JP2004520713A5 - - Google Patents

Claims (23)

1. 入射光側に選択エミッター層を有する太陽電池の作成方法において：
   入射光側と裏側とを有するｐ−ドーピングされた珪素−ウェファーを作成し；
   ｐ−ドーピングされた珪素−ウェファーの入射光側に酸化物層を生ぜしめ；
   酸化物層を構造化して構造化領域を形成させ、ここでスクリーンプリントにより酸化物エッチング成分を含有するスクリーンプリントペーストをステンシルにより酸化物層に印刷すると共に印刷されたスクリーンプリントペーストを所定の作用時間の後に再び除去し；
   選択高ｎ−ドーピングを構造化領域に導入して選択エミッター層を形成させ；
   酸化物層を除去し；
   全平面的に弱いｎ−ドーピングを選択高ｎ−ドーピングの上に導入し；
   入射光側を選択高ｎ−ドーピングの領域にて接触させる
   ことを特徴とする太陽電池の作成方法。
2. 酸化物エッチング成分が弗化水素酸（ＨＦ）および／または弗化アンモニウム（ＮＨ₄ Ｆ）および／または弗化水素アンモニウム（ＮＨ₄ ＨＦ₂ ）からなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 酸化物エッチング成分がスクリーンプリントペーストに対し１０〜２０容量％の割合を占めることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
4. 作用時間が３０秒〜２分間であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
5. 入射光側の接触をスクリーンプリントにより行う請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
6. 燐−ドーピングによりｎ−ドーピングを導入することを特徴とする１〜５のいずれか一項に記載の方法。
7. 燐−ドーピングの導入に際し生ずるホスホルガラス（ＰＯＣｌ₃ ）をその後にエッチング工程にて再び除去することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
8. 裏側をスクリーンプリントペーストと接触させることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
9. 珪素−ウェファーの裏側にバック−サーフェス−フィールドを更に生ぜしめ、ここでｐ−ドーピングされた珪素−ウェファーに酸化物層を生ぜしめる前に、硼素をドーピング材として含有する拡散膨潤層を珪素−ウェファーの裏側に塗布すると共に、珪素−ウェファーを酸素含有雰囲気下に９００〜１２００℃の温度で処理して酸化物層を得ると共にドーピング材を導入する請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
10. 拡散膨潤層を、全平面的に弱いｎ−ドーピングの導入前に除去する請求項９に記載の方法。
11. ウェファーの縁部にてｎ−ドーピングを解く工程を更に含む請求項９または１０に記載の方法。
12. 裏側接触部を裏側に施す請求項９〜１１のいずれか一項に記載の方法。
13. 拡散膨潤層として硼素ドーピングラッカーまたは硼素ドーピングペーストを施すことを特徴とする請求項９〜１２のいずれか一項に記載の方法。
14. 拡散膨潤層および酸化物層をＨＦ溶液でのエッチングにより除去する請求項９〜１３のいずれか一項に記載の方法。
15. ウェファーの縁部におけるｎ−ドーピングの切除を外側縁部のエッチングにより行う請求項１１に記載の方法。
16. 裏側を１〜３重量％のアルミニウムを含有する銀スクリーンプリントペーストと接触させることを特徴とする請求項９〜１５のいずれか一項に記載の方法。
17. 領域における裏側を、裏接触部で覆われた領域の間にて硼素ドーピングを平面的ｎ−ドーピングで補償するよう接触させることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
18. 反射防止層を入射光側に塗布すると共に、不働化層を裏側に塗布することを特徴とする請求項９〜１７のいずれか一項に記載の方法。
19. 酸化物層を構造化させるため、結合剤と酸化物エッチング成分とを有するスクリーンプリントペーストを使用する請求項１〜１８のいずれか一項に記載の方法。
20. 酸化物層を構造化させるため、１０〜５００Ｐａ．ｓ、好ましくは５０〜２００Ｐａ．ｓの粘度を有するスクリーンプリントペーストを使用する請求項１〜１９のいずれか一項に記載の方法。
21. 結合剤がタペストリーペーストからなる請求項１９に記載の方法。
22. 結合剤がエポキシド樹脂からなる請求項１９に記載の方法。
23. 入射光側と裏側とを有するドーピングされた珪素−ウェファーを備える太陽電池において、入射光側は接触部を施した選択エミッター構造を有し、珪素−ウェファーの入射光側の領域には接触部の下方にて高ｎ−ドーピングが設けられると共に、入射光側の他の領域には弱いｎ−ドーピングが設けられることを特徴とする太陽電池。