JP2005035864A5 - 半導体装置 - Google Patents
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- 基体と枠体とで構成される基板の枠体の内側に発光素子が搭載される半導体装置であって、前記基体はセラミック材料を主成分とする焼結体からなり枠体は金属、合金、ガラス及び樹脂から選ばれた少なくともいずれかを主成分とするものであることを特徴とする半導体装置。
- 前記枠体は、反射率が１５％以上のものであることを特徴とする請求項１に記載された半導体装置。
- 前記枠体は、光透過率が３０％以上のものであることを特徴とする請求項１に記載された半導体装置。
- セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板に発光素子が搭載された半導体装置であって、前記焼結体は着色したものであることを特徴とする半導体装置。
- セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板に発光素子が搭載された半導体装置であって、前記焼結体は光透過率が５０％以下であることを特徴とする半導体装置。
- セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板に発光素子が搭載された半導体装置であって、前記焼結体は光透過率が１％以上であることを特徴とする半導体装置。
- 前記セラミック材料を主成分とする焼結体は、反射防止部材を有するものであることを特徴とする請求項１、４、５、又は６に記載されたいずれかの半導体装置。
- 前記セラミック材料を主成分とする焼結体は、反射部材を有するものであることを特徴とする請求項１、４、５、又は６に記載されたいずれかの半導体装置。
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