JP2004519837A5 - - Google Patents
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Claims (23)
- 主にガリウムおよび酸素分子で構成した保護及びパッシベーティング層で化合物半導体ウェハ構造の表面をコーティングする方法であって、
ａ．表面のある化合物半導体エピタキシャル構造を化合物半導体基板に作るステップと；
ｂ．金属イリジウムるつぼ内に配置された本質的にＧａ２Ｏ３のみから成る結晶性高純度Ｇａ２Ｏ３蒸発源を位置決めするステップと；
ｃ．表面上に結晶性高純度Ｇａ２Ｏ３蒸発源から酸化ガリウム（ガリウム酸化物（膜））分子を熱蒸着することにより、ウェハ構造の表面にガリウム酸素膜層を形成するステップと
を含む前記方法。 - 半導体ウェハの表面を保護する方法であって、
ａ．ローディングモジュール、運搬モジュール、保管モジュール、およびアンローディングモジュールを含む単一ウェハエピタキシャル製造装置に、前記運搬モジュールに取付けられたＩＩＩ-Ｖ族成長室とインスレータ蒸着室を備えるステップと；
ｂ．化合物半導体基板に表面を作るステップと；
ｃ．化合物半導体基板をローディングモジュールに配置するステップと；
ｄ．ローディングモジュール内の圧力を１０−６トールより低く減じるステップと；
ｅ．前記ウェハを運搬モジュールを介してＩＩＩ-Ｖ族蒸着室に移送するステップと；
ｆ．前記ＩＩＩ-Ｖ族蒸着室の圧力を１０−９トールより低く減じるステップと；
ｇ．化合物半導体ウェハの表面上に化合物半導体材料の層をエピタキシャル成長させるステップと；
ｈ．化合物半導体ウェハを運搬モジュールおよびロードモジュールに、次にインスレータ室に移送するステップと；
ｉ．金属イリジウムるつぼ内の比率Ｇａ２Ｏ３内のガリウムと酸素を含む結晶性蒸発源を位置決めするステップと；
ｊ．化合物半導体ウェハ構造の表面上に前記蒸発源から熱蒸着することにより、ウェハ構造の表面にガリウム酸素膜層を形成するステップと、
ｋ．インスレータ室から運搬室を介してアンローディングモジュールに前記化合物半導体構造を移送するステップと
を含む前記方法。 - 請求項２に記載の方法であって、
化合物半導体ウェハを作るステップが、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）の化合物半導体ウェハを作ることを含む方法。 - 請求項２に記載の方法であって、
化合物半導体ウェハを作るステップが、リン化インジウム（ＩｎＰ）の化合物半導体ウェハを作ることを含む方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
化合物半導体ウェハ構造を作るステップが、化合物半導体ウェハ上に半導体素子を形成することを含む方法 - 請求項１に記載の方法であって、
化合物半導体ウェハ構造を作るステップが、化合物半導体ウェハ上に半導体集積回路を形成することを含む方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
結晶性高純度Ｇａ２Ｏ３蒸発源を位置決めするステップが、一つの閉端部と一つの開端部を有する一般的に円錐形状である純金属イリジウムるつぼを使うことを含む方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
結晶性高純度Ｇａ２Ｏ３蒸発源を位置決めするステップが、金属イリジウムるつぼを流出(effusion)セル内に置くことを含む方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
化合物半導体ウェハを作るステップが、ガリウム砒素の化合物半導体ウェハを作ることを含む方法。 - 請求項２に記載の方法であって、
結晶性ガドリニウムガリウムガーネット，Ｇａ３Ｇｄ５Ｏ１２が酸化ガリウム（ガリウム酸化物（膜））分子の蒸発源であることを特徴とする方法。 - ａ．表面を有する化合物半導体エピタキシャル構造を作ること；
ｂ．金属イリジウムるつぼ内の蒸発源を位置決めすること；および
ｃ．基本的に酸化ガリウム（ガリウム酸化物（膜））分子のみを蒸発源から前記表面上に熱蒸着すること
を含む方法。 - 請求項１１に記載の方法であって、
前記るつぼが一般に円錐形状を持つ方法。 - 請求項１１に記載の方法であって、
前記蒸着するステップが、ＧａＡｓのＧａおよびＯとの界面（Interface、境界面、接合面）を形成することを含む方法。 - 請求項１１に記載の方法であって、
前記蒸着するステップが、２Å，ｒｍｓ未満の表面粗さを持つ界面を形成することを含む方法。 - 請求項１１に記載の方法であって、
前記蒸発源の温度が前記熱蒸着中に１，６５０℃より低い方法。 - 請求項１１に記載の方法であって、
前記熱蒸着が約０．０２Å／秒未満の蒸着速度（deposition rate）で前記表面上に蒸着することを含む方法。 - 請求項１１に記載の方法であって、
前記熱蒸着が約０．０１Å／秒と０．０２Å／秒の間の速度(rate、割合）で前記表面上に蒸着することを含む方法。 - 請求項１１に記載の方法であって、
前記蒸発源が希土類元素、Ｇａ、およびＯを含む方法。 - ａ．表面を有する化合物半導体エピタキシャル構造を作ること；
ｂ．前記蒸発源が１，６５０℃未満の温度で、約０．０２Å／秒未満の蒸着速度で前記表面上に蒸発源から酸化ガリウム（ガリウム酸化物（膜））分子を熱蒸着すること
を含む方法。 - 請求項１９に記載の方法であって、
前記蒸着することがＧａＡｓのＧａおよびＯとの界面を形成することを含む方法。 - 請求項１９に記載の方法であって、
前記蒸着することが２Å，ｒｍｓ未満の表面粗さを持つ界面を形成することを含む方法。 - 請求項１９に記載の方法であって、
前記蒸発源が本質的に結晶性Ｇａ２Ｏ３およびＧａ３Ｇｄ５Ｏ１２の一つから成る方法。 - 請求項１９に記載の方法であって、
前記蒸発源が希土類元素、ＧａおよびＯを含むことを特徴とする方法。
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