JP2004519684A - 電源試験インタフェースを備えた集積回路 - Google Patents

電源試験インタフェースを備えた集積回路 Download PDF

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Abstract

集積回路アセンブリがキャリア及び半導体集積回路チップ(10)を含んでいる。キャリア上の電流径路が電力をチップの電源結線に供給する。磁界センサが電流径路近傍のキャリア上に設けられており、電流径路を流れる電流によって発生される磁界を感知する。アセンブリは磁界センサに対する試験アクセス可能電子インタフェースを含んでおり、電流の存在を試験する。センサは、磁気抵抗物質の堆積と、物質のパターン化とによってキャリア上に一体形成されるのが好ましく、従って、電流径路近傍にセンサが設けられる。さらに、キャリアは接続線を伴う挿入物(12)であり、挿入物がプリント回路板(19)上にインタフェースを取り付ける前に、一つ又はそれ以上の集積回路チップでパックされるのが好ましい。

Description

【0001】
(技術分野)
本発明は、キャリアに搭載された集積回路への結線の試験に関する。
【0002】
(背景技術)
米国特許第5,963,038号から、チップの電源結線に電流が流れているかどうかを試験するために集積回路チップ内に磁界センサを設けることがが知られている。
【0003】
最近の集積回路チップは、多数の電源結線を有している。近い将来、集積回路チップへの利用可能結線の30%以上が電源結線を包含するであろうことが予想される。この大量の電源結線は、厳しい試験問題を引き起こす。それは、電源結線が外部及び内部チップに相互接続される傾向にあるからである。この結果、電源結線の不良は、チップ内部又はその他の個所の電源の相当な電圧降下として常に現れるわけではなく、従って、供給電圧の有無の検出が試験問題に対する解決策とはならない。さらに、一つ又はいくつかの電源結線が故障したときに、チップはほとんどの状況下でデータを通常処理するので、故障は常に機能試験(試験データが正確に処理されているかどうかをチェックする試験)に現れるわけではない。
【0004】
これが電源結線を流れる電流を測定することによる試験を実行する技術の提案につながっている。一つの技術は、供給経路の抵抗における電圧降下を測定する。この種の測定用の回路は、このような抵抗が非常に小さくなければならないか、又は低下された供給電圧となるので、厳しい回路条件が課されることになる。
【0005】
別の技術として、電源結線を流れる電流によって発生させられる磁界を検出するものがある。米国特許第5,399,975号は、この試験の目的で電源結線の近傍に保持されたプローブを使用することを教示している。しかし、この技術は扱いにくい。というのは、特殊なプローブを必要とし、かつ、これらのプローブの正確な位置決めを必要とするからである。さらに、電源への電流径路が外部からICパッケージに個々にアクセスできないとき、例えばパッケージとプリント回路板との間のICパッケージの下方にあるときには、この技術は機能しない。その上に結線が異なる電源結線間になされており、また同じ挿入回路上に他のチップが取り付けられることもある挿入回路と一緒にチップがパックされているときに、個々の電流径路へのアクセスに外部プローブを使用することも不可能である。
【0006】
米国特許第5,963,038号は、種々の電源結線からの電流径路の近傍の集積回路チップ上に磁界センサを一体化することによってこの問題を解決している。センサをチップに挿入することにより、電流を検出できる位置にセンサを配置することが簡単になり、また各々特定電源結線のために多数のセンサを含ませることが経済的に容易になる。
【0007】
これらのセンサは、例えばチップ上に堆積された磁気抵抗物質を使用したり、又はピックアップ・コイルとしてチップ上に導体トラックをパターン化することによって実行することができる。センサはオン−チップ試験回路に接続されて電流検出が実行され、電流検出の結果が試験出力部(例えば、走査チェーン・インタフェース)に報告される。
【0008】
米国特許第5,963,038号は、個々の電源結線の動作を試験する問題を解決するが、説明されているセンサが常には実現できないということがわかっている。ピックアップ・コイルは、(半)導体基板(シリコン基板のような)上で満足のいく動作をしない。磁気抵抗物質は、集積回路チップの製造に使用された物質と常には適合しない。さらに、電源ネットワークが、集積回路チップの外部でキャリア上に設けられたときに、またこのネットワークが別の電源ルートを備えているときに、米国特許第5,963,038号のセンサはこのネットワーク内の電源ルート内の中断を検出するのには適していない。
【0009】
(発明の概要)
特に、本発明の一つの目的は、集積回路チップの電源結線による電流径路を試験する別の方法、特に集積回路製造技術との対立の生じない試験方法を提供することである。
【0010】
本発明の別の目的は、総ての集積回路チップがこの種の試験の装備を含んでいるわけではない集積回路チップのアセンブリの電源結線を介して試験電流径路を提供することである。
【0011】
本発明のさらに別の目的は、集積回路チップのためのキャリア上の電源結線を介する試験電流径路を提供することである。
