KR20120128068A - Ｌｅｄ 기판 및 ｌｅｄ - Google Patents
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- KR20120128068A KR20120128068A KR1020110051236A KR20110051236A KR20120128068A KR 20120128068 A KR20120128068 A KR 20120128068A KR 1020110051236 A KR1020110051236 A KR 1020110051236A KR 20110051236 A KR20110051236 A KR 20110051236A KR 20120128068 A KR20120128068 A KR 20120128068A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 5
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical group [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
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Abstract
사파이어 기판을 포함하는 발광 다이오드(LED) 기판이 제공된다. 사파이어 기판은 복수의 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼들로 구성되는 표면을 가지고, 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼들의 각각은 6각형 테이퍼 및 6각형 테이퍼 위의 3각형 테이퍼로 구성되고, 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼들의 피치는 10㎛ 미만이다. 이 LED 기판은 높은 발광 효율을 가진다.
Description
발명은 발광 다이오드(LED : light emitting diode) 기판에 관한 것이다. 특히, 상기 발명은 높은 광 추출 효율을 갖는 LED 기판 및 이를 이용한 LED에 관한 것이다.
LED는 화합물 반도체에 의해 제조되는 발광 디바이스이며, 전기 에너지는 전자(electron)들 및 정공(hole)들의 결합을 통해 광으로 변환될 수 있다. LED는 냉 광원(cold light source)에 속하고, 낮은 전력 소비, 준비 시간(warm up)이 없는 것, 긴 내용 연한(service life), 및 신속한 응답 속도 등의 장점들을 가지며, 높은 충격 저항 및 대량 생산에 적합한 특징들을 또한 가지며, 결과적으로 극히 작거나 어레이 디바이스들을 제조하기 위한 응용 요건들을 충족하는 것이 용이하다.
LED의 응용 범위 및 미래를 확장하기 위해서는, LED의 발광 휘도(light-emitting brightness)를 향상시키는 것이 연구 초점들 중의 하나이다. 이상적인 LED에서는, 활성 영역 내의 캐리어(carrier)들이 광자(photon)들로 재결합된 후, 이 광자들이 모두 외부로 전달될 수 있으면, 이러한 LED의 발광 효율은 100%이다. 그러나, 활성 영역에서 발생된 광자들은 다양한 공핍 메커니즘(depletion mechanism)들로 인해 100%가 외부로 전달될 수는 없다.
LED의 발광 효율을 향상시키기 위해서는, 패턴화된(patterned) LED 기판, 예를 들어, 복수의 원뿔(cone) 또는 평평한(platform) 구조들에 의해 형성되는 LED 기판은 LED로부터 방출된 광을 산란시켜서 전반사(total reflection)를 감소시키도록 이용된다.
본 발명은 높은 광 추출 효율을 갖는 LED 기판 및 이를 이용한 LED를 제공하는 것을 목적으로 한다.
발명은 높은 발광 효율을 갖는 발광 다이오드(LED) 기판에 관한 것이다.
또한, 상기 발명은 상기 LED 기판을 이용하는 LED를 제공한다.
상기 발명은 LED 기판을 제공하고, 이 LED 기판은 복수의 상부 3각형(trigonal) 및 하부 6각형(hexagonal) 테이퍼(taper)들로 구성되는 표면을 갖는 사파이어 기판(sapphire substrate)을 포함하고, 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼들 각각은 6각형 테이퍼 및 6각형 테이퍼 위의 3각형 테이퍼로 구성되고, 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼들의 피치(pitch)는 10㎛ 미만이다.
발명의 실시예에서, 상부 3각형 및 하부 6정방계 테이퍼들의 피치는 1㎛로부터 4㎛까지의 범위를 가진다.
발명의 실시예에서, 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼들 각각의 최대 높이는 1㎛로부터 2㎛까지의 범위를 가지며, 바람직하게는, 1.5㎛로부터 2㎛까지이다.
발명의 실시예에서, 3각형 테이퍼의 상부는 평면(plane)이거나 뾰족한 단부(pointed end)이다.
발명의 실시예에서, 3각형 테이퍼의 대칭적인 단면은 제 1 베이스 각도 및 제 2 베이스 각도를 가지고, 제 2 베이스 각도는 제 1 베이스 각도보다 크고, 제 2 베이스 각도는 28도 및 32도 사이이다.
