CN111210866B - 磁场可靠性测试装置、磁场生成板及磁场可靠性测试方法 - Google Patents
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Abstract
本揭露提供一种磁场可靠性测试装置、磁场生成板及磁场可靠性的测试方法。磁场可靠性测试装置包括测试器及磁场生成板。测试器包括多个待测对象插槽以及电源供应端。测试器利用待测对象插槽测试多个待测对象的功能。磁场生成板包括多个电磁铁以及电源接收端。电源接收端耦接测试器的电源供应端以从测试器获得电磁铁的电力。每个电磁铁的位置设置至每个待测对象插槽的相应位置。每个电磁铁获得电力以提供磁场至对应的每个待测对象插槽。测试器在电磁铁提供磁场的情况下测试待测对象的功能是否完善。
Description
技术领域
本揭露实施例涉及一种磁场可靠性测试装置、磁场生成板及磁场可靠性的测试方法。
背景技术
为了能够得知即将出售的产品是否能够正常运行,厂商通常会设计测试设备来检测产品的功能是否完善。例如,利用测试机台来检测磁阻式随机存取内存(Magnetoresistive Random Access Memory;MRAM)是否能正常进行读取/写入操作的功能。一般来说,MRAM的测试机台具备MRAM的读取/写入操作功能的测试,但不会另增加外部磁场而影响MRAM的运行。从另一角度来说,MRAM是以磁场效应来实现数据的存取,且使用MRAM的附近环境中有可能存在强烈的磁场而有可能影响到MRAM的运作,但目前的测试机台并未对MRAM在磁场影响下进行可靠度测试。
发明内容
本揭露实施例的磁场可靠性测试装置包括测试器以及磁场生成板。测试器包括多个待测对象插槽以及电源供应端。测试器利用待测对象插槽测试多个待测对象的功能。磁场生成板包括多个电磁铁以及电源接收端。电源接收端耦接测试器的电源供应端以从测试器获得电磁铁的电力。每个电磁铁的位置设置至每个待测对象插槽的相应位置。每个电磁铁获得电力以提供磁场至对应的每个待测对象插槽。测试器在电磁铁提供磁场的情况下测试待测对象的功能是否完善。
本揭露实施例的磁场生成板包括多个电磁铁以及电源接收端。电磁铁以特定形式相互连接以成为电磁铁串。电源接收端耦接电磁铁串。电源接收端耦接测试器的电源供应端以获得电磁铁的电力。电磁铁获得电力以分别提供磁场至测试器中的待测对象插槽。测试器在电磁铁提供磁场的情况下测试位于待测对象插槽中的待测对象的功能是否完善。
本揭露实施例的磁场可靠性的测试方法包括以下步骤。提供测试器,所述测试器包括多个待测对象插槽以及电源供应端,且测试器利用待测对象插槽测试多个待测对象的功能。提供磁场生成板,其中磁场生成板包括多个电磁铁以及电源接收端。将电源接收端耦接测试器的电源供应端,以使电磁铁从测试器获得电磁铁的电力,其中每个电磁铁的位置设置至每个待测对象插槽的相应位置,每个电磁铁获得所述电力以提供磁场至对应的每个待测对象插槽。以及,在电磁铁提供磁场的情况下,通过测试器测试待测对象的功能是否完善。
附图说明
包含附图以便进一步理解本发明,且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例,并与描述一起用于解释本发明的原理。
图1依照本揭露一实施例的一种磁场可靠性测试装置的示意图;
图2是图1中磁场生成板的详细示意图;
图3为图1中电磁铁与对应的每个待测对象插槽之间的距离D以及磁场B之间的关系图;
图4依照本揭露一实施例的一种磁场可靠性的测试方法的流程图。
附图标号说明
110:测试器;
112:待测物件插槽;
114:电源供应端;
116:待测物件;
120:磁场生成板;
122:电磁铁;
125:电源接收端;
128:手把;
B:磁场;
D:距离;
X:X轴;
Y:Y轴;
Z:Z轴;
B[T]:以特斯拉为单位的磁场;
S410~S440:步骤。
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例,示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能,相同组件符号在图式和描述中用来表示相同或相似部分。
