WO2023182062A1 - 恒温槽型圧電発振器 - Google Patents

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WO2023182062A1
WO2023182062A1 PCT/JP2023/009743 JP2023009743W WO2023182062A1 WO 2023182062 A1 WO2023182062 A1 WO 2023182062A1 JP 2023009743 W JP2023009743 W JP 2023009743W WO 2023182062 A1 WO2023182062 A1 WO 2023182062A1
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WO
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core
type piezoelectric
piezoelectric oscillator
constant temperature
oven type
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/009743
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English (en)
French (fr)
Inventor
琢也 古城
Original Assignee
株式会社大真空
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
    • H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator

Definitions

  • the present invention relates to a constant temperature oven type piezoelectric oscillator.
  • a piezoelectric vibrator such as a crystal vibrator changes its vibration frequency depending on the temperature based on its unique frequency-temperature characteristics. Therefore, in order to keep the temperature around the piezoelectric vibrator constant, a constant temperature oven type piezoelectric oscillator (Oven-Controlled Xtal (crystal) Oscillator: hereinafter also referred to as "OCXO"), in which the piezoelectric vibrator is enclosed in a constant temperature oven, is used.
  • the OCXO has a core part including, for example, an oscillation IC, a piezoelectric vibrator, a heater IC, etc., which is hermetically sealed inside a heat-insulating package. It is fixed in the package. In the OCXO, the temperature of the core portion is maintained at a substantially constant temperature by controlling the amount of heat (heater heat generation amount) generated by the heating element (heat source) of the heater IC.
  • the core portion is fixed to the core substrate using, for example, a non-conductive adhesive.
  • the heat of the core portion moves to the core substrate side through the connection portion between the core portion and the core substrate, and the heat insulation properties of the core portion deteriorate by the amount of heat transferred from the core portion to the core substrate side.
  • the present invention has been made in consideration of the above-mentioned circumstances, and is a constant temperature oven type that can improve the heat insulation of the core part and suppress the amount of heat generated by the heater to maintain the temperature of the core part as much as possible.
  • the purpose is to provide a piezoelectric oscillator.
  • the present invention constitutes means for solving the above-mentioned problems as follows. That is, the present invention provides a constant temperature oven type piezoelectric oscillator in which a core portion is hermetically sealed inside a heat-insulating package, and the core portion includes at least an oscillation IC, a piezoelectric vibrator, and a heater IC.
  • a core substrate is disposed on the bottom surface of the core portion, the bottom surface of the core portion is bonded to the core substrate by a first bonding material, and the core substrate is bonded to the core substrate by a second bonding material.
  • the core substrate is bonded to the package by a material, and the core substrate is provided with an opening in a region below the core portion.
  • the area of the part where the core part and the core board connect (contact) is reduced by the opening provided in the core board, and the area of the part where the core part and the core board connect (contact) is reduced. Since the amount of heat transferred to the core substrate side (package side) is reduced, the heat insulation of the core portion can be improved. In other words, the heat in the core part is less likely to transfer to the core board side (less likely to leak) through the connection between the core part and the core board, and most of the heat generated from the heating element of the heater IC is transferred to the core part. can be kept in As a result, the amount of heat generated by the heater required to maintain the temperature of the core portion can be kept as small as possible, and the power consumption of the OCXO can be reduced.
  • the opening is formed so that the core substrate does not come into contact with the center part of the core part, and below the opening is a space formed between the core substrate and the inner bottom surface of the package. is preferably provided.
  • the space provided between the core substrate and the inner bottom surface of the package can improve the heat insulation of the core portion. Thereby, the amount of heat generated by the heater required to maintain the temperature of the core portion can be further suppressed, and the power consumption of the OCXO can be further reduced.
  • the opening is formed into a substantially rectangular shape in plan view, and that the core portion is held in four corner regions of the opening of the core substrate.
  • the area of the part that connects (contacts) with the core board can be made as small as possible without reducing the bondability of the core part, and the heat conduction reduction effect (insulation effect) due to the opening is improved. can be done.
  • a region having an area of 50% or more of the area where the core portion is arranged in plan view overlaps with the opening.
  • the core part and the package are electrically connected by wire bonding, and that a wire connection part in the core part does not overlap with the opening in plan view. According to the above configuration, since the openings do not overlap, when wire bonding the core part to the package, ultrasonic waves can efficiently contribute to the bonding, and better wire bonding can be performed. .
  • the core board is provided with a slit between a mounting area where the core part is mounted on the upper surface of the core board and a bonding area for bonding the core board to the package. It is preferable. According to the above configuration, the heat transfer path between the mounting area where the core part is mounted and the bonding area for bonding the core substrate to the package is narrowed by the slit provided in the core substrate. It is possible to reduce heat radiation from the core portion to the package due to heat conduction via the core substrate.
  • the present invention also provides a constant temperature oven type piezoelectric oscillator in which a core portion is hermetically sealed inside a heat-insulating package, wherein the core portion includes at least an oscillation IC, a piezoelectric vibrator, and a heater IC.
  • a core substrate is disposed on the bottom surface of the core portion, the bottom surface of the core portion is bonded to the core substrate by a first bonding material, and the core substrate is bonded to the core substrate by a second bonding material.
  • the core board has a mounting area on the upper surface of the core board where the core part is mounted and a bonding area for joining the core board to the package. It is characterized by having a slit.
  • the slit can block the heat transmitted from the mounting area to the bonding area, and the amount of heat transferred from the core part to the core board side (package side) is reduced, improving the heat insulation properties of the core part.
  • Most of the heat generated from the heating element of the heater IC can be retained in the core.
  • the amount of heat generated by the heater required to maintain the temperature of the core portion can be kept as small as possible, and the power consumption of the OCXO can be reduced.
  • the slit has a shape along the periphery of the bonding region. According to the above configuration, by aligning the slit with the peripheral shape of the bonding area, heat conduction to the bonding area is effectively blocked without unnecessarily expanding the opening area of the slit, and the slit provides effective heat insulation. Effects can be obtained.
  • the slit is divided into a plurality of parts in the longitudinal direction. According to the above configuration, by dividing the slit into a plurality of parts, a decrease in the strength of the core substrate can be avoided compared to the case where one long slit is used.
  • the piezoelectric vibrator includes first and second sealing members, and a piezoelectric diaphragm having a vibrating part in which excitation electrodes are formed on both principal surfaces, and the piezoelectric vibrator includes the first sealing member and the first sealing member. It is preferable that the two sealing members are laminated and joined via the piezoelectric diaphragm, and the vibrating portion of the piezoelectric diaphragm disposed inside is hermetically sealed. According to the above structure, a piezoelectric vibrator with a sandwich structure in which the vibrating part is hermetically sealed inside is used as the piezoelectric vibrator of the core part, so that the core part can be made lower in height and smaller in size.
  • the piezoelectric vibrator having a sandwich structure the vibrating part is hermetically sealed without using an adhesive, so that the adverse effects of thermal convection due to outgas generated from the adhesive can be suppressed. That is, in the space that hermetically seals the vibrating part, outgas generated from the adhesive circulates, causing thermal convection, which may impede accurate temperature control of the vibrating part.
  • outgassing does not occur, so that accurate temperature control of the vibrating part is possible.
  • the opening provided in the core substrate reduces the area of the portion where the core portion and the core substrate connect (contact). Since the amount of heat transferred from the core portion to the core substrate side is reduced through the heat treatment, the heat insulation properties of the core portion can be improved. In other words, the heat of the core part is less likely to move to the core board side through the connection part between the core part and the core board, and most of the heat generated from the heating element of the heater IC can be retained in the core part. .
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an OCXO according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view of the OCXO of FIG. 1;
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a core portion and a core substrate of the OCXO shown in FIG. 1.
  • FIG. FIG. 3 is a schematic configuration diagram schematically showing each configuration of the crystal oscillator (crystal resonator and oscillation IC) in the core portion of FIG. 2.
  • FIG. 5 is a schematic plan view of the first main surface side of the first sealing member of the crystal oscillator of FIG. 4.
  • FIG. 5 is a schematic plan view of the second main surface side of the first sealing member of the crystal oscillator of FIG. 4.
  • FIG. 5 is a schematic plan view of the first main surface side of the crystal diaphragm of the crystal oscillator in FIG. 4; 5 is a schematic plan view of the second main surface side of the crystal diaphragm of the crystal oscillator in FIG. 4.
  • FIG. FIG. 5 is a schematic plan view of the first principal surface side of the second sealing member of the crystal oscillator of FIG. 4; 5 is a schematic plan view of the second main surface side of the second sealing member of the crystal oscillator of FIG. 4.
  • FIG. (a) and (b) are plan views showing an example of the shape of a core substrate.
  • (a) to (c) are plan views showing modified examples of the core substrate.
  • FIG. 2 is a diagram corresponding to FIG. 1 showing a schematic configuration of an OCXO according to another embodiment.
  • the OCXO 1 has a core portion 5 disposed inside a substantially rectangular package (casing) 2 made of ceramic or the like, and hermetically sealed with a lid 3. It is said that the structure is
  • the package 2 has a recess 2a that is open at the top, and the core 5 is hermetically sealed inside the recess 2a.
  • a lid 3 is fixed to the upper surface of a peripheral wall 2b surrounding the recess 2a via a sealing material 8, so that the inside of the package 2 is sealed (airtight).
  • a sealing material for example, a metallic sealing material such as an Au--Su alloy or a solder is suitably used, but a sealing material such as a low melting point glass may also be used.
  • the configuration of the sealing member is not limited to these methods, and it is also possible to adopt a configuration of the sealing member using methods such as seam sealing using a metal ring, direct seam sealing without using a metal ring, and beam sealing (depending on the degree of vacuum). Seam sealing is preferred to avoid deterioration).
  • the internal space of the package 2 is preferably in a vacuum (for example, the degree of vacuum is 10 Pa or less) or in an atmosphere with low thermal conductivity such as low-pressure nitrogen or argon. Note that FIG. 2 shows the OCXO 1 with the lid 3 removed, and shows the internal structure of the OCXO 1.
  • a stepped portion 2c is formed on the inner wall surface of the peripheral wall portion 2b of the package 2, along the line of connection terminals (not shown).
  • the core portion 5 is disposed on the bottom surface of the recess 2a between the pair of opposing step portions 2c, 2c with the core substrate 4 interposed therebetween.
  • the stepped portion 2c may be formed to surround the bottom surface of the recessed portion 2a on all four sides.
  • the core substrate 4 is made of a heat-resistant and flexible resin material such as polyimide. Note that the core substrate 4 may be formed of crystal.
  • the core substrate 4 is bonded to the bottom surface of the recess 2a with a non-conductive adhesive (bonding material) 7, and a space (gap) 2d is formed in the lower portion of the core substrate 4.
  • An opening 402 which will be described later, is formed in the center of the core substrate 4, and the opening 402 is provided above the space 2d.
  • external terminals (not shown) formed on each component of the core portion 5 are connected to connection terminals formed on the step surface of the step portion 2c via wires 6a and 6b by wire bonding.
  • Spacer members 2f, 2f are provided on the inner side of the non-conductive adhesives 7, 7.
  • the non-conductive adhesive 7 for example, a polyimide adhesive, an epoxy adhesive, or the like is used.
  • the spacer member 2f is made of a paste material such as molybdenum or tungsten.
  • the non-conductive adhesives 7, 7 are arranged at both ends of the core substrate 4 in the longitudinal direction, and are arranged in a straight line along the lateral direction of the core substrate 4 (direction perpendicular to the paper surface of FIG. 1). ing.
  • Each spacer member 2f is arranged so as to be adjacent to the side of the non-conductive adhesive 7, and is arranged linearly along the lateral direction of the core substrate 4. In this way, spacer members 2f, 2f are interposed between the core substrate 4 and the bottom surface of the package 2 on the inner side of the non-conductive adhesives 7, 7. Both longitudinal ends of the core substrate 4 are supported by the spacer members 2f, 2f.
  • FIG. 3 shows a state in which the core portion 5 is mounted on the core substrate 4.
  • the core part 5 is a package of various electronic components used in the OCXO 1, and has a three-layer structure ( It has a laminated structure).
  • the areas of the oscillation IC 51, the crystal resonator 50, and the heater IC 52 in plan view gradually become smaller toward the top.
  • the core section 5 is configured to stabilize the oscillation frequency of the OCXO 1 by particularly adjusting the temperature of the crystal resonator 50, which has large temperature characteristics, the oscillation IC 51, and the heater IC 52.
