JP2001257410A - 電子部品 - Google Patents

電子部品

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JP2001257410A
JP2001257410A JP2000064841A JP2000064841A JP2001257410A JP 2001257410 A JP2001257410 A JP 2001257410A JP 2000064841 A JP2000064841 A JP 2000064841A JP 2000064841 A JP2000064841 A JP 2000064841A JP 2001257410 A JP2001257410 A JP 2001257410A
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resin
frame
electronic component
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JP2000064841A
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Yoji Kobayashi
洋二 小林
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 気密パッケージの気密信頼性が低く、かつ、
気密パッケージ内部の乱反射光の強度が強いためにフィ
ルタ素子を追加する必要がある。 【解決手段】 上面に光デバイス２の搭載部１ａを有す
る基体１と、この搭載部１ａに搭載された光デバイス２
と、基体１の上面に搭載部１ａを取り囲むように接合さ
れた樹脂枠体３と、この樹脂枠体３に封止材８により接
合され、搭載部１ａに搭載された光デバイス２を封止す
る、光透過率が650±20ｎｍおよび／または780±20ｎｍ
の波長領域において98％以上の透光性蓋体４とから成
り、樹脂枠体３の搭載部側表面７の０°の光反射率が65
0±20ｎｍおよび／または780±20ｎｍの波長領域におい
て10％以下である電子部品である。気密信頼性が高く、
フィルタ素子の不要な小型の電子部品を提供することが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光デバイス、すなわ
ち半導体レーザ素子やフォトダイオード、ＣＣＤセン
サ、ＣＭＯＳセンサ等の半導体素子を搭載した電子部品
に関するもので、好適には使用される光信号の波長が65
0±20ｎｍや780±20ｎｍのＣＤ−ＲＯＭやＣＤ−ＲＡＭ
・ＤＶＤ−ＲＯＭ・ＤＶＤ−ＲＡＭ・ＭＤ・ＬＤ等の光
ピックアップに適用される電子部品に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体レーザ素子やフォトダ
イオード等に代表される光デバイスを搭載する電子部品
は、例えば半導体素子と、半導体素子が搭載される基体
や基体に接合される金属枠体、金属枠体に封止された透
光性蓋体等から構成される気密パッケージとから成って
いる。また、気密パッケージに使用される透光性蓋体に
は、光信号の損失を少なくして良好な送受信を行なうた
めに、光透過率が98％以上の透光性蓋体が使用されてお
り、この透光性蓋体の光透過率を98％以上とするため
に、透光性板材の両面に反射防止膜を被着させている。
【０００３】このような透光性蓋体と金属枠体との封止
は、一般的には、低融点ガラスを用いる方法が行われて
いる。この方法では、まず、金属枠体の表面全体あるい
は少なくとも透光性蓋体との封止部に酸化膜を被着させ
た後、この封止部に低融点ガラスを塗布するとともに低
融点ガラス上に所定形状の透光性蓋体を載置し、しかる
後、300℃以上の高温に加熱して低融点ガラスを溶融さ
せることにより封止している。また、金属枠体に透光性
蓋体を封止した後に、金属枠体の表面に、防錆のための
めっき処理を施すことが一般に行われている。
【０００４】なお、金属枠体の透光性蓋体との封止部に
あらかじめ酸化膜を被着させるのは、金属枠体とガラス
との密着性を良好とするためであり、金属枠体に低融点
ガラスを塗布し加熱したのみでは金属枠体とガラスとの
