度の低温化等のメリットがある導電性の接着剤である。
なお、導電性接着剤を使用して、電極に導電部材を接続する例として、特許文献１に記載のものがある。
上記背景技術で示したように、通常では、クリップ電極２０４を縦型ＭＯＳＦＥＴ２００に接続する場合、導電性接着剤２０５を使用して、ペレット表面に形成された第二メタル層２０１ａの一部とクリップ電極２０４とを接続する。
ところで、ペレット表面に形成された第二メタル層２０１ａは、金属表面であるが、金属表面は、樹脂の密着性が劣るという性質がある。
このため、導電性接着剤２０５を使用して、第二メタル層２０１ａとクリップ電極２０４とを接続した場合、第二メタル層２０１ａの金属面と、クリップ電極２０４との接着部の接続強度が維持できない場合がある。この場合に、例えば、クリップ電極２０４における接着部の縁から剥離が発生する場合がある。
このため、導電性接着剤２０５を使用して、第二メタル層２０１ａとクリップ電極２０４とを接続した場合、第二メタル層２０１ａの金属面と、クリップ電極２０４との接着部の接続強度が維持できない場合がある。この場合に、例えば、クリップ電極２０４における接着部の縁から剥離が発生する場合がある。
このように、導電性接着剤２０５を介して接着されている第二メタル層２０１ａと、クリップ電極２０４との間で剥離が発生すると、剥離が発生した部分の抵抗が高くなり、大電力、大電流を得ることができないという問題がある。
また、上記剥離が進み、第二メタル層２０１ａとクリップ電極２０４との接着部全体が剥離すると、第二メタル層２０１ａからクリップ電極２０４が離れてしまうという問題がある。
また、上記剥離が進み、第二メタル層２０１ａとクリップ電極２０４との接着部全体が剥離すると、第二メタル層２０１ａからクリップ電極２０４が離れてしまうという問題がある。
本発明は、半導体装置の表面にメタル領域と非メタル領域とが形成されている半導体装置において、導電性接着剤を使用して、導電部材とメタル領域とを接続する場合に、半導体装置から導電部材が剥離することを防止し、ソース電極における大電力、大電流を維持することができる半導体装置を提供することを目的とする。
本願の請求項１に係る発明の半導体装置は、半導体装置の表面にメタル領域と非メタル領域とが形成され、導電性接着剤を介して、導電部材と前記メタル領域とが接続されると共に、導電性接着剤を介して、前記導電部材と前記非メタル領域とが接着されていることを特徴とする。
つまり、本願の請求項１に係る発明によれば、導電性接着剤を使用して、メタル領域と導電部材とを接続した場合に、メタル領域の金属面と導電部材との接着部の接続強度を強化することができる。
つまり、本願の請求項１に係る発明によれば、導電性接着剤を使用して、メタル領域と導電部材とを接続した場合に、メタル領域の金属面と導電部材との接着部の接続強度を強化することができる。
本願の請求項９に係る発明は、半導体装置の表面にメタル領域と非メタル領域とが形成されている半導体装置において、前記半導体装置の表面において導電性接着剤を介して導電部材と接続されるメタル領域の大きさは、導電性接着剤を介して前記メタル領域と接続される導電部材の導電性接着剤との接着部の大きさと略同一であることを特徴とする。
本願の請求項１０に係る発明は、半導体装置の表面にメタル領域と非メタル領域とが形成されている半導体装置において、前記半導体装置の表面において導電性接着剤を介して導電部材と接続されるメタル領域の大きさは、導電性接着剤を介して前記メタル領域と接続される導電部材の導電性接着剤との接着部の大きさよりも小さいことを特徴とする半導体装置。
したがって、本願の請求項９又は１０に係る発明によれば、導電性接着剤を使用して、メタル領域と導電部材とを接続した場合に、メタル領域の金属面と導電部材との接着部の接続強度を、さらに強化することができる。
したがって、本願の請求項９又は１０に係る発明によれば、導電性接着剤を使用して、メタル領域と導電部材とを接続した場合に、メタル領域の金属面と導電部材との接着部の接続強度を、さらに強化することができる。
［作用］
樹脂の密着性については、酸化膜表面が金属表面より優れているという性質があり、半導体装置において、メタル領域は金属膜であり、非メタル領域は酸化膜である。
つまり、本願の請求項１に係る発明によれば、導電性接着剤を介して導電部材と非メタル領域とが接着されていることから、導電性接着剤を使用して、メタル領域と導電部材とを接続した場合に、メタル領域の金属面と導電部材との接着部の接続強度を強化することができる。この場合に、例えば、導電部材における接着部の縁から剥離が発生することを阻止することができる。
樹脂の密着性については、酸化膜表面が金属表面より優れているという性質があり、半導体装置において、メタル領域は金属膜であり、非メタル領域は酸化膜である。
つまり、本願の請求項１に係る発明によれば、導電性接着剤を介して導電部材と非メタル領域とが接着されていることから、導電性接着剤を使用して、メタル領域と導電部材とを接続した場合に、メタル領域の金属面と導電部材との接着部の接続強度を強化することができる。この場合に、例えば、導電部材における接着部の縁から剥離が発生することを阻止することができる。