발명의 실시예에서, 3각형 테이퍼를 그 위에 갖는 6각형 테이퍼의 대칭적인 단면은 제 3 베이스 각도 및 제 4 베이스 각도를 가지고, 제 4 베이스 각도는 제 3 베이스 각도보다 크고, 제 4 베이스 각도는 50도 및 70도 사이이다.
발명의 실시예에서, 사파이어 기판의 표면은 (0001) 표면이고, (0001) 표면의 면적은 사파이어 기판의 표면의 투영된 면적의 약 10-60%이고, 바람직하게는, 10-30%이다.
발명은 상기 설명된 사파이어 기판, 사파이어 기판을 덮도록 적층된 제 1 반도체층, 제 1 반도체층을 덮도록 적층된 발광층, 발광층을 덮도록 적층된 제 2 반도체층, 제 1 반도체층과 접촉하는 제 1 오믹 전극(ohmic electrode) 및 제 2 반도체층과 접촉하는 제 2 오믹 전극을 포함하는 LED를 추가로 제공한다.
발명의 실시예에서, 제 1 반도체층, 발광층 및 제 2 반도체층은 Ⅲ-Ⅴ 반도체, 예를 들어, 갈륨 나이트라이드 반도체(gallium nitride semiconductor)를 포함한다.
발명의 실시예에서, 제 1 및 제 2 오믹 전극들은 각각, Ni, Pb, Co, Fe, Ti, Cu, Rh, Au, Ru, W, Zr, Mo, Ta, Ag, 그 옥사이드(oxide)들 및 그 나이트라이드(nitride)들로 구성되는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 합금(alloy) 또는 다층막(multi-layer film)이다.
발명의 실시예에서, 제 1 및 제 2 오믹 전극들은 각각, Rh, Ir, Ag 및 Al로 구성되는 그룹으로부터 선택된 합금 또는 다층막이다.
상기 개시 내용에 따르면, 사파이어 기판은 복수의 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼들로 구성되는 발광 표면을 가지며, 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼의 9개의 표면들은 광을 산란시켜서 기판의 발광 효율을 향상시키기 위해 이용될 수 있다.
발명의 상기 설명된 특징들 및 장점들과 다른 특징들 및 장점들을 이해할 수 있게 하기 위하여, 도면들과 함께 첨부한 몇 개의 예시적인 실시예들이 이하에서 상세하게 설명된다.
본 발명에 따르면, 높은 광 추출 효율을 갖는 LED 기판 및 이를 이용한 LED가 얻어질 수 있다.
첨부 도면들은 발명의 추가적인 이해를 제공하기 위해 포함되고, 본 명세서에 통합되어 그 일부를 구성한다. 도면들은 발명의 실시예들을 예시하고, 도면과 함께 발명의 원리들을 설명하는 작용을 행한다.
도 1은 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 다이오드(LED) 기판의 3차원 도면이다.
도 2a는 발명의 제 1 실시예에 따른 하나의 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼의 3차원 도면이다.
도 2b는 B-B 라인을 따른 도 2a의 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼의 단면도이다.
도 3a 내지 도 3f는 제 1 실시예의 LED 기판의 2개의 제조 흐름들을 예시하는 개략적인 도면들이다.
도 4는 도 3a 내지 도 3f의 단계들에 따라 제조된 사파이어 기판의 주사 전자 현미경(SEM : scanning electron microscope) 사진이다.
도 5는 도 4의 LED 기판의 상면 SEM 사진이다.
도 6은 발명의 제 2 실시예에 따른 LED의 단면도이다.
도 7은 시뮬레이션 테스트에서 통상적인 원뿔들로 구성된 기판의 구체적인 크기를 예시하는 도면이다.
도 8은 시뮬레이션 테스트에서 통상적인 평평한 구조들로 구성된 기판의 구체적인 크기를 예시하는 도면이다.
도 9는 시뮬레이션 테스트에서 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼들로 구성된 기판의 구체적인 크기를 예시하는 도면이다.
도 1은 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 다이오드(LED) 기판의 3차원 도면이다.
도 2a는 발명의 제 1 실시예에 따른 하나의 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼의 3차원 도면이다.
도 2b는 B-B 라인을 따른 도 2a의 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼의 단면도이다.
도 3a 내지 도 3f는 제 1 실시예의 LED 기판의 2개의 제조 흐름들을 예시하는 개략적인 도면들이다.