【0012】
本発明は、
電源結線を備えた半導体集積回路チップと、
集積回路が固定されたキャリアと、
外部電源端子と、
キャリア上にあって外部電源端子と電源結線を接続する電流径路と、
キャリア上で電流径路の近傍であるが、集積回路チップの外部にあって、電流径路を通る電流によって発生される磁界を感知する磁界センサと、
電流の存在を試験するために、磁界センサに対する試験アクセス可能電子インタフェースと、
を備える集積回路アセンブリを提供する。
【0013】
磁界センサをキャリア上に配置することにより、この種のセンサを集積チップ内に一体化する問題が解決される。さらに、これはキャリア上の個々の結線を試験することが可能である。
【0014】
プリント回路板上のアセンブリが、磁界センサを一体化するための適切なキャリアであることがわかる前に、一つ又はそれ以上の集積回路チップ上の挿入物がパックされる。電源径路が挿入物上に通っているので、集積回路チップの電源結線へのこれらの電源径路は挿入物上のセンサに対して良好にアクセス可能できる。さらに、完成チップへ付属させることのみにおいて、挿入物が集積回路チップとは別個に製造されるので、その製造がチップの製造と両立しないことはない。
【0015】
磁界センサはキャリア上に一体形成されるのが好ましく、即ち、センサはキャリア上にハンダ付けされた事前製造センサではなく、キャリア上で製造されるセンサである。製造のために開発された技術は、磁気記憶(例えば、米国特許第4,321,640号(出願人参照符号PHN9107)、米国特許第4,686,472号(出願人参照符号PHN10016)又は米国特許第4,052,748号(出願人参照符号PHN7469)、及び、それらの中で引用されている引用文献を参照されたい。)に向けられており、多数の磁気センサを伴うキャリアの一体化製造に安価に且つ容易に適用できることがわかっている。特に、磁気抵抗の写真製版パターンが多数の磁気センサをキャリア上に実現するのに適している。しかし、ピックアップ・コイル又はホール効果センサのような他の種類の磁界センサもキャリア上に一体化することもできる。
【0016】
好ましくは、個々のセンサは、一つ又はそれ以上の異なる電源電位(例えば、3.3Vと接地)、及び、一つ又はそれ以上の異なる集積回路チップのための同じ電源電位の複数の電源導電体を備えている。実施形態においては、センサとして使用された多数の磁気抵抗素子が電気的に直列接続されているので、その抵抗値は、共通電流源と、連続する磁気抵抗素子との間の共用タップ点を使用して決定することができる。
【0017】
磁気センサを読み取る多数の有利な実施形態がある。第1実施形態において、センサの結果が集積回路チップ内に、又は、同じキャリア(好ましくは同じ挿入物)上に取り付けられた別の集積回路チップ内に読み取られ、そのセンサ内で処理され、そのチップの試験出力を介して出力される。従って、試験はチップ上の付加的な回路の少ないコストで一つのチップ(又は複数のチップ)及びキャリアのアセンブリ内で実質上処理することができる。第2実施形態において、挿入物は、好ましくは、走査チェーン・インタフェースを使用してチップの外部で試験結果を読み取り、出力するための回路を含んでいる。従って、付加的なアクセス・パッドは、チップ上に必要とされない。
【0018】
センサは、挿入物上のアクセス・パッドに接続することができる。第3実施形態において、アクセス・パッドは、挿入物及びチップのアセンブリのカプセル体の外部からアクセス可能である。第4実施形態において、アクセス・パッドは、チップによって覆われた挿入物の領域の外部に延長している。試験後、アクセス・パッドは、カプセル体の内部から取り払われる、即ち、外部からアクセスできなくなる。従って、挿入物及びチップのアセンブリは、カプセル化前に試験することができる。
【0019】
本発明のこれらの及び他の有利な態様を、後述の図面を参照してより詳細に説明する。
【0020】
(実施形態の詳細な説明)
図1は、プリント回路板19上の、集積回路チップ10及び挿入物12のアセンブリの側面(一定の拡大比で示していない)を示す。集積回路チップ10は、ハンダ・バンプ16a−c(本発明から逸脱することなく、チップ10と挿入物12との間の他の接続、例えばワイヤ−ボンドがハンダ・バンプの代わりに使用できる)によって、挿入物12中の導体(別々に示していない)に電気的に接続されている。通常、一つを超える集積回路チップ10が挿入物12に含まれるが、明瞭にする目的で、一つの集積回路チップ10の場合のみを示している。アセンブリは、外部接続18a−e(例えばハンダ・バンプ。但し、他のタイプの接続も使用できる)に接続することによって、プリント回路板19上に接続される。
【0021】
挿入物12は、導体(図示せず)及び金属化ホール(図示せず)を含んでおり、プリント回路板19からの接続導体を集積回路チップ10のパッドに接続している。これらの導体とホールは、集積回路チップ10を挿入物上の他の集積回路チップ(図示せず)と相互接続することにも使用される。挿入物12及びプリント回路板19の両者は、集積回路のためのキャリア(直接的に又は間接的に)を形成する。
【0022】
通常使用において、集積回路チップ10及び挿入物12のアセンブリ(集積回路板19を除く)がカプセル体に収容され、実質的にアセンブリ10、12、14の一部のみが露出され、プリント回路板が外部からアクセス可能になっている。
