DE4027049C2 - Verfahren zum flächenhaften Überprüfen von Strompfaden in einem elektronischen oder elektrischen Bauteil - Google Patents

Description

Verfahren zum flächenhaften Überprüfen von Strompfaden in einem elektronischen oder elektrischen Bauteil.

Die Erfindung geht aus von einem Verfahren nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.

Zu einer statischen oder dynamischen Fehlersuche in elektronischen oder elektrischen Bauteilen, insbesondere (hoch)integrierten Schaltstrukturen, ist es erforderlich, die Lage der einzelnen Strompfade und deren Funktionsfähigkeit überprüfen zu können.

Es ist zwar bekannt, verdeckte Strompfade dadurch zu orten, daß man in das bei Stromdurchgang von ihnen erzeugte Magnetfeld Fe-Partikel einbringt, die sich unter Einfluß dieses Feldes entsprechend den Feldlinien ordnen. Ein entsprechendes Verfahren ist jedoch für integrierte Schaltungen nur beschränkt anwendbar, da die dort erzeugten Magnetfelder im allgemeinen zu geringe Feldstärken haben und wegen der Mikrostrukturierung der einzelnen Strompfade auch nicht hinreichend genau aufgelöst würden.

Aus der JP-A-56/124 063 ist eine Vorrichtung zu entnehmen, mit der ein konkreter Wert der Feldstärke eines aus einem magnetisierten Magnetband austretenden Magnetfeldes gemessen werden kann. Hierzu ist ein einstellbares magnetisches Zusatzfeld erforderlich. Mit dem Zusatzfeld wird das zu detektierende Feld des Magnetbandes kompensiert, so daß dann mit einer optischen Detektionsvorrichtung in Form einer Fotozelle zwischen zwei Zuständen zu unterscheiden ist, nämlich zwischen der Detektion eines durch ein Okular hindurchtretenden polarisierten Lichtstrahles einerseits und dessen Auslöschung andererseits. Die Fotozelle detektiert also lediglich die Summation des Magnetbandfeldes und des Zusatzfeldes. Damit ist aber die bekannte Vorrichtung zu einer flächenhaften Überprüfung vieler Strompfade mit einer Aussage über die Funktionstüchtigkeit einzelner dieser Strompfade nicht geeignet.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, das Verfahren mit den Merkmalen gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 dahingehend auszugestalten, daß eine flächenhafte Überprüfung von hochintegrierten Schaltungen oder sonstigen Bauteilen der Elektronik oder Elektrik bequem durchzuführen ist, wobei eine eindeutige Aussage über die Funktionsfähigkeit der einzelnen Strompfade gewonnen werden soll.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den im Patentanspruch 1 angegebenen Merkmalen gelöst.

Die mit dieser Ausgestaltung des Verfahrens verbundenen Vorteile sind insbesondere darin zu sehen, daß bereits fertige elektronische oder elektrische Bauteile mit hoher Dichte ihrer Strompfade auf einfache Weise unter Verwendung bekannter Apparaturen flächenhaft überprüft werden können. Ein Eingriff in das Bauteil ist dabei nicht erforderlich.

Vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens gehen aus den Unteransprüchen hervor.

Zur weiteren Erläuterung der Erfindung wird nachfolgend auf die schematische Zeichnung Bezug genommen, in deren Fig. 1 eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens angedeutet ist. In Fig. 2 ist die Hysteresiskurve eines für das erfindungsgemäße Verfahren geeigneten Materials wiederge­ geben. Fig. 3 zeigt einen Schnitt durch einen Teil einer in­ tegrierten Schaltung mit einer darauf aufgebrachten Schicht aus diesem Material. Die von der Schaltung hervorgerufenen Magnet­ feldverhältnisse sind in Fig. 4 angedeutet.