도 4는 도 3a 내지 도 3f의 단계들에 따라 제조된 사파이어 기판의 주사 전자 현미경(SEM : scanning electron microscope) 사진이다.
도 5는 도 4의 LED 기판의 상면 SEM 사진이다.
도 6은 발명의 제 2 실시예에 따른 LED의 단면도이다.
도 7은 시뮬레이션 테스트에서 통상적인 원뿔들로 구성된 기판의 구체적인 크기를 예시하는 도면이다.
도 8은 시뮬레이션 테스트에서 통상적인 평평한 구조들로 구성된 기판의 구체적인 크기를 예시하는 도면이다.
도 9는 시뮬레이션 테스트에서 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼들로 구성된 기판의 구체적인 크기를 예시하는 도면이다.
도 1은 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 다이오드(LED) 기판의 3차원 도면이다. 도 1에는, 사파이어 기판(100)이 예시되어 있다. 사파이어 기판(100)은 복수의 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼들(102)로 구성된 표면(104)을 포함하고, 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼들(102)의 각각은 6각형 테이퍼(106)와, 이 6각형 테이퍼(106) 위의 3각형 테이퍼(108)로 구성되고, 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼들(102)의 피치(P)는 10㎛ 미만이고, 바람직하게는, 1㎛ 및 4㎛ 사이이다. 소위 "피치(pitch)"는 2개의 인접한 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼들(102) 사이의 거리를 지칭한다.
도 1에서, 3각형 테이퍼(108)의 상부(108a)는 뾰족한 단부이다. 그러나, 발명은 그것으로 한정되지 않으며, 뾰족한 단부가 더욱 양호한 발광 효율을 가질 수 있지만, 3각형 테이퍼(108)의 상부(108a)는 평평한 표면일 수도 있다. 예를 들어, 사파이어 기판(100)의 표면(104)은 (0001) 표면(즉, 도 1에서 점들이 분포된 표면)을 포함하고, (0001) 표면의 면적은 표면(104)의 투영된 면적의 10-60%이고, 바람직하게는, 10-30%이다. (0001) 표면의 면적이 표면(104)의 투영된 면적의 10%보다 적으면, 그것은 에피택시(epitaxy)에서 어려움을 초래할 수 있지만, (0001) 표면의 면적이 표면(104)의 투영된 면적의 60%보다 많으면, 발광 효율의 이득은 대게는 낮다.
도 2a는 발명의 제 1 실시예에 따른 하나의 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼의 3차원 도면이다. 도 2b는 B-B 라인을 따른 도 2a의 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼의 단면도이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼(200)의 최대 높이(h)는 예를 들어, 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼(200)의 피치에 비례한다. 소위 "최대 높이(maximum height)"는 3각형 테이퍼(202)의 상부와 6각형 테이퍼(204)의 하부까지 사이의 거리를 지칭한다. 본 실시예에서, 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼(200)의 최대 높이는 예를 들어, 1㎛로부터 2㎛까지의 범위를 가지고, 바람직하게는, 1.5㎛로부터 2㎛까지이다. 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼(200)의 최대 높이가 2㎛보다 크면, 그것은 에피택시에서 어려움을 초래할 수 있다. 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼(200)의 3각형 테이퍼(202)의 대칭적인 단면은 제 1 베이스 각도(base angle)(a1) 및 제 2 베이스 각도(a2)를 가지고, 제 2 베이스 각도(a2)는 제 1 베이스 각도(a1)보다 크고, 제 2 베이스 각도(a2)는 예를 들어, 28도 및 32도 사이이다. 6각형 테이퍼(204)의 대칭적인 단면은 제 3 베이스 각도(a3) 및 제 4 베이스 각도(a4)를 가지고, 제 4 베이스 각도(a4)는 제 3 베이스 각도(a3)보다 크고, 제 4 베이스 각도(a4)는 50도 및 70도 사이이고, 바람직하게는, 55도 및 65도 사이이다.
제 1 실시예의 LED 기판을 제조하기 위한 2개의 실험적인 예들이 이하에 제공된다.
도 3a 내지 도 3d는 제 1 실시예의 LED 기판의 제조 흐름을 예시하는 개략적인 도면들이다.