图1依照本揭露一实施例的一种磁场可靠性测试装置的示意图。磁场可靠性测试装置可用来对待测对象(如,图1中的待测对象116)进行可靠度测试。例如,本实施例的待测对象为经封装的磁阻式随机存取内存(MRAM)电路。由于磁阻式随机存取内存电路是以磁场效应来实现数据的存取,许多厂商或使用者可能会认为当磁阻式随机存取内存(MRAM)电路在运作时的环境中有外部磁场的话会影响到其运作(如,数据的读取/写入操作)的可靠度。因此,本揭露以测试机台为基础,并额外设计磁场生成板来对测试机台中的每个待测对象插槽额外提供磁场,并且此磁场可透过测试机台来控制其大小。藉此,测试机台便可在主动地控制磁场生成板的磁场的情况下对每个待测对象进行相关功能的可靠度测试。
如此一来,本揭露的磁场可靠性测试装置可提供磁阻式随机存取内存电路的磁场可靠度测试数据,使得设计所述磁阻式随机存取内存电路时能够参考这些测试数据以作为左证。另外,测试机台也可透过其电源供应端便可简易地控制磁场生成板,不需额外设置针对磁场生成板所使用的控制电路、控制指令及相关流程,降低测试机台的成本。换句话说,在已具备控制机台的情况下,可另外购买本揭露提出的磁场生成板便可对磁阻式随机存取内存电路进行磁场可靠性测试。
在此说明磁场可靠性测试装置中各个组件的功能。磁场可靠性测试装置包括测试器110以及磁场生成板120。测试器110主要包括多个待测对象插槽112以及电源供应端114。测试器110还可包括处理器,以利用特定流程来对待测对象116进行其功能的可靠度测试。换句话说,若希望对待测对象116进行磁场可靠度测试,则可将待测对象116放入测试器110中的待测对象插槽116。测试器110便可利用待测对象插槽114来测试这些待测对象116的功能是否完善可靠。
磁场生成板120主要包括多个电磁铁122以及电源接收端125。电源接收端125耦接测试器110的电源供应端114以从测试器110获得电磁铁122的电力。每个电磁铁122的位置设置至每个待测对象插槽112的相应位置。电磁铁122之间以串接形式相互连接,从而成为电磁铁串。每个电磁铁122从电源接收端125获得电力以提供磁场B至对应的每个待测对象插槽112。如此一来,测试器110在电磁铁122提供磁场B的情况下可透过待测对象插槽112来测试待测对象116的功能是否完善。此外,由于这些电磁铁122以串接形式相互连接,因此只要流经的电流相同,每个电磁铁122皆会产生相同大小的磁场。
特别说明的是,由于测试器110通常具备可调整电力的电源供应端以对外部的设备供电,因此本揭露还设计可供测试器110外挂的磁场生成板120。测试器110可改变电源供应端114的电力(例如,改变电源供应端114中流经的电流大小及电流方向)以同时调整每个电磁铁122所提供的磁场B。此外,为使电磁铁122的磁场B能够较佳地发挥功效,每个电磁铁122与对应的每个待测对象插槽112之间的距离D可设置在0.5毫米以下,以让待测物件116能够受到较大的磁场B的影响。
图2是图1中磁场生成板120的详细示意图。图2左方绘示磁场生成板120的俯视图(亦即,位于X轴与Y轴平面的图示)。磁场生成板120是以烧入板(burn-in board)来实现。磁场生成板120上的多个电磁铁122之间以串接形式相互连接而成为电磁铁串。电磁铁串的两端电性耦接到磁场生成板120的两个电源接收端125。磁场生成板120还具备手把128以供使用者方便拿取。图2右方则绘示以柱状外形实现的电磁铁(位于Y轴与X轴平面的电磁铁)。每个电磁铁122是以柱状电磁铁实现。柱状电磁铁的高度为11毫米,且柱状电磁铁的横截面(也就是,圆形截面)直径为14毫米。应用本实施例者亦可采用不同形状的电磁铁122来实现磁场生成板120,只要能对图1中测试器110的每个待测对象插槽112提供稳定的磁场即可。
图3为图1中电磁铁122与对应的每个待测对象插槽112之间的距离D以及磁场B之间的关系图。图3中的横轴表示以毫米为单位的距离D,图3中的纵轴表示以特斯拉(tesla;T)作为磁通量单位的磁场B。从图3可看出,当距离D的数值越大,磁场B的大小将急遽下降,因此应用本实施例者可尽量将电磁铁尽量接近对应的待测对象插槽,藉以在节省电力的情况下获得较佳的磁场B。