Fig. 1 zeigt einen Ausschnitt eines nachfolgend als "Prüfling" bezeichneten Bauteils 2 der Elektronik oder Elektrik, bei­ spielsweise eines IC-Bausteins oder einer Platine, als Schnitt im Bereich von mehreren zu überprüfenden Strompfaden 3. Über diese Strompfade sei ein Strom der Stärke I geführt, wobei die Stromführungsrichtung aus der Zeichenebene heraus jeweils durch einen Punkt und in die Zeichenebene hinein durch ein Kreuz veranschaulicht ist. Die Stromstärke I kann z. B. etwa 0,1 bis 1 mA betragen. Aufgrund des Stromes in den Strompfaden 3 wird dann um diese herum ein ortsabhängiges Magnetfeld H erzeugt, dessen Feldlinien mit f bezeichnet sind. Die Strompfade 3 sind von der Oberfläche 2a des Prüflings 2 um einen Abstand a ent­ fernt. An der Oberfläche 2a und zwischen den Strompfaden 3 besteht der Prüfling 2 aus elektrisch isolierendem Material. Der Abstand a sollte aus Gründen einer hohen Empfindlichkeit möglichst klein sein und liegt z. B. in der Größenordnung von 100 nm bis 1 µm. Auf der Oberfläche 2a befindet sich eine dünne Schicht 5 mit besonderen magnetischen und magnetooptischen Ei­ genschaften. Die Dicke der Schicht 5 wird im allgemeinen zwi­ schen 10 nm und 1 µm gewählt. Die Schicht 5 wird entweder di­ rekt auf den Prüfling 2 aufgebracht oder befindet sich gemäß dem dargestellten Ausführungsbeispiel auf einem optisch trans­ parenten Substrat 6. Gegebenenfalls ist auch die Schicht 5 zumindest weitgehend optisch transparent, beispielsweise auf­ grund der Materialwahl oder aufgrund ihrer geringen Dicke. Um eine optimale laterale Auflösung der Strompfade 3 zu gewähr­ leisten, sollte der Abstand a der Schicht 5 von den Strompfa­ den kleiner sein als die minimale Entfernung e zweier benach­ barter Strompfade.

Das somit die Schicht 5 durchsetzende Magnetfeld H erzeugt dort eine Magnetisierung, die aufgrund der magnetooptischen Eigen­ schaften des Materials der Schicht zu einer Änderung des Dreh­ winkels für polarisiertes Licht führt. Zur Auswertung bzw. zur Erzeugung eines Bildkontrastes der Schicht wird nun vorzugs­ weise der polare Kerr-Effekt ausgenutzt, der die bezüglich der Schichtoberfläche senkrechte Magnetisierungskomponente be­ rücksichtigt. Dies hat zur Folge, daß eine Drehung der Magneti­ sierungsrichtung in der Schicht 5 in eine Intensitätsvariation umgewandelt wird. Ein entsprechendes Bildverarbeitungssystem setzt eine Lichtquelle 7 für polarisiertes Licht 8, insbeson­ dere einen Laser voraus. Die Wellenlänge des polarisierten Lichtes 8 muß dabei in bekannter Weise an das für die jeweilige magnetooptische Schicht 5 verwendete Material angepaßt sein. Das Licht 8 gelangt über einen Polarisator 9 auf einen Strahl­ teiler 10 und wird dort auf die Schicht 5 abgelenkt, wobei es noch in einem Linsensystem 11 gebündelt wird. Das von der Schicht 5 zurückgeworfene und gegebenenfalls aufgrund des magnetooptischen Kerr-Effektes in seiner Polarisationsebene gedrehte Licht 8′ durchläuft dann wiederum den Strahlteiler, einen Analysator 12, ein Linsensystem 13 und gelangt dann in eine nachgeordnete bilderzeugende Einrichtung 14, beispiels­ weise eine CCD-Kamera eines Polarisationsmikroskops, wo es in Form eines Kontrastbildes 15 der Schicht 5 sichtbar zu machen ist. Die Schicht 5 wird deshalb auch als "Bildschicht" be­ zeichnet.

Bei der in der Figur schematisch dargestellten Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird also die Drehung der Polarisationsebene von polarisiertem Licht aufgrund des (magneto-optischen) Kerr-Effektes ausgenutzt. Das hierbei eingesetzte Mikroskop wird deshalb häufig auch als Kerr-Mikros­ kop bezeichnet. Dem Kerr-Mikroskop ist im allgemeinen ein Bild­ prozessor zugeordnet. Der Aufbau und die Funktionsweise eines entsprechenden Mikroskopes sind beispielsweise in Veröffent­ lichungen der Firma E. Leitz GmbH, D-6330 Wetzlar (DE) beschrie­ ben (vgl. z. B. die Anleitung zu "Orthoplan-Pol"-Großes Polari­ sationsmikroskop - oder die Broschüre "Polarisationsmikros­ kopie"- Grundlagen, Instrumente, Anwendungen - Verfasser:. W.J. Patzelt, 1985). Mit einer derartigen magneto-optischen Ein­ richtung lassen sich vorteilhaft zumindest große Teile der freien Oberfläche der Bildschicht 5 auf einmal beobachten.