먼저, 사파이어 기판(300)이 제공되고, 그 다음으로, 도 3a에 도시된 것과 같이, 패턴을 갖는 하드 마스크(hard mask)(302)가 사파이어 기판(300) 위에 형성된다. 다음으로, 에칭 저항 능력(etching resistance capability)을 증가시키기 위한 에칭 이후의 처리를 용이하게 하기 위하여, 필요하다면, 기존의 기술을 통해 하드 마스크(302) 및 사파이어 기판(300) 사이의 접착이 증대될 수 있다.
다음으로, 대략 수 분(minute)의 습식 에칭(wet etching) 처리가 수행된다. 에칭 처리 도중에는, 도 3b에 도시된 것과 같이, 먼저, 6각형 테이퍼 어레이의 돌출 패턴들(304)이 사파이어 기판(300)에 형성된다.
하드 마스크(302)가 에칭되어 6각형 테이퍼들(306)을 형성한 후, 에칭 유체는 사파이어 기판(300)을 계속 에칭하여, 도 3c에 도시된 바와 같이, 6각형 테이퍼들(306) 위에 3각형 테이퍼들(308)을 형성한다.
시간이 계속 경과함에 따라, 6각형 테이퍼들(306)이 사라질 때까지 6각형 테이퍼들(306)의 높이가 서서히 감소되므로, 6각형 테이퍼들(306) 및 3각형 테이퍼들(310)로 구성된 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼들이 사파이어 기판(300)에 형성되는 것을 보장하기 위하여, 에칭 정지 시간이 제어된다. 도 3d에서, 6각형 테이퍼(306)의 더 큰 베이스 각도는 58도이므로, 6각형 테이퍼(306)의 결정 표면들은 (
), (
), (
), (
), (
), (
)이고, 3각형 테이퍼(310)의 더 큰 베이스 각도는 31도이므로, 3각형 테이퍼(308)의 결정 표면들은 (
), (
), (
)이다.
또한, 도 3b에 도시된 처리 후에, 도 3e에 도시된 것과 같이, 하드 마스크(302)는 선택적으로 제거될 수 있다. 그 다음으로, 수 분의 또 다른 습식 에칭 처리가 사파이어 기판(300) 상에서 수행되어 그 위에 6각형 테이퍼들(312) 및 3각형 테이퍼들(314)을 형성하고, 3각형 테이퍼(314)의 상부(314a)는 도 3f에 도시된 바와 같이 평면일 수 있다.
상기 처리들은 발명을 한정하기 위해 이용되지 않지만, 발명의 LED 기판을 제조하는 실험적인 예들은 위와 같이 설명되며, 당업자들은 상기 설명들에 따라 기존의 기술들을 통해 발명의 구조를 제조할 수 있다.
도 4는 상기 단계들에 따라 제조된 사파이어 기판의 주사 전자 현미경(SEM) 사진이고, 도 5는 도 4의 LED 기판의 상면 SEM 사진이다. 도 5에 따르면, 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼 위의 6각형 테이퍼 및 3각형 테이퍼 사이의 경계가 명확하게 관찰될 수 있다.
도 6은 발명의 제 2 실시예에 따른 LED의 단면도이다. 도 6에는, (도 1을 참조한) 제 1 실시예의 사파이어 기판(100), 사파이어 기판(100)을 덮도록 적층된 제 1 반도체층(600), 제 1 반도체층(600)을 덮도록 적층된 발광층(602), 발광층(602)을 덮도록 적층된 제 2 반도체층(604), 제 1 반도체층(600)과 접촉하는 제 1 오믹 전극(606), 및 제 2 반도체층(604)과 접촉하는 제 2 오믹 전극(608)이 예시되어 있다. 본 실시예에서, 제 1 반도체층(600), 발광층(602) 및 제 2 반도체층(604)은 Ⅲ-Ⅴ 반도체, 예를 들어, 갈륨 나이트라이드 반도체일 수 있다. 제 1 및 제 2 오믹 전극들(606 및 608)은 각각, Ni, Pb, Co, Fe, Ti, Cu, Rh, Au, Ru, W, Zr, Mo, Ta, Ag, 그 옥사이드들, 및 그 나이트라이들로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 합금 또는 다층막이다. 또한, 제 1 및 제 2 오믹 전극들(606 및 608)의 각각은 Rh, Ir, Ag 및 Al로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 합금 또는 다층막일 수도 있다.