また、本願の請求項９に係る発明によれば、半導体装置の表面におけるメタル領域と非メタル領域との境界付近において、導電性接着剤を介してメタル領域と導電部材とが接着されている部分を囲む領域の少なくとも一部の領域で、導電性接着剤を介して導電部材と非メタル領域とが接着されていることから、導電性接着剤を使用して、メタル領域と導電部材とを接続した場合に、メタル領域の金属面と、導電部材との接着部の接続強度を、さらに強化することができる。
さらに、本願の請求項１０に係る発明によれば、半導体装置の表面におけるメタル領域と非メタル領域との境界付近において、導電性接着剤を介してメタル領域と導電部材とが接着されている部分を囲む領域の少なくとも一部の領域で、導電性接着剤を介して導電部材と非メタル領域とが接着され、さらに、前記半導体装置の表面において導電性接着剤を介して導電部材と接続されるメタル領域の大きさを、導電性接着剤を介して前記メタル領域と接続される導電部材の導電性接着剤との接着部の大きさよりも小さくしたことから、導電性接着剤を使用して、メタル領域と導電部材とを接続した場合に、メタル領域の金属面と導電部材との接着部の接続強度を、さらに強化することができる。
本発明によれば、半導体装置の表面にメタル領域と非メタル領域とが形成されている半導体装置において、導電性接着剤を使用して、導電部材と前記メタル領域とを接続する場合に、導電部材とメタル領域との接続強度を強化することができるという効果を奏する。
また、導電性接着剤を介して接着されている導電部材とメタル領域との間で剥離が発生することを阻止することができ、導電部材の低抵抗を維持することができ、大電力、大電流を維持することができるという効果を奏する。
また、半導体装置の表面と導電性接着剤及び成型樹脂（モールド樹脂）の密着性を向上させることができるという効果を奏する。
また、導電性接着剤を介して接着されている導電部材とメタル領域との間で剥離が発生することを阻止することができ、導電部材の低抵抗を維持することができ、大電力、大電流を維持することができるという効果を奏する。
また、半導体装置の表面と導電性接着剤及び成型樹脂（モールド樹脂）の密着性を向上させることができるという効果を奏する。
以下に、本発明の実施の形態である縦型ＭＯＳＦＥＴ１００について、図面を参照して説明する。
図１は、本発明の実施例である縦型ＭＯＳＦＥＴ１００を示す図である。
図１（１）は、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面における構成を示す図であり、図１（２）は、図１（１）に示す縦型ＭＯＳＦＥＴ１００におけるＮ−Ｎの断面を示す断面図である。
図１（１）は、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面における構成を示す図であり、図１（２）は、図１（１）に示す縦型ＭＯＳＦＥＴ１００におけるＮ−Ｎの断面を示す断面図である。
縦型ＭＯＳＦＥＴ１００は、ソース電極１０１を形成する第一メタル層１０１ｂと、第一メタル層１０１ｂの一部を保護する絶縁膜１０２と、絶縁膜１０２の存在しない領域に形成されている第二メタル層１０１ａと、ゲート電極１０３とを有する。
なお、図１（１）に示すように、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面に第二メタル層１０１ａと絶縁膜１０２とゲート電極１０３とが配置されている。また、図１（２）に示すように、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００において、ソース電極１０１は、アクティブセル領域を覆う状態で第一メタル層１０１ｂと、第二メタル層１０１ａとで構成されている。なお、第二メタル層１０１ａは、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のソース電極１０１を構成するメタル領域であり、絶縁膜１０２は、非メタル領域を構成する酸化膜である。また、図１（１）に示すように、本発明の実施例である縦型ＭＯＳＦＥＴのペレット表面を示す図において、絶縁膜１０２が形成されている領域を斜線で示す。
図１（２）に示すように、実施例１では、クリップ電極１０４を縦型ＭＯＳＦＥＴ１００に接続する場合に、導電性接着剤１０５を使用して、ペレット表面に形成された第二メタル層１０１ａとクリップ電極１０４とを接続している。なお、クリップ電極１０４は、板状部分を有してクリップ構造を備える低抵抗の導電部材である。
なお、図１（１）に示すように、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面に第二メタル層１０１ａと絶縁膜１０２とゲート電極１０３とが配置されている。また、図１（２）に示すように、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００において、ソース電極１０１は、アクティブセル領域を覆う状態で第一メタル層１０１ｂと、第二メタル層１０１ａとで構成されている。なお、第二メタル層１０１ａは、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のソース電極１０１を構成するメタル領域であり、絶縁膜１０２は、非メタル領域を構成する酸化膜である。また、図１（１）に示すように、本発明の実施例である縦型ＭＯＳＦＥＴのペレット表面を示す図において、絶縁膜１０２が形成されている領域を斜線で示す。
