JP2005033293A - 圧電デバイス - Google Patents
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- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 21
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 abstract 4
- 230000004936 stimulating effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 47
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
【課題】小型化及び高周波化に対応し、且つ、低コストの表面実装型圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面を凹陥することにより超薄肉部と該超薄肉部の周囲を支持する厚肉の環状囲繞部とを一体的に形成すると共に、該超薄肉部を挟んで対向配置した励振電極と該励振電極から延出するリード電極に電気的導通し一定間隔を隔てて一直線上に配設するパッド電極とを備える圧電振動素子と、上面に前記圧電振動素子を収容するための凹部を備えるプリント配線基板と、前記凹部の開口を閉止するための金属蓋と、を備え、該凹部の内底面に形成した内部端子に導電性接着剤を介して前記圧電振動素子の一方の端部で片持ち支持すると共に電気的な接続をした上で金属蓋により該凹部を気密封止する構造を有する圧電デバイスであって、前記パッド電極のうち前記励振電極に近い方のパッド電極と前記励振電極との中間にパット電極と励振電極とを結ぶ延長線と交わる方向に延長した貫通溝を前記超薄肉部に形成する。
【選択図】 図1
【解決手段】圧電基板の一方の主面を凹陥することにより超薄肉部と該超薄肉部の周囲を支持する厚肉の環状囲繞部とを一体的に形成すると共に、該超薄肉部を挟んで対向配置した励振電極と該励振電極から延出するリード電極に電気的導通し一定間隔を隔てて一直線上に配設するパッド電極とを備える圧電振動素子と、上面に前記圧電振動素子を収容するための凹部を備えるプリント配線基板と、前記凹部の開口を閉止するための金属蓋と、を備え、該凹部の内底面に形成した内部端子に導電性接着剤を介して前記圧電振動素子の一方の端部で片持ち支持すると共に電気的な接続をした上で金属蓋により該凹部を気密封止する構造を有する圧電デバイスであって、前記パッド電極のうち前記励振電極に近い方のパッド電極と前記励振電極との中間にパット電極と励振電極とを結ぶ延長線と交わる方向に延長した貫通溝を前記超薄肉部に形成する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、小型化に対応した表面実装型圧電デバイスに関し、特に圧電振動素子をパッケージ内に接続する手段として導電性接着剤を用いた場合に発生する種々の不具合を解決した表面実装型圧電デバイスに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、携帯電話機等の移動体通信機器は、小型化、軽量化が進む一方で、高機能化についても強く求められており、高機能化に伴う部品点数の増加と小型化という相反する2つの要求を同時に満たす為に、電装部を構成するプリント基板の小面積化と、搭載部品等の高密度化による基板面積の有効利用が重要視されるようになっている。移動体通信機器や伝送通信機器において周波数制御デバイスとして用いられる水晶デバイス(振動子、フィルタ)についても小型化等が強く求められており、高密度実装化に対応するためにデバイスのパッケージ構造としては表面実装型が主流となっており、併せて高周波化の要求が強くなっている。
【0003】
以下、従来の圧電デバイスについて説明する。
従来の圧電デバイスには、例えば特開2002−246869号公報で提案されたようなものがあり、図4(a)は従来の圧電振動素子の一例としての水晶振動素子の下面斜視図、図4(b)は従来の圧電デバイスの一例としての水晶振動子の構造を示す縦断面図である。
