CN104124305A - 一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，通过一种化学方法对串联电阻（Rs）偏大晶硅太阳能电池片进行表面处理，降低Rs偏大电池片的正银浆料与硅片的接触电阻，从而使得电池片的串联电阻（Rs）恢复到正常水平，转换效率也恢复正常。
Description
技术领域
本发明涉及一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，属于晶体硅太阳能电池领域。
背景技术
目前，在晶体硅太阳能电池制造过程中，因为工艺波动、辅料异常、设备异常导致电池片的串联电阻（Rs）偏大，使得电池片的转换效率降低，从而降低电池品质，甚至使电池片报废。
发明内容
本发明的目的是提供一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，通过一种化学方法对串联电阻（Rs）偏大晶硅太阳能电池片进行表面处理，降低Rs偏大电池片的正银浆料与硅片的接触电阻，从而使得电池片的串联电阻（Rs）恢复到正常水平，转换效率也恢复正常。
一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，配置0.01-0.1%质量浓度的氢氟酸溶液和0.01-0.2%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在24±6℃，将两种溶液混合，将串联电阻偏大电池片浸泡到该混合溶液中，浸泡时间为2-5s，将浸泡过的电池片迅速放入纯水中漂洗0.5-2min，取出吹干或烘干。
一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，配置0.01-0.1%质量浓度的氢氟酸溶液和0.01-0.2%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在24±6℃，将两种溶液混合，将该混合溶液喷涂在串联电阻偏大的电池片正面，反应时间2-5s，再用纯水冲洗电池片0.5-1min，取出吹干或烘干。
本发明采用两种不同的化学试剂对对串联电阻偏大的晶体硅太阳能电池片进行表面处理，不仅使得晶体硅太阳能电池片的串联电阻恢复到正常水平，还使得晶体硅太阳能电池片的转换效率恢复正常。
具体实施方式
实施例1：
一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，配置0.01%质量浓度的氢氟酸溶液和0.01%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在18℃，将两种溶液混合，将串联电阻偏大电池片浸泡到该混合溶液中，浸泡时间为2s，将浸泡过的电池片迅速放入纯水中漂洗0.5min，取出吹干。
实施例2：
一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，配置0.05%质量浓度的氢氟酸溶液和0.1%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在24℃，将两种溶液混合，将串联电阻偏大电池片浸泡到该混合溶液中，浸泡时间为3s，将浸泡过的电池片迅速放入纯水中漂洗1.5min，取出烘干。
实施例3：
一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，配置0.1%质量浓度的氢氟酸溶液和0.2%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在30℃，将两种溶液混合，将串联电阻偏大电池片浸泡到该混合溶液中，浸泡时间为5s，将浸泡过的电池片迅速放入纯水中漂洗2min，取出烘干。
实施例4：
一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，配置0.008%质量浓度的氢氟酸溶液和0.25%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在15℃，将两种溶液混合，将串联电阻偏大电池片浸泡到该混合溶液中，浸泡时间为6s，将浸泡过的电池片迅速放入纯水中漂洗0.4min，取出吹干。
实施例5：
一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，配置0.01%质量浓度的氢氟酸溶液和0.01%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在18℃，将两种溶液混合，将该混合溶液喷涂在串联电阻偏大的电池片正面，反应时间2s，再用纯水冲洗电池片0.5min，取出烘干。
实施例6：
一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，配置0.05%质量浓度的氢氟酸溶液和0.1%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在24℃，将两种溶液混合，将该混合溶液喷涂在串联电阻偏大的电池片正面，反应时间4s，再用纯水冲洗电池片0.8min，取出吹干。
实施例7：
一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，配置0.1%质量浓度的氢氟酸溶液和0.2%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在30℃，将两种溶液混合，将该混合溶液喷涂在串联电阻偏大的电池片正面，反应时间5s，再用纯水冲洗电池片1min，取出吹干或烘干。
实施例8：
一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，配置0.15%质量浓度的氢氟酸溶液和0.008%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在32℃，将两种溶液混合，将该混合溶液喷涂在串联电阻偏大的电池片正面，反应时间1s，再用纯水冲洗电池片1.2min，取出吹干或烘干。
对比例1：
一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，配置0.01%质量浓度的氢氟酸溶液，温度控制在18℃，将串联电阻偏大电池片浸泡到该溶液中，浸泡时间为2s，将浸泡过的电池片迅速放入纯水中漂洗0.5min，取出吹干。
对比例2：
一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，配置0.1%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在24℃，将该溶液喷涂在串联电阻偏大的电池片正面，反应时间4s，再用纯水冲洗电池片0.8min，取出吹干。
处理前的电池片、经过实施例1-8和对比例1-2处理后的电池片的电性能参数变化如下表所示：
从上表数据可以看出，采用本发明的处理方法可以使得处理前电池片的电性能参数Rs大大减少、FF和Eta也恢复正常，在本发明工艺范围外的实施例4和8使得处理前异常电池片的电性能参数Rs还是稍稍偏大、FF和Eta也未能恢复正常，同样的，只采用一种化学试剂处理的对比例1和2使得处理前异常电池片的电性能参数Rs还是稍稍偏大、FF和Eta也未能恢复正常，可见本发明采用的两种化学试剂处理和特定的工艺可以使得晶体硅太阳能电池片的串联电阻恢复到正常水平，还使得晶体硅太阳能电池片的转换效率恢复正常。
Claims (4)
1.一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，其特征为：配置0.01-0.1%质量浓度的氢氟酸溶液和0.01-0.2%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在24±6℃，将两种溶液混合，将串联电阻偏大电池片浸泡到该混合溶液中，浸泡时间为2-5s，将浸泡过的电池片迅速放入纯水中漂洗0.5-2min，取出吹干或烘干。
2.一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，其特征为：配置0.01-0.1%质量浓度的氢氟酸溶液和0.01-0.2%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在24±6℃，将两种溶液混合，将该混合溶液喷涂在串联电阻偏大的电池片正面，反应时间2-5s，再用纯水冲洗电池片0.5-1min，取出吹干或烘干。
3.如权利要求1所述的一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，其特征为：配置0.05%质量浓度的氢氟酸溶液和0.1%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在24℃，将两种溶液混合，将串联电阻偏大电池片浸泡到该混合溶液中，浸泡时间为3s，将浸泡过的电池片迅速放入纯水中漂洗1.5min，取出烘干。
4.如权利要求2所述的一种处理晶体硅太阳能电池片串联电阻偏大的方法，其特征为：配置0.05%质量浓度的氢氟酸溶液和0.1%质量浓度的氟化氢铵溶液，温度控制在24℃，将两种溶液混合，将该混合溶液喷涂在串联电阻偏大的电池片正面，反应时间4s，再用纯水冲洗电池片0.8min，取出吹干。
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