  • the various electronic components of the core section 5 are not sealed with a sealing resin, they may be sealed with a sealing resin depending on the sealing atmosphere.
  • a crystal oscillator 100 is configured by the crystal resonator 50 and the oscillation IC 51.
  • the oscillation IC 51 is mounted on the crystal resonator 50 via a plurality of metal bumps 51a (see FIG. 4).
  • the oscillation frequency of the OCXO 1 is controlled. Details of the crystal oscillator 100 will be described later.
  • a non-conductive adhesive 53 is interposed between the opposing surfaces of the crystal oscillator 50 and the oscillating IC 51. is fixed.
  • the upper surface of the crystal resonator 50 (the first main surface 201 of the first sealing member 20) and the lower surface of the oscillation IC 51 are bonded via the non-conductive adhesive 53.
  • the non-conductive adhesive 53 for example, a polyimide adhesive, an epoxy adhesive, or the like is used.
  • an external terminal (electrode pattern 22 shown in FIG. 5) formed on the upper surface of the crystal resonator 50 is connected to a connecting terminal formed on the upper surface of the core substrate 4 via a wire 6a by wire bonding.
  • the oscillation IC 51 has a smaller area than the crystal resonator 50 in plan view, and the entire oscillation IC 51 is located within the range of the crystal resonator 50 in plan view.
  • the entire lower surface of the oscillation IC 51 is bonded to the upper surface of the crystal resonator 50 (the first main surface 201 of the first sealing member 20).
  • the heater IC 52 has a configuration in which, for example, a heating element (heat source), a control circuit (current control circuit) for controlling the temperature of the heating element, and a temperature sensor for detecting the temperature of the heating element are integrated. has been done.
  • a heating element heat source
  • a control circuit current control circuit
  • a temperature sensor for detecting the temperature of the heating element
  • a non-conductive adhesive 54 is interposed between the opposing surfaces of the crystal oscillator 50 and the heater IC 52. is fixed. In this case, the lower surface of the crystal resonator 50 (the second main surface 302 of the second sealing member 30) and the upper surface of the heater IC 52 are bonded via the non-conductive adhesive 54.
  • the non-conductive adhesive 54 for example, a polyimide adhesive, an epoxy adhesive, or the like is used.
  • an external terminal (not shown) formed on the upper surface of the heater IC 52 is connected to a connecting terminal formed on the upper surface of the core substrate 4 via a wire 6b by wire bonding.
  • the area of the crystal resonator 50 in a plan view is smaller than that of the heater IC 52, and the entire crystal resonator 50 is located within the range of the heater IC 52 in a plan view.
  • the entire lower surface of the crystal resonator 50 (the second main surface 302 of the second sealing member 30) is bonded to the upper surface of the heater IC 52.
  • a non-conductive adhesive 55 is interposed between the opposing surfaces of the heater IC 52 and the core substrate 4, and the non-conductive adhesive 55 fixes the opposing surfaces of the heater IC 52 and the core substrate 4. has been done.
  • the non-conductive adhesive 55 for example, a polyimide adhesive, an epoxy adhesive, or the like is used.
  • a polyimide adhesive, an epoxy adhesive, or the like is used as the non-conductive adhesive 55.
  • FIG. 11(a) an approximately rectangular opening 402 is formed in the center of the core substrate 4, and four corners (corners) of the opening 402 of the core substrate 4 are formed.
  • Arc-shaped protrusions that protrude inward of the opening 402 are formed in each region. In each protrusion, the opposing surfaces of the heater IC 52 and the core substrate 4 are fixed with a non-conductive adhesive 55.
  • FIG. 11(a) an approximately rectangular opening 402 is formed in the center of the core substrate 4, and four corners (corners) of the opening 402 of the core substrate 4 are formed.
  • a region R1 is a region on the upper surface of the core substrate 4 where the heater IC 52, which is a part of the core part 5, is mounted, and a region R2 is a region on the back surface of the core substrate 4 where it is bonded to the package 2. (the area where the non-conductive adhesive 7 is applied and the area where the spacer member 2f is arranged). Regions R1 and R2 are provided at positions that do not overlap each other in plan view, and region R2 is provided at a predetermined interval on both sides of region R1 in the lateral direction (left and right direction in FIG. 11(a)).
  • external terminals for wire bonding are formed on the upper surfaces of the crystal resonator 50 and the heater IC 52.
  • Wire bonding of the crystal resonator 50 and the heater IC 52 is not performed before the core section 5 is mounted on the package 2, but is performed after the core section 5 is mounted on the package 2. That is, as shown in FIG. 1, after the core part 5 is mounted on the package 2, the external terminal formed on the top surface of the crystal resonator 50 is connected via the wire 6a to the connection formed on the step surface of the step part 2c. Connected to the terminal. Further, an external terminal formed on the upper surface of the heater IC 52 is connected to a connecting terminal formed on the stepped surface of the stepped portion 2c via a wire 6b. In this way, by performing wire bonding after mounting the core portion 5 on the package 2, wire bonding can be performed efficiently and an OCXO 1 with excellent mass productivity can be provided.
  • the type of crystal resonator 50 used in the core section 5 is not particularly limited, but a sandwich-structured device can be suitably used, which allows the device to be easily made thin.
  • a device with a sandwich structure is composed of first and second sealing members made of glass or crystal, and a piezoelectric diaphragm made of, for example, crystal and having a vibrating part with excitation electrodes formed on both main surfaces.
  • the device has a three-layer structure in which a sealing member and a second sealing member are laminated and bonded via a piezoelectric diaphragm, and the vibrating portion of the piezoelectric diaphragm disposed inside is hermetically sealed.
  • a crystal oscillator 100 in which such a sandwich-structured crystal resonator 50 and an oscillation IC 51 are integrally provided will be described with reference to FIGS. 4 to 10.
  • the crystal oscillator 100 includes a crystal diaphragm (piezoelectric diaphragm) 10, a first sealing member 20, a second sealing member 30, and an oscillation IC 51.
  • the crystal diaphragm 10 and the first sealing member 20 are bonded together, and the crystal diaphragm 10 and the second sealing member 30 are bonded to form a package having a sandwich structure having a substantially rectangular parallelepiped shape. be done. That is, in the crystal oscillator 100, an internal space (cavity) of the package is formed by joining the first sealing member 20 and the second sealing member 30 to both main surfaces of the crystal plate 10, respectively.
  • a vibrating section 11 (see FIGS. 7 and 8) is hermetically sealed in the internal space.
  • the crystal oscillator 100 has a package size of, for example, 1.0 ⁇ 0.8 mm, and is designed to be smaller and lower in height. In addition, as packages become smaller, through holes are used to conduct the electrodes without forming castellations.
  • the oscillation IC 51 mounted on the first sealing member 20 is a one-chip integrated circuit element that constitutes an oscillation circuit together with the crystal diaphragm 10. Further, the crystal oscillator 100 is mounted on the above-described heater IC 52 via a non-conductive adhesive 54.
  • the crystal diaphragm 10 is a piezoelectric substrate made of crystal, and both principal surfaces (first principal surface 101, second principal surface 102) are flat and smooth surfaces (mirror-finished). It is formed as.
  • the crystal diaphragm 10 an AT-cut crystal plate that performs thickness shear vibration is used.
  • both main surfaces 101 and 102 of the crystal diaphragm 10 are XZ' planes.
  • the direction parallel to the transverse direction (short side direction) of the crystal diaphragm 10 is the X-axis direction
  • the direction parallel to the longitudinal direction (long side direction) of the crystal diaphragm 10 is the Z' axis. direction.
  • a pair of excitation electrodes (a first excitation electrode 111 and a second excitation electrode 112) are formed on both main surfaces 101 and 102 of the crystal diaphragm 10.
  • the crystal diaphragm 10 holds the vibrating part 11 by connecting the vibrating part 11 formed into a substantially rectangular shape, the outer frame part 12 surrounding the outer periphery of the vibrating part 11, and the vibrating part 11 and the outer frame part 12. It has a holding part (connecting part) 13. That is, the crystal diaphragm 10 has a configuration in which the vibrating section 11, the outer frame section 12, and the holding section 13 are integrally provided.
  • the holding part 13 extends (projects) from only one corner of the vibrating part 11 located in the +X direction and the -Z' direction to the outer frame part 12 in the -Z' direction.
  • the first excitation electrode 111 is provided on the first main surface 101 side of the vibrating section 11, and the second excitation electrode 112 is provided on the second main surface 102 side of the vibrating section 11.
  • the first excitation electrode 111 and the second excitation electrode 112 are connected to lead wires (first lead wire 113 and second lead wire 114) for connecting these excitation electrodes to external electrode terminals.
  • the first lead wiring 113 is drawn out from the first excitation electrode 111 and connected to the connection bonding pattern 14 formed on the outer frame part 12 via the holding part 13 .
  • the second lead wiring 114 is drawn out from the second excitation electrode 112 and connected to the connection bonding pattern 15 formed on the outer frame part 12 via the holding part 13 .
  • a vibration side seal for joining the crystal diaphragm 10 to the first sealing member 20 and the second sealing member 30 is provided on both principal surfaces (first principal surface 101, second principal surface 102) of the crystal diaphragm 10.
  • a stop portion is provided respectively.
  • a vibration-side first bonding pattern 121 is formed as the vibration-side sealing portion of the first principal surface 101
  • a vibration-side second bonding pattern 122 is formed as the vibration-side sealing portion of the second principal surface 102.
  • the first vibration-side bonding pattern 121 and the second vibration-side bonding pattern 122 are provided on the outer frame portion 12 and are formed in an annular shape when viewed from above.
  • five through holes are formed in the crystal diaphragm 10, penetrating between the first main surface 101 and the second main surface 102.
  • the four first through holes 161 are provided in four corner (corner) regions of the outer frame portion 12, respectively.
  • the second through hole 162 is provided in the outer frame portion 12 on one side of the vibrating portion 11 in the Z′ axis direction ( ⁇ Z′ direction side in FIGS. 7 and 8).
  • Connection bonding patterns 123 are formed around the first through holes 161, respectively.
  • a connection bonding pattern 124 is formed on the first main surface 101 side
  • a connection bonding pattern 15 is formed on the second main surface 102 side.
  • first through hole 161 and the second through hole 162 a through electrode is provided along the inner wall surface of each through hole to establish electrical conduction between the electrodes formed on the first main surface 101 and the second main surface 102. It is formed. Further, the center portions of each of the first through hole 161 and the second through hole 162 are hollow penetrating portions that penetrate between the first main surface 101 and the second main surface 102.
  • the first sealing member 20 is a rectangular parallelepiped substrate formed from one AT-cut crystal plate, and the second main surface of the first sealing member 20 is 202 (the surface to be joined to the crystal diaphragm 10) is formed as a flat and smooth surface (mirror finish).
  • the first sealing member 20 does not have a vibrating part, by using an AT-cut crystal plate like the crystal plate 10, the coefficient of thermal expansion of the crystal plate 10 and the first sealing member 20 can be reduced. They can be made the same, and thermal deformation in the crystal oscillator 100 can be suppressed.
  • the directions of the X-axis, Y-axis, and Z'-axis in the first sealing member 20 are also the same as those of the crystal diaphragm 10.
  • the oscillation IC 51 is bonded to the electrode pattern 22 by FCB (Flip Chip Bonding) using metal bumps (for example, Au bumps) 51a (see FIG. 4).
  • FCB Flip Chip Bonding
  • metal bumps for example, Au bumps
  • the electrode patterns 22 located at the four corners (corners) of the first main surface 201 of the first sealing member 20 are located on the upper surface of the core substrate 4 described above. It is connected to the formed connection terminal via a wire 6a. Thereby, the oscillation IC 51 is electrically connected to the outside via the wire 6a, the package 2, and the like.
  • the first sealing member 20 has six through holes connected to each of the six electrode patterns 22 and penetrating between the first main surface 201 and the second main surface 202.
  • a hole is formed.
  • four third through holes 211 are provided in four corner (corner) regions of the first sealing member 20.
  • the fourth and fifth through holes 212 and 213 are provided in the +Z' direction and -Z' direction in FIGS. 5 and 6, respectively.
  • the third through hole 211 and the fourth and fifth through holes 212 and 213 through electrodes are provided for electrically connecting the electrodes formed on the first main surface 201 and the second main surface 202. It is formed along the inner wall surface. Further, the central portions of the third through hole 211 and the fourth and fifth through holes 212 and 213 are hollow penetrating portions that penetrate between the first main surface 201 and the second main surface 202.