図4(a)に示すように、水晶振動素子101は、その一方の主面を化学エッチング加工によって凹陥せしめ、該凹陥部の超薄肉部を振動部101aとすると共に該振動部101aの周囲を支持する厚肉の環状囲繞部101bを一体的に形成する。更に蒸着又はフォトリソグラフィにより、一方の主面側の振動部101a上に励振電極を構成する主面電極102aと該主面電極102aから延出するリード電極102b及びパッド電極102cと、他方の主面上に主面電極102aに対向する位置に励振電極を構成する裏面電極103aと該裏面電極103aから延出し環状囲繞部101bの側端面を通って一方の主面側に引き出したリード電極103bと電気的導通しているパッド電極103cと、を形成する。該パッド電極102c及び103cは、幅方向(同図中左端に図示する矢印Xの示す方向)に一部オーバーラップ(105)するように近接すると共に、該幅方向と直交する方向に所定のギャップ104を隔てて離間配置されている。更に、パッド電極102cと前記凹陥部との中間の位置する環状囲繞部101bに幅方向に延長するよう溝120を形成し、該溝120は例えば凹陥部を形成する際のエッチング加工の際に同じに形成することができる。
【0004】
図4(b)に示すように、水晶振動子110は、前記凹部を下方に向けて前記水晶振動素子101をセラミックパッケージ112の上面に備える凹部113に収納し該凹部113の上面開口を金属蓋114により気密封止した構造を備える。凹部113の内底面に形成した内部端子115及び116は前記パッド電極102c及び103cと対応する位置関係に配置されており、水晶振動素子101を凹部113に片持ち支持する際には、パッド電極102c及び103cと内部端子115及び116とを一対一の対応関係で対向させた上で、所要量の硬質の導電性接着剤(エポキシ系、ポリイミド系接着剤)117を介した固定が行われる。
【0005】
前記パッド電極102c及び103cの一部を幅方向にずらすと共に各パッド電極のオーバーラップ部上に夫々前記導電性接着剤117を一列(一直線状)に配置しているため、導電性接着剤117の配列と直交する方向については温度変化に起因した前記水晶振動素子101の膨張、収縮(熱応力)を導電性接着剤117が妨げることがない。さらに、前記ギャップ104に発生した熱応力の一部が前記振動部101aに伝達しようとしても、前記溝120が応力の伝達経路を遮断し伝達する応力を緩和するよう機能するので、振動部101aへ応力が伝達されるのを抑圧することができる。
【0006】
【特許文献】特開2002−246869号公報。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記水晶振動素子101の更なる高周波化、即ち前記振動部101aの更なる超薄肉化することで前述する水晶振動素子101に生じる熱応力に対して鋭敏になり、前記溝120を前記環状囲繞部101bに形成したことで振動部101aへの熱応力の伝達を完全に抑止することができない、換言すれば僅かながら振動部101aへ熱応力が伝達されてしまい、水晶振動素子101の諸特性、例えば周波数温度特性を劣化させる虞があった。
【0008】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、小型化及び高周波化に対応し、且つ、低コストの表面実装型圧電デバイスを提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明に係わる請求項1記載の発明は、圧電基板の一方の主面を凹陥することにより超薄肉部と該超薄肉部の周囲を支持する厚肉の環状囲繞部とを一体的に形成すると共に、該超薄肉部を挟んで対向配置した励振電極と該励振電極から延出するリード電極に電気的導通し一定間隔を隔てて一直線上に配設するパッド電極とを備える圧電振動素子と、上面に前記圧電振動素子を収容するための凹部を備えるプリント配線基板と、前記凹部の開口を閉止するための金属蓋と、を備え、該凹部の内底面に形成した内部端子に導電性接着剤を介して前記圧電振動素子の一方の端部で片持ち支持すると共に電気的な接続をした上で金属蓋により該凹部を気密封止する構造を有する圧電デバイスであって、前記パッド電極のうち前記励振電極に近い方のパッド電極と前記励振電極との中間にパット電極と励振電極とを結ぶ延長線と交わる方向に延長した貫通溝を前記超薄肉部に形成することを特徴とする。