図１（２）に示すように、実施例１では、クリップ電極１０４を縦型ＭＯＳＦＥＴ１００に接続する場合に、導電性接着剤１０５を使用して、ペレット表面に形成された第二メタル層１０１ａとクリップ電極１０４とを接続している。なお、クリップ電極１０４は、板状部分を有してクリップ構造を備える低抵抗の導電部材である。
このように、実施例１では、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面に第二メタル層１０１ａと絶縁膜１０２とが形成され、導電性接着剤１０５を介して、クリップ電極１０４と第二メタル層１０１ａとが接続されると共に、導電性接着剤１０５を介して、クリップ電極１０４と絶縁膜１０２とが接着されている。
また、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面において、第二メタル層１０１ａが形成されている部分を囲むように、絶縁膜１０２が形成されている。
さらに、クリップ電極１０４と接続されている第二メタル層１０１ａの縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面における大きさは、クリップ電極１０４の導電性接着剤１０５との接着部の大きさとほぼ同一である。
なお、クリップ電極１０４と接続されている第二メタル層１０１ａの縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面における大きさを、クリップ電極１０４の導電性接着剤１０５との接着部の大きさよりも小さくするようにしてもよい。または、同一にするようにしてもよい。
また、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面に第二メタル層１０１ａと絶縁膜１０２とが形成されている縦型ＭＯＳＦＥＴ１００において、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面において導電性接着剤１０５を介してクリップ電極１０４と接続される第二メタル層１０１ａの大きさは、導電性接着剤１０５を介して第二メタル層１０１ａと接続されるクリップ電極１０４の導電性接着剤１０５との接着部の大きさとほぼ同一である。
なお、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面に第二メタル層１０１ａと絶縁膜１０２とが形成されている縦型ＭＯＳＦＥＴ１００において、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面において導電性接着剤１０５を介してクリップ電極１０４と接続される第二メタル層１０１ａの大きさを、導電性接着剤１０５を介して第二メタル層１０１ａと接続されるクリップ電極１０４の導電性接着剤１０５との接着部の大きさよりも小さくするようにしてもよい。または、同一にするようにしてもよい。
また、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面において、第二メタル層１０１ａが形成されている部分を囲むように、絶縁膜１０２が形成されている。
さらに、クリップ電極１０４と接続されている第二メタル層１０１ａの縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面における大きさは、クリップ電極１０４の導電性接着剤１０５との接着部の大きさとほぼ同一である。
なお、クリップ電極１０４と接続されている第二メタル層１０１ａの縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面における大きさを、クリップ電極１０４の導電性接着剤１０５との接着部の大きさよりも小さくするようにしてもよい。または、同一にするようにしてもよい。
また、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面に第二メタル層１０１ａと絶縁膜１０２とが形成されている縦型ＭＯＳＦＥＴ１００において、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面において導電性接着剤１０５を介してクリップ電極１０４と接続される第二メタル層１０１ａの大きさは、導電性接着剤１０５を介して第二メタル層１０１ａと接続されるクリップ電極１０４の導電性接着剤１０５との接着部の大きさとほぼ同一である。
なお、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面に第二メタル層１０１ａと絶縁膜１０２とが形成されている縦型ＭＯＳＦＥＴ１００において、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面において導電性接着剤１０５を介してクリップ電極１０４と接続される第二メタル層１０１ａの大きさを、導電性接着剤１０５を介して第二メタル層１０１ａと接続されるクリップ電極１０４の導電性接着剤１０５との接着部の大きさよりも小さくするようにしてもよい。または、同一にするようにしてもよい。