상기 실시예의 LED 기판의 효과를 검증하기 위하여, 상이한 LED 기판들을 이용한 도 6의 LED의 발광 효율들이 시뮬레이션 된다.
시뮬레이션 테스트
먼저, 제 1 반도체층(600)은 n-GaN이고, 발광층(602)은 다중 양자 우물(MQW : multiple quantum well) 구조이고, 제 2 반도체층(604)은 p-GaN이라고 가정한다. 도 7의 통상적인 원뿔들로 구성되는 기판, 도 8의 통상적인 평평한 구조들로 구성되는 기판, 및 (도 9를 참조한) 제 1 실시예의 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼들로 구성되는 기판을 포함하는 LED 기판들의 3개의 타입들이 제공된다. 도 7 및 도 8의 표면 구조들은 모두 건식 에칭(dry etching) 처리를 통해 제조된다.
시뮬레이션 결과에 따르면, 도 7의 발광 효율은 128.2%이고, 도 8의 발광 효율은 130.5%이고, 도 9의 발광 효율은 135.5%이므로, 발광 효율에 관하여, 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼들로 구성되는 기판은 통상적인 평평한 구조들로 구성되는 기판 및 통상적인 원뿔들로 구성되는 기판보다 더욱 양호하다는 것을 알게 된다.
요약하면, 발명의 LED 기판에서는, 복수의 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼들로 구성되는 사파이어 기판은 발광 표면으로서 기능을 하고, 9개의 표면들을 형성하는 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼는 광을 산란시키기 위해 이용될 수 있다. 그러므로, 발명의 LED 기판을 이용한 LED의 발광 효율이 향상된다.
발명의 범위 또는 취지로부터 벗어나지 않으면서 발명의 구조에 대해 다양한 변경예들 및 변형예들이 행해질 수 있다는 것은 당업자들에게 명백할 것이다. 전술한 바를 고려하면, 본 발명의 변경예들 및 변형예들이 다음의 청구항들 및 그 등가물들의 범위 내에 속할 경우, 발명은 본 발명의 변경예들 및 변형예들을 포괄한다는 점이 의도되고 있다.
100 : 사파이어 기판
102 : 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼
104 : 표면
106 : 6각형 테이퍼
108 : 3각형 테이퍼
108a : 상부
102 : 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼
104 : 표면
106 : 6각형 테이퍼
108 : 3각형 테이퍼
108a : 상부
Claims (22)
- 복수의 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼(taper)들로 구성되는 표면을 갖는 사파이어 기판을 포함하고,
상기 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼들의 각각은 6각형 테이퍼 및 상기 6각형 테이퍼 위의 3각형 테이퍼로 구성되고, 상기 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼들의 피치는 10㎛ 미만인, 발광 다이오드(LED) 기판. - 청구항 1에 있어서,
상기 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼들의 피치(pitch)는 1㎛로부터 4㎛까지의 범위를 가지는, 발광 다이오드(LED) 기판. - 청구항 1에 있어서,
상기 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼들의 각각의 최대 높이는 1㎛로부터 2㎛까지의 범위를 가지는, 발광 다이오드(LED) 기판. - 청구항 3에 있어서,
상기 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼들의 각각의 최대 높이는 1.5㎛로부터 2㎛까지의 범위를 가지는, 발광 다이오드(LED) 기판. - 청구항 1에 있어서,
상기 3각형 테이퍼의 상부는 평면(plane) 또는 뾰족한 단부(pointed end)인, 발광 다이오드(LED) 기판. - 청구항 1에 있어서,
상기 3각형 테이퍼의 대칭적인 단면은 제 1 베이스 각도(base angle) 및 제 2 베이스 각도를 가지고, 상기 제 2 베이스 각도는 상기 제 1 베이스 각도보다 크고, 상기 제 2 베이스 각도는 28도 및 32도 사이인, 발광 다이오드(LED) 기판. - 청구항 1에 있어서,