图4依照本揭露一实施例的一种磁场可靠性的测试方法的流程图。请同时参考图1及图4,于步骤S410中,提供测试器110。测试器110包括多个待测对象插槽112以及电源供应端114。测试器110利用待测对象插槽112测试多个待测对象116的功能。于步骤S420中,提供磁场生成板120。磁场生成板120包括多个电磁铁122以及电源接收端125。于步骤S430中,将电源接收端125耦接测试器110的电源供应端114,以使电磁铁122从测试器110获得电磁铁122的电力。每个电磁铁122的位置设置至每个待测对象插槽112的相应位置,且每个电磁铁122获得电力以提供磁场B至对应的每个待测对象插槽112。于步骤S430中,在电磁铁122提供磁场B的情况下,通过测试器110测试待测对象116的功能是否完善。相关步骤的详细说明请见本揭露各实施例。
本揭露实施例揭露一种磁场可靠性测试装置,其包括测试器以及磁场生成板。测试器包括多个待测对象插槽以及电源供应端。测试器利用待测对象插槽测试多个待测对象的功能。磁场生成板包括多个电磁铁以及电源接收端。电源接收端耦接测试器的电源供应端以从测试器获得电磁铁的电力。每个电磁铁的位置设置至每个待测对象插槽的相应位置。每个电磁铁获得电力以提供磁场至对应的每个待测对象插槽。测试器在电磁铁提供磁场的情况下测试待测对象的功能是否完善。
于部分实施例中,测试器改变电源供应端的电力以调整每个电磁铁所提供的磁场。
于部分实施例中,待测对象为经封装的磁阻式随机存取内存(MRAM)电路。
于部分实施例中,电磁铁之间以串接形式相互连接。
于部分实施例中,每个电磁铁与对应的每个待测对象插槽之间的距离在0.5毫米以下
于部分实施例中,每个电磁铁以柱状电磁铁实现。柱状电磁铁的高度为14毫米,且柱状电磁铁的横截面直径为11毫米。
于部分实施例中,磁场生成板为烧入板。
本揭露实施例揭露一种磁场生成板,其包括多个电磁铁以及电源接收端。电磁铁以特定形式相互连接以成为电磁铁串。电源接收端耦接电磁铁串。电源接收端耦接测试器的电源供应端以获得电磁铁的电力。电磁铁获得电力以分别提供磁场至测试器中的待测对象插槽。测试器在电磁铁提供磁场的情况下测试位于待测对象插槽中的待测对象的功能是否完善。
于部分实施例中,每个电磁铁所提供的磁场是由测试器改变电源供应端的电力来进行调整。
于部分实施例中,待测对象为经封装的磁阻式随机存取内存电路。
于部分实施例中,电磁铁之间以串接形式相互连接以成为电磁铁串。
于部分实施例中,每个电磁铁与对应的每个待测对象插槽之间的距离在0.5毫米以下。
于部分实施例中,每个电磁铁以柱状电磁铁实现,柱状电磁铁的高度为14毫米,柱状电磁铁的横截面直径为11毫米。
于部分实施例中,磁场生成板为烧入板。
本揭露实施例揭露一种磁场可靠性的测试方法,其包括以下步骤。提供测试器,所述测试器包括多个待测对象插槽以及电源供应端,且测试器利用待测对象插槽测试多个待测对象的功能。提供磁场生成板,其中磁场生成板包括多个电磁铁以及电源接收端。将电源接收端耦接测试器的电源供应端,以使电磁铁从测试器获得电磁铁的电力,其中每个电磁铁的位置设置至每个待测对象插槽的相应位置,每个电磁铁获得所述电力以提供磁场至对应的每个待测对象插槽。以及,在电磁铁提供磁场的情况下,通过测试器测试待测对象的功能是否完善。
于部分实施例中,待测对象为经封装的磁阻式随机存取内存电路。
于部分实施例中,电磁铁之间以串接形式相互连接。
于部分实施例中,每个电磁铁与对应的每个待测对象插槽之间的距离在0.5毫米以下。
于部分实施例中,每个电磁铁以柱状电磁铁实现,柱状电磁铁的高度为14毫米,柱状电磁铁的横截面直径为11毫米,并且磁场生成板为烧入板。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种磁场可靠性测试装置,其特征在于,包括:
测试器,包括多个待测对象插槽以及电源供应端,所述测试器利用所述待测对象插槽测试多个待测对象的功能;以及