以上のような構成にすることによって、図１（２）に示すように、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面における第二メタル層１０１ａと絶縁膜１０２との境界付近において、導電性接着剤１０５を介して第二メタル層１０１ａとクリップ電極１０４とが接着されている部分を囲む領域の少なくとも一部の領域で、絶縁膜１０２と導電性接着剤１０５とが接着されている。
また、図１（２）に示すように、クリップ電極１０４の導電性接着剤１０５との接着部において、導電性接着剤１０５を介してクリップ電極１０４と第二メタル層１０１ａとが接着されている部分を囲む領域の少なくとも一部の領域で、導電性接着剤１０５を介してクリップ電極１０４と絶縁膜１０２とが接着されている部分が存在する。
また、図１（２）に示すように、クリップ電極１０４の導電性接着剤１０５との接着部において、導電性接着剤１０５を介してクリップ電極１０４と第二メタル層１０１ａとが接着されている部分を囲む領域の少なくとも一部の領域で、導電性接着剤１０５を介してクリップ電極１０４と絶縁膜１０２とが接着されている部分が存在する。
ところで、樹脂の密着性については、酸化膜表面が金属表面より優れているという性質がある。縦型ＭＯＳＦＥＴ１００において、第二メタル層１０１ａは金属膜であり、絶縁膜１０２は酸化膜である。
そうすると、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面における第二メタル層１０１ａと絶縁膜１０２との境界付近において、導電性接着剤１０５を介して第二メタル層１０１ａとクリップ電極１０４とが接着されている部分を囲む領域の少なくとも一部の領域で、導電性接着剤１０５を介してクリップ電極１０４と絶縁膜１０２とが接着されていることから、導電性接着剤１０５を使用して、第二メタル層１０１ａとクリップ電極１０４とを接続した場合に、第二メタル層１０１ａの金属面と、クリップ電極１０４との接着部の接続強度を強化することができる。この場合に、例えば、クリップ電極１０４における接着部の縁から剥離が発生することを阻止することができる。
また、導電性接着剤１０５を介して接着されている第二メタル層１０１ａと、クリップ電極１０４との間で剥離が発生することを阻止することができるので、クリップ電極１０４の低抵抗を維持することができ、大電力、大電流を維持することができる。
さらに、導電性接着剤１０５を介して接着されている第二メタル層１０１ａと、クリップ電極１０４との間で剥離が発生することを阻止することができるので、第二メタル層１０１ａからクリップ電極１０４が離れることを阻止することができる。
また、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面と導電性接着剤１０５及びモールド樹脂の密着性を向上させることができる。
そうすると、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面における第二メタル層１０１ａと絶縁膜１０２との境界付近において、導電性接着剤１０５を介して第二メタル層１０１ａとクリップ電極１０４とが接着されている部分を囲む領域の少なくとも一部の領域で、導電性接着剤１０５を介してクリップ電極１０４と絶縁膜１０２とが接着されていることから、導電性接着剤１０５を使用して、第二メタル層１０１ａとクリップ電極１０４とを接続した場合に、第二メタル層１０１ａの金属面と、クリップ電極１０４との接着部の接続強度を強化することができる。この場合に、例えば、クリップ電極１０４における接着部の縁から剥離が発生することを阻止することができる。
また、導電性接着剤１０５を介して接着されている第二メタル層１０１ａと、クリップ電極１０４との間で剥離が発生することを阻止することができるので、クリップ電極１０４の低抵抗を維持することができ、大電力、大電流を維持することができる。
さらに、導電性接着剤１０５を介して接着されている第二メタル層１０１ａと、クリップ電極１０４との間で剥離が発生することを阻止することができるので、第二メタル層１０１ａからクリップ電極１０４が離れることを阻止することができる。
また、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面と導電性接着剤１０５及びモールド樹脂の密着性を向上させることができる。
なお、半導体装置の表面にメタル領域と非メタル領域とが形成され、導電性接着剤を介して、導電部材と前記メタル領域とを接続する縦型ＭＯＳＦＥＴ以外の半導体装置に、実施例１を適用することができる。
図２は、本発明の第２の実施例である縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ａを示す図である。
図２（１）は、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ａのペレット表面における構成を示す図であり、図２（２）は、図２（１）に示す縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ａにおけるＮ−Ｎの断面を示す断面図である。
縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ａは、実施例１の縦型ＭＯＳＦＥＴ１００において、ペレット表面に形成されている第二メタル層１０１ａを半円形に変形し、クリップ電極１０４の端部を半円形に変形したものである。