  • a sealing-side first bonding pattern 24 is formed as a sealing-side first sealing portion for bonding to the crystal diaphragm 10.
  • the sealing side first bonding pattern 24 is formed in an annular shape when viewed from above.
  • connection bonding patterns 25 are formed around the third through holes 211, respectively.
  • a connection bonding pattern 261 is formed around the fourth through hole 212, and a connection bonding pattern 262 is formed around the fifth through hole 213.
  • a connection bonding pattern 263 is formed on the opposite side of the first sealing member 20 in the long axis direction (-Z' direction side) with respect to the connection bonding pattern 261, and is connected to the connection bonding pattern 261. It is connected to the connecting pattern 263 by the wiring pattern 27.
  • the second sealing member 30 is a rectangular parallelepiped substrate formed from one AT-cut crystal plate, and the first main surface of the second sealing member 30 is 301 (the surface to be joined to the crystal diaphragm 10) is formed as a flat and smooth surface (mirror finish). Note that it is preferable that the second sealing member 30 also use an AT-cut crystal plate similarly to the crystal plate 10, and that the directions of the X-axis, Y-axis, and Z' axis are the same as those of the crystal plate 10.
  • a second sealing-side bonding pattern 31 as a second sealing portion for bonding to the crystal diaphragm 10 is formed on the first main surface 301 of the second sealing member 30 .
  • the sealing-side second bonding pattern 31 is formed in an annular shape when viewed from above.
  • Electrode terminals 32 are provided on the second main surface 302 of the second sealing member 30.
  • the electrode terminals 32 are located at four corners (corners) of the second main surface 302 of the second sealing member 30, respectively.
  • electrical connection with the outside is made via the electrode pattern 22 and the wire 6a, but it is also possible to make electrical connection with the outside using the electrode terminal 32. It is now possible.
  • the second sealing member 30 has four through holes that penetrate between the first main surface 301 and the second main surface 302.
  • the four sixth through holes 33 are provided in four corner (corner) regions of the second sealing member 30.
  • a through electrode is formed along the inner wall surface of each of the sixth through holes 33 for electrically connecting the electrodes formed on the first main surface 301 and the second main surface 302.
  • the through electrode formed on the inner wall surface of the sixth through hole 33 connects the electrode formed on the first main surface 301 and the electrode terminal 32 formed on the second main surface 302.
  • each of the sixth through holes 33 is a hollow penetrating portion that penetrates between the first main surface 301 and the second main surface 302. Further, on the first main surface 301 of the second sealing member 30, connection bonding patterns 34 are formed around the sixth through holes 33, respectively. Note that if the electrode terminal 32 is not used to make an electrical connection to the outside, a configuration may be adopted in which the electrode terminal 32, the sixth through hole 33, etc. are not provided.
  • the crystal diaphragm 10 and the first sealing member 20 are connected to the vibration-side first bonding pattern 121 and the sealing
  • the crystal diaphragm 10 and the second sealing member 30 are diffusion bonded with the first bonding pattern 24 on the vibration side superimposed and the second bonding pattern 31 on the sealing side superimposed.
  • the sandwich structure package shown in FIG. 4 is manufactured by diffusion bonding in this state. Thereby, the internal space of the package, that is, the housing space for the vibrating section 11 is hermetically sealed.
  • connection bonding patterns are also overlapped and diffusion bonded. Then, in the crystal oscillator 100, electrical continuity between the first excitation electrode 111, the second excitation electrode 112, the oscillation IC 51, and the electrode terminal 32 is obtained by joining the connection bonding patterns to each other.
  • the first excitation electrode 111 is connected to the oscillation IC 51 via the first lead wiring 113, the wiring pattern 27, the fourth through hole 212, and the electrode pattern 22 in this order.
  • the second excitation electrode 112 is connected to the oscillation IC 51 via the second lead wiring 114, the second through hole 162, the fifth through hole 213, and the electrode pattern 22 in this order.
  • various bonding patterns are formed by laminating a plurality of layers on a crystal plate, and a Ti (titanium) layer and an Au (gold) layer are formed by vapor deposition from the lowest layer side. is preferred. Further, it is preferable that other wirings and electrodes formed in the crystal oscillator 100 have the same configuration as the bonding pattern, since the bonding pattern, wiring, and electrodes can be patterned at the same time.
  • the sealing parts (seal paths) 115 and 116 that hermetically seal the vibrating part 11 of the crystal diaphragm 10 are formed in an annular shape in a plan view.
  • the seal path 115 is formed by diffusion bonding of the vibration-side first bonding pattern 121 and the sealing-side first bonding pattern 24 described above, and the outer and inner edges of the seal path 115 are formed into a substantially octagonal shape.
  • the seal path 116 is formed by diffusion bonding of the vibration-side second bonding pattern 122 and the sealing-side second bonding pattern 31 described above, and the outer edge shape and inner edge shape of the seal path 116 are approximately octagonal.
  • the core part 5 is supported by the package 2 via the core substrate 4, and the core part 5 includes at least the oscillation IC 51, the crystal resonator 50, and the heater IC 52, and The IC 51 for use with the heater, the crystal oscillator 50, and the IC 52 for the heater are stacked in this order.
  • the temperature of the core portion 5 is adjusted by controlling the current supplied to the heating element, and the temperature of the core portion 5 is maintained at a substantially constant temperature.
  • an opening 402 is provided in the core substrate 4 in a region immediately below the heater IC 52, which is a part of the core part 5, that is, so as to substantially overlap the region R1.
  • the opening 402 does not completely include the region R1 inside the opening, and the opening 402 has a shape that does not include at least four corners of the region R1. This allows the heater IC 52 to be adhesively fixed to the core substrate 4 at its four corners.
  • the area of the portion where the core part 5 (heater IC 52) and the core board 4 are connected (contacted) is reduced by the opening 402 provided in the core board 4, and the area between the core part 5 and the core board 4 is reduced. Since the amount of heat transferred from the core portion 5 to the core substrate 4 side (package 2 side) through the connection portion with the core portion 5 is reduced, the heat insulation properties of the core portion 5 can be improved. In other words, the heat of the core part 5 is less likely to move to the core board 4 side (less likely to leak) through the connection part between the core part 5 and the core board 4, and the heat generated from the heating element of the heater IC 52 is increased.
  • the parts can be fastened to the core part 5. As a result, the amount of heat generated by the heater required to maintain the temperature of the core portion 5 can be suppressed as small as possible, and the power consumption of the OCXO 1 can be reduced.
  • the opening 402 shown in FIG. 11(a) is formed such that the vertical and horizontal dimensions of the opening 402 are larger than the vertical and horizontal dimensions of the region R1.
  • the region R1 has a shape in which only the four corners are not included in the opening 402.
  • the area where the core part 5 (heater IC 52) and the core substrate 4 connect (contact) can be minimized, and the heat conduction reduction effect (insulation effect) by the opening 402 can be maximized. It will be done.
  • the core portion 5, the core substrate 4, and the opening 402 are each shaped symmetrically with respect to the center line C1 of the core substrate 4 in the vertical direction (the vertical direction in FIG. 11(a)). Further, the core portion 5, the core substrate 4, and the opening 402 are each shaped symmetrically with respect to the center line C2 of the core substrate 4 in the lateral direction (left-right direction in FIG. 11(a)). Further, the center of the opening 402 coincides with the center of gravity C0 of the core substrate 4 (the intersection of the center lines C1 and C2) and the center of gravity of the core portion 5.
  • the vertical and horizontal dimensions of the opening 402 may be formed to be smaller than the vertical and horizontal dimensions of the region R1.
  • the area R1 has a shape in which not only the four corners but also the entire periphery of the outer edge portion is not included in the opening 402, and the wire bonding connection part of the heater IC 52 of the core part 5 is not included in the opening 402 in a plan view. It is designed so that it does not overlap. That is, when wire-bonding the heater IC 52 of the core part 5 to the package 2, it is possible to prevent the opening 402 from existing directly under the wire bonding pad of the heater IC 52 of the core part 5.
  • the posture of the core section 5 can be stabilized, and the ultrasonic waves can efficiently contribute to the bonding, resulting in better wire bonding. Be able to do it.
  • slits 401 are provided on both sides of the opening 402 (both sides in the left-right direction in FIG. 11(a)) in the core substrate 4.
  • both the opening 402 and the slit 401 may be provided in the core substrate 4, or only the opening 402 may be provided in the core substrate 4 (not shown), or as shown in FIG.
  • only the slits 401 may be provided in the core substrate 4.
  • the slit 401 is provided between the region R1 and the region R2.
  • the vertical dimension of the slit 401 is larger than the vertical dimension of the opening 402 (see FIG. 11(a)).
  • Such a slit 401 narrows the heat transfer path between the region R1 and the region R2. Heat radiation from the core portion 5 to the package 2 due to heat conduction via the core substrate 4 can be reduced.
  • the slits 401 are arranged in the direction in which the regions R2 are arranged on both sides of the core substrate 4 (the left-right direction in FIGS. 11(a) and 12(a)). It is preferable that the longitudinal direction be a direction perpendicular to that direction (vertical direction in FIGS. 11(a) and 12(a)). Thereby, the slit 401 can block the heat transmitted from the region R1 to the region R2 over a wide range, and the heat insulating effect of the slit 401 is improved.
  • the heat insulation of the core part 5 can be improved, and most of the heat generated from the heating element of the heater IC 52 is absorbed. can be fastened to the core part 5.
  • the amount of heat generated by the heater required to maintain the temperature of the core portion 5 can be suppressed as small as possible, and the power consumption of the OCXO 1 can be reduced.
  • the width direction (horizontal direction in FIGS. 11(a) and 12(a)) of the slit 401 does not particularly affect the heat insulating effect of the slit 401, but from the viewpoint of avoiding a decrease in the strength of the core substrate 4. It is preferable to make it as small as possible. If the strength of the core substrate 4 decreases, when wire bonding the core portion 5 to the package 2, ultrasonic waves will no longer efficiently contribute to bonding, making it difficult to perform good wire bonding.
  • the slit 401 provided between the region R1 and one region R2 be divided into a plurality of slits in the longitudinal direction rather than being formed as one long slit (FIG. 11(a), (See FIG. 12(a)).
  • the slit 401 is not limited to being formed in a straight line, but may have a bent shape along the periphery of the region R2, for example (see FIG. 12(b)).
  • the slit 401 is not limited to being disposed between the region R1 and the region R2 and close to the region R2, but may be disposed close to the region R1 (FIG. 12(c) )reference).
  • the slit 401 can effectively block out the surrounding area and provide an effective heat insulating effect.
  • the opening 402 provided in the core substrate 4 is formed so that the core substrate 4 does not come into contact with the center part of the core part 5, and below the opening 402, the opening 402 is formed between the core substrate 4 and the package 2.
  • a space 2d is provided between the inner bottom surface and the inner bottom surface. As a result, the space 2d can improve the heat insulation properties of the core section 5, and the amount of heat generated by the heater required to maintain the temperature of the core section 5 can be further suppressed, further reducing the power consumption of the OCXO 1. be able to.
  • the opening 402 is formed into a substantially rectangular shape in plan view, and the core portion 5 is held in the four corner regions of the opening 402 of the core substrate 4, the The area of the portion where the portion 5 (heater IC 52) and the core substrate 4 are connected (contacted) can be made as small as possible, and the effect of reducing heat conduction (insulation effect) by the opening 402 can be improved.
  • the openings 402 it is necessary that more than half of the area (area with an area of 50% or more) of the area R1 overlaps with the openings 402 in plan view. preferable. Further, it is more preferable that most of the area (area with an area of 70% or more) of the area R1 overlaps with the opening 402 in plan view, and more preferably, almost all the area (with an area of 90% or more) overlaps with the opening 402. It is even more preferable that the region) overlap the opening 402.
  • the oscillation IC 51, the crystal oscillator 50, and the heater IC 52 each have an area that gradually decreases upward in a plan view, and the oscillation IC 51 and the crystal oscillator 50 each have an area that gradually decreases upward.
  • the entire opposing surface of one member (oscillation IC 51) having a relatively small area is bonded to the opposing surface of the other member (crystal oscillator 50).
  • the entire opposing surface of one member (crystal resonator 50) having a relatively small area is joined to the opposing surface of the other member (heater IC 52).