Selbstverständlich sind auch andere magneto-optische Einrich­ tungen zur Ermittlung der Lage und Funktionsfähigkeit der ein­ zelnen Strompfade in dem zu untersuchenden Körper 2 geeignet, bei denen z. B. der Faraday-Effekt unter Ausbildung einer zu­ sätzlichen Reflexionsschicht auf dem Körper ausgenutzt wird. Hierbei kann z. B. ein über einen Polarisator geführter Laser­ strahl geringer Intensität eingesetzt werden.

Die für das erfindungsgemäße Verfahren geeigneten Materialien für die Schicht 5 müssen eine Reihe von Grundvoraussetzungen erfüllen bzw. magnetooptische und magnetische Eigenschaften aufweisen, deren wichtigsten nachfolgend aufgelistet sind:

• 1) Zu verwenden sind nur (magnetooptische) Schichtmaterialien, die in einem Magnetfeld die Polarisationsebene von optischer Strahlung um einen vorzugsweise möglichst großen (magneto­ optischen) Drehwinkel zu drehen in der Lage sind.
• 2) Das Material muß eine ausgeprägte magnetische Anisotropie zeigen. D. h., die Achse der sogenannten "leichten" Magneti­ sierung soll in eine Vorzugsrichtung bezüglich der Oberflä­ che weisen, auf der eine dünne Schicht aus diesem Material abgeschieden wird. Die Vorzugsrichtung kann dabei senkrecht oder auch parallel zu dieser Oberfläche verlaufen. Im Hin­ blick auf eine magnetooptische Abbildung der Strompfade ist jedoch die senkrechte Lage der Vorzugsrichtung von beson­ derem Vorteil.
• 3) Das Material soll eine hohe remanente Induktion (Remanenz) in der Richtung der leichten Magnetisierung aufweisen. D. h., die remanente Induktion sollte nur höchstens 50% kleiner, vorzugsweise maximal 5% kleiner als die Sättigungsinduktion in der Vorzugsrichtung sein.
• 4) Das Material muß in der genannten Vorzugsrichtung eine Koerzitivfeldstärke H_c haben, die kleiner als die entspre­ chende Komponente der Feldstärke des Magnetfeldes ist, wel­ ches der zu überprüfende Strompfad bei Stromführung in dem elektronischen oder elektrischen Bauteil hervorruft. Da die von derartigen Bauteilen in einer Referenzebene hervorgeru­ fenen Feldstärken vielfach unter 100 A/m liegen, muß die Koerzitivfeldstärke H_c dementsprechend klein sein; d.h., das Material muß ausgeprägte weichmagnetische Eigenschaften auf­ weisen.

Die genannten Grundvoraussetzungen können vorteilhaft mit einer V-Co-Legierung mit einem V-Gehalt zwischen 10 und 30 Atom-%, vorzugsweise von etwa 20 Atom-%, erfüllt werden, die mittels eines an sich bekannten Verfahrens des Ionenstrahlsputterns als Einzelschicht oder als Mehrlagenschicht hergestellt wird. Mit diesem Verfahren sind nämlich Schichten aus der genannten Le­ gierung auszubilden, die neben einer ausgeprägten senkrechten magnetischen Anisotropie eine hohe Remanenz sowie eine äußerst kleine Koerzitivfeldstärke H_c (jeweils in der senkrechten Vor­ zugsrichtung der Magnetisierung) aufweisen. Die Remanenz dieses Materials kann nämlich Werte bis über 90%, insbesondere über 95% des Wertes der Sättigungsmagnetisierung zeigen. Die sich in dieser Richtung ergebende Hysteresiskurve einer solchen V-Co-Legierungsschicht ist in dem Diagramm der Fig. 2 als durchgezogene Linien wiedergegeben. In diesem Diagramm ist in Richtung der Abszisse die magnetische Feldstärke H (in Oe) und in Ordinatenrichtung die magnetische Induktion J (in willkür­ lichen Einheiten) aufgetragen. Wie aus dem Diagramm der Figur hervorgeht, ist die Remanenz des Materials aufgrund der ausge­ prägten Rechteckform der mit H_⟂ bezeichneten Hysteresiskurve nur unwesentlich kleiner als die Sättigungsinduktion des Mate­ rials, d. h. annähernd 100% (bezogen auf die Sättigungsin­ duktion der Legierung). Aus der Kurve H_⟂ läßt sich eine Koerzi­ tivfeldstärke H_c von knapp unter 1 Oe (ungefähr 80 A/m) able­ sen. In dem Diagramm ist ferner in dem dargestellten Magnet­ feldbereich der ungefähre Verlauf der Magnetisierungskurve er­ sichtlich, die sich bei einer Magnetisierung parallel zur Schichtoberfläche ergibt. Diese Kurve ist mit H_| bezeichnet und durch eine gestrichelte Linie veranschaulicht. Bei einem Ver­ gleich des Verlaufs der beiden Kurven H_⟂ und H_| sind ohne wei­ teres die anisotropen Magnetisierungsverhältnisse der weich­ magnetischen V-Co-Legierung erkennbar.