密着性が悪く、良好な封止ができないためである。さら
に、透光性蓋体と金属枠体とを封止した後にめっき処理
を行なう理由は、低融点ガラスを金属枠体に接合させる
ために、金属枠体表面に酸化膜を被着させておく必要が
あり、あらかじめめっき処理を行なうことができないと
いうことと、透光性蓋体を低融点ガラスで封止する際の
300℃以上の高温によるめっきの変色・変質等の影響を
避けることによるものである。
【０００５】しかしながら、上記のような金属枠体に透
光性蓋体を封止した後にめっき処理を行なう方法では、
透光性蓋体がめっき液や洗浄液などに晒されることにな
り、透光性蓋体に汚れが付着して光の透光性の低下を招
来したり、透光性蓋体に異物が付着して不良品となって
しまう等の問題点を有していた。
【０００６】また、透光性蓋体を低融点ガラスを用いて
金属枠体へ封止する際の300℃以上の高温によって、透
光性蓋体の反射防止膜の特性が劣化して、その結果、透
光性蓋体の光透過率を低下させてしまうという問題点も
有していた。
【０００７】さらに、金属枠体と透光性蓋体とを低融点
ガラスにより封止する場合、300℃以上の高温で封止す
ることから、金属枠体と透光性蓋体の熱膨張係数をマッ
チングさせる必要があり、金属枠体としては一般的な透
光性部材の熱膨張係数に近い素材を使用しなければなら
ないという制約があり、また、透光性部材についても金
属枠体材料の熱膨張係数に近い材料を選択する必要があ
るという問題点を有していた。
【０００８】さらにまた、金属枠体をめっき処理してい
ることから、枠体内部表面での光信号の乱反射光の強度
が強く、この乱反射光がノイズとして光デバイスの送受
信信号に影響を与えてしまうという欠点も有していた。
【０００９】このような透光性蓋体の汚れ・異物付着や
透光性蓋体の反射防止膜の特性変化、透光性蓋体と金属
枠体との熱膨張係数のマッチング等の問題点を解決する
ために、特許第2828283号では金属枠体と透光性蓋体と
の封止材として、低融点ガラスの代わりに加熱処理の不
要な常温硬化型の樹脂系接着剤を用いることが提案され
ている。
【００１０】封止材として、この加熱処理の不要な常温
硬化型の樹脂系接着剤を用いることにより、防錆のため
の金属枠体のめっき処理を金属枠体単独で行なうことが
できるため、めっき処理による透光性蓋体の汚れ・異物
付着を防止することができ、また、常温で透光性蓋体を
金属枠体に接合できることにより、透光性蓋体の反射防
止膜の特性劣化による光透過率の低下を防止することが
でき、さらに、透光性蓋体と金属枠体との熱膨張係数の
マッチングを考慮する必要がないというものである。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の電子部品では依然として気密パッケージに
金属枠体が使用され、防錆のためのめっきが施されてい
るために、気密パッケージ内部の枠体表面の乱反射光の
強度が強く、この乱反射光がノイズとして光デバイスの
送受信信号に影響を与えてしまい、特に、枠体表面の乱
反射光の強度と送受信される光信号の強度との差が小さ
なものとなった場合には、光デバイスが乱反射光を送受
信の信号と誤認識してしまい、正常な信号の送受信がで
きなくなってしまうという問題点を有していた。
【００１２】また、乱反射光の強度と送受信される光信
号の強度との差を大きくして、光信号の良好な送受信を
行なうために、乱反射光によるノイズを電気的に除去す
るフィルタ素子を気密パッケージ内部に組み込むことも
必要となり、その結果、コスト高となるとともにパッケ
ージサイズが大きくなってしまうという欠点を有してい
た。
【００１３】さらに、近年、ＣＤやＤＶＤ等の電子機器
もますます小型化が要求されるようになってきており、
これに搭載される電子部品も小型化が要求され、気密パ
ッケージに搭載される光デバイスとパッケージの枠体と
の距離が近いものとなってきており、その結果、乱反射
光の強度が強くなりノイズが増大して電子機器に誤動作
等の影響を与えてしまうという問題点を有していた。
【００１４】さらにまた、封止材として上記のような加
熱処理の不要な常温硬化型の樹脂系接着剤を用いて封止
を行なった場合、例えば、耐湿性テスト等の高温高湿環
境下では水分が常温硬化型の樹脂系接着剤を通過して気