  • the entire joining surface of the member having a relatively smaller area in plan view is joined to the joined surface of the larger member, so that the core portion 5 can be made uniform.
  • the sandwich-structured crystal vibrator 50 in which the vibrating part 11 as described above is hermetically sealed and can be made low in height, is used. , it is possible to reduce the height and size of the core portion 5, and the heat capacity of the core portion 5 can be reduced. Thereby, the amount of heat generated by the heater of the OCXO 1 can be suppressed, and power consumption can be suppressed. Moreover, the temperature followability of the core portion 5 can be improved, and the stability of the OCXO 1 can be improved.
  • the vibrating section 11 is hermetically sealed without using an adhesive, so that the adverse effects of thermal convection due to outgas generated from the adhesive can be suppressed. . That is, in the space that hermetically seals the vibrating part 11, outgas generated from the adhesive circulates, causing thermal convection, which may impede accurate temperature control of the vibrating part 11. However, in the sandwich-structured crystal resonator 50, such outgassing does not occur, so that accurate temperature control of the vibrating section 11 is possible.
  • the heater substrate having a heater resistance is used as the heat source of the core part 5, there is a possibility that the heater substrate becomes large in size.
  • a large heater substrate is not necessary.
  • the necessary amount of heat generated by the heater can be secured, the size of the core section 5 can be further reduced, and the heat capacity of the core section 5 can be further reduced.
  • the size of the core part 5 is not limited, it is possible to use a heater substrate having a heater resistance as the heat source of the core part 5.
  • the crystal diaphragm 10 also includes a vibrating part 11 formed into a substantially rectangular shape, an outer frame part 12 surrounding the outer periphery of the vibrating part 11, and a holding part 13 connecting the vibrating part 11 and the outer frame part 12.
  • the slit 401 of the core substrate 4 is arranged on an extension line in the direction in which the holding portion 13 extends in plan view.
  • the package 2 will suffer heat damage and damage over time due to sealing, aging, aging, etc. Therefore, if a resin adhesive with low heat resistance is used as the adhesive (non-conductive adhesive 7, 53 to 55), gas will be generated inside the package 2 due to decomposition, softening, etc., and the high accuracy of the OCXO1. may interfere with temperature regulation. Therefore, in this embodiment, the occurrence of such defects is suppressed by using polyimide adhesives and epoxy adhesives, which have low thermal conductivity and high heat resistance, as such adhesives. I have to.
  • the openings 402 and slits 401 of the core substrate 4 described above are just examples, and the shape, size, number, arrangement position, etc. of the openings 402 and slits 401 on the core substrate 4 can be changed in various ways.
  • the opening 402 is provided in the area directly below the core part 5, but the arrangement position of the opening 402 is not particularly limited as long as it is in the area below the core part 5, and it is part of the area R1 in plan view. Any position that overlaps is sufficient.
  • the opening 402 is a through hole provided in the center of the core substrate 4, the present invention is not limited to this, and the opening 402 may be a notch provided in the peripheral portion of the core substrate 4.
  • the core substrate 4 may be divided into a plurality of parts, and the core substrates 4 may be arranged with a predetermined gap between them. In this case, the gap between adjacent core substrates 4 may be used as the opening 402. .
  • a sandwich-structure crystal resonator 50 is used as the piezoelectric resonator, but the present invention is not limited to this, and piezoelectric resonators having other structures may also be used.
  • a surface-mounted piezoelectric vibrator may be used, which has a structure in which a crystal diaphragm is mounted on a ceramic base having a housing portion, and the housing portion is hermetically sealed with a lid.
  • the oscillation IC 51 was mounted on the crystal oscillator 50 by the FCB method using metal bumps, the oscillation IC 51 was mounted on the crystal oscillator 50 by wire bonding, conductive adhesive, etc. may be installed.
  • the heater IC 52 was mounted on the core substrate 4 by wire bonding, the mounting of the heater IC 52 on the core substrate 4 is not limited to this. You may do so.
  • the electrical connection is made from the crystal resonator 50 to the core substrate 4 by wire bonding
  • the present invention is not limited to this.
  • the crystal resonator 50 is attached to the core board via the heater IC 52. 4 may be electrically connected. In this case, it is possible to avoid connecting the wire bonding wire to the crystal resonator 50, and it is possible to suppress the heat of the crystal resonator 50 from escaping to the outside via the wire. Note that all electrical connections may be made using only a conductive adhesive without using wire bonding or the like.
  • the crystal resonator 50 and the package 2 may not be directly connected by wire, and only the oscillation IC 51 may be directly connected to the crystal resonator 50 by wire.
  • the crystal resonator 50 and the oscillation IC 51 are connected via the wire 6c.
  • the heater IC 52 and the package 2 are connected via the wire 6b, and the oscillation IC 51 and the package 2 are connected via the wire 6d.
  • the crystal resonator 50 is only connected to the oscillation IC 51 via the wire 6c, and the crystal resonator 50 is not directly connected to the package 2 by wire.
  • heat can be suppressed from escaping from the crystal resonator 50 to the package 2 side through the wire.
  • the heat insulation for the crystal resonator 50 is improved and the temperature controllability for the crystal resonator 50 is improved.
  • the core part 5 has a structure in which at least the oscillation IC 51, the crystal oscillator 50, and the heater IC 52 are laminated in order from the top.
  • the IC 52, the crystal resonator 50, and the oscillation IC 51 may be stacked in this order from the top.