なお、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ａの構成は、上記変形した点を除いて、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００の構成と同一である。
図２（１）は、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ａのペレット表面における構成を示す図であり、図２（２）は、図２（１）に示す縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ａにおけるＮ−Ｎの断面を示す断面図である。
縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ａは、実施例１の縦型ＭＯＳＦＥＴ１００において、ペレット表面に形成されている第二メタル層１０１ａを半円形に変形し、クリップ電極１０４の端部を半円形に変形したものである。
なお、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ａの構成は、上記変形した点を除いて、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００の構成と同一である。
実施例２に示すように、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ａのペレット表面に形成されている第二メタル層１０１ａの形状と、クリップ電極１０４の導電性接着剤１０５との接着部の形状とを変形した場合に、クリップ電極１０４と接続されている第二メタル層１０１ａの縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面における大きさを、クリップ電極１０４の導電性接着剤１０５との接着部の大きさとほぼ同一にすることによって、実施例１と同様の効果を得ることができる。
図３は、本発明の第３の実施例である縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｂを示す図である。
図３（１）は、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｂのペレット表面における構成を示す図であり、図３（２）は、図３（１）に示す縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｂにおけるＮ−Ｎの断面を示す断面図である。
縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｂは、実施例１の縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面において、第二メタル層１０１ａをマトリクス状に配置し、絶縁膜１０２をメッシュ状に配置したものである。マトリクス状とは、図３（１）に示すように、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ａのペレット表面に第二メタル層１０１ａの領域を複数形成し、第二メタル層１０１ａの領域の形状がれぞれ長方形である状態である。
なお、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｂの構成は、上記ペレット表面において、第二メタル層１０１ａをマトリクス状に配置し、絶縁膜１０２をメッシュ状に配置した点を除いて、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００の構成と同一である。
図３（１）は、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｂのペレット表面における構成を示す図であり、図３（２）は、図３（１）に示す縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｂにおけるＮ−Ｎの断面を示す断面図である。
縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｂは、実施例１の縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面において、第二メタル層１０１ａをマトリクス状に配置し、絶縁膜１０２をメッシュ状に配置したものである。マトリクス状とは、図３（１）に示すように、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ａのペレット表面に第二メタル層１０１ａの領域を複数形成し、第二メタル層１０１ａの領域の形状がれぞれ長方形である状態である。
なお、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｂの構成は、上記ペレット表面において、第二メタル層１０１ａをマトリクス状に配置し、絶縁膜１０２をメッシュ状に配置した点を除いて、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００の構成と同一である。