密パッケージ内部へ侵入して透光性蓋体を曇らせてしま
い、その結果、透光性蓋体の光透過率を低下させてしま
うという問題点も有していた。
【００１５】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
案出されたものであり、その目的は、パッケージ内部の
乱反射光の強度を低減して、フィルタ素子の不要な小型
の電子部品を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の電子部品は、上
面に光デバイスの搭載部を有する基体と、搭載部に搭載
された光デバイスと、基体の上面に搭載部を取り囲むよ
うに接合された樹脂枠体と、この樹脂枠体に封止材によ
り接合され、搭載部に搭載された光デバイスを封止す
る、光透過率が650±20ｎｍおよび／または780±20ｎｍ
の波長領域において98％以上の透光性蓋体とから成る電
子部品であって、樹脂枠体の搭載部側表面の０°の光反
射率が650±20ｎｍおよび／または780±20ｎｍの波長領
域において10％以下であることを特徴とするものであ
る。
【００１７】また、本発明の電子部品は、樹脂枠体の搭
載部側表面の10点平均粗さＲｚが３〜30μｍであること
を特徴とするものである。
【００１８】さらに、本発明の電子部品は、封止材が、
エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂であることを
特徴とするものである。
【００１９】本発明の電子部品によれば、650±20ｎｍ
および／または780±20ｎｍの波長領域において光透過
率が98％以上の透光性蓋体を使用して送受信される光信
号の損失を少なくしてその強度を強めるとともに、樹脂
枠体の光デバイス搭載部側表面の０°の光反射率を10％
以下として乱反射光の強度を弱め、送受信される光信号
の強度と乱反射光の強度との差を十分大きなものとした
ことから、光信号の良好な送受信を行なうことができる
とともに乱反射光によるノイズを電気的に除去するフィ
ルタ素子が不要となり、その結果、コストを低減しパッ
ケージサイズを小さなものとすることができる。
【００２０】また、本発明の電子部品によれば、封止材
を、緻密な３次元網目構造を有し耐湿性や接合強度に優
れるエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂としたこ
とから、気密耐湿性の良好な電子部品とすることができ
る。
【００２１】
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付の図面に基づ
き詳細に説明する。
【００２２】図１は、本発明の電子部品の実施の形態の
一例を示す断面図であり、１は基体、２は光デバイス、
３は樹脂枠体、４は透光性蓋体であり、主にこれらで本
発明の電子部品が構成される。
【００２３】基体１は、その上面中央部に光デバイス２
を搭載するための搭載部１ａが設けてあり、この搭載部
１ａには光デバイス２が搭載される。また、搭載部１ａ
に熱を放散するヒートシンクを立設し、ヒートシンクに
光デバイス２を接合させてもよい。
【００２４】このような基体１は、軟鉄や銅・アルミニ
ウム等の金属材料や、窒化アルミニウムや炭化珪素・酸
化アルミニウム等のセラミック材料から成り、放熱性の
観点からは金属材料が好ましく、光デバイス２の材料と
して主として用いられるシリコンやガリウム−砒素等と
熱膨張係数が近似し、かつ材料コストの安価な軟鉄が好
まれる。また、基体１がリードレスタイプの場合には、
光デバイス２の各電極を外部電気回路に接続する配線導
体層の形成を容易にかつ精度良くでき、絶縁性に優れた
セラミック材料が好まれ、特に、放熱性の観点からは窒
化アルミニウムが好まれる。
【００２５】基体１は、例えば酸化アルミニウム質焼結
体から成る場合であれば、酸化アルミニウム・酸化珪素
・酸化カルシウム・酸化マグネシウム等の原料粉末に適
当なバインダー・溶剤を添加混合して泥漿状となすとと
もにこれを従来周知のドクターブレード法等を採用して
シート状となすことによって複数枚のセラミックグリー
ンシートを得、しかる後、これらのセラミックグリーン
シートの各々に適当な打ち抜き加工を施すとともにこれ