【0023】
図2は、アセンブリの詳細な断面の側部を示す(一定の拡大比で示していない。異なる参照番号が図1及び2を比較して同様の部品のために使用されている)。側面図は、集積回路チップ20、挿入物の基板22、ハンダ・バンプ24、基板22上の導体26、磁気抵抗物質片28及び絶縁層29を示している。ハンダ・バンプ24は、集積回路チップ20の電源パッド(図示せず)を導体26に接続し、プリント回路板(図示せず)から電源パッドへの電源電流のための電流径路の一部を形成している。
【0024】
挿入物は、基板22、導体16、絶縁層29、及び、互いに固定された磁気抵抗物質28を含んでいる。磁気抵抗物質は導体26の一部を覆っているが、絶縁層によって、それから絶縁されている。導体26は、例えば、銅、アルミニウム、金又は他の導体物質で作られる。磁気抵抗物質28は、例えばニッケル−鉄(Ni−Fe)である。絶縁層は、例えば、40nmの石英層で作られる。
【0025】
図3は、アセンブリ(一定の拡大比で示していない)の詳細な断面の上面図を示す。上面図は導体26を示し、挿入物上のパッド31で拡張されている。パッド上で、ハンダ・バンプ24が示され、導体26が集積回路チップ(図示せず)の電源結線への接続を示している。磁気抵抗物質28が、例えば幅1μm及び長さ10μmの本質的に長尺領域にパターン化されており、測定ハンダ・バンプ36、38が接続された測定導体35、37に接続された側方フラップを伴っている(測定導体35、37と磁気抵抗物質28との間に絶縁層29はない)。
【0026】
動作について説明すると、導体26、31がハンダ・バンプ24を介して集積回路チップ20に電源電流を供給する機能を果たす。この電流が磁界を生じさせ、磁力線が導体26を旋回させ、これによって磁界が、磁気抵抗物質28の最長の方向と本質的に直交して磁気抵抗物質28上に当る。磁気抵抗物質28と導体26との間の距離は、物質28における磁界が導体26を流れる電流によってほとんど決定され、地磁気、他の導体等からの磁界によっては決定されない。磁気的抵抗物質28は、磁気抵抗性抵抗器として機能する。磁界が磁気抵抗性抵抗器の抵抗値中の変化を生ぜしめ、これが測定ハンダ・バンプ36、38及び測定導体35、37によって測定される。
【0027】
従って、導体中に付加的な抵抗を導入することなく、導体26を流れる電流の有無が試験される。これは特に、挿入物上で電源導電体の動作性を試験するのに適している。センサは、試験下の導体に極めて近接して配置することができる。これは、地磁気、及び、アセンブリが使用されている装置の電源ユニット、拡声器等からの磁界のような漂遊磁界による外乱を実質的に除去する。
【0028】
挿入物上にパターン化磁気抵抗物質を一体化する技術は、例えば磁気読取ヘッドを製造するための技術から知られている。簡単に述べると、ニッケル−鉄(Ni−Fe)のような磁気抵抗物質の層は、導体トラックのパターンを覆う絶縁層上に堆積される。感光層が磁気抵抗層上に堆積、露光、現像されて、これによって磁気抵抗層の位置感知エッチングを可能とする。
【0029】
磁気抵抗物質の場合において、物質を流れる電流の方向は、磁界の方向と直交しているのが好ましい。従って、物質28は、導体26に沿って異なる位置で導体の電流供給端子上に堆積されるのが好ましい。磁気抵抗物質は、導体26に流れる電流によって生成された磁界が相当弱まる領域に達するまでに延長していないことが好ましい。実際において、1:10の幅/長さの比が磁気抵抗物質28に対する満足できるものであることがわかっている。
【0030】
測定ハンダ・バンプ36、38の位置は、重要でないことが理解できる。即ち、ハンダ・バンプは、物質28からどの距離にでも配置できる。測定導体35、37によって相互結合された物質28の多数の領域は、二つのハンダ・バンプ間に直列又は並列に接続される。
【0031】
同様に、導体トラック20に沿った物質28の位置は重要ではない。なぜなら、電流は、もし存在するとすれば、トラックの長さに沿って流れるからである。しかし、他の電源導体との害のある短絡のために、物質28は、電源結線ハンダ・バンプ24近傍に配置され集積回路チップに接続されるのが好ましい。同様の物質28が、プリント回路板に接続するためにハンダ・バンプのための近接接続部を備えているのが好ましい。
【0032】
もちろん、本発明は、ニッケル−鉄(Ni−Fe)、又は、それどころか、測定電流と直交し磁気抵抗作用を生成する磁界を必要とする磁気抵抗物質に限定されるのもではない。抵抗性が磁界に依存する任意の物質28を使用することができ、試験下にある導体トラック26に関する方向に測定電流が流れ、導体トラック26に流れる電流によって発生される磁界に依存して抵抗界が形成される。
【0033】
さらに、磁気抵抗作用以外の作用も使用される。例えば、ホール効果が使用される。周知のように、ホール効果は、抵抗物質を流れる測定電流の第2方向と直交する第1方向におけるこの抵抗物質両端に電圧を生じさせるが、このとき磁界要素はこれら二つの方向に対して垂直に存在している。従って、導体26と平行に配置された物質の長方形がこれを越えることなく、これに近くになるものが使用され(図3に示すように)、これによって磁界がピックアップされる。正反対の位置の側部対の一方においてこの物質が電流源に接続することができるのに対して、側部対の他方は電圧測定装置に接続され、磁界によってもたらされたホール電圧を検出する。別の方法として、ピックアップ・コイルが導体26の次に使用される。