実施例３に示すように、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ａのペレット表面に形成されている第二メタル層１０１ａをマトリクス状に配置し、絶縁膜１０２をメッシュ状に配置した場合に、クリップ電極１０４と接続されている第二メタル層１０１ａの縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面における大きさを、クリップ電極１０４の導電性接着剤１０５との接着部の大きさとほぼ同一にすることによって、実施例１と同様の効果を得ることができる。
図４は、本発明の第４の実施例である縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｃを示す図である。
図４（１）は、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｃのペレット表面における構成を示す図であり、図４（２）は、図４（１）に示す縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｃにおけるＮ−Ｎの断面を示す断面図である。
縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｃは、実施例１の縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面において、第二メタル層１０１ａをマトリクス状に配置し、絶縁膜１０２をメッシュ状に配置し、ペレット表面に形成されている複数の第二メタル層１０１ａの領域のうちで、図４（１）に示すように、４つの領域の第二メタル層１０１ａをクリップ電極１０４と接続したものである。
なお、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｃの構成は、上記ペレット表面において、第二メタル層１０１ａをマトリクス状に配置し、絶縁膜１０２をメッシュ状に配置し、上記４つの領域の第二メタル層１０１ａとクリップ電極１０４とを接続した点を除いて、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００の構成と同一である。
図４（１）は、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｃのペレット表面における構成を示す図であり、図４（２）は、図４（１）に示す縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｃにおけるＮ−Ｎの断面を示す断面図である。
縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｃは、実施例１の縦型ＭＯＳＦＥＴ１００のペレット表面において、第二メタル層１０１ａをマトリクス状に配置し、絶縁膜１０２をメッシュ状に配置し、ペレット表面に形成されている複数の第二メタル層１０１ａの領域のうちで、図４（１）に示すように、４つの領域の第二メタル層１０１ａをクリップ電極１０４と接続したものである。
なお、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｃの構成は、上記ペレット表面において、第二メタル層１０１ａをマトリクス状に配置し、絶縁膜１０２をメッシュ状に配置し、上記４つの領域の第二メタル層１０１ａとクリップ電極１０４とを接続した点を除いて、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００の構成と同一である。
このように、上記ペレット表面における４つの領域の第二メタル層１０１ａとクリップ電極１０４とを接続することによって、上記ペレット表面におけるクリップ電極１０４の導電性接着剤１０５との接着部に相当する部分に、第二メタル層１０１ａの４つの領域が十字型の絶縁膜１０２の領域を形成する。この十字型の絶縁膜１０２の領域によって、クリップ電極１０４の導電性接着剤１０５との接着部と、絶縁膜１０２との接着面積を増やすことができる。
つまり、上記ペレット表面における４つの領域の第二メタル層１０１ａと絶縁膜１０２とのそれぞれの境界付近において、導電性接着剤１０５を介して第二メタル層１０１ａとクリップ電極１０４とが接着されている部分を囲む領域の少なくとも一部の領域で、絶縁膜１０２と導電性接着剤１０５とが接着され、クリップ電極１０４の導電性接着剤１０５との接着部において、導電性接着剤１０５を介してクリップ電極１０４と第二メタル層１０１ａとが接着されている部分を囲む領域の少なくとも一部の領域で、導電性接着剤１０５を介してクリップ電極１０４と絶縁膜１０２とが接着されているので、第二メタル層１０１ａとクリップ電極１０４との接着部の接続強度を、さらに強化することができる。
つまり、上記ペレット表面における４つの領域の第二メタル層１０１ａと絶縁膜１０２とのそれぞれの境界付近において、導電性接着剤１０５を介して第二メタル層１０１ａとクリップ電極１０４とが接着されている部分を囲む領域の少なくとも一部の領域で、絶縁膜１０２と導電性接着剤１０５とが接着され、クリップ電極１０４の導電性接着剤１０５との接着部において、導電性接着剤１０５を介してクリップ電極１０４と第二メタル層１０１ａとが接着されている部分を囲む領域の少なくとも一部の領域で、導電性接着剤１０５を介してクリップ電極１０４と絶縁膜１０２とが接着されているので、第二メタル層１０１ａとクリップ電極１０４との接着部の接続強度を、さらに強化することができる。