  • the core section 5 may have a structure in which at least the oscillation IC 51, the heater IC 52, and the crystal resonator 50 are laminated in order from the top, and in this structure, a relatively large-sized crystal resonator 50 is used. Therefore, the characteristics required for the crystal resonator 50 can be easily ensured.
  • the core part 5 only needs to have a structure in which at least the oscillation IC 51, the crystal oscillator 50, and the heater IC 52 are laminated in this order.
  • a configuration may be adopted in which a heater board or the like is added.
  • it may be a four-layer structure in which the heater substrate, the oscillation IC 51, the crystal resonator 50, and the heater IC 52 are laminated in order from the top, or the heater IC 52, the crystal resonator 50, the oscillation IC 51, and the heater substrate
  • it may also have a four-layer structure stacked in order from the top. In these cases, the temperature of the core portion 5 can be made more uniform by laminating a heater substrate, which is a heating element, on the oscillation IC 51.
  • the core part 5 only needs to have at least the oscillation IC 51, the crystal resonator 50, and the heater IC 52, and does not need to have the laminated structure as described above.
  • the core section 5 may include a heater substrate, a plurality of chip capacitors (bypass capacitors), and the like.
  • the region where the core substrate 4 and a component directly joined to the core substrate 4 (for example, a heater substrate) are bonded is the region where the core portion 5 is provided.
  • the core part 5 and the package 2 are electrically connected without going through the core board 4, but the core part 5 and the package 2 are electrically connected through the core board 4. You may.
  • the core section 5 has a configuration in which the crystal resonator 50 is mounted on the heater IC 52, and the oscillation IC 51 is mounted on the crystal resonator 50.
  • the present invention is not limited to this, and the core section 5 may have a configuration in which the crystal resonator 50 and the oscillation IC 51 are mounted horizontally on the heater IC 52.
  • an AT-cut crystal diaphragm is used as the crystal diaphragm 10, but other crystal diaphragms (for example, an SC-cut crystal diaphragm, a quartz Z-plate, etc.) may be used.
  • the first sealing member 20 and the second sealing member 30 are formed of a crystal plate, the present invention is not limited thereto. Alternatively, it may be formed of resin.
  • the package 2 is a single package, but the present invention is not limited to this.
  • a package with an H-shaped structure or a package with a two-tiered structure may be used as the package 2. You can also do it.

Abstract

コア部（５）が断熱用のパッケージ（２）の内部に密閉状態で封入されたＯＣＸＯ（１）において、コア部（５）は、少なくとも発振用ＩＣ（５１）、水晶振動子（５０）、およびヒータ用ＩＣ（５２）を含んだ構成になっており、コア部（５）の底面にはコア基板（４）が配置され、このコア基板（４）の底面が非導電性接着剤（５５）によってコア基板（４）に接合され、コア基板（４）が非導電性接着剤（７）によってパッケージ（２）に接合されており、コア基板（４）には、コア部（５）の下方の領域に開口（４０２）が設けられている。

Description

恒温槽型圧電発振器
　本発明は、恒温槽型圧電発振器に関する。
　水晶振動子等の圧電振動子は、固有の周波数温度特性に基づいて、温度に応じて振動周波数が変化する。そこで、圧電振動子の周囲の温度を一定に保つために、恒温槽内に圧電振動子を封入した恒温槽型圧電発振器（Ｏｖｅｎ－Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　Ｘｔａｌ（ｃｒｙｓｔａｌ）　Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ：以下、「ＯＣＸＯ」とも言う。）が知られている（例えば、特許文献１参照）。ＯＣＸＯは、例えば、発振用ＩＣ、圧電振動子、ヒータ用ＩＣ等を有するコア部が、断熱用のパッケージの内部に密閉状態で封入された構成になっており、コア部は、コア基板を介してパッケージに固定されている。ＯＣＸＯでは、ヒータ用ＩＣの発熱体（熱源）が発生する熱量（ヒータ発熱量）を制御することによって、コア部の温度が略一定の温度に維持されるようになっている。
特許第６３７６６８１号公報
　上述したようなＯＣＸＯにおいて、コア部は、例えば非導電性接着剤等によってコア基板に固定される。この場合、コア部とコア基板との接続部分を介して、コア部の熱がコア基板側へ移動し、コア部からコア基板側へ移動した熱量の分だけコア部の断熱性が悪化する。このため、コア部とコア基板との接続部分の面積が大きくなるほど、コア部の温度を維持するために必要なヒータ発熱量が大きくなり、消費電力が大きくなることが懸念される。
　本発明は上述したような実情を考慮してなされたもので、コア部の断熱性を向上させ、コア部の温度を維持するためのヒータ発熱量をできる限り小さく抑えることが可能な恒温槽型圧電発振器を提供することを目的とする。
　本発明は、上述の課題を解決するための手段を以下のように構成している。すなわち、本発明は、コア部が断熱用のパッケージの内部に密閉状態で封入された恒温槽型圧電発振器であって、前記コア部は、少なくとも発振用ＩＣ、圧電振動子、およびヒータ用ＩＣを含んだ構成になっており、前記コア部の底面には、コア基板が配置され、前記コア部の前記底面が第１の接合材によって前記コア基板に接合され、前記コア基板が第２の接合材によって前記パッケージに接合されており、前記コア基板には、前記コア部の下方の領域に開口が設けられていることを特徴とする。
　上記構成によれば、コア基板に設けられた開口によって、コア部とコア基板とが接続（接触）する部分の面積が小さくなり、コア部とコア基板との接続部分を介して、コア部からコア基板側（パッケージ側）へ移動する熱量が小さくなるので、コア部の断熱性を向上させることができる。つまり、コア部とコア基板との接続部分を介して、コア部の熱がコア基板側へ移動しにくくなり（漏れにくくなり）、ヒータ用ＩＣの発熱体から発生した熱の大部分をコア部に留めることができる。これにより、コア部の温度を維持するために必要なヒータ発熱量をできる限り小さく抑えることができ、ＯＣＸＯの消費電力を低減することができる。
　上記構成において、前記開口は、前記コア基板が前記コア部の中央部と接触しないように形成され、前記開口の下方には、前記コア基板と前記パッケージの内底面との間に形成された空間が設けられていることが好ましい。上記構成によれば、コア基板とパッケージの内底面との間に設けられた空間によって、コア部の断熱性を高めることができる。これにより、コア部の温度を維持するために必要なヒータ発熱量をより小さく抑えることができ、ＯＣＸＯの消費電力をより低減することができる。
　上記構成において、前記開口は、平面視で略矩形に形成され、前記コア基板の前記開口の４隅の領域で前記コア部が保持されていることが好ましい。上記構成によれば、コア部の接合性を低下させることなく、コア基板とが接続（接触）する部分の面積をできる限り小さくすることができ、開口による熱伝導低減効果（断熱効果）を向上させることができる。
　上記構成において、開口によるコア部の断熱性を向上させるためには、平面視で前記コア部が配置される領域のうち、５０％以上の面積の領域が前記開口と重畳していることが好ましい。
　上記構成において、前記コア部と前記パッケージとは、ワイヤボンディングによって電気的接合され、前記コア部におけるワイヤの接続部は、平面視で前記開口と重畳していないことが好ましい。上記構成によれば、開口が重畳していないことで、コア部をパッケージにワイヤボンディングする際に、超音波が効率的に接合に寄与させることができ、より良好なワイヤボンディングが行えるようになる。
　上記構成において、前記コア基板には、当該コア基板の上面において前記コア部が搭載される搭載領域と、当該コア基板を前記パッケージに接合するための接合領域との間にスリットが設けられていることが好ましい。上記構成によれば、コア基板に設けられたスリットによってコア部が搭載される搭載領域と、コア基板をパッケージに接合するための接合領域との間の伝熱経路が狭められる。コア基板を介した熱伝導によってコア部からパッケージへの放熱が生じることを低減することができる。
　また、本発明は、コア部が断熱用のパッケージの内部に密閉状態で封入された恒温槽型圧電発振器であって、前記コア部は、少なくとも発振用ＩＣ、圧電振動子、およびヒータ用ＩＣを含んだ構成になっており、前記コア部の底面には、コア基板が配置され、前記コア部の前記底面が第１の接合材によって前記コア基板に接合され、前記コア基板が第２の接合材によって前記パッケージに接合されており、前記コア基板には、当該コア基板の上面において前記コア部が搭載される搭載領域と、当該コア基板を前記パッケージに接合するための接合領域との間にスリットが設けられていることを特徴とする。
　上記構成によれば、スリットによって、搭載領域から接合領域に伝わる熱を遮断することができ、コア部からコア基板側（パッケージ側）へ移動する熱量が小さくなるので、コア部の断熱性を向上させることができ、ヒータ用ＩＣの発熱体から発生した熱の大部分をコア部に留めることができる。これにより、コア部の温度を維持するために必要なヒータ発熱量をできる限り小さく抑えることができ、ＯＣＸＯの消費電力を低減することができる。
　上記構成において、前記スリットは、前記接合領域の周囲に沿った形状とされていることが好ましい。上記構成によれば、スリットを接合領域の周囲形状に沿わせることで、スリットの開口面積を不要に拡大することなく、接合領域への熱伝導を効果的に遮断し、スリットによる効果的な断熱効果が得られる。
　上記構成において、前記スリットは、その長手方向に複数に分割された構成になっていることが好ましい。上記構成によれば、スリットを複数に分割することにより、１つの長いスリットとする場合に比べ、コア基板の強度低下を避けることができる。
　上記構成において、前記圧電振動子が、第１、第２封止部材と、両主面に励振電極が形成された振動部を有する圧電振動板とを備え、前記第１封止部材と前記第２封止部材とが、前記圧電振動板を介して積層して接合され、内部に配された前記圧電振動板の前記振動部が気密封止される構成になっていることが好ましい。上記構成によれば、コア部の圧電振動子として、上述のような振動部が内部に気密封止されたサンドイッチ構造の圧電振動子が用いられているので、コア部の低背化および小型化を図ることができ、コア部の熱容量を小さくすることができる。これにより、ＯＣＸＯのヒータ発熱量を抑えることができ、消費電力を抑えることができる。しかも、コア部の温度追従性を向上させることができ、ＯＣＸＯの安定性を向上させることができる。また、サンドイッチ構造の圧電振動子では、接着剤を用いずに振動部が気密封止されるので、接着剤から発生したアウトガスによる熱対流の悪影響を抑制することができる。つまり、振動部を気密封止する空間内で、接着剤から発生したアウトガスが循環することによって熱対流が発生し、振動部の精度良い温度制御が妨げられる可能性がある。しかし、サンドイッチ構造の圧電振動子では、そのようなアウトガスが発生しないため、振動部の精度良い温度制御が可能になる。