【0034】
信号用の導体は、普通の境界走査技術を使用してこれらの導体上の信号を検出することによって試験されるのが好ましいが、ここで説明した磁気感知技術をこれらの導体に適用できることはもちろんである。
【0035】
図4は、磁気抵抗電圧降下を試験するための挿入物44及び集積回路チップ46を含む回路の一部を示す。この回路は、挿入物44を介して集積回路チップ46の機能部469a−dに接続された第1電源(例えば、3.3V又はある他の供給電圧)のための外部電源結線40を有している。別の電源結線42(例えば「接地」)も挿入物44を介して集積回路チップ46に接続されている。実際、多数の他の電源線、データ線及び信号線も挿入物44を介して集積回路チップ46の機能部469a−dに接続されるが、これらの線は図を明瞭にする目的で省略している。さらに、第2電源結線42は、実際には多数の点で集積回路チップ46に接続されるが、明瞭にするために一つの結線のみを示している(好ましくは、これらの総ての結線への挿入物上の電源導体はここで説明したようにして磁気抵抗センサを使用して試験される。)
挿入物44は、第1電源の結線40と集積回路チップ46の電源結線との間に導体440a−dを含んでいる。各導体440a−dは、集積回路チップ46の電源結線のそれぞれに設けられている。挿入物44は、導体440a−dのそれぞれを最長軸で渡るように配置されている磁気抵抗抵抗器444a−dを含んでいる。挿入物44はまた、ダミー電源線442を含んでおり、この線は、集積回路チップ46と、ダミー電源線442を渡る最長軸を有する磁気抵抗基準抵抗器446とには接続されていない。
【0036】
磁気抵抗抵抗器444a−dは直列構成で接続され、これらは磁気抵抗基準抵抗器446を含んでいる。挿入物44上の導体が抵抗器444a−d、446を直列接続している。直列構成にある抵抗器444a−d、446間の接続点が集積回路チップ46に接続されている。
【0037】
集積回路チップ46は、機能回路469a−dを含んでいる。集積回路チップ46の主機能である機能回路の機能は、本発明にとって重要ではない。これは、任意の所望の機能となり得る。機能回路44a−dは種々の相互結線を有していてもよい(図示せず)。
【0038】
集積回路チップ46は電源レール461を含んでおり、これに総ての第1電源結線440a−dが接続されている(例えば、ハンダ・バンプを介して)。電源レールから機能回路469a−dが電力の供給を受ける。
【0039】
さらに、集積回路チップ46は電流源460、差動増幅器462a−d、さらなる差動増幅器464、比較器回路466a−d及び試験シフト・レジスタ468を含んでいる。
【0040】
電流源460は、挿入物46上の抵抗器444a−d、446の直列構成に接続されており、これによって抵抗器444a−d、46に流れる測定電流が供給される。図4に示したように、直流構成444a、446が電流源460と第2電源結線48との間に接続されているが、他の結線も第2電源結線48の代わりに使用することができる。抵抗器444a−d、446間の接続点が差動増幅器462a−d、464の入力に接続され、抵抗器444a−d、446の端子に接続されている各対をなす接続点が差動増幅器462a−d、464の各々に接続される。磁気抵抗標準抵抗器446の端子がさらなる差動増幅器464の入力に接続される。各差動増幅器462a−dは比較器466a−dの各々の第1入力に接続された出力を有している。さらなる差動増幅器の出力が総ての比較器466a−dの第2入力に接続されている。比較器466a−dは試験シフト・レジスタ468の並列入力に接続された出力を有しており、また試験シフト・レジスタは回路の試験出力468に接続されている。
【0041】
動作について説明すると、電源電流は通常、電源導体440a−dから電源レール461に流れる。この電源電流が電源導体440a−dの回りに磁界を生じさせる。次にこの磁界が抵抗器444a−dの抵抗値に影響を与える。
【0042】
電流源460は、抵抗器444a−dに測定電流を供給する。この電流が抵抗器444a−d両端の電圧降下をもたらす。この電圧降下は磁界によって左右され、従って、電源導体442a−dを流れる電源電流によって決まる。電圧降下が差動増幅器462a−dによって増幅され、これによってこの差動増幅器の出力における接地に対する電圧が抵抗器444a−d両端の電圧降下の関数となる。
【0043】
測定電流はまた磁気抵抗標準抵抗器446を流れる。この標準抵抗器446の抵抗値は実質的に磁界によって影響されない。これは電流がその関連するダミー電源線442を流れないからである。差動増幅器462a−dとさらなる差動増幅器は実質的に等しい増幅定数を有している。標準抵抗器446における電圧降下がさらなる差動増幅器464によって増幅され、またさらなる増幅器464の出力が比較回路466によって差動増幅器462a−dの出力と比較される。
【0044】