【0010】
また請求項2記載の発明は、請求項1において、前記貫通孔が前記励振電極近傍に周設していることを特徴とする。
【0011】
また請求項3記載の発明は、請求項1又は2において、前記リード電極を配設した前記該超薄肉部の厚みが外側に向けて漸次増していることを特徴とする。
【0012】
また請求項4記載の発明は、請求項1乃至3のいずれかにおいて、全ての前記パッド電極が前記圧電基板のいずれか一方の主面に配設してあることを特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、図示した本発明の実施の形態に基づいて、本発明を詳細に説明する。
【0014】
図1(a)は本発明の第1の実施形態の圧電振動素子としての水晶振動素子の平面図、図1(b)は本発明の第1の実施形態の圧電デバイスとしての水晶振動子の構成を示す縦断面図である。の辺縁近傍、例えば同図中下側の辺縁近傍に図1(a)に示すように、ATカットの水晶振動素子1は、水晶基板(圧電基板)の一方の主面を化学エッチング加工によって凹陥せしめ、該凹陥部の底面部である超薄肉部の振動領域を振動部1aとすると共に、該超薄肉部の周囲を支持する厚肉の環状囲繞部1bを一体的に形成する。更に蒸着又はフォトリソグラフィにより、一方の主面(手前面)側の振動部1a上に励振電極を構成する主面電極2aと該主面電極2aから延出するリード電極2bと電気的導通するパッド電極2cと、他方の主面上に主面電極2aに対向する位置に励振電極を構成する裏面電極3aと該裏面電極3aから延出し環状囲繞部1bの側端面を通って一方の主面側に引き出したリード電極3bと電気的導通するパッド電極3cと、を形成する。該パッド電極3cは、前記水晶基板の(一方の主面側の)一方の端部近傍、例えば同図中下側の端部近傍に配置され、幅方向(同図中下端に図示する矢印Yの示す方向)に一部オーバーラップ(5)するように近接すると共に、該幅方向と直交し前記励振電極が配設する方向に所定のギャップ4を隔ててパッド電極2cが離間配置されている。更に、前記励振電極に近いパッド電極2cと平面外形が大きい方の励振電極、例えば前記裏面電極3aのパッド電極2c側の辺縁との間隙に有する前記凹陥部の超薄肉部(前記振動部1a領域外)に幅方向に延長すると共に主面電極2a及び裏面電極3aの幅より長い貫通溝10を形成する。
【0015】
図1(b)に示すように、水晶振動子11は、前記凹部を下方に向けて前記水晶振動素子1をセラミックパッケージ(プリント配線基板)12の上面に備える凹部13に収納し該凹部13の上面開口を金属蓋14により気密封止した構造を備える。凹部13の内底面に形成した内部端子15及び16は前記パッド電極2c及び3cと対応する位置関係に配置されており、水晶振動素子1を凹部13に片持ち支持する際には、パッド電極2c及び3cと内部端子15及び16とを一対一の対応関係で対向させた上で、オーバーラップする各パッド電極上に一列(一直線状)に配置した所要量の硬質の導電性接着剤(エポキシ系、ポリイミド系接着剤)17を介した固定が行われる。
【0016】
図2は本発明の第2の実施形態の圧電振動素子としての水晶振動素子の平面図である。
第2の実施形態の水晶振動素子が第1の実施形態と異なる点は、平面外形が大きい方の前記励振電極近傍を囲繞する、即ち前記振動部1aに周設するように前記凹陥部の超薄肉部に貫通溝20を形成した点にある。図2に示すように、前記リード電極2b及び3bを配設した凹陥部の超薄肉部を除き裏面電極3a近傍を囲繞するように前記貫通溝20を形成してある。
【0017】
図3(a)は本発明の第3の実施形態の圧電振動素子としての水晶振動素子の平面図、図3(b)はそのA−A縦断面図である。
第3の実施形態の水晶振動素子が第1及び第2の実施形態と異なる点は、前記貫通溝20を形成すると共に、前記リード電極2b及び3bを配設した凹陥部の水晶部分、即ち貫通溝20の内周縁(前記振動部1aの外周縁)から前記環状囲繞部1bの上面(前記凹陥部の開口)の内周縁に跨ぐ水晶部分35を漸次厚肉(テーパ状)にした(終端の厚さは環状囲繞部1bの肉厚と同一になる。)点にある。図3(a)及び(b)に示すように、貫通溝20の内周縁から環状囲繞部1bの上面の内周縁に掛けて配設するリード電極2b及び3bに対応する水晶部分35の外側(環状囲繞部1b)に向けて漸次厚肉にすることで機械的強度を向上させている。