磁场生成板,包括多个电磁铁以及电源接收端,所述电源接收端耦接所述测试器的所述电源供应端以从所述测试器获得所述电磁铁的电力,
其中每个电磁铁的位置设置至每个待测对象插槽的相应位置,每个电磁铁获得所述电力以提供磁场至对应的每个待测对象插槽,所述测试器在所述电磁铁提供所述磁场的情况下测试所述待测对象的功能是否完善。
2.根据权利要求1所述的磁场可靠性测试装置,其特征在于,所述测试器改变所述电源供应端的所述电力以调整每个电磁铁所提供的所述磁场。
3.根据权利要求1所述的磁场可靠性测试装置,其特征在于,所述待测对象为经封装的磁阻式随机存取内存电路。
4.根据权利要求1所述的磁场可靠性测试装置,其特征在于,每个电磁铁与对应的每个待测对象插槽之间的距离在0.5毫米以下,每个电磁铁以柱状电磁铁实现,所述柱状电磁铁的高度为11毫米,所述柱状电磁铁的横截面直径为14毫米。
5.一种磁场生成板,其特征在于,包括:
多个电磁铁,所述电磁铁以特定形式相互连接以成为电磁铁串;以及
电源接收端,耦接所述电磁铁串,
所述电源接收端耦接测试器的电源供应端以获得所述电磁铁的电力,所述电磁铁获得所述电力以分别提供磁场至所述测试器中的待测对象插槽,
所述测试器在所述电磁铁提供所述磁场的情况下测试位于所述待测对象插槽中的待测对象的功能是否完善。
6.根据权利要求5所述的磁场生成板,其特征在于,每个电磁铁所提供的所述磁场是由所述测试器改变所述电源供应端的所述电力来进行调整。
7.根据权利要求5所述的磁场生成板,其特征在于,所述待测对象为经封装的磁阻式随机存取内存电路。
8.根据权利要求5所述的磁场生成板,其特征在于,每个电磁铁与对应的每个待测对象插槽之间的距离在0.5毫米以下。
9.根据权利要求5所述的磁场生成板,其特征在于,其中每个电磁铁以柱状电磁铁实现,所述柱状电磁铁的高度为11毫米,所述柱状电磁铁的横截面直径为14毫米。
10.一种磁场可靠性的测试方法,其特征在于,包括:
提供测试器,所述测试器包括多个待测对象插槽以及电源供应端,所述测试器利用所述待测对象插槽测试多个待测对象的功能;
提供磁场生成板,所述磁场生成板包括多个电磁铁以及电源接收端;
将所述电源接收端耦接所述测试器的所述电源供应端,以使所述电磁铁从所述测试器获得所述电磁铁的电力,其中每个电磁铁的位置设置至每个待测对象插槽的相应位置,每个电磁铁获得所述电力以提供磁场至对应的每个待测对象插槽;以及
在所述电磁铁提供所述磁场的情况下,通过所述测试器测试所述待测对象的功能是否完善。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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CN201811396951.XA CN111210866B (zh) | 2018-11-22 | 2018-11-22 | 磁场可靠性测试装置、磁场生成板及磁场可靠性测试方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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CN111210866A CN111210866A (zh) | 2020-05-29 |
CN111210866B true CN111210866B (zh) | 2021-12-03 |
Family
ID=70786630
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811396951.XA Active CN111210866B (zh) | 2018-11-22 | 2018-11-22 | 磁场可靠性测试装置、磁场生成板及磁场可靠性测试方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111210866B (zh) |
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