Mit einer dünnen Schicht aus einem derartigen Material läßt sich vorteilhaft die Funktionsfähigkeit von Strompfaden in elektronischen, insbesondere (hoch)integrierten Schaltungen überprüfen. Ein entsprechendes Ausführungsbeispiel ist nach­ folgend anhand der Fig. 3 und 4 erläutert. Dabei zeigt Fig. 3 schematisch als Schnitt einen Teil einer integrierten Schal­ tung 2 im Bereich von zwei zu überprüfenden Strompfaden 3 und 3′. Über diese beiden Strompfade sei ein Strom der Stärke I ge­ führt, wobei die Stromführungsrichtungen in die Zeichenebene hinein jeweils durch ein Kreuz veranschaulicht sind. Die Strom­ stärke kann z. B. etwa 50 bis 100 µA betragen. Die beiden Strom­ pfade 3 und 3′ sind gegenüber einer freien Oberfläche 2a der Schaltung 2 um einen geringen Abstand a beabstandet. An der Oberfläche besteht dabei die Schaltung 2 aus elektrisch isolie­ rendem Material. Auf der Oberfläche 2a der Schaltung 2 befindet sich elektrisch isoliert eine dünne Schicht 5 aus der V-Co-Le­ gierung mit den geforderten magnetooptischen und weichmagneti­ schen Eigenschaften. Die Dicke d dieser Schicht wird im allge­ meinen zwischen 10 nm und 500 nm gewählt. Aufgrund des Stromes I in den Strompfaden 3 und 3′ wird um diese herum und somit auch in der Schicht 5 ein Magnetfeld H erzeugt, dessen Feld­ linien f die Strompfade in bekannter Weise umschließen. Die zugehörenden magnetischen Feldstärkeverhältnisse H_⟂ in senk­ rechter Richtung bezüglich der Oberfläche 2a sind aus dem Diagramm der Fig. 4 ersichtlich. In diesem Diagramm ist in Abszissenrichtung die örtliche Position x (in willkürlichen Einheiten) bezüglich einer Mittellinie zwischen den beiden Strompfaden und in Ordinatenrichtung die Feldstärke H_⟂ (in A/m) aufgetragen. Ferner ist in dem Diagramm durch gestrichelte Linien die Koerzitivfeldstärke H_c (ebenfalls in senkrechter Richtung) der Legierungsschicht 5 von etwa 80 A/m angegeben. Wie aus dem Diagramm hervorgeht, überschreitet der Betrag der Feldstärke |H_⟂| im Bereich der Strompfade 3 und 3′ den Betrag von |H_c| der Koerzitivfeldstärke, so daß dort eine Ummagneti­ sierung der V-Co-Schicht 5 möglich ist. Geht man nun z.B. davon aus, daß vor dem Einschalten des Stromes I die Schicht 5 so magnetisiert war, daß in ihr homogen die Magnetisierung in Richtung der Normalen auf der Oberfläche nach oben weist, dann wird durch den angelegten Strom I im Bereich des Strompfades 3′ eine Ummagnetisierung in die Gegenrichtung bewirkt. In Fig. 3 sind die entsprechenden Magnetisierungsrichtungen durch einze­ lne gepfeilte Linien m bzw. m′ veranschaulicht. Die Ummagneti­ sierung bzw. die Magnetisierungsverteilung in der Schicht 5 spiegelt so die Lage und die Funktionsfähigkeit der einzelnen Strompfade wieder.

Abweichend von dem für die Fig. 3 und 4 angenommenen Aus­ führungsbeispiel können für die Strompfade 3 und 3′ auch andere, beispielsweise entgegengesetzte Stromflußrichtungen vorgesehen werden. Das von den Strompfaden hervorgerufene Magnetfeld zeigt somit einen gegebenenfalls gegenüber Fig. 4 entsprechend geänderten Verlauf.