【0018】
前記パッド電極2c及び3cを一方の主面側に配設した前記水晶振動素子1で本発明を説明したが、該パッド電極2c及び3cを他方の主面側に配設する水晶振動素子または該パッド電極2cと3cとを互いに異なる主面に配設する水晶振動素子であっても、水晶基板の同一の端部側に配置され、幅方向に一部オーバーラップするように配置すると共に、該幅方向と直交する方向に所定の間隔を隔てて離間配置され、前記貫通溝10又は20を形成された水晶振動素子であれば本発明を適用できることは云うまでもない。
【0019】
前記水晶振動素子1(前記パッド電極2c及び3c)と前記セラミックパッケージ2(前記内部端子15及び16)との機械的及び電気的な接続は前記導電性接着剤17だけでなく、フリップチップボンディングによる金属バンプや半田ボールであっても構わない。
【0020】
前記主面電極が部分電極、例えば2つの部分電極を配設する2重モード水晶フィルタでは、各部分電極及び裏面電極のそれぞれと電気的導通する3個のパッド電極を、前述するように、水晶基板の同一の端部側でオーバーラップさせて一列(一直線状)に配設すると共に、前記貫通溝を形成することで本発明を適用することも可能である。
【0021】
前記水晶振動子11のほかに、前記凹部13に発振回路および温度補償回路を構成する回路素子、例えばICチップや該ICチップに供給される電源電圧に重畳される高周波ノイズを除去するためのコンデンサ等を収容するTCXOであっても構わない。
【0022】
ATカットの水晶振動素子を用いて本発明を説明したが、本発明はATカットに限定するものではなくBTカット、CTカット、DTカット、SCカット、GTカット等のカットアングルの水晶基板に適用できることは云うまでもない。
【0023】
また本発明は、水晶振動素子のみに限定するものではなくランガサイト、四方酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電振動素子に適用できることは云うまでもない。
【0024】
このように構成することにより、小型化及び高周波化に対応し、且つ、低コストの表面実装型圧電デバイスが得られる。
【0025】
【発明の効果】
請求項1及び2記載の発明によれば、励振電極とパッド電極との間の超薄肉部に貫通溝を形成することで振動部へ応力が伝達されるのを抑止することが可能となり、水晶振動素子の周波数温度特性等を劣化させることが無くなるという効果を有する。さらに、貫通溝を超薄肉部に形成することで前記環状囲繞部を狭小化することが可能となり、水晶振動素子延いては水晶振動子の小型化が可能となるという効果を有する。
【0026】
請求項3記載の発明によれば、超薄肉部と前記環状囲繞部とを機械的に接続する水晶を厚肉にすることで、水晶振動素子(水晶振動子)の耐衝撃性を向上させるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態としての水晶振動子の構成図。
(a)水晶振動素子の平面図。
(b)縦断面図。
【図2】本発明の第2の実施形態としての圧電振動素子の平面図。
【図3】本発明の第3の実施形態としての圧電振動素子の平面図。
(a)平面図
(b)A−A縦断面図。
【図4】従来の水晶振動子の構成図。
(a)水晶振動素子の下面斜視図。
(b)縦断面図。
【符号の説明】
1…水晶振動素子 1a…振動部 1b…環状囲繞部
2a…主面電極 2b…リード電極 2c…パッド電極
3a…裏面電極 3b…リード電極 3c…パッド電極
4…ギャップ 5…オーバーラップ
11…水晶振動子 12…セラミックパッケージ
13…凹部 14…金属蓋 15及び16…内部端子
17…導電性接着剤
10、20…貫通溝 35…水晶部分
101…水晶振動子 101a…振動部 101b…環状囲繞部
102a…主面電極 102b…リード電極
102c…パッド電極 103a…裏面電極
103b…リード電極 103c…パッド電極
104…ギャップ 105…オーバーラップ
110…水晶振動子 112…セラミックパッケージ
113…凹部 114…金属蓋 115及び116…内部端子