比較回路466a−dは、電源導体440a−dにおける抵抗器444a−dのそれぞれによる電圧降下が基準抵抗器446における電圧降下による閾値よりも大きく異なるかどうかを示す出力2進信号を出力する。比較回路466a−dの出力は、シフト・レジスタ468にラッチされ、また試験相中試験信号導体48を介してシフトされる。
【0045】
集積回路チップ46への供給経路内、又は集積回路チップ内の電源電流が遮断されたときに、これが供給経路に対応する抵抗器444a−dにおける異なる電圧降下として現われる。異なる電圧降下が比較器回路466a−dによって出力され、試験信号導体48を介して回路から読み取られる。
【0046】
図4は、本発明に基づく試験電源結線のための回路の一例のみを示すことが理解される。多数の別の実施形態も可能である。例えば、抵抗器444a−d、446は直列の代わりに並列接続として設けることもでき、各々それ自体の電流源と増幅器462a−dとを備えることもできる。この場合において、電流源と対向して抵抗器444a−d、446の端子が、共通結線を介して接続される(増幅器462a−dはこの場合省略され、電流源及び抵抗器間のノードの電圧が比較器回路466a−dに直接接続される。)。これは、集積回路チップ内の回路が簡単になるという利点があるが、並列構成は、少ない電流源を要求する。さらに、並列と直列構成の組み合わせも使用することができる。
【0047】
同様に、実施形態は標準抵抗器466を使用しているが、抵抗器444a−d両端間の電圧降下の比較が容易になるように、抵抗器444a−dとして同じ材料と同じ寸法で作られるのが好ましく、標準抵抗器は必要不可欠ではないことが理解できるであろう。異なる種類の基準を使用し、又は、通常の電源導体近傍の異なる抵抗器444a−d両端の電圧降下を比較してもよい。さらに、標準抵抗器はダミー電源線442に設ける必要はないが、後者はより正確な比較を提供する。
【0048】
同様に、同じ電源のための四つよりも多いか又は少ない並列結線440a−dを磁気抵抗抵抗器に設けることができる。これらの結線は挿入物44に、又は電源レール461によって接続することは必ずしも必要ではない。外部結線40、42の数も変わることもあり得る。
【0049】
比較器回路466a−d及び/又は増幅器462a−dは、その電圧降下が測定される抵抗器を選択するマルチプレクサを使用して異なる抵抗器444a−dによって共用することもできる。増幅器462a−dは増幅する必要はなく、電圧降下を減衰させたり、又は、そのサイズが影響されないようにしてもよい。即ち、増幅器は、測定電圧降下又は標準電圧降下を共通電位に関連付ければ十分である。
【0050】
さらに、本発明は集積回路チップ内の試験結果の検出に限定しないことが理解できるであろう。別の方法として、電流によって生じた電圧降下を試験するための増幅器等は挿入物のどこにでも配備することができる。
【0051】
図5は、例えばアセンブリが取り付けられたプリント回路板上のようなアセンブリの外部の試験回路を使用するためのアセンブリを示す。これは図2のように断面で示したように見えるが、実際には種々の要素は見ている者から異なる距離で示されていることが理解できるであろう。導体26及び物質28の構成は図3のものと同様であるが、アセンブリの外部上の物質28にアクセスするためにハンダ・バンプ50、51と接触するように導体50、51は基板22を通って設けられている。(もちろん、導体50、51は試験下にある導体26とは、見ている者から異なる距離にある。)
図6は、アセンブリを示し、物質28へアクセスするための接触パッド60、61が集積回路チップ10によって覆われた挿入物12の域の外部に配備されている。従って、試験測定は、アセンブリがカプセル化される前にテスタで実行することができる。一度アセンブリがパッケージングされると、センサにアクセスする端子を作るための費用は発生しない。
【0052】
図7は、さらなる実施形態の断面の側部を示しており、ここでセンサは、挿入物の基板を通る結線を流れる試験電流に含まれている。図7は、集積回路70、基板71、貫通結合部72、磁気抵抗層74、試験導体76a、b及びハンダ・バンプ78a、bを示す。電源径路がハンダ・バンプ78aの最初の一つと貫通結合部72とハンダ・バンプ78bとを介してアセンブリの外部から集積回路チップ70に設けられている。貫通連結部72近傍に磁気抵抗物質74が設けられており、貫通結合部72から半径方向に放射状に付けられている。物質74は試験導体76a、bを介してアクセス可能である。試験導体76aの一つを介する磁気抵抗物質74にアクセスするためのハンダ・バンプ78cが示されている(同様のハンダ・バンプ(図示せず)が他の試験導体76bのために設けれている)。
【0053】
動作について説明すると、貫通結合部72を流れる電流の有無は、物質74内の抵抗変化から検出される。この検出は集積回路チップ70内で実行される。
【図面の簡単な説明】
【図1】
集積回路チップ及び挿入物のアセンブリの断面側面図を示す。
【図2】
アセンブリの詳細な断面側面図を示す。
【図3】
アセンブリの平面図を示す。
【図4】
電源結合部を試験するための回路を示す。
【図5】
さらなるアセンブリを示す。
【図6】
別のアセンブリを示す。
【図7】
さらなる実施形態の断面側面図を示す。

Claims (14)

  1. 電源結線を有する半導体集積回路チップと、
    前記集積回路チップが固定されたキャリアと、