らを上下に積層し、約1600℃の温度で焼成することによ
って製作される。
【００２６】また、基体１には、搭載部１ａ近傍から側
面を介して下面に導出する複数のメタライズ配線導体５
が被着形成されている。メタライズ配線導体５は、搭載
部１ａに搭載される光デバイス２の各電極を外部の電気
回路に電気的に接続するための導電路として機能し、そ
の搭載部１ａ近傍の部位には光デバイス２の各電極がボ
ンディングワイヤ等の導電性接合部材６を介して電気的
に接続され、また基体１の下面に導出した部位は半田等
の電気的接続手段を介して外部電気回路に接続される。
【００２７】このようなメタライズ配線導体５は、タン
グステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズ
から成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機バイ
ンダ・溶剤を添加混合して得た金属ペーストを基体１と
なるセラミックグリーンシートにスクリーン印刷法によ
り所定パターンに印刷塗布し、これを基体１となるセラ
ミックグリーンシート積層体とともに焼成することによ
って基体１の搭載部１ａ近傍から側面を介して下面に導
出するように被着形成される。
【００２８】なお、メタライズ配線導体５の表面には、
メタライズ配線導体５が酸化腐食するのを有効に防止す
るとともにメタライズ配線導体５と導電性接合部材６お
よび半田等の電気的接続手段との接続性を良好なものと
するために、通常であれば、厚みが１〜10μｍ程度のニ
ッケルめっき層および厚みが0.1〜3.0μｍ程度の金めっ
き層が従来周知の電解めっき法や無電解めっき法により
順次被着されている。
【００２９】この基体１の上面外周部には、開口３ａを
有する略四角形状の樹脂枠体３が接合されている。樹脂
枠体３は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）・ポリフェニ
レンサルファイド（ＰＰＳ）等のエンジニアリングプラ
スチックやエポキシ樹脂等の樹脂材料から成り、基体１
の上面外周部にエポキシ樹脂等の熱硬化性接着剤や後述
する封止材８と同様の組成の樹脂により接合されること
によって、その内周面と基体１上面とで光デバイス２を
収容するための凹部を形成している。
【００３０】樹脂枠体３としては、基体１と枠体３とを
接合する熱硬化性接着剤を硬化する際に加わる120〜180
℃程度の温度、あるいは電子部品を外部電気回路に実装
する際のリフロー工程で加わる230〜260℃程度の温度に
より形状変化しないエポキシ樹脂が好ましい。また、樹
脂枠体３は、インジェクション成形法やトランスファモ
ールド成形法で製作され、成形時間が短く、成形金型の
製作が容易であるという観点からは、インジェクション
成形法で製作されるのが好ましい。
【００３１】このようなエポキシ樹脂としては、フェノ
ールノボラック型エポキシ樹脂やオルソクレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂・ナフタレン型エポキシ樹脂・ジ
シクロペンタジエン型エポキシ樹脂・トリグリシジルイ
ソシアヌレート・脂環式エポキシ樹脂・ビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂・ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂・
ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂・ビフェノール型エポ
キシ樹脂等が用いられ、２種類以上のエポキシ樹脂を混
合して用いてもよく、さらに、硬化剤・フィラ等を添加
してもよい。
【００３２】さらに、樹脂枠体３の開口３ａ内の搭載部
１ａに光デバイス２を半田やろう材・樹脂・ガラス等の
接着剤を介して接着固定するとともに、光デバイス２の
各電極をメタライズ配線導体５にボンディングワイヤ等
の導電性接合部材６を介して電気的に接続し、しかる
後、透光性蓋体４を樹脂枠体３の上面に封止材８を介し
て接合し、透光性蓋体４で凹部内を気密に封止すること
によって光デバイス２が気密パッケージ内に封止され
る。
【００３３】本発明においては、透光性蓋体４の光透過