117…導電性接着剤 120…溝
【発明の属する技術分野】
本発明は、小型化に対応した表面実装型圧電デバイスに関し、特に圧電振動素子をパッケージ内に接続する手段として導電性接着剤を用いた場合に発生する種々の不具合を解決した表面実装型圧電デバイスに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、携帯電話機等の移動体通信機器は、小型化、軽量化が進む一方で、高機能化についても強く求められており、高機能化に伴う部品点数の増加と小型化という相反する2つの要求を同時に満たす為に、電装部を構成するプリント基板の小面積化と、搭載部品等の高密度化による基板面積の有効利用が重要視されるようになっている。移動体通信機器や伝送通信機器において周波数制御デバイスとして用いられる水晶デバイス(振動子、フィルタ)についても小型化等が強く求められており、高密度実装化に対応するためにデバイスのパッケージ構造としては表面実装型が主流となっており、併せて高周波化の要求が強くなっている。
【0003】
以下、従来の圧電デバイスについて説明する。
従来の圧電デバイスには、例えば特開2002−246869号公報で提案されたようなものがあり、図4(a)は従来の圧電振動素子の一例としての水晶振動素子の下面斜視図、図4(b)は従来の圧電デバイスの一例としての水晶振動子の構造を示す縦断面図である。
図4(a)に示すように、水晶振動素子101は、その一方の主面を化学エッチング加工によって凹陥せしめ、該凹陥部の超薄肉部を振動部101aとすると共に該振動部101aの周囲を支持する厚肉の環状囲繞部101bを一体的に形成する。更に蒸着又はフォトリソグラフィにより、一方の主面側の振動部101a上に励振電極を構成する主面電極102aと該主面電極102aから延出するリード電極102b及びパッド電極102cと、他方の主面上に主面電極102aに対向する位置に励振電極を構成する裏面電極103aと該裏面電極103aから延出し環状囲繞部101bの側端面を通って一方の主面側に引き出したリード電極103bと電気的導通しているパッド電極103cと、を形成する。該パッド電極102c及び103cは、幅方向(同図中左端に図示する矢印Xの示す方向)に一部オーバーラップ(105)するように近接すると共に、該幅方向と直交する方向に所定のギャップ104を隔てて離間配置されている。更に、パッド電極102cと前記凹陥部との中間の位置する環状囲繞部101bに幅方向に延長するよう溝120を形成し、該溝120は例えば凹陥部を形成する際のエッチング加工の際に同じに形成することができる。
【0004】
図4(b)に示すように、水晶振動子110は、前記凹部を下方に向けて前記水晶振動素子101をセラミックパッケージ112の上面に備える凹部113に収納し該凹部113の上面開口を金属蓋114により気密封止した構造を備える。凹部113の内底面に形成した内部端子115及び116は前記パッド電極102c及び103cと対応する位置関係に配置されており、水晶振動素子101を凹部113に片持ち支持する際には、パッド電極102c及び103cと内部端子115及び116とを一対一の対応関係で対向させた上で、所要量の硬質の導電性接着剤(エポキシ系、ポリイミド系接着剤)117を介した固定が行われる。
【0005】
前記パッド電極102c及び103cの一部を幅方向にずらすと共に各パッド電極のオーバーラップ部上に夫々前記導電性接着剤117を一列(一直線状)に配置しているため、導電性接着剤117の配列と直交する方向については温度変化に起因した前記水晶振動素子101の膨張、収縮(熱応力)を導電性接着剤117が妨げることがない。さらに、前記ギャップ104に発生した熱応力の一部が前記振動部101aに伝達しようとしても、前記溝120が応力の伝達経路を遮断し伝達する応力を緩和するよう機能するので、振動部101aへ応力が伝達されるのを抑圧することができる。
【0006】
【特許文献】特開2002−246869号公報。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記水晶振動素子101の更なる高周波化、即ち前記振動部101aの更なる超薄肉化することで前述する水晶振動素子101に生じる熱応力に対して鋭敏になり、前記溝120を前記環状囲繞部101bに形成したことで振動部101aへの熱応力の伝達を完全に抑止することができない、換言すれば僅かながら振動部101aへ熱応力が伝達されてしまい、水晶振動素子101の諸特性、例えば周波数温度特性を劣化させる虞があった。
