JP2005039264A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2005039264A5
JP2005039264A5 JP2004195074A JP2004195074A JP2005039264A5 JP 2005039264 A5 JP2005039264 A5 JP 2005039264A5 JP 2004195074 A JP2004195074 A JP 2004195074A JP 2004195074 A JP2004195074 A JP 2004195074A JP 2005039264 A5 JP2005039264 A5 JP 2005039264A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
light emitting
extending
lower electrode
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004195074A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP4572604B2 (ja
JP2005039264A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2004195074A priority Critical patent/JP4572604B2/ja
Priority claimed from JP2004195074A external-priority patent/JP4572604B2/ja
Publication of JP2005039264A publication Critical patent/JP2005039264A/ja
Publication of JP2005039264A5 publication Critical patent/JP2005039264A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4572604B2 publication Critical patent/JP4572604B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

JP2004195074A 2003-06-30 2004-06-30 半導体発光素子及びそれを用いた発光装置 Expired - Fee Related JP4572604B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004195074A JP4572604B2 (ja) 2003-06-30 2004-06-30 半導体発光素子及びそれを用いた発光装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003188121 2003-06-30
JP2004195074A JP4572604B2 (ja) 2003-06-30 2004-06-30 半導体発光素子及びそれを用いた発光装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2005039264A JP2005039264A (ja) 2005-02-10
JP2005039264A5 true JP2005039264A5 (ru) 2007-07-19
JP4572604B2 JP4572604B2 (ja) 2010-11-04

Family

ID=34220504

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004195074A Expired - Fee Related JP4572604B2 (ja) 2003-06-30 2004-06-30 半導体発光素子及びそれを用いた発光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4572604B2 (ru)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006228855A (ja) * 2005-02-16 2006-08-31 Rohm Co Ltd 半導体発光素子およびその製法
JP2006237386A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体発光ダイオード
JP4956902B2 (ja) * 2005-03-18 2012-06-20 三菱化学株式会社 ＧａＮ系発光ダイオードおよびそれを用いた発光装置
JP4787561B2 (ja) * 2005-07-29 2011-10-05 昭和電工株式会社 ｐｎ接合型発光ダイオード
JP4787562B2 (ja) * 2005-07-29 2011-10-05 昭和電工株式会社 ｐｎ接合型発光ダイオード
US7888687B2 (en) 2005-09-08 2011-02-15 Showa Denko K.K. Electrode for semiconductor light emitting device
JP4918238B2 (ja) * 2005-09-13 2012-04-18 昭和電工株式会社 発光装置
US7812358B2 (en) 2005-09-13 2010-10-12 Showa Denko K.K. Light-emitting device
JP4952884B2 (ja) * 2006-01-24 2012-06-13 ソニー株式会社 半導体発光装置および半導体発光装置組立体
JP2007287851A (ja) * 2006-04-14 2007-11-01 Toyoda Gosei Co Ltd 光通信に用いる発光素子およびこれを用いた通信装置
JP5045001B2 (ja) * 2006-06-22 2012-10-10 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
JP5719496B2 (ja) * 2006-06-28 2015-05-20 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子及び発光装置、及び半導体発光素子の製造方法
DE102007030129A1 (de) 2007-06-29 2009-01-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement
KR101518858B1 (ko) * 2008-12-03 2015-05-13 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP5336594B2 (ja) * 2009-06-15 2013-11-06 パナソニック株式会社 半導体発光装置、発光モジュール、および照明装置
KR101081166B1 (ko) * 2009-09-23 2011-11-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지
US9324691B2 (en) 2009-10-20 2016-04-26 Epistar Corporation Optoelectronic device
JP5443286B2 (ja) 2009-12-24 2014-03-19 スタンレー電気株式会社 フェイスアップ型光半導体装置
TWI446527B (zh) * 2010-07-02 2014-07-21 Epistar Corp 光電元件
KR101740534B1 (ko) * 2010-08-09 2017-06-08 서울바이오시스 주식회사 전극 연장부를 갖는 발광 다이오드
WO2012057469A2 (ko) * 2010-10-25 2012-05-03 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
JP2012114329A (ja) * 2010-11-26 2012-06-14 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JP5433609B2 (ja) 2011-03-03 2014-03-05 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
JP2012186195A (ja) 2011-03-03 2012-09-27 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JP5479391B2 (ja) 2011-03-08 2014-04-23 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
JP5549629B2 (ja) * 2011-03-30 2014-07-16 サンケン電気株式会社 発光素子
JP5304855B2 (ja) * 2011-08-12 2013-10-02 三菱化学株式会社 ＧａＮ系発光ダイオードおよびそれを用いた発光装置
KR101883842B1 (ko) 2011-12-26 2018-08-01 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 조명시스템
JP6307703B2 (ja) 2013-05-31 2018-04-11 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 波長変換素子、波長変換素子を備えた発光装置、発光装置を備えた車両、および波長変換素子の製造方法
JP2015028984A (ja) 2013-07-30 2015-02-12 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
CN110676286B (zh) * 2015-02-13 2024-01-19 首尔伟傲世有限公司 发光元件以及发光二极管
JP6149878B2 (ja) 2015-02-13 2017-06-21 日亜化学工業株式会社 発光素子
KR102688853B1 (ko) * 2018-07-18 2024-07-29 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자
US12062737B2 (en) 2020-12-17 2024-08-13 Samsung Electronics Co., Ltd. LED chip and display apparatus including the same
JP7299515B2 (ja) * 2021-06-01 2023-06-28 日亜化学工業株式会社 発光素子

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4810746B2 (ja) * 2000-03-31 2011-11-09 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子
JP3576963B2 (ja) * 2000-11-24 2004-10-13 三菱電線工業株式会社 半導体発光素子
MY134305A (en) * 2001-04-20 2007-12-31 Nichia Corp Light emitting device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005039264A5 (ru)
JP2011049600A5 (ru)
JP2006187857A5 (ru)
JP2008508695A5 (ru)
JP2006028583A5 (ja) 製造装置、膜形成方法、発光装置の作製方法
KR101919467B1 (ko) 단위 마스크 및 이를 포함하는 마스크 조립체
JP2006352084A5 (ru)
KR200472973Y1 (ko) 발광 다이오드 기판 및 발광 다이오드
JP2010532090A5 (ru)
JP2005537651A5 (ru)
JP2006005215A5 (ru)
JP2008066727A5 (ru)
JP2007523481A5 (ru)
JP2008205006A5 (ru)
JP2005093397A5 (ru)
US9287461B2 (en) Light-emitting diode and method for manufacturing the same
JP2011124160A5 (ru)
KR20120128068A (ko) Ｌｅｄ 기판 및 ｌｅｄ
JP2013125968A5 (ru)
JP2009038243A5 (ru)
JP2006294976A5 (ru)
JP2015505639A5 (ru)
EP2383802A3 (en) Light emitting device, method of manufacturing the light emitting device, light emitting device package, and lighting unit
JP2015065161A5 (ru)
JP2013069547A5 (ja) 光半導体装置