率が650±20ｎｍおよび／または780±20ｎｍの波長領域
において98％以上であり、樹脂枠体３の搭載部側表面７
の０°の光反射率が650±20ｎｍおよび／または780±20
ｎｍの波長領域において10％以下であることが重要であ
る。なお、ここで０°の光反射率とは、ある面に対して
垂直に光を当てたときに、当てた光の量に対して垂直に
反射した光の量の割合である。
【００３４】650±20ｎｍおよび／または780±20ｎｍの
波長領域において、透光性蓋体４の光透過率を98％以上
とするとともに樹脂枠体３の搭載部側表面７の０°の光
反射率を10％未満とすることにより、送受信される光信
号の強度と枠体表面の乱反射光の強度との差を大きなも
のとすることができ、光デバイスが乱反射光を送受信の
信号と誤認識してしまうことはなく、正常な信号の送受
信が可能と成る。その結果、気密パッケージ内に電気的
にノイズを除去するフィルタを組み込むことが不要とな
り、気密パッケージを小型化することが可能となる。
【００３５】なお、650±20ｎｍおよび／または780±20
ｎｍの波長領域において、透光性蓋体４の光透過率が98
％未満および／または枠体３の搭載部側表面７の０°の
光反射率が10％以上であると、送受信される光信号の強
度と枠体３表面の乱反射光の強度との差が小さなものと
なってしまい、光デバイスが乱反射光を送受信の信号と
誤認識してしまい、正常な信号の送受信ができなくなっ
てしまう傾向がある。したがって、650±20ｎｍおよび
／または780±20ｎｍの波長領域において、透光性蓋体
４の光透過率を98％以上とし、枠体３の搭載部側表面７
の０°の光反射率を10％未満とすることが好ましい。
【００３６】透光性蓋体４は、例えば石英やホウ珪酸ガ
ラス等の透光性板材の両面に反射防止膜の役割を果たす
酸化物被膜が形成されている。光透過率を650±20ｎｍ
および／または780±20ｎｍの波長領域において98％以
上とするには、酸化物皮膜をチタンまたは珪素の酸化物
層で構成し、その厚みを0.1〜0.8μｍとすればよい。酸
化物皮膜の厚みが、0.1μｍ未満であると反射防止の効
果が不十分となる傾向があり、また0.8μｍを超えると
光透過率が低下する傾向にある。したがって、酸化物皮
膜の厚みは0.1〜0.8μｍであることが好ましい。酸化物
皮膜は石英やホウ珪素ガラス等の透光性板材に、１〜10
層のチタン酸化物または珪素酸化物を含む層を蒸着法等
の薄膜形成法を用いて被着させることにより形成され
る。チタン酸化物または珪素酸化物を含む層が10層を超
えると、酸化物皮膜が0.8μｍよりも厚いものとなって
しまう傾向がある。
【００３７】このような透光性蓋体４は、例えばホウ珪
酸ガラスの板材を任意の厚み・寸法に切断し表面研磨を
行い、その後、板材の表面に蒸着法によりチタン酸化物
や珪素酸化物を含む酸化物被膜を形成し、さらに、この
板材をスライシング・ダイシング等の切断方法により樹
脂枠体３の開口部３ａより大きめに切断することによっ
て製作される。
【００３８】また、樹脂枠体３の搭載部側表面７の０°
の光反射率を650±20ｎｍおよび／または780±20ｎｍの
波長領域において10％以下とするためには、搭載部側表
面７の10点平均表面粗さＲｚを３〜30μｍとすればよ
い。Ｒｚが３μｍ未満であると、光反射率が10％を超え
る傾向があり、また、30μｍより大きいと、後述する搭
載部側表面７の粗面の形成に時間を要するものとなって
しまうとともに金型との離型性を悪化させてしまう傾向
がある。したがって、搭載部側表面７の10点平均表面粗
さＲｚを３〜30μｍとすることが好ましい。
【００３９】なお、搭載部側表面７の10点平均表面粗さ
Ｒｚを３〜30μｍとするためには、樹脂成形用金型の樹
脂枠体３の搭載部側表面７と対応する面を、あらかじめ
従来周知の放電加工法等により、成形後の樹脂枠体３の
搭載部側表面７のＲｚが３〜30μｍとなるように梨地加
工しておけばよい。また、樹脂枠体３を成形後、搭載部
側表面７をブラスト処理によりＲｚが３〜30μｍとなる
ように梨地加工してもよい。
【００４０】そして、樹脂枠体３の透光性蓋体４との接
合部に封止材８をスクリーン印刷あるいはディスペンサ
ーにより塗布した後、透光性蓋体４を枠体３の接合部に