【0008】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、小型化及び高周波化に対応し、且つ、低コストの表面実装型圧電デバイスを提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明に係わる請求項1記載の発明は、圧電基板の一方の主面を凹陥することにより超薄肉部と該超薄肉部の周囲を支持する厚肉の環状囲繞部とを一体的に形成すると共に、該超薄肉部を挟んで対向配置した励振電極と該励振電極から延出するリード電極に電気的導通し一定間隔を隔てて一直線上に配設するパッド電極とを備える圧電振動素子と、上面に前記圧電振動素子を収容するための凹部を備えるプリント配線基板と、前記凹部の開口を閉止するための金属蓋と、を備え、該凹部の内底面に形成した内部端子に導電性接着剤を介して前記圧電振動素子の一方の端部で片持ち支持すると共に電気的な接続をした上で金属蓋により該凹部を気密封止する構造を有する圧電デバイスであって、前記パッド電極のうち前記励振電極に近い方のパッド電極と前記励振電極との中間にパット電極と励振電極とを結ぶ延長線と交わる方向に延長した貫通溝を前記超薄肉部に形成することを特徴とする。
【0010】
また請求項2記載の発明は、請求項1において、前記貫通孔が前記励振電極近傍に周設していることを特徴とする。
【0011】
また請求項3記載の発明は、請求項1又は2において、前記リード電極を配設した前記該超薄肉部の厚みが外側に向けて漸次増していることを特徴とする。
【0012】
また請求項4記載の発明は、請求項1乃至3のいずれかにおいて、全ての前記パッド電極が前記圧電基板のいずれか一方の主面に配設してあることを特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、図示した本発明の実施の形態に基づいて、本発明を詳細に説明する。
【0014】
図1(a)は本発明の第1の実施形態の圧電振動素子としての水晶振動素子の平面図、図1(b)は本発明の第1の実施形態の圧電デバイスとしての水晶振動子の構成を示す縦断面図である。の辺縁近傍、例えば同図中下側の辺縁近傍に図1(a)に示すように、ATカットの水晶振動素子1は、水晶基板(圧電基板)の一方の主面を化学エッチング加工によって凹陥せしめ、該凹陥部の底面部である超薄肉部の振動領域を振動部1aとすると共に、該超薄肉部の周囲を支持する厚肉の環状囲繞部1bを一体的に形成する。更に蒸着又はフォトリソグラフィにより、一方の主面(手前面)側の振動部1a上に励振電極を構成する主面電極2aと該主面電極2aから延出するリード電極2bと電気的導通するパッド電極2cと、他方の主面上に主面電極2aに対向する位置に励振電極を構成する裏面電極3aと該裏面電極3aから延出し環状囲繞部1bの側端面を通って一方の主面側に引き出したリード電極3bと電気的導通するパッド電極3cと、を形成する。該パッド電極3cは、前記水晶基板の(一方の主面側の)一方の端部近傍、例えば同図中下側の端部近傍に配置され、幅方向(同図中下端に図示する矢印Yの示す方向)に一部オーバーラップ(5)するように近接すると共に、該幅方向と直交し前記励振電極が配設する方向に所定のギャップ4を隔ててパッド電極2cが離間配置されている。更に、前記励振電極に近いパッド電極2cと平面外形が大きい方の励振電極、例えば前記裏面電極3aのパッド電極2c側の辺縁との間隙に有する前記凹陥部の超薄肉部(前記振動部1a領域外)に幅方向に延長すると共に主面電極2a及び裏面電極3aの幅より長い貫通溝10を形成する。
【0015】
図1(b)に示すように、水晶振動子11は、前記凹部を下方に向けて前記水晶振動素子1をセラミックパッケージ(プリント配線基板)12の上面に備える凹部13に収納し該凹部13の上面開口を金属蓋14により気密封止した構造を備える。凹部13の内底面に形成した内部端子15及び16は前記パッド電極2c及び3cと対応する位置関係に配置されており、水晶振動素子1を凹部13に片持ち支持する際には、パッド電極2c及び3cと内部端子15及び16とを一対一の対応関係で対向させた上で、オーバーラップする各パッド電極上に一列(一直線状)に配置した所要量の硬質の導電性接着剤(エポキシ系、ポリイミド系接着剤)17を介した固定が行われる。