図５は、本発明の第５の実施例である縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｄを示す図である。
図５（１）は、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｄのペレット表面における構成を示す図であり、図５（２）は、図５（１）に示す縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｄにおけるＮ−Ｎの断面を示す断面図である。
図５（１）に示すように、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｄは、実施例４の縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｃにおいて、クリップ電極１０４と接続する上記ペレット表面の第二メタル層１０１ａの領域を９つの領域にしたものである。
なお、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｂの構成は、クリップ電極１０４と接続する上記ペレット表面の第二メタル層１０１ａの領域を９つの領域にした点を除いて、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００の構成と同一である。
図５（１）は、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｄのペレット表面における構成を示す図であり、図５（２）は、図５（１）に示す縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｄにおけるＮ−Ｎの断面を示す断面図である。
図５（１）に示すように、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｄは、実施例４の縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｃにおいて、クリップ電極１０４と接続する上記ペレット表面の第二メタル層１０１ａの領域を９つの領域にしたものである。
なお、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｂの構成は、クリップ電極１０４と接続する上記ペレット表面の第二メタル層１０１ａの領域を９つの領域にした点を除いて、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００の構成と同一である。
このようにすることによって、クリップ電極１０４の導電性接着剤１０５との接着部と、絶縁膜１０２との接着面積を増やすことができ、第二メタル層１０１ａとクリップ電極１０４との接着部の接続強度を、さらに強化することができる。
図６は、本発明の第６の実施例である縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｅを示す図である。
図６（１）は、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｅのペレット表面における構成を示す図であり、図６（２）は、図６（１）に示す縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｅにおけるＮ−Ｎの断面を示す断面図である。
実施例６は、実施例２と実施例４とを組み合わせた例である。
なお、前記実施例１〜６の縦型ＭＯＳＦＥＴのペレット表面において、クリップ電極１０４と接着されていない領域の表面が、成型樹脂（モールド樹脂）で覆われている。
たとえば、縦型ＭＯＳＦＥＴのペレット表面において、絶縁膜１０２をメッシュ上に配置した場合には、絶縁膜１０２と成型樹脂との組み合わせによって、ペレットと成型樹脂間の密着力をさらに向上させることができる。
図６（１）は、縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｅのペレット表面における構成を示す図であり、図６（２）は、図６（１）に示す縦型ＭＯＳＦＥＴ１００ｅにおけるＮ−Ｎの断面を示す断面図である。
実施例６は、実施例２と実施例４とを組み合わせた例である。
なお、前記実施例１〜６の縦型ＭＯＳＦＥＴのペレット表面において、クリップ電極１０４と接着されていない領域の表面が、成型樹脂（モールド樹脂）で覆われている。
たとえば、縦型ＭＯＳＦＥＴのペレット表面において、絶縁膜１０２をメッシュ上に配置した場合には、絶縁膜１０２と成型樹脂との組み合わせによって、ペレットと成型樹脂間の密着力をさらに向上させることができる。
半導体装置の表面にメタル領域と非メタル領域とが形成され、導電性接着剤を介して、導電部材と前記メタル領域とを接続する半導体装置に、本発明を活用することができる。
１００、１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄ、１００ｅ……縦型ＭＯＳＦＥＴ