상기 6각형 테이퍼의 대칭적인 단면은 제 3 베이스 각도 및 제 4 베이스 각도를 가지고, 상기 제 4 베이스 각도는 상기 제 3 베이스 각도보다 크고, 상기 제 4 베이스 각도는 50도 및 70도 사이인, 발광 다이오드(LED) 기판. - 청구항 1에 있어서,
상기 표면은 (0001) 표면을 포함하고, 상기 (0001) 표면의 면적은 상기 표면의 투영된 면적의 10-60%인, 발광 다이오드(LED) 기판. - 청구항 8에 있어서,
상기 표면은 상기 (0001) 표면을 포함하고, 상기 (0001) 표면의 면적은 상기 표면의 상기 투영된 면적의 10-30%인, 발광 다이오드(LED) 기판. - 복수의 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼들로 구성되는 표면을 갖는 사파이어 기판으로서, 상기 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼들의 각각은 6각형 테이퍼 및 상기 6각형 테이퍼 위의 3각형 테이퍼로 구성되고, 상기 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼들의 피치는 10㎛ 미만인, 상기 사파이어 기판;
상기 사파이어 기판을 덮도록 적층된 제 1 반도체층;
상기 제 1 반도체층을 덮도록 적층된 발광층;
상기 발광층을 덮도록 적층된 제 2 반도체층;
상기 제 1 반도체층과 접촉하는 제 1 오믹 전극(ohmic electrode); 및
상기 제 2 반도체층과 접촉하는 제 2 오믹 전극을 포함하는, 발광 다이오드(LED). - 청구항 10에 있어서,
상기 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼들의 피치는 1㎛로부터 4㎛까지의 범위를 가지는, 발광 다이오드(LED). - 청구항 10에 있어서,
상기 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼들의 각각의 최대 높이는 1㎛로부터 2㎛까지의 범위를 가지는, 발광 다이오드(LED). - 청구항 12에 있어서,
상기 상부 3각형 및 하부 6각형 테이퍼들의 각각의 최대 높이는 1.5㎛로부터 2㎛까지의 범위를 가지는, 발광 다이오드(LED). - 청구항 10에 있어서,
상기 3각형 테이퍼의 상부는 평면 또는 뾰족한 단부인, 발광 다이오드(LED). - 청구항 10에 있어서,
상기 3각형 테이퍼의 대칭적인 단면은 제 1 베이스 각도 및 제 2 베이스 각도를 가지고, 상기 제 2 베이스 각도는 상기 제 1 베이스 각도보다 크고, 상기 제 2 베이스 각도는 28도 및 32도 사이인, 발광 다이오드(LED). - 청구항 10에 있어서,
상기 6각형 테이퍼의 대칭적인 단면은 제 3 베이스 각도 및 제 4 베이스 각도를 가지고, 상기 제 4 베이스 각도는 상기 제 3 베이스 각도보다 크고, 상기 제 4 베이스 각도는 50도 및 70도 사이인, 발광 다이오드(LED). - 청구항 10에 있어서,
상기 표면은 (0001) 표면을 포함하고, 상기 (0001) 표면의 면적은 상기 표면의 투영된 면적의 10-60%인, 발광 다이오드(LED). - 청구항 17에 있어서,
상기 표면은 상기 (0001) 표면을 포함하고, 상기 (0001) 표면의 면적은 상기 표면의 투영된 면적의 10-30%인, 발광 다이오드(LED). - 청구항 10에 있어서,
상기 제 1 반도체층, 상기 발광층 및 상기 제 2 반도체층은 Ⅲ-Ⅴ 반도체를 포함하는, 발광 다이오드(LED). - 청구항 19에 있어서,
상기 Ⅲ-Ⅴ 반도체는 갈륨 나이트라이드 반도체(gallium nitride semiconductor)인, 발광 다이오드(LED). - 청구항 10에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 오믹 전극들은 각각, Ni, Pb, Co, Fe, Ti, Cu, Rh, Au, Ru, W, Zr, Mo, Ta, Ag, 그 옥사이드들, 및 그 나이트라이드들로 구성되는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 합금 또는 다층막인, 발광 다이오드(LED). - 청구항 10에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 오믹 전극들은 각각, Rh, Ir, Ag 및 Al로 구성되는 그룹으로부터 선택된 합금 또는 다층막인, 발광 다이오드(LED).