　本発明の恒温槽型圧電発振器によれば、コア基板に設けられた開口によって、コア部とコア基板とが接続（接触）する部分の面積が小さくなり、コア部とコア基板との接続部分を介して、コア部からコア基板側へ移動する熱量が小さくなるので、コア部の断熱性を向上させることができる。つまり、コア部とコア基板との接続部分を介して、コア部の熱がコア基板側へ移動しにくくなり、ヒータ用ＩＣの発熱体から発生した熱の大部分をコア部に留めることができる。
本発明の実施形態にかかるＯＣＸＯの概略構成を示す断面図である。 図１のＯＣＸＯの平面図である。 図１のＯＣＸＯのコア部およびコア基板の概略構成を示す断面図である。 図２のコア部の水晶発振器（水晶振動子および発振用ＩＣ）の各構成を模式的に示した概略構成図である。 図４の水晶発振器の第１封止部材の第１主面側の概略平面図である。 図４の水晶発振器の第１封止部材の第２主面側の概略平面図である。 図４の水晶発振器の水晶振動板の第１主面側の概略平面図である。 図４の水晶発振器の水晶振動板の第２主面側の概略平面図である。 図４の水晶発振器の第２封止部材の第１主面側の概略平面図である。 図４の水晶発振器の第２封止部材の第２主面側の概略平面図である。 （ａ）、（ｂ）は、コア基板の一形状例を示す平面図である。 （ａ）～（ｃ）は、コア基板の変形例を示す平面図である。 他の実施形態にかかるＯＣＸＯの概略構成を示す図１相当図である。
　以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
　本実施形態にかかるＯＣＸＯ１は、図１、図２に示すように、セラミック製等で略直方体のパッケージ（筐体）２の内部にコア部５が配置され、リッド（蓋）３によって気密封止された構造とされている。パッケージ２には、上方が開口された凹部２ａが形成されており、凹部２ａの内部にコア部５が気密状態で封入されている。凹部２ａを囲う周壁部２ｂの上面には、リッド３が封止材８を介して固定されており、パッケージ２の内部が密封状態（気密状態）になっている。封止材８としては、例えばＡｕ－Ｓｕ合金や、はんだ等の金属系封止材が好適に用いられるが、低融点ガラス等の封止材を用いてもよい。また、これらに限らず、金属リングを用いたシーム封止や金属リングを用いないダイレクトシーム封止、ビーム封止などの手法による封止部材の構成を採用することも可能である（真空度を低下させない上では、シーム封止が好ましい）。パッケージ２の内部空間は、真空（例えば真空度が１０Ｐａ以下）、または低圧の窒素やアルゴンなどの熱伝導率が低い雰囲気であることが好ましい。なお、図２では、リッド３を取り外した状態のＯＣＸＯ１を示しており、ＯＣＸＯ１の内部の構造を示している。
　パッケージ２の周壁部２ｂの内壁面には、接続端子（図示省略）の並びに沿った段差部２ｃが形成されている。コア部５は、対向する一対の段差部２ｃ，２ｃ間における凹部２ａの底面に、コア基板４を介して配置されている。あるいは、段差部２ｃは、凹部２ａの底面の４方を囲むように形成されていてもよい。コア基板４は、例えばポリイミド等の耐熱性および可撓性を有する樹脂材料からなる。なお、コア基板４を水晶によって形成してもよい。
　コア基板４は、非導電性接着剤（接合材）７により凹部２ａの底面に接合されており、コア基板４の下側の部分には空間（ギャップ）２ｄが形成されている。コア基板４の中央部には、後述する開口４０２が形成されており、開口４０２は空間２ｄの上方に設けられている。また、コア部５の各構成部材に形成された外部端子（図示省略）は、ワイヤ６ａ，６ｂを介して段差部２ｃの段差面上に形成された接続端子にワイヤボンディングにより接続されている。非導電性接着剤７，７の内方側には、スペーサ部材２ｆ，２ｆが設けられている。非導電性接着剤７としては、例えばポリイミド系接着剤、エポキシ系接着剤等が用いられる。スペーサ部材２ｆは、例えばモリブデン、タングステン等のペースト材からなる。
　非導電性接着剤７，７は、コア基板４の長手方向の両端部に配置されており、コア基板４の短手方向（図１の紙面に直交する方向）に沿って直線状に配置されている。各スペーサ部材２ｆは、非導電性接着剤７の側方に隣接するように配置されており、コア基板４の短手方向に沿って直線状に配置されている。このように、非導電性接着剤７，７の内方側において、コア基板４とパッケージ２の底面の間に、スペーサ部材２ｆ，２ｆが介在されている。スペーサ部材２ｆ，２ｆによって、コア基板４の長手方向の両端部が支持されている。
　次に、コア部５について、図３を参照して説明する。図３では、コア部５がコア基板４上に搭載された状態を図示している。コア部５は、ＯＣＸＯ１で使用される各種電子部品をパッケージングしたものであり、発振用ＩＣ５１、水晶振動子（圧電振動子）５０、およびヒータ用ＩＣ５２が上側から順に積層された３層構造（積層構造）の構成になっている。発振用ＩＣ５１、水晶振動子５０、およびヒータ用ＩＣ５２は、平面視におけるそれぞれの面積が、上方に向かって漸次小さくなっている。コア部５は、特に、温度特性の大きい水晶振動子５０、発振用ＩＣ５１、およびヒータ用ＩＣ５２の温度調整を行うことで、ＯＣＸＯ１の発振周波数を安定させるように構成されている。なお、コア部５の各種電子部品は封止樹脂によって封止されていないが、封止雰囲気によっては封止樹脂による封止を行うようにしてもよい。
　水晶振動子５０および発振用ＩＣ５１によって、水晶発振器１００が構成される。発振用ＩＣ５１は、複数の金属バンプ５１ａ（図４参照）を介して水晶振動子５０上に搭載されている。発振用ＩＣ５１によって水晶振動子５０の圧電振動を制御することにより、ＯＣＸＯ１の発振周波数が制御される。水晶発振器１００の詳細については後述する。
　水晶振動子５０および発振用ＩＣ５１の互いの対向面の間には、非導電性接着剤５３が介在されており、非導電性接着剤５３によって水晶振動子５０および発振用ＩＣ５１の互いの対向面が固定されている。この場合、水晶振動子５０の上面（第１封止部材２０の第１主面２０１）と、発振用ＩＣ５１の下面とが、非導電性接着剤５３を介して接合される。非導電性接着剤５３としては、例えばポリイミド系接着剤、エポキシ系接着剤などが用いられる。また、水晶振動子５０の上面に形成された外部端子（図５に示す電極パターン２２）が、ワイヤ６ａを介してコア基板４の上面に形成された接続端子にワイヤボンディングにより接続されている。
　発振用ＩＣ５１は、平面視における面積が水晶振動子５０よりも小さくなっており、発振用ＩＣ５１の全体が、平面視で水晶振動子５０の範囲内に位置している。発振用ＩＣ５１の下面の全体が、水晶振動子５０の上面（第１封止部材２０の第１主面２０１）に接合されている。
　ヒータ用ＩＣ５２は、例えば発熱体（熱源）と、発熱体の温度制御用の制御回路（電流制御用の回路）と、発熱体の温度を検出するための温度センサとが一体になった構成とされている。ヒータ用ＩＣ５２によってコア部５の温度制御を行うことにより、コア部５の温度が略一定の温度に維持され、ＯＣＸＯ１の発振周波数の安定化が図られている。
　水晶振動子５０およびヒータ用ＩＣ５２の互いの対向面の間には、非導電性接着剤５４が介在されており、非導電性接着剤５４によって水晶振動子５０およびヒータ用ＩＣ５２の互いの対向面が固定されている。この場合、水晶振動子５０の下面（第２封止部材３０の第２主面３０２）と、ヒータ用ＩＣ５２の上面とが、非導電性接着剤５４を介して接合される。非導電性接着剤５４としては、例えばポリイミド系接着剤、エポキシ系接着剤などが用いられる。また、ヒータ用ＩＣ５２の上面に形成された外部端子（図示省略）が、ワイヤ６ｂを介してコア基板４の上面に形成された接続端子にワイヤボンディングにより接続されている。
　水晶振動子５０は、平面視における面積がヒータ用ＩＣ５２よりも小さくなっており、水晶振動子５０の全体が、平面視でヒータ用ＩＣ５２の範囲内に位置している。水晶振動子５０の下面（第２封止部材３０の第２主面３０２）の全体が、ヒータ用ＩＣ５２の上面に接合されている。
　ヒータ用ＩＣ５２およびコア基板４の互いの対向面の間には、非導電性接着剤５５が介在されており、非導電性接着剤５５によってヒータ用ＩＣ５２およびコア基板４の互いの対向面が固定されている。非導電性接着剤５５としては、例えばポリイミド系接着剤、エポキシ系接着剤などが用いられる。ここで、コア基板４の中央部には、図１１（ａ）に示すように、平面視で略矩形の開口４０２が形成されており、コア基板４の開口４０２の４隅（角部）の領域には、開口４０２の内方に向けて突出する円弧状の突出部がそれぞれ形成されている。そして、各突出部において、非導電性接着剤５５によってヒータ用ＩＣ５２およびコア基板４の互いの対向面が固定されている。なお、図１１（ａ）において、領域Ｒ１はコア基板４の上面においてコア部５の一部であるヒータ用ＩＣ５２が搭載される領域であり、領域Ｒ２はコア基板４の裏面においてパッケージ２と接合される領域（非導電性接着剤７の塗布領域およびスペーサ部材２ｆの配置領域）である。領域Ｒ１，Ｒ２は平面視で互いに重畳しない位置に設けられており、領域Ｒ１の横方向（図１１（ａ）では左右方向）の両側に所定の間隔を隔てて領域Ｒ２が設けられている。
　図３に示すコア部５において、水晶振動子５０およびヒータ用ＩＣ５２の上面にはワイヤボンディング用の外部端子が形成されている。水晶振動子５０およびヒータ用ＩＣ５２のワイヤボンディングは、コア部５をパッケージ２に搭載する前には行われず、コア部５をパッケージ２に搭載した後に行われる。すなわち、図１に示すように、コア部５をパッケージ２に搭載した後、水晶振動子５０の上面に形成された外部端子がワイヤ６ａを介して段差部２ｃの段差面上に形成された接続端子に接続される。また、ヒータ用ＩＣ５２の上面に形成された外部端子がワイヤ６ｂを介して段差部２ｃの段差面上に形成された接続端子に接続される。このように、コア部５をパッケージ２に搭載した後でワイヤボンディングを行うことによって、効率よくワイヤボンディングを行うことができ、量産性に優れたＯＣＸＯ１を提供することができる。
　コア部５に用いられる水晶振動子５０の種類は特に限定されるものではないが、デバイスを薄型化しやすい、サンドイッチ構造のデバイスを好適に使用できる。サンドイッチ構造のデバイスは、ガラスや水晶からなる第１、第２封止部材と、例えば水晶からなり両主面に励振電極が形成された振動部を有する圧電振動板とから構成され、第１封止部材と第２封止部材とが、圧電振動板を介して積層して接合され、内部に配された圧電振動板の振動部が気密封止される３枚重ね構造のデバイスである。
　このようなサンドイッチ構造の水晶振動子５０と、発振用ＩＣ５１とが一体的に設けられた水晶発振器１００について、図４～図１０を参照して説明する。
　水晶発振器１００は、図４に示すように、水晶振動板（圧電振動板）１０、第１封止部材２０、第２封止部材３０、および発振用ＩＣ５１を備えて構成されている。この水晶発振器１００では、水晶振動板１０と第１封止部材２０とが接合され、水晶振動板１０と第２封止部材３０とが接合されることによって、略直方体のサンドイッチ構造のパッケージが構成される。すなわち、水晶発振器１００においては、水晶振動板１０の両主面のそれぞれに第１封止部材２０および第２封止部材３０が接合されることでパッケージの内部空間（キャビティ）が形成され、この内部空間に振動部１１（図７、図８参照）が気密封止される。
　水晶発振器１００は、例えば、１．０×０．８ｍｍのパッケージサイズであり、小型化と低背化とを図ったものである。また、小型化に伴い、パッケージでは、キャスタレーションを形成せずに、スルーホールを用いて電極の導通を図っている。第１封止部材２０上に搭載される発振用ＩＣ５１は、水晶振動板１０とともに発振回路を構成する１チップ集積回路素子である。また、水晶発振器１００は、上述したヒータ用ＩＣ５２上に、非導電性接着剤５４を介して搭載される。
　水晶振動板１０は、図７、図８に示すように、水晶からなる圧電基板であって、その両主面（第１主面１０１，第２主面１０２）が平坦平滑面（鏡面加工）として形成されている。水晶振動板１０として、厚みすべり振動を行うＡＴカット水晶板が用いられている。図７、図８に示す水晶振動板１０では、水晶振動板１０の両主面１０１，１０２が、ＸＺ´平面とされている。このＸＺ´平面において、水晶振動板１０の短手方向（短辺方向）に平行な方向がＸ軸方向とされ、水晶振動板１０の長手方向（長辺方向）に平行な方向がＺ´軸方向とされている。
　水晶振動板１０の両主面１０１，１０２には、一対の励振電極（第１励振電極１１１，第２励振電極１１２）が形成されている。水晶振動板１０は、略矩形に形成された振動部１１と、この振動部１１の外周を取り囲む外枠部１２と、振動部１１と外枠部１２とを連結することで振動部１１を保持する保持部（連結部）１３とを有している。すなわち、水晶振動板１０は、振動部１１、外枠部１２および保持部１３が一体的に設けられた構成となっている。保持部１３は、振動部１１の＋Ｘ方向かつ－Ｚ´方向に位置する１つの角部のみから、－Ｚ´方向に向けて外枠部１２まで延びている（突出している）。
　第１励振電極１１１は振動部１１の第１主面１０１側に設けられ、第２励振電極１１２は振動部１１の第２主面１０２側に設けられている。第１励振電極１１１，第２励振電極１１２には、これらの励振電極を外部電極端子に接続するための引出配線（第１引出配線１１３，第２引出配線１１４）が接続されている。第１引出配線１１３は、第１励振電極１１１から引き出され、保持部１３を経由して、外枠部１２に形成された接続用接合パターン１４に繋がっている。第２引出配線１１４は、第２励振電極１１２から引き出され、保持部１３を経由して、外枠部１２に形成された接続用接合パターン１５に繋がっている。
　水晶振動板１０の両主面（第１主面１０１，第２主面１０２）には、水晶振動板１０を第１封止部材２０および第２封止部材３０に接合するための振動側封止部がそれぞれ設けられている。第１主面１０１の振動側封止部としては振動側第１接合パターン１２１が形成されており、第２主面１０２の振動側封止部としては振動側第２接合パターン１２２が形成されている。振動側第１接合パターン１２１および振動側第２接合パターン１２２は、外枠部１２に設けられており、平面視で環状に形成されている。
　また、水晶振動板１０には、図７、図８に示すように、第１主面１０１と第２主面１０２との間を貫通する５つのスルーホールが形成されている。具体的には、４つの第１スルーホール１６１は、外枠部１２の４隅（角部）の領域にそれぞれ設けられている。第２スルーホール１６２は、外枠部１２であって、振動部１１のＺ´軸方向の一方側（図７、図８では、－Ｚ´方向側）に設けられている。第１スルーホール１６１の周囲には、それぞれ接続用接合パターン１２３が形成されている。また、第２スルーホール１６２の周囲には、第１主面１０１側では接続用接合パターン１２４が、第２主面１０２側では接続用接合パターン１５が形成されている。