載置し、150℃のオーブン中で30〜90分間樹脂を加熱・
硬化することによって透光性蓋体４に枠体３が接合固定
される。
【００４１】樹脂枠体３と透光性蓋体４とを接合する封
止材８は、耐湿性あるいは接合強度の観点から緻密な３
次元網目構造を有するエポキシ樹脂を主成分とする熱硬
化性樹脂が好ましく、フェノールノボラック型エポキシ
樹脂やオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂・ナ
フタレン型エポキシ樹脂・ジシクロペンタジエン型エポ
キシ樹脂・トリグリシジルイソシアヌレート・脂環式エ
ポキシ樹脂・ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂・ビスフ
ェノールＦ型エポキシ樹脂・ビスフェノールＳ型エポキ
シ樹脂・ビフェノール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂
にアミン系硬化剤やイミダゾール系硬化剤・酸無水物硬
化剤等の硬化剤を添加したもの50重量％以上含有する樹
脂接着剤で形成されている。
【００４２】このような樹脂接着剤から成る封止材８
は、その内部に平均粒径 0.1〜５μｍの天然ゴム・シリ
コンゴム・フッ素ゴム・ウレタン・ポリスチレン等から
成る軟質粒子や、ブチルアクリレート・架橋ポリメチル
メタアクリレート・エチルアクリレート・ウレタンアク
リレート等から成るアクリル系ゴムをエポキシ樹脂の全
量に対し、外添加で１〜60重量％含有させておくと、封
止材８の可撓性がより高いものとなって透光性枠蓋体４
と樹脂枠体３との間に発生する熱応力をより効果的に吸
収することができ、これによって透光性枠蓋体４と樹脂
枠体３との接合をより強固とすることができる。したが
って、透光性枠蓋体４と樹脂枠体３とを接合させるエポ
キシ樹脂を50重量％以上含有する樹脂接着剤から成る封
止材８は、その内部に平均粒径0.1〜５μｍの天然ゴム
・シリコンゴム・フッ素ゴム・ウレタン・ポリスチレン
等から成る軟質粒子や、ブチルアクリレート・架橋ポリ
メチルメタアクリレート・エチルアクリレート・ウレタ
ンアクリレート等から成るアクリル系ゴムをエポキシ樹
脂の全量に対し、外添加で１〜60重量％含有させておく
ことが好ましい。
【００４３】軟質粒子やアクリル系ゴムの平均粒径が0.
1μｍ未満であると封止材８の可撓性が低くなって所望
の可撓性が得られなくなる傾向がある。他方、平均粒径
が５μｍを超えると、封止材８中で軟質粒子やアクリル
系ゴムを均一に分散させることが困難となり、封止材８
の流動性が悪くなって透光性蓋体４と樹脂枠体３との良
好な接合ができなくなる傾向がある。したがって、エポ
キシ樹脂を50重量％以上含有する樹脂接着剤から成る封
止材８に軟質粒子やアクリル系ゴムを含有させる場合、
軟質粒子やアクリル系ゴムの平均粒径は0.1〜５μｍの
範囲としておくことが好ましい。
【００４４】かくして、本発明の電子部品によれば、基
体１の搭載部１ａに光デバイス２を搭載して基体１と樹
脂枠体３とを接合するとともに、樹脂枠体３に透光性蓋
体４を封止材８で接合することにより、気密パッケージ
の気密信頼性が高く、かつ、気密パッケージ内部の乱反
射光の強度を低減して、フィルタ素子の不要な小型の電
子部品を提供することができる。
【００４５】なお、本発明は、上述の実施の形態の一例
に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない
範囲であれば種々の変更は可能である。例えば、図２に
断面図で示すように、樹脂枠体３の上部を開口３ａ側に
突出させて、その突出部９の搭載部１ａ側に透光性蓋体
４を接合させてもよい。また、図３に断面図で示すよう
に、枠体３は側面に開口３ａを有していてもよい。さら
に、搭載部１ａにヒートシンク10を立設し、ヒートシン
ク10に光デバイス２を被着させてもよい。さらにまた、
図４に示すように基体１を金属材料で形成し、金属ピン
11で光デバイス２の各電極と外部の電気回路とを電気的
に接続させてもよい。また、樹脂枠体３の形状は、略四
角状の他、円形・多角形等の他の形状でもよい。
【００４６】
【実施例】次に、本発明の電子部品を以下に説明する方
法により評価した。