    外部電源端子と、
    前記キャリア上にあって、前記外部電源端子と前記電源結線とを接続する電流径路と、
    前記キャリア上における電流径路の近傍であるが、前記集積回路チップの外部にあって、前記電流径路を通る電流によって発生させられる磁界を感知する磁界センサと、
    電流の存在を試験するための、前記磁界センサに対する試験アクセス可能電子インタフェースと、
    を備えていることを特徴とする集積回路アセンブリ。
  2. 前記磁界センサは、前記キャリア上に堆積された磁気抵抗物質を含んでいることを特徴とする請求項1に記載の集積回路アセンブリ。
  3. 前記物質は、前記電流径路の近傍の一つ又はそれ以上の領域においてキャリア上にパターン化されていることを特徴とする請求項2に記載の集積回路アセンブリ。
  4. 前記集積回路チップ及び/又は前記キャリアに固定されたさらなる集積回路チップのそれぞれの電源結線に至るそれぞれの電流径路のそれぞれの近傍における前記キャリア上に堆積された前記磁気抵抗物質の複数の磁界センサを含んでいることを特徴とする請求項2に記載の集積回路アセンブリ。
  5. 前記キャリアは、前記磁界センサの前記磁気抵抗物質の電気的直列接続を確立するための結線導体を備えていることを特徴とする請求項4に記載の集積回路アセンブリ。
  6. 前記キャリアは、互いに接続された一つ又はそれ以上の集積回路チップを前記プリント回路板上に取り付けるための挿入物であり、前記アセンブリは、前記集積回路チップと、前記センサを含む前記挿入物の少なくとも一部とをカプセル化するパッケージを備えていることを特徴とする請求項1に記載の集積回路アセンブリ。
  7. 前記インタフェースは、前記パッケージの外部上の端子を備え、前記端子は、前記センサを読み取るように結合されていることを特徴とする請求項6に記載の集積回路アセンブリ。
  8. 前記インタフェースの電子処理部は、前記集積回路チップに一体化されていることを特徴とする請求項1に記載の集積回路アセンブリ。
  9. 前記キャリア上に取り付けられたさらなる集積回路チップを備え、前記インタフェースは、前記磁界センサを読み取り且つその読取結果を前記キャリアの出力端子に伝送するための、前記さらなる集積回路チップ内に一体化された電子処理部を備えていることを特徴とする請求項1に記載の集積回路アセンブリ。
  10. 前記さらなる集積回路チップの電源結線へのさらなる電流径路の近傍におけるキャリア上に、前記さらなる電流径路を通る電流によって発生させられる磁界を感知するさらなる磁界センサを備えていることを特徴とする請求項9に記載の集積回路アセンブリ。
  11. 前記磁界センサは、前記磁界センサのそれぞれからの試験結果を連続的に読み取るために走査チェーン・インタフェースに結合されていることを特徴とする請求項8に記載の集積回路アセンブリ。
  12. 前記キャリアは基板を含み、前記電流径路は、前記基板を通る貫通結線を含み、前記センサは、前記貫通結線の近傍に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の集積回路アセンブリ。
  13. 集積回路チップ内の回路へのアクセスを与えるために電流径路を有するキャリアに取り付けられた前記集積回路チップを有する集積回路アセンブリの試験方法であって、挿入物上の電源電流によって発生させられる磁界を表わす電圧の測定を含み、磁界のためのセンサが、前記集積回路外部の前記キャリア上に一体化されて使用されることを特徴とする試験方法。
  14. 一つ又はそれ以上の集積回路チップを取り付けるためのキャリアであって、
    電流径路と、
    前記一つ又はそれ以上の集積回路の電源結線を前記電流径路に電気的に接続する接続点と、
    前記電流径路を通る電流によって発生させられる磁界を感知するための、前記電流径路の近傍における前記キャリア上の磁界センサと、
    前記磁界センサに結合された読取接続部と、
    を備えていることを特徴とするキャリア。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140055527A (ko) * 2012-10-31 2014-05-09 한국전력공사 배전 선로 고장발생 표시 장치 및 그 방법

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10355296B3 (de) * 2003-11-27 2005-06-09 Infineon Technologies Ag Testeinrichtung zum Wafertest von digitalen Halbleiterschaltungen
US20050246114A1 (en) * 2004-04-29 2005-11-03 Rannow Randy K In-line field sensor
US7514937B2 (en) 2005-11-21 2009-04-07 Sun Microsystems, Inc. Method and apparatus for interconnect diagnosis
WO2007075617A2 (en) * 2005-12-19 2007-07-05 Silicon Laboratories Inc. Current sensor