【0016】
図2は本発明の第2の実施形態の圧電振動素子としての水晶振動素子の平面図である。
第2の実施形態の水晶振動素子が第1の実施形態と異なる点は、平面外形が大きい方の前記励振電極近傍を囲繞する、即ち前記振動部1aに周設するように前記凹陥部の超薄肉部に貫通溝20を形成した点にある。図2に示すように、前記リード電極2b及び3bを配設した凹陥部の超薄肉部を除き裏面電極3a近傍を囲繞するように前記貫通溝20を形成してある。
【0017】
図3(a)は本発明の第3の実施形態の圧電振動素子としての水晶振動素子の平面図、図3(b)はそのA−A縦断面図である。
第3の実施形態の水晶振動素子が第1及び第2の実施形態と異なる点は、前記貫通溝20を形成すると共に、前記リード電極2b及び3bを配設した凹陥部の水晶部分、即ち貫通溝20の内周縁(前記振動部1aの外周縁)から前記環状囲繞部1bの上面(前記凹陥部の開口)の内周縁に跨ぐ水晶部分35を漸次厚肉(テーパ状)にした(終端の厚さは環状囲繞部1bの肉厚と同一になる。)点にある。図3(a)及び(b)に示すように、貫通溝20の内周縁から環状囲繞部1bの上面の内周縁に掛けて配設するリード電極2b及び3bに対応する水晶部分35の外側(環状囲繞部1b)に向けて漸次厚肉にすることで機械的強度を向上させている。
【0018】
前記パッド電極2c及び3cを一方の主面側に配設した前記水晶振動素子1で本発明を説明したが、該パッド電極2c及び3cを他方の主面側に配設する水晶振動素子または該パッド電極2cと3cとを互いに異なる主面に配設する水晶振動素子であっても、水晶基板の同一の端部側に配置され、幅方向に一部オーバーラップするように配置すると共に、該幅方向と直交する方向に所定の間隔を隔てて離間配置され、前記貫通溝10又は20を形成された水晶振動素子であれば本発明を適用できることは云うまでもない。
【0019】
前記水晶振動素子1(前記パッド電極2c及び3c)と前記セラミックパッケージ2(前記内部端子15及び16)との機械的及び電気的な接続は前記導電性接着剤17だけでなく、フリップチップボンディングによる金属バンプや半田ボールであっても構わない。
【0020】
前記主面電極が部分電極、例えば2つの部分電極を配設する2重モード水晶フィルタでは、各部分電極及び裏面電極のそれぞれと電気的導通する3個のパッド電極を、前述するように、水晶基板の同一の端部側でオーバーラップさせて一列(一直線状)に配設すると共に、前記貫通溝を形成することで本発明を適用することも可能である。
【0021】
前記水晶振動子11のほかに、前記凹部13に発振回路および温度補償回路を構成する回路素子、例えばICチップや該ICチップに供給される電源電圧に重畳される高周波ノイズを除去するためのコンデンサ等を収容するTCXOであっても構わない。
【0022】
ATカットの水晶振動素子を用いて本発明を説明したが、本発明はATカットに限定するものではなくBTカット、CTカット、DTカット、SCカット、GTカット等のカットアングルの水晶基板に適用できることは云うまでもない。
【0023】
また本発明は、水晶振動素子のみに限定するものではなくランガサイト、四方酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電振動素子に適用できることは云うまでもない。
【0024】
このように構成することにより、小型化及び高周波化に対応し、且つ、低コストの表面実装型圧電デバイスが得られる。
【0025】
【発明の効果】
請求項1及び2記載の発明によれば、励振電極とパッド電極との間の超薄肉部に貫通溝を形成することで振動部へ応力が伝達されるのを抑止することが可能となり、水晶振動素子の周波数温度特性等を劣化させることが無くなるという効果を有する。さらに、貫通溝を超薄肉部に形成することで前記環状囲繞部を狭小化することが可能となり、水晶振動素子延いては水晶振動子の小型化が可能となるという効果を有する。
【0026】