　第１スルーホール１６１および第２スルーホール１６２には、第１主面１０１と第２主面１０２とに形成された電極の導通を図るための貫通電極が、スルーホールそれぞれの内壁面に沿って形成されている。また、第１スルーホール１６１および第２スルーホール１６２それぞれの中央部分は、第１主面１０１と第２主面１０２との間を貫通した中空状態の貫通部分となる。
　次に、第１封止部材２０は、図５、図６に示すように、１枚のＡＴカット水晶板から形成された直方体の基板であり、この第１封止部材２０の第２主面２０２（水晶振動板１０に接合する面）は平坦平滑面（鏡面加工）として形成されている。なお、第１封止部材２０は振動部を有するものではないが、水晶振動板１０と同様にＡＴカット水晶板を用いることで、水晶振動板１０と第１封止部材２０の熱膨張率を同じにすることができ、水晶発振器１００における熱変形を抑制することができる。また、第１封止部材２０におけるＸ軸、Ｙ軸およびＺ´軸の向きも水晶振動板１０と同じとされている。
　第１封止部材２０の第１主面２０１には、図５に示すように、発振回路素子である発振用ＩＣ５１を搭載する搭載パッドを含む６つの電極パターン２２が形成されている。発振用ＩＣ５１は、金属バンプ（例えばＡｕバンプなど）５１ａ（図４参照）を用いて電極パターン２２に、ＦＣＢ（Ｆｌｉｐ　Ｃｈｉｐ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）法により接合される。また、本実施形態では、６つの電極パターン２２のうち、第１封止部材２０の第１主面２０１の４隅（角部）に位置する電極パターン２２は、上述したコア基板４の上面に形成された接続端子にワイヤ６ａを介して接続されている。これにより、発振用ＩＣ５１が、ワイヤ６ａ、パッケージ２等を介して、外部に電気的に接続されるようになっている。
　第１封止部材２０には、図５、図６に示すように、６つの電極パターン２２のそれぞれと接続され、第１主面２０１と第２主面２０２との間を貫通する６つのスルーホールが形成されている。具体的には、４つの第３スルーホール２１１が、第１封止部材２０の４隅（角部）の領域に設けられている。第４，第５スルーホール２１２，２１３は、図５、図６の＋Ｚ´方向および－Ｚ´方向にそれぞれ設けられている。
　第３スルーホール２１１および第４，第５スルーホール２１２，２１３には、第１主面２０１と第２主面２０２とに形成された電極の導通を図るための貫通電極が、スルーホールそれぞれの内壁面に沿って形成されている。また、第３スルーホール２１１および第４，第５スルーホール２１２，２１３それぞれの中央部分は、第１主面２０１と第２主面２０２との間を貫通した中空状態の貫通部分となる。
　第１封止部材２０の第２主面２０２には、水晶振動板１０に接合するための封止側第１封止部としての封止側第１接合パターン２４が形成されている。封止側第１接合パターン２４は、平面視で環状に形成されている。
　また、第１封止部材２０の第２主面２０２では、第３スルーホール２１１の周囲に接続用接合パターン２５がそれぞれ形成されている。第４スルーホール２１２の周囲には接続用接合パターン２６１が、第５スルーホール２１３の周囲には接続用接合パターン２６２が形成されている。さらに、接続用接合パターン２６１に対して第１封止部材２０の長軸方向の反対側（－Ｚ´方向側）には接続用接合パターン２６３が形成されており、接続用接合パターン２６１と接続用接合パターン２６３とは配線パターン２７によって接続されている。
　次に、第２封止部材３０は、図９、図１０に示すように、１枚のＡＴカット水晶板から形成された直方体の基板であり、この第２封止部材３０の第１主面３０１（水晶振動板１０に接合する面）は平坦平滑面（鏡面加工）として形成されている。なお、第２封止部材３０においても、水晶振動板１０と同様にＡＴカット水晶板を用い、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ´軸の向きも水晶振動板１０と同じとすることが望ましい。
　この第２封止部材３０の第１主面３０１には、水晶振動板１０に接合するための封止側第２封止部としての封止側第２接合パターン３１が形成されている。封止側第２接合パターン３１は、平面視で環状に形成されている。
　第２封止部材３０の第２主面３０２には、４つの電極端子３２が設けられている。電極端子３２は、第２封止部材３０の第２主面３０２の４隅（角部）にそれぞれ位置する。なお、本実施形態では、上述したように、電極パターン２２、ワイヤ６ａを介して外部との電気的に接続が行われるが、電極端子３２を用いて外部との電気的な接続を行うことも可能になっている。
　第２封止部材３０には、図９、図１０に示すように、第１主面３０１と第２主面３０２との間を貫通する４つのスルーホールが形成されている。具体的には、４つの第６スルーホール３３は、第２封止部材３０の４隅（角部）の領域に設けられている。第６スルーホール３３には、第１主面３０１と第２主面３０２とに形成された電極の導通を図るための貫通電極が、第６スルーホール３３それぞれの内壁面に沿って形成されている。このように第６スルーホール３３の内壁面に形成された貫通電極によって、第１主面３０１に形成された電極と、第２主面３０２に形成された電極端子３２とが導通されている。また、第６スルーホール３３それぞれの中央部分は、第１主面３０１と第２主面３０２との間を貫通した中空状態の貫通部分となっている。また、第２封止部材３０の第１主面３０１では、第６スルーホール３３の周囲には、それぞれ接続用接合パターン３４が形成されている。なお、電極端子３２を用いて外部との電気的な接続を行わない場合には、電極端子３２、第６スルーホール３３等を設けない構成としてもよい。
　上記の水晶振動板１０、第１封止部材２０、および第２封止部材３０を含む水晶発振器１００では、水晶振動板１０と第１封止部材２０とが振動側第１接合パターン１２１および封止側第１接合パターン２４を重ね合わせた状態で拡散接合され、水晶振動板１０と第２封止部材３０とが振動側第２接合パターン１２２および封止側第２接合パターン３１を重ね合わせた状態で拡散接合されて、図４に示すサンドイッチ構造のパッケージが製造される。これにより、パッケージの内部空間、つまり、振動部１１の収容空間が気密封止される。
　この際、上述した接続用接合パターン同士も重ね合わせられた状態で拡散接合される。そして、接続用接合パターン同士の接合により、水晶発振器１００では、第１励振電極１１１、第２励振電極１１２、発振用ＩＣ５１および電極端子３２の電気的導通が得られるようになっている。
　具体的には、第１励振電極１１１は、第１引出配線１１３、配線パターン２７、第４スルーホール２１２および電極パターン２２を順に経由して、発振用ＩＣ５１に接続される。第２励振電極１１２は、第２引出配線１１４、第２スルーホール１６２、第５スルーホール２１３および電極パターン２２を順に経由して、発振用ＩＣ５１に接続される。
　水晶発振器１００において、各種接合パターンは、複数の層が水晶板上に積層されてなり、その最下層側からＴｉ（チタン）層とＡｕ（金）層とが蒸着形成されているものとすることが好ましい。また、水晶発振器１００に形成される他の配線や電極も、接合パターンと同一の構成とすれば、接合パターンや配線および電極を同時にパターニングでき、好ましい。
　上述のように構成された水晶発振器１００では、水晶振動板１０の振動部１１を気密封止する封止部（シールパス）１１５，１１６は、平面視で、環状に形成されている。シールパス１１５は、上述した振動側第１接合パターン１２１および封止側第１接合パターン２４の拡散接合によって形成され、シールパス１１５の外縁形状および内縁形状が略八角形に形成されている。同様に、シールパス１１６は、上述した振動側第２接合パターン１２２および封止側第２接合パターン３１の拡散接合によって形成され、シールパス１１６の外縁形状および内縁形状が略八角形に形成されている。
　上述したように、コア部５は、コア基板４を介してパッケージ２に支持されており、コア部５は、少なくとも発振用ＩＣ５１、水晶振動子５０、およびヒータ用ＩＣ５２を有しており、発振用ＩＣ５１、水晶振動子５０、およびヒータ用ＩＣ５２の順に積層された構成になっている。そして、ヒータ用ＩＣ５２において、発熱体に供給する電流を制御することによって、コア部５の温度調整を行って、コア部５の温度を略一定の温度に維持するようにしている。
　本実施形態では、図１１（ａ）に示すように、コア基板４では、コア部５の一部であるヒータ用ＩＣ５２の直下領域に、すなわち領域Ｒ１とほぼ重なるように開口４０２が設けられている。なお、開口４０２は開口内部に領域Ｒ１を完全に含むことはなく、開口４０２は領域Ｒ１の少なくとも４隅を含まない形状とされている。これにより、ヒータ用ＩＣ５２はその４隅でコア基板４に接着固定できるようになっている。
　本実施形態によれば、コア基板４に設けられた開口４０２によってコア部５（ヒータ用ＩＣ５２）とコア基板４とが接続（接触）する部分の面積が小さくなり、コア部５とコア基板４との接続部分を介して、コア部５からコア基板４側（パッケージ２側）へ移動する熱量が小さくなるので、コア部５の断熱性を向上させることができる。つまり、コア部５とコア基板４との接続部分を介して、コア部５の熱がコア基板４側へ移動しにくくなり（漏れにくくなり）、ヒータ用ＩＣ５２の発熱体から発生した熱の大部分をコア部５に留めることができる。これにより、コア部５の温度を維持するために必要なヒータ発熱量をできる限り小さく抑えることができ、ＯＣＸＯ１の消費電力を低減することができる。
　図１１（ａ）に示す開口４０２は、開口４０２の縦寸法および横寸法が領域Ｒ１の縦寸法および横寸法よりも大きくなるように形成されている。これにより、領域Ｒ１は４隅のみが開口４０２に含まれない形状とされている。この場合、コア部５（ヒータ用ＩＣ５２）とコア基板４とが接続（接触）する部分の面積を最小限にすることができ、開口４０２による熱伝導低減効果（断熱効果）が最大限に得られる。
　コア部５、コア基板４、および開口４０２は、コア基板４の縦方向（図１１（ａ）では上下方向）の中心線Ｃ１に対し、それぞれ線対称な形状になっている。また、コア部５、コア基板４、および開口４０２は、コア基板４の横方向（図１１（ａ）では左右方向）の中心線Ｃ２に対し、それぞれ線対称な形状になっている。さらに、開口４０２の中心は、コア基板４の重心Ｃ０（中心線Ｃ１，Ｃ２の交点）およびコア部５の重心に一致している。
　なお、図１１（ｂ）に示すように、開口４０２の縦寸法および横寸法が、領域Ｒ１の縦寸法および横寸法よりも小さくなるように形成されていてもよい。これにより、領域Ｒ１は４隅のみでなく、外縁部の周辺全体が開口４０２に含まれない形状とされており、コア部５のヒータ用ＩＣ５２におけるワイヤボンディングの接続部が、平面視で開口４０２と重畳しないようになっている。つまり、コア部５のヒータ用ＩＣ５２をパッケージ２にワイヤボンディングする際に、コア部５のヒータ用ＩＣ５２のワイヤボンディングパッドの直下に開口４０２が存在しないようにすることができる。これにより、コア部５のヒータ用ＩＣ５２をパッケージ２にワイヤボンディングする際に、コア部５の姿勢を安定化させ、超音波を効率的に接合に寄与させることができ、より良好なワイヤボンディングを行えるようになる。
　また、本実施形態では、図１１（ａ）に示すように、コア基板４では、開口４０２の両側（図１１（ａ）では左右方向の両側）に、スリット４０１がそれぞれ設けられている。なお、図１１（ａ）に示すように、コア基板４に開口４０２およびスリット４０１の両方を設けてもよいし、図示しないがコア基板４に開口４０２のみを設けてもよいし、あるいは、図１２（ａ）～（ｃ）に示すように、コア基板４にスリット４０１のみを設けてもよい。
　ここで、スリット４０１の一例について、図１１（ａ）、図１２（ａ）～（ｃ）を参照して説明する。図１１（ａ）、図１２（ａ）～（ｃ）に示すように、スリット４０１は、領域Ｒ１と領域Ｒ２との間に設けられている。スリット４０１の縦寸法は、開口４０２（図１１（ａ）参照）の縦寸法よりも大きくなっている。このようなスリット４０１によって領域Ｒ１と領域Ｒ２との間の伝熱経路が狭められる。コア基板４を介した熱伝導によってコア部５からパッケージ２への放熱が生じることを低減することができる。
　スリット４０１による熱伝導低減効果（断熱効果）を好適に得るため、スリット４０１は、コア基板４の両側における領域Ｒ２の並び方向（図１１（ａ）、図１２（ａ）での左右方向）に対して直交する方向（図１１（ａ）、図１２（ａ）での上下方向）を長手方向とすることが好ましい。これにより、スリット４０１は、領域Ｒ１から領域Ｒ２に伝わる熱を広範囲に遮断することができ、スリット４０１による断熱効果が向上する。したがって、コア部５からコア基板４側（パッケージ２側）へ移動する熱量が小さくなるので、コア部５の断熱性を向上させることができ、ヒータ用ＩＣ５２の発熱体から発生した熱の大部分をコア部５に留めることができる。これにより、コア部５の温度を維持するために必要なヒータ発熱量をできる限り小さく抑えることができ、ＯＣＸＯ１の消費電力を低減することができる。
　なお、スリット４０１の短手方向（図１１（ａ）、図１２（ａ）では左右方向）寸法は、スリット４０１の断熱効果に特に影響を与えるものではなく、コア基板４の強度低下を避ける観点からできるだけ小さくすることが好ましい。コア基板４の強度が低下すると、コア部５をパッケージ２にワイヤボンディングする際に、超音波が効率的に接合に寄与しなくなり、良好なワイヤボンディングが行いにくくなる。
　また、領域Ｒ１と１つの領域Ｒ２との間に設けられるスリット４０１は、１つの長いスリットとして形成するよりも、長手方向に複数に分割されたスリットとすることが好ましい（図１１（ａ）、図１２（ａ）参照）。このように、スリット４０１を複数に分割することにより、１つの長いスリットとする場合に比べ、コア基板４の強度低下を避けることができる。なお、スリット４０１は、直線状に形成されるものには限定されず、例えば、領域Ｒ２の周囲に沿って屈曲させた形状としてもよい（図１２（ｂ）参照）。このように、スリット４０１を領域Ｒ２の周囲形状に沿わせることで、スリット４０１の開口面積を不要に拡大することなく、領域Ｒ２への熱伝導を効果的に遮断し、スリット４０１による効果的な断熱効果が得られると考えられる。
また、スリット４０１は、領域Ｒ１と領域Ｒ２との間で、領域Ｒ２に接近させて配置するものには限定されず、領域Ｒ１に接近させて配置するものであってもよい（図１２（ｃ）参照）。このように、スリット４０１を領域Ｒ１に接近して配置することで、領域Ｒ１からの熱伝導（すなわち、熱源であるヒータ用ＩＣ５２からの熱伝導）を領域Ｒ１から放射的に伝わる熱の熱源の近くから効果的に遮断し、スリット４０１による効果的な断熱効果が得られると考えられる。