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW100117040A TWI429030B (zh) | 2011-05-16 | 2011-05-16 | 發光二極體基板與發光二極體 |
| TW100117040 | 2011-05-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120128068A true KR20120128068A (ko) | 2012-11-26 |
| KR101242467B1 KR101242467B1 (ko) | 2013-03-12 |
Family
ID=47174278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110051236A KR101242467B1 (ko) | 2011-05-16 | 2011-05-30 | Ｌｅｄ 기판 및 ｌｅｄ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120292630A1 (ko) |
| JP (1) | JP5626800B2 (ko) |
| KR (1) | KR101242467B1 (ko) |
| TW (1) | TWI429030B (ko) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0752060A (ja) * | 1993-08-13 | 1995-02-28 | Matsushita Electric Works Ltd | インパクトレンチ |
| KR20130035658A (ko) * | 2011-09-30 | 2013-04-09 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 다이오드 소자용 기판 제조 방법 |
| US9891100B2 (en) * | 2013-10-10 | 2018-02-13 | Apple, Inc. | Electronic device having light sensor package with diffuser for reduced light sensor directionality |
| CN104752190B (zh) * | 2013-12-26 | 2018-05-25 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 基片刻蚀方法 |
| JP6248786B2 (ja) | 2014-04-25 | 2017-12-20 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子およびその製造方法 |
| JP6194515B2 (ja) * | 2014-06-30 | 2017-09-13 | 豊田合成株式会社 | サファイア基板の製造方法およびｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| CN104409596B (zh) * | 2014-11-28 | 2017-06-20 | 华南理工大学 | 一种塔状图案的图形化led衬底及led芯片 |
| CN205069670U (zh) * | 2014-12-19 | 2016-03-02 | 固美实国际股份有限公司 | 图案化发光二极管基板 |
| TWI605616B (zh) * | 2015-08-12 | 2017-11-11 | 固美實國際股份有限公司 | 用於發光二極體的圖案化基板 |
| US9812322B2 (en) * | 2015-08-26 | 2017-11-07 | Epileds Technologies, Inc. | Sapphire substrate with patterned structure |
| JP6443524B2 (ja) * | 2017-11-22 | 2018-12-26 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子およびその製造方法 |
| CN108091738A (zh) * | 2017-12-14 | 2018-05-29 | 苏州亿拓光电科技有限公司 | 堆叠式图形化的led衬底 |
| JP6683237B2 (ja) * | 2018-11-28 | 2020-04-15 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
| CN115775855B (zh) * | 2021-09-06 | 2023-11-17 | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 | 图形化复合衬底及发光元件 |
| CN115148874B (zh) * | 2022-09-02 | 2022-11-18 | 元旭半导体科技股份有限公司 | 一种图形化衬底结构的制备方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1292493C (zh) * | 1999-12-03 | 2006-12-27 | 美商克立股份有限公司 | 藉由内部及外部光学组件之使用而加强发光二极管中的光放出 |
| JP2003309285A (ja) * | 2002-04-16 | 2003-10-31 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。 |
| EP3166152B1 (en) * | 2003-08-19 | 2020-04-15 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting diode and method of manufacturing its substrate |
| KR100825137B1 (ko) * | 2006-07-11 | 2008-04-24 | 전북대학교산학협력단 | 반도체 구조물, 이의 제조 방법 및 반도체 발광 다이오드 |
| JP5082752B2 (ja) * | 2006-12-21 | 2012-11-28 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子用基板の製造方法及びそれを用いた半導体発光素子 |
| KR101509834B1 (ko) * | 2007-08-03 | 2015-04-14 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| KR20090073946A (ko) * | 2007-12-31 | 2009-07-03 | 주식회사 에피밸리 | 3족 질화물 반도체 발광소자 |
| JP5196160B2 (ja) * | 2008-10-17 | 2013-05-15 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
| EP3352229A1 (en) * | 2010-06-28 | 2018-07-25 | Nichia Corporation | Sapphire substrate and nitride semiconductor light emitting device |
-
2011
- 2011-05-16 TW TW100117040A patent/TWI429030B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-05-25 JP JP2011117328A patent/JP5626800B2/ja active Active
- 2011-05-30 KR KR1020110051236A patent/KR101242467B1/ko active IP Right Grant
- 2011-06-07 US US13/154,445 patent/US20120292630A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI429030B (zh) | 2014-03-01 |
| TW201248792A (en) | 2012-12-01 |
| US20120292630A1 (en) | 2012-11-22 |
| JP5626800B2 (ja) | 2014-11-19 |
| KR101242467B1 (ko) | 2013-03-12 |
| JP2012244138A (ja) | 2012-12-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160218 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170220 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180219 Year of fee payment: 6 |