US7362086B2 (en) 2005-12-19 2008-04-22 Silicon Laboratories Inc. Integrated current sensor
US7397234B2 (en) 2005-12-19 2008-07-08 Silicon Laboratories Inc. Current sensor with reset circuit
US7679162B2 (en) 2005-12-19 2010-03-16 Silicon Laboratories Inc. Integrated current sensor package
US7394260B2 (en) 2006-05-24 2008-07-01 Sun Microsystems, Inc. Tuning a test trace configured for capacitive coupling to signal traces
JP2008002837A (ja) * 2006-06-20 2008-01-10 Denso Corp 半導体容量式センサの製造方法
US7990132B2 (en) 2006-06-30 2011-08-02 Silicon Laboratories Inc. Current sensor including an integrated circuit die including a first and second coil
US20080070000A1 (en) * 2006-09-20 2008-03-20 Alps Electric Co., Ltd. Circuit module with interposer and method for manufacturing the same
US7821251B2 (en) 2006-12-12 2010-10-26 Silicon Laboratories Inc. Current sensor
US7564237B2 (en) 2007-10-23 2009-07-21 Honeywell International Inc. Integrated 3-axis field sensor and fabrication methods
CN101241143B (zh) * 2008-02-20 2010-09-08 日月光半导体制造股份有限公司 集成电路测试座及其测试接口
US7728578B2 (en) 2008-05-15 2010-06-01 Silicon Laboratories Inc. Method and apparatus for high current measurement
US8102042B2 (en) * 2009-12-03 2012-01-24 International Business Machines Corporation Reducing plating stub reflections in a chip package using resistive coupling
KR101765656B1 (ko) * 2010-12-23 2017-08-08 삼성디스플레이 주식회사 구동 집적회로 및 이를 포함하는 표시장치
EP2972440A4 (en) 2013-03-12 2017-02-22 Innovaura Corporation Magnetic field imaging system
US9678173B2 (en) * 2013-05-03 2017-06-13 Infineon Technologies Ag Power module with integrated current sensor
US9523729B2 (en) * 2013-09-13 2016-12-20 Infineon Technologies Ag Apparatus and method for testing electric conductors
CN107390065A (zh) * 2017-08-04 2017-11-24 郑州云海信息技术有限公司 一种pch测试方法
CN111210866B (zh) * 2018-11-22 2021-12-03 台湾积体电路制造股份有限公司 磁场可靠性测试装置、磁场生成板及磁场可靠性测试方法
US10699976B1 (en) 2019-01-29 2020-06-30 Infineon Technologies Ag Semiconductor module with external power sensor
KR20210065263A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 삼성전자주식회사 반도체 테스트 장치 및 그 테스트 방법

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4052748A (en) 1974-04-01 1977-10-04 U.S. Philips Corporation Magnetoresistive magnetic head
NL7804377A (nl) 1978-04-25 1979-10-29 Philips Nv Magnetoweerstandkop.