　また、本実施形態では、コア基板４に設けられた開口４０２は、コア基板４がコア部５の中央部と接触しないように形成され、開口４０２の下方には、コア基板４とパッケージ２の内底面との間に形成された空間２ｄが設けられている。これにより、空間２ｄによって、コア部５の断熱性を高めることができ、コア部５の温度を維持するために必要なヒータ発熱量をより小さく抑えることができ、ＯＣＸＯ１の消費電力をより低減することができる。
　また、開口４０２は、平面視で略矩形に形成され、コア基板４の開口４０２の４隅の領域でコア部５が保持されているので、コア部５の接合性を低下させることなく、コア部５（ヒータ用ＩＣ５２）とコア基板４とが接続（接触）する部分の面積をできる限り小さくすることができ、開口４０２による熱伝導低減効果（断熱効果）を向上させることができる。
　ここで、開口４０２によるコア部５の断熱性を向上させるためには、平面視で領域Ｒ１のうち、半分以上の領域（５０％以上の面積の領域）が開口４０２と重畳していることが好ましい。また、平面視で領域Ｒ１のうち、大部分の領域（７０％以上の面積の領域）が開口４０２と重畳していることがより好ましく、さらには、ほとんど全ての領域（９０％以上の面積の領域）が開口４０２と重畳していることがより一層好ましい。
　また、本実施形態では、発振用ＩＣ５１、水晶振動子５０、およびヒータ用ＩＣ５２は、平面視におけるそれぞれの面積が、上方に向かって漸次小さくなっており、発振用ＩＣ５１と水晶振動子５０との間では、面積が相対的に小さい一方の部材（発振用ＩＣ５１）の対向面の全体が、他方の部材（水晶振動子５０）の対向面に接合されており、水晶振動子５０とヒータ用ＩＣ５２との間では、面積が相対的に小さい一方の部材（水晶振動子５０）の対向面の全体が、他方の部材（ヒータ用ＩＣ５２）の対向面に接合されている。この構成によれば、コア部５の構成部材のうち、平面視の面積が相対的に小さい方の部材の接合面全体が、大きい方の部材の被接合面に接合されているので、コア部５の温度を均一化させることができる。
　さらに、本実施形態では、コア部５の圧電振動子として、上述のような振動部１１が内部に気密封止された低背化が可能なサンドイッチ構造の水晶振動子５０が用いられているので、コア部５の低背化および小型化を図ることができ、コア部５の熱容量を小さくすることができる。これにより、ＯＣＸＯ１のヒータ発熱量を抑えることができ、消費電力を抑えることができる。しかも、コア部５の温度追従性を向上させることができ、ＯＣＸＯ１の安定性を向上させることができる。また、サンドイッチ構造の水晶振動子５０では、上述したように、接着剤を用いずに振動部１１が気密封止されるので、接着剤から発生したアウトガスによる熱対流の悪影響を抑制することができる。つまり、振動部１１を気密封止する空間内で、接着剤から発生したアウトガスが循環することによって熱対流が発生し、振動部１１の精度良い温度制御が妨げられる可能性がある。しかし、サンドイッチ構造の水晶振動子５０では、そのようなアウトガスが発生しないため、振動部１１の精度良い温度制御が可能になる。
　ところで、コア部５の熱源として、ヒータ抵抗を有するヒータ基板を用いた場合、ヒータ基板が大型化する可能性があるが、本実施形態によれば、そのような大型のヒータ基板を用いなくても、必要なヒータ発熱量を確保することができ、コア部５のさらなる小型化を図ることができ、コア部５の熱容量をさらに小さくすることができる。なお、コア部５の大きさを限定しない場合、コア部５の熱源として、ヒータ抵抗を有するヒータ基板を用いることは可能である。
　また、水晶振動板１０は、略矩形に形成された振動部１１と、振動部１１の外周を取り囲む外枠部１２と、振動部１１と外枠部１２とを連結する保持部１３とを有しており、平面視で保持部１３が延びる方向の延長線上にコア基板４のスリット４０１が配置されている。
　ここで、パッケージ２は、封止や、エージング、経年変化等により、熱ダメージや、経時ダメージを受けることになる。このため、接着剤（非導電性接着剤７，５３～５５）として、耐熱性の低い樹脂系接着剤を用いた場合、分解、軟化等によりパッケージ２内にガスが発生し、ＯＣＸＯ１の高精度の温度調整が妨げられる可能性がある。そこで、本実施形態では、そのような接着剤として、熱伝導率が低く、耐熱性が高いポリイミド系接着剤、エポキシ系接着剤を用いることによって、そのような不具合が発生することを抑制するようにしている。
　本発明は、その精神や主旨または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施形態はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
　上述したコア基板４の開口４０２やスリット４０１は一例であって、開口４０２やスリット４０１の形状、大きさ、数、コア基板４における配置位置等はさまざまに変更することが可能である。上記実施形態では、コア部５の直下領域に開口４０２を設けたが、開口４０２の配置位置は、コア部５の下方の領域であれば特に限定されず、平面視で領域Ｒ１の一部と重畳する位置であればよい。また、開口４０２をコア基板４の中央部に設けた貫通穴としたが、これに限らず、開口４０２をコア基板４の周縁部に設けた切欠き等としてもよいし、あるいは、開口４０２をコア基板４の表面を窪ませて形成した凹部等としてもよい。さらには、コア基板４を複数に分割して設け、所定の隙間を隔ててコア基板４を配列してもよく、この場合、隣り合うコア基板４同士の隙間を開口４０２として利用してもよい。
　上記実施形態では、圧電振動子として、サンドイッチ構造の水晶振動子５０を用いたが、これに限らず、それ以外の構造を有する圧電振動子を用いてもよい。例えば、収納部を有するセラミックベースに水晶振動板を搭載し、収納部を蓋体によって気密封止した構造の表面実装型圧電振動子等を用いてもよい。また、金属バンプを用いたＦＣＢ法により発振用ＩＣ５１の水晶振動子５０への搭載を行ったが、これに限らず、ワイヤボンディングや、導電性接着剤等により発振用ＩＣ５１の水晶振動子５０への搭載を行ってもよい。また、ワイヤボンディングによりヒータ用ＩＣ５２のコア基板４への搭載を行ったが、これに限らず、金属バンプを用いたＦＣＢ法や、導電性接着剤等によりヒータ用ＩＣ５２のコア基板４への搭載を行ってもよい。
　また、ワイヤボンディングにより水晶振動子５０からコア基板４への電気的な接続を行ったが、これに限らず、水晶振動子５０の第２封止部材３０の第２主面３０２に形成された電極端子３２を利用して、金属バンプを用いたＦＣＢ法や、導電性接着剤等により水晶振動子５０をヒータ用ＩＣ５２に搭載することで、水晶振動子５０をヒータ用ＩＣ５２を介してコア基板４に電気的に接続するようにしてもよい。この場合、水晶振動子５０にワイヤボンディングのワイヤを接続しないようにすることが可能であり、水晶振動子５０の熱がワイヤを介して外部へ逃げることを抑制できる。なお、全ての電気的な接続を、ワイヤボンディング等を用いずに、導電性接着剤のみによって行うようにしてもよい。
　また、図１３に示すように、水晶振動子５０とパッケージ２との直接的なワイヤ接続は行わず、水晶振動子５０に直接、ワイヤ接続されるのは発振用ＩＣ５１のみとしてもよい。図１３では、ワイヤ６ｃを介して水晶振動子５０と発振用ＩＣ５１とが接続されている。また、ワイヤ６ｂを介してヒータ用ＩＣ５２とパッケージ２とが接続され、ワイヤ６ｄを介して発振用ＩＣ５１とパッケージ２とが接続されている。このように、水晶振動子５０は、ワイヤ６ｃを介して発振用ＩＣ５１と接続されているのみであり、水晶振動子５０は、パッケージ２とは直接、ワイヤ接続されていない。この構成によれば、水晶振動子５０からワイヤを通じてパッケージ２側へ熱が逃げることを抑制できる。その結果、水晶振動子５０に対する断熱性が高くなり、水晶振動子５０に対する温度制御性が高くなるといったメリットがある。
　上記実施形態では、コア部５が、少なくとも発振用ＩＣ５１、水晶振動子５０、およびヒータ用ＩＣ５２が上側から順に積層された構成であったが、これとは逆に、コア部５が、少なくともヒータ用ＩＣ５２、水晶振動子５０、および発振用ＩＣ５１が上側から順に積層された構成であってもよい。なお、コア部５が、少なくとも発振用ＩＣ５１、ヒータ用ＩＣ５２、および水晶振動子５０が上側から順に積層された構成であってもよく、この構成では、比較的大きいサイズの水晶振動子５０を用いることができ、水晶振動子５０に必要な特性を容易に確保することができる。
　コア部５は、少なくとも発振用ＩＣ５１、水晶振動子５０、およびヒータ用ＩＣ５２が順に積層された構成を有していればよく、発振用ＩＣ５１、水晶振動子５０、およびヒータ用ＩＣ５２の積層構造に、例えばヒータ基板等を付加する構成としてもよい。例えばヒータ基板、発振用ＩＣ５１、水晶振動子５０、およびヒータ用ＩＣ５２が、上側から順に積層された４層構造としてもよいし、あるいはヒータ用ＩＣ５２、水晶振動子５０、発振用ＩＣ５１、およびヒータ基板が、上側から順に積層された４層構造としてもよい。これらの場合、発振用ＩＣ５１に発熱体であるヒータ基板を積層することによって、コア部５の温度をより均一化させることができる。
　また、コア部５は、少なくとも発振用ＩＣ５１、水晶振動子５０、およびヒータ用ＩＣ５２を有していればよく、上述したような積層構造を有していなくてもよい。例えば、コア部５を、発振用ＩＣ５１、水晶振動子５０、およびヒータ用ＩＣ５２に加えて、ヒータ基板や、複数のチップコンデンサ（バイパスコンデンサ）等を有する構成としてもよい。この場合、コア基板４に直接的に接合される構成部品（例えばヒータ基板）と、コア基板４との接合領域が、コア部５が設けられた領域とされる。
　上記実施の形態では、コア基板４を経由せずにコア部５とパッケージ２との電気的な接続を行ったが、コア基板４を経由してコア部５とパッケージ２とを電気的に接続してもよい。
　上記実施形態では、コア部５が、ヒータ用ＩＣ５２の上に水晶振動子５０が搭載され、その水晶振動子５０上に発振用ＩＣ５１が搭載された構成であった。しかし、これに限らず、コア部５を、ヒータ用ＩＣ５２の上に、水晶振動子５０および発振用ＩＣ５１が横置き状態で搭載された構成としてもよい。
　上記実施形態では、水晶振動板１０として、ＡＴカット水晶振動板を用いたが、それ以外の水晶振動板（例えばＳＣカット水晶振動板、水晶Ｚ板等）を用いてもよい。また、第１封止部材２０および第２封止部材３０を水晶板によって形成したが、これに限定されるものではなく、第１封止部材２０および第２封止部材３０を、例えば、ガラスまたは樹脂によって形成してもよい。
　上記実施形態では、パッケージ２はシングルパッケージとされているが、本発明はこれに限定されるものではなく、パッケージ２として、例えばＨ型構造のパッケージや、２段重ね構造のパッケージを使用することもできる。
　この出願は、２０２２年３月２３日に日本で出願された特願２０２２－０４７４１３に基づく優先権を請求する。これに言及することにより、その全ての内容は本出願に組み込まれるものである。
　１　　恒温槽型圧電発振器
　２　　パッケージ
　２ｄ　　空間
　４　　コア基板
　５　　コア部
　７　　非導電性接着剤（第２の接合材）
　５０　　水晶振動子（圧電振動子）
　５１　　発振用ＩＣ
　５２　　ヒータ用ＩＣ
　５５　　非導電性接着剤（第１の接合材）
　１００　　水晶発振器
　４０１　　スリット
　４０２　　開口
 

Claims (10)

  1. 　コア部が断熱用のパッケージの内部に密閉状態で封入された恒温槽型圧電発振器であって、
    　前記コア部は、少なくとも発振用ＩＣ、圧電振動子、およびヒータ用ＩＣを含んだ構成になっており、
    　前記コア部の底面には、コア基板が配置され、前記コア部の前記底面が第１の接合材によって前記コア基板に接合され、
    　前記コア基板が第２の接合材によって前記パッケージに接合されており、
    　前記コア基板には、前記コア部の下方の領域に開口が設けられていることを特徴とする恒温槽型圧電発振器。
  2. 　請求項１に記載の恒温槽型圧電発振器において、
    　前記開口は、前記コア基板が前記コア部の中央部と接触しないように形成され、
    　前記開口の下方には、前記コア基板と前記パッケージの内底面との間に形成された空間が設けられていることを特徴とする恒温槽型圧電発振器。
  3. 　請求項１または２に記載の恒温槽型圧電発振器において、
    　前記開口は、平面視で略矩形に形成され、
    　前記コア基板の前記開口の４隅の領域で前記コア部が保持されていることを特徴とする恒温槽型圧電発振器。
  4. 　請求項１～３のいずれか１つに記載の恒温槽型圧電発振器において、
    　平面視で前記コア部が配置される領域のうち、５０％以上の面積の領域が前記開口と重畳していることを特徴とする恒温槽型圧電発振器。
  5. 　請求項１～４のいずれか１つに記載の恒温槽型圧電発振器において、
    　前記コア部と前記パッケージとは、ワイヤボンディングによって電気的接合され、
    　前記コア部におけるワイヤの接続部は、平面視で前記開口と重畳していないことを特徴とする恒温槽型圧電発振器。
  6. 　請求項１～５のいずれか１つに記載の恒温槽型圧電発振器において、
    　前記コア基板には、当該コア基板の上面において前記コア部が搭載される搭載領域と、当該コア基板を前記パッケージに接合するための接合領域との間にスリットが設けられていることを特徴とする恒温槽型圧電発振器。
  7. 　コア部が断熱用のパッケージの内部に密閉状態で封入された恒温槽型圧電発振器であって、
    　前記コア部は、少なくとも発振用ＩＣ、圧電振動子、およびヒータ用ＩＣを含んだ構成になっており、
    　前記コア部の底面には、コア基板が配置され、前記コア部の前記底面が第１の接合材によって前記コア基板に接合され、
    　前記コア基板が第２の接合材によって前記パッケージに接合されており、
    　前記コア基板には、当該コア基板の上面において前記コア部が搭載される搭載領域と、当該コア基板を前記パッケージに接合するための接合領域との間にスリットが設けられていることを特徴とする恒温槽型圧電発振器。
  8. 　請求項７に記載の恒温槽型圧電発振器において、
    　前記スリットは、前記接合領域の周囲に沿った形状とされていることを特徴とする恒温槽型圧電発振器。
  9. 　請求項７または８に記載の恒温槽型圧電発振器において、
    　前記スリットは、その長手方向に複数に分割された構成になっていることを特徴とする恒温槽型圧電発振器。
  10. 　請求項１～９のいずれか１つに記載の恒温槽型圧電発振器において、
    　前記圧電振動子が、第１、第２封止部材と、両主面に励振電極が形成された振動部を有する圧電振動板とを備え、前記第１封止部材と前記第２封止部材とが、前記圧電振動板を介して積層して接合され、内部に配された前記圧電振動板の前記振動部が気密封止される構成になっていることを特徴とする恒温槽型圧電発振器。
     
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