１０１……ソース電極
１０１ａ……第二メタル層
１０１ｂ……第一メタル層
１０２……絶縁膜
１０３……ゲート電極
１０４……クリップ電極
１０５……導電性接着剤
２００……縦型ＭＯＳＦＥＴ
２０１……ソース電極
２０１ａ……第二メタル層
２０１ｂ……第一メタル層
２０２……絶縁膜
２０３……ゲート電極
２０４……クリップ電極
２０５……導電性接着剤
１０１……ソース電極
１０１ａ……第二メタル層
１０１ｂ……第一メタル層
１０２……絶縁膜
１０３……ゲート電極
１０４……クリップ電極
１０５……導電性接着剤
２００……縦型ＭＯＳＦＥＴ
２０１……ソース電極
２０１ａ……第二メタル層
２０１ｂ……第一メタル層
２０２……絶縁膜
２０３……ゲート電極
２０４……クリップ電極
２０５……導電性接着剤
Claims (14)
- 半導体装置の表面にメタル領域と非メタル領域とが形成され、
導電性接着剤を介して、導電部材と前記メタル領域とが接続されると共に、
前記導電性接着剤を介して、前記導電部材と前記非メタル領域とが接着されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体装置の表面において、前記メタル領域が形成されている部分を囲むように、前記非メタル領域が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
- 前記半導体装置の表面において、前記メタル領域がマトリクス状に配置され、前記非メタル領域がメッシュ状に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
- 前記導電部材と接続されている前記メタル領域の前記半導体装置の表面における大きさは、前記導電部材の前記導電性接着剤との接着部の大きさと略同一であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記導電部材と接続されている前記メタル領域の前記半導体装置の表面における大きさは、前記導電部材の前記導電性接着剤との接着部の大きさよりも小さいことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の記載の半導体装置。
- 前記半導体装置の表面における前記メタル領域と前記非メタル領域との境界付近において、前記導電性接着剤を介して前記メタル領域と前記導電部材とが接着されている部分を囲む領域の少なくとも一部の領域で、前記非メタル領域と前記導電性接着剤とが接着されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記導電部材の前記導電性接着剤との接着部において、前記導電性接着剤を介して前記導電部材と前記メタル領域とが接着されている部分を囲む領域の少なくとも一部の領域で、前記導電性接着剤を介して前記導電部材と前記非メタル領域とが接着されている部分が存在することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記半導体装置の表面において、前記導電部材と接着されていない領域の表面が、成型樹脂で覆われていることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の半導体装置。
- 半導体装置の表面にメタル領域と非メタル領域とが形成されている半導体装置において、
前記半導体装置の表面において導電性接着剤を介して導電部材と接続されるメタル領域の大きさは、前記導電性接着剤を介して前記メタル領域と接続される導電部材の導電性接着剤との接着部の大きさと略同一であることを特徴とする半導体装置。 - 半導体装置の表面にメタル領域と非メタル領域とが形成されている半導体装置において、
前記半導体装置の表面において導電性接着剤を介して導電部材と接続されるメタル領域の大きさは、前記導電性接着剤を介して前記メタル領域と接続される導電部材の導電性接着剤との接着部の大きさよりも小さいことを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体装置は、縦型ＭＯＳＦＥＴであることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記メタル領域は、前記半導体装置のソース電極を構成するメタル領域であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記非メタル領域は、酸化膜であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記導電部材は、板状部分を有してクリップ構造を備えるクリップ電極であることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の半導体装置。
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- 2003-07-29 JP JP2003281701A patent/JP2005051054A/ja active Pending
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