【００４７】まず、本発明および比較例の試料の、枠体
３と透光性蓋体４との接合強度を測定した。インジェク
ション成形法により成形したオルソクレゾールノボラッ
クエポキシ樹脂性の樹脂枠体３と反射防止膜を被着させ
た2.0ｍｍ角のホウ珪酸ガラス板を板材とする透光性蓋
体４とを、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を主成分と
する本発明の封止材８および比較例として２液性常温硬
化樹脂を用いて接合して、その剪断強度を測定した。こ
の試験結果を表１に示す。
【００４８】
【表１】
【００４９】表１に示すように、比較例の剪断強度が0.
5〜2.0×10７Ｐａに対して、ビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂を主成分とする本発明の封止材８を使用した場合
の剪断強度は４×10７Ｐａ以上と良好な剪断強度を示
し、樹脂枠体３と透光性蓋体４との密着性が良好である
ことがわかる。
【００５０】次に、耐湿性試験を行なった。本発明の電
子部品は、アルミナ製多層積層基板を用いて製作した基
体１と、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂をイ
ンジェクション成形法で製作した樹脂枠体３と、ホウ珪
酸ガラスにチタンと珪素の酸化物被膜を被着させた透光
性蓋体４とを用いて製作した。なお、枠体３の搭載部側
表面７の10点平均表面粗さＲｚは、樹脂枠体３製作用の
インジェクション金型の搭載部側表面７に対応する面を
放電加工によりＲｚが５〜７μｍとなるように梨地処理
を行なった。また、透光性蓋体４の光透過率は、650±2
0ｎｍの波長領域において光透過率は99％以上であっ
た。
【００５１】まず、アルミナ製多層積層基板に必要なメ
タライズ配線導体５を被着形成して基体１を製作し、こ
の基体１の上面外周部に樹脂枠体３をビスフェノールＡ
型エポキシ樹脂を用いて接合した。さらに、基体１の搭
載部１ａに光デバイス２を接着剤を介して接着固定する
とともに、光デバイス２の各電極をメタライズ配線導体
５にボンディングワイヤを介して電気的に接続し、しか
る後、樹脂枠体３の上面にビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂を主成分とする本発明の封止材８を印刷・塗布した
後、透光性蓋体４を載置して、これらを150℃のオーブ
ン中で30〜90分間を加熱・硬化して接合することによ
り、透光性蓋体４で凹部内を気密に封止した。比較例
は、上記の本発明の実施例と同じ樹脂枠体３と透光性蓋
体４とをあらかじめ２液常温硬化型樹脂により接合し、
その表面にＦｅ・Ｎｉ・Ｃｏ合金光沢Ｎｉめっきを施し
た樹脂枠体３と透光性蓋体４との接合物を、光デバイス
２が搭載された基体１に接合することにより製作した。
【００５２】耐湿性試験は、まず製作した試料のグロス
リーク試験を行い、枠体３と透光性蓋体４および基体１
との封止・接合不良が無いことを確認した後に行なっ
た。耐湿性の評価は、試料を温度60℃・湿度90％ＲＨの
恒温恒湿環境下に500時間放置した後、恒温恒湿環境下
放置後の試料の透光性蓋体４の外表面をペルチェ素子に
より強制冷却し、透光性蓋体４のパッケージ内表面に水
分を結露させ、この結露開始温度を測定することにより
行なった。この試験結果を表２に示す。
【００５３】
【表２】
【００５４】表２の試験結果が示すように、比較例の露
点が25℃に対して本発明の試料の露点が５℃とパッケー
ジ内部の水分が少なく、良好な気密性を有する電子部品
であることがわかる。
【００５５】さらに、本発明と比較例の透光性蓋体の光
透過率の測定結果を表３に示す。
【００５６】
【表３】
【００５７】表３の測定結果が示すように、比較例のめ
っき処理を施した透光性蓋体４の光透過率は90.0〜94.0
％と低い値であるのに対して、めっき処理を施していな
い本発明の透光性蓋体４の光透過率は99.0〜99.6％と良
好な光透過率であることがわかる。
【００５８】さらにまた、本発明と比較例の枠体表面の
０°の光反射率を図５に示す。
【００５９】なお、図５でＡは本発明品、Ｂは比較例、
Ｃは枠体表面の10点平均粗さＲｚを本発明の範囲外の0.