Gemäß dem erläuterten Ausführungsbeispiel wurde davon ausge­ gangen, daß die Schicht 5 als Einzelschicht mit einer Dicke d zwischen 10 nm und 500 nm an das Bauteil 2 angefügt wird. Die geforderten weichmagnetischen Eigenschaften können jedoch auch mit Schichten erfüllt werden, die als sogenannte Mehrlagensy­ steme mit einer Dicke in der genannten Größenordnung ausge­ bildet werden. Im Falle der vorteilhaft zu verwendenden V-Co- Legierung wird ein solches System ebenfalls mittels Ionen­ strahlsputterns so hergestellt, daß man alternierend dünne Lagen aus der V-Komponente und dünne Lagen aus der Co-Kompo­ nente sukzessive abscheidet. Die Anzahl der sich so periodisch wiederholenden Schichten beträgt dabei mindestens zwei und ist im allgemeinen wesentlich höher, z. B. 30 bis 50. Die Dicke der einzelnen Lagen sollte für die V-Komponente zwischen 0,2 und 10 nm und für die Co-Komponente zwischen 0,2 und 3 nm liegen. Die Abscheidung der einzelnen Lagen wird dabei so vorgenommen, daß sich an der Grenzfläche jeweils benachbarter Lagen die gewünschte Legierung V-Co durch Interdiffusion der Komponenten ausbildet. Die über diese Diffusionszonen gemittelten Anteile der einzelnen Komponenten der Legierung liegen dabei in dem genannten Konzentrationsbereich. Ein konkretes Verfahren zur Herstellung der Legierung sowohl in Form einer Einzelschicht als auch in Form eines Mehrlagensystems ist in der DE-Patent­ anmeldung P 39 29 614 (Anmeldetag: 6.09.1989) mit dem Titel "Verfahren zur Abscheidung mindestens einer V-Co-Legierungs­ schicht mittels Sputterns" beschrieben. Eine hierfür geeignete Ionenstrahlsputteranlage ist z. B. der Veröffentlichung "IEEE Trans. Magn.", Vol. MAG-24, No. 2, März 1988, Seiten 1731 bis 1733 zu entnehmen.

Gegebenenfalls ist es auch möglich, als Schicht 5 ein Mehrla­ gensystem vorzusehen, bei dem praktisch keine Interdiffusions­ zonen zwischen den einzelnen Komponenten einer Legierung aus­ gebildet sind. Auch derartige Mehrlagensysteme können nämlich jeweils als Gesamtsystem aus den einzelnen Lagen die geforder­ ten weichmagnetischen Eigenschaften sowie eine ausgeprägte ma­ gnetische Anisotropie aufweisen, obwohl zumindest einige ihrer Lagen diese Eigenschaften nicht zu besitzen brauchen.

Neben der genannten V-Co-Legierungsschicht, deren leichte Rich­ tung (Achse) der Magnetisierung (Vorzugsrichtung) senkrecht zur Oberfläche der Schicht verläuft, sind für das erfindungsgemäße Verfahren ebensogut auch Materialien geeignet, deren leichte Achse in paralleler Richtung bezüglich der Schichtoberfläche liegt. Entsprechende Materialien mit den geforderten weichma­ gnetischen Eigenschaften sind allgemein bekannt. Ein Beispiel hierfür sind spezielle Ni-Fe-Legierungen mit einem gemittelten Fe-Gehalt zwischen 15 und 25 Atom-% wie z. B. "Permalloy". Der­ artige Legierungen werden im allgemeinen durch RF-Sputtern her­ gestellt.

Für das erfindungsgemäße Verfahren ist jedoch eine Schicht aus oder mit einem weichmagnetischen Material besonders vorteil­ haft, dessen leichte Richtung der Magnetisierung senkrecht zur Schichtoberfläche verläuft. In diesem Fall ist nämlich der po­ lare Kerr-Effekt vergleichsweise größer als im Fall einer parallel zur Oberfläche liegenden Vorzugsrichtung. Es ist des­ halb auch ein höherer Kontrast bei der Ermittlung des Magneti­ sierungszustandes in der Schicht mittels einer magnetooptischen Einrichtung zu erhalten. Außerdem verläuft hier die Anisotro­ pie-Richtung immer senkrecht zur Stromführungsrichtung, so daß alle Strompfade erfaßt werden.

Darüber hinaus braucht bei dem erfindungsgemäßen Verfahren die als Einzelschicht oder als Mehrlagensystem ausgebildete Schicht 5 nicht unbedingt unmittelbar auf der freien Oberfläche 2a des Bauteils 2 abgeschieden zu werden. Im Hinblick auf eine Ver­ größerung des Kerr-Winkels ist es vorteilhaft, wenn sich zwi­