NL8101962A (nl) 1981-04-22 1982-11-16 Philips Nv Magnetische sensor.
NL8801362A (nl) * 1988-05-27 1989-12-18 Philips Nv Elektronische module bevattende een eerste substraatelement met een funktioneel deel, alsmede een tweede substraatelement voor het testen van een interkonnektiefunktie, voet bevattende zo een tweede substraatelement, substraatelement te gebruiken als zo een tweede substraatelement en elektronisch apparaat bevattende een plaat met gedrukte bedrading en ten minste twee zulke elektronische modules.
JPH0390872A (ja) 1989-09-01 1991-04-16 Toshiba Corp 半導体装置
DE4027049C2 (de) 1989-09-07 1993-11-11 Siemens Ag Verfahren zum flächenhaften Überprüfen von Strompfaden in einem elektronischen oder elektrischen Bauteil
US5028866A (en) * 1990-05-30 1991-07-02 General Motors Corporation Method and apparatus for mapping printed circuit fields
GB9212646D0 (en) * 1992-06-15 1992-07-29 Marconi Instruments Ltd A method of and equipment for testing the electrical conductivity of a connection
DE9313266U1 (de) 1993-09-03 1993-12-09 Testlab Gesellschaft für automatisches Testen mbH, 85560 Ebersberg Magnetoresistiver Sensor zur Suche von Unterbrechungen an bestückten elektronischen Baugruppen
SI9300622A (en) 1993-11-30 1995-06-30 Fakulteta Za Elektrotehniko In Integrated circuit with magnetic sensor
US5570034A (en) * 1994-12-29 1996-10-29 Intel Corporation Using hall effect to monitor current during IDDQ testing of CMOS integrated circuits
US5488294A (en) * 1995-01-18 1996-01-30 Honeywell Inc. Magnetic sensor with means for retaining a magnet at a precise calibrated position
US6087842A (en) * 1996-04-29 2000-07-11 Agilent Technologies Integrated or intrapackage capability for testing electrical continuity between an integrated circuit and other circuitry
US5894224A (en) * 1996-06-06 1999-04-13 U.S. Philips Corporation Method of testing a connection which includes a conductor in an integrated circuit
US5963038A (en) 1996-06-06 1999-10-05 U.S. Philips Corporation Method of testing a connection which includes a conductor in an integrated circuit
US5912556A (en) * 1996-11-06 1999-06-15 Honeywell Inc. Magnetic sensor with a chip attached to a lead assembly within a cavity at the sensor's sensing face
US6064220A (en) * 1997-07-29 2000-05-16 Lsi Logic Corporation Semiconductor integrated circuit failure analysis using magnetic imaging
JP2000171504A (ja) * 1998-12-04 2000-06-23 Nec Corp 半導体評価装置
US6429640B1 (en) * 2000-08-21 2002-08-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force GMR high current, wide dynamic range sensor
US6518782B1 (en) * 2000-08-29 2003-02-11 Delta Design, Inc. Active power monitoring using externally located current sensors
JP6762132B2 (ja) * 2016-04-28 2020-09-30 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 伸縮材、および衛生用品

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140055527A (ko) * 2012-10-31 2014-05-09 한국전력공사 배전 선로 고장발생 표시 장치 및 그 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR100967727B1 (ko) 2010-07-05
WO2002082109A1 (en) 2002-10-17
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CN1314975C (zh) 2007-05-09
US20020153876A1 (en) 2002-10-24
US6812690B2 (en) 2004-11-02
EP1381875A1 (en) 2004-01-21

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