5〜１μｍとした例、ＤはめっきとしてＦｅ・Ｎｉ・Ｃ
ｏ合金黒Ｎｉめっき処理を行なった例である。めっき処
理を施さないことにより、枠体表面の０°の光反射率を
大幅に低下させることができる。また、樹脂枠体４表面
の10点平均粗さＲｚを小さな値とすると、光の反射率が
増大してしまうことがわかる。
【００６０】
【発明の効果】本発明の電子部品によれば、650±20ｎ
ｍおよび／または780±20ｎｍの波長領域において、光
透過率が98％以上の透光性蓋体を使用して送受信される
光信号の損失を少なくしてその強度を強めるとともに、
樹脂枠体の光デバイス搭載部側表面の０°の光反射率を
10％以下として乱反射光の強度を弱め、送受信される光
信号の強度と乱反射光の強度との差を十分大きなものと
したことから、光信号の良好な送受信を行なうことがで
き、かつ乱反射光によるノイズを電気的に除去するフィ
ルタ素子が不要となり、その結果、コストを低減しパッ
ケージサイズを小さなものとすることができる。
【００６１】また、本発明の電子部品によれば、封止材
を、緻密な３次元網目構造を有し耐湿性や接合強度に優
れるエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂としたこ
とから、気密耐湿性の良好な電子部品とすることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子部品の実施の形態の一例を示す断
面図である。
【図２】本発明の電子部品の実施の形態の他の例を示す
断面図である。
【図３】本発明の電子部品の実施の形態の他の例を示す
断面図である。
【図４】本発明の電子部品の実施の形態の他の例を示す
断面図である。
【図５】本発明の電子部品と比較例の枠体表面の０°の
光反射率を示す図である。
【符号の説明】
１・・・・・・基体 １ａ・・・・・搭載部 ２・・・・・・光デバイス ３・・・・・・樹脂枠体 ４・・・・・・透光性蓋体 ７・・・・・・搭載部側表面 ８・・・・・・封止材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｂ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 上面に光デバイスの搭載部を有する基体
    と、前記搭載部に搭載された光デバイスと、前記基体の
    上面に前記搭載部を取り囲むように接合された樹脂枠体
    と、該樹脂枠体に封止材により接合され、前記搭載部に
    搭載された前記光デバイスを封止する、光透過率が６５
    ０±２０ｎｍおよび／または７８０±２０ｎｍの波長領
    域において９８％以上の透光性蓋体とから成る電子部品
    であって、前記樹脂枠体の前記搭載部側表面の０°の光
    反射率が６５０±２０ｎｍおよび／または７８０±２０
    ｎｍの波長領域において１０％以下であることを特徴と
    する電子部品。
  2. 【請求項２】 前記樹脂枠体の前記搭載部側表面の１０
    点平均粗さＲｚが３〜３０μｍであることを特徴とする
    請求項１記載の電子部品。
  3. 【請求項３】 前記封止材がエポキシ樹脂を主成分とす
    る熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項１または
    請求項２記載の電子部品。
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