請求項3記載の発明によれば、超薄肉部と前記環状囲繞部とを機械的に接続する水晶を厚肉にすることで、水晶振動素子(水晶振動子)の耐衝撃性を向上させるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態としての水晶振動子の構成図。
(a)水晶振動素子の平面図。
(b)縦断面図。
【図2】本発明の第2の実施形態としての圧電振動素子の平面図。
【図3】本発明の第3の実施形態としての圧電振動素子の平面図。
(a)平面図
(b)A−A縦断面図。
【図4】従来の水晶振動子の構成図。
(a)水晶振動素子の下面斜視図。
(b)縦断面図。
【符号の説明】
1…水晶振動素子 1a…振動部 1b…環状囲繞部
2a…主面電極 2b…リード電極 2c…パッド電極
3a…裏面電極 3b…リード電極 3c…パッド電極
4…ギャップ 5…オーバーラップ
11…水晶振動子 12…セラミックパッケージ
13…凹部 14…金属蓋 15及び16…内部端子
17…導電性接着剤
10、20…貫通溝 35…水晶部分
101…水晶振動子 101a…振動部 101b…環状囲繞部
102a…主面電極 102b…リード電極
102c…パッド電極 103a…裏面電極
103b…リード電極 103c…パッド電極
104…ギャップ 105…オーバーラップ
110…水晶振動子 112…セラミックパッケージ
113…凹部 114…金属蓋 115及び116…内部端子
117…導電性接着剤 120…溝
Claims (4)
- 圧電基板の一方の主面を凹陥することにより超薄肉部と該超薄肉部の周囲を支持する厚肉の環状囲繞部とを一体的に形成すると共に、該超薄肉部を挟んで対向配置した励振電極と該励振電極から延出するリード電極に電気的導通し一定間隔を隔てて一直線上に配設するパッド電極とを備える圧電振動素子と、上面に前記圧電振動素子を収容するための凹部を備えるプリント配線基板と、前記凹部の開口を閉止するための金属蓋と、を備え、該凹部の内底面に形成した内部端子に導電性接着剤を介して前記圧電振動素子の一方の端部で片持ち支持すると共に電気的な接続をした上で金属蓋により該凹部を気密封止する構造を有する圧電デバイスであって、
前記パッド電極のうち前記励振電極に近い方のパッド電極と前記励振電極との中間にパット電極と励振電極とを結ぶ延長線と交わる方向に延長した貫通溝を前記超薄肉部に形成することを特徴とする圧電デバイス。 - 前記貫通孔が前記励振電極近傍に周設していることを特徴とする請求項1に記載の圧電デバイス。
- 前記リード電極を配設した前記該超薄肉部の厚みが外側に向けて漸次増していることを特徴とする請求項1又は2に記載の圧電デバイス。
- 全ての前記パッド電極が前記圧電基板のいずれか一方の主面に配設してあることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の圧電デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003193295A JP2005033293A (ja) | 2003-07-08 | 2003-07-08 | 圧電デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003193295A JP2005033293A (ja) | 2003-07-08 | 2003-07-08 | 圧電デバイス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005033293A true JP2005033293A (ja) | 2005-02-03 |
Family
ID=34204801
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003193295A Pending JP2005033293A (ja) | 2003-07-08 | 2003-07-08 | 圧電デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005033293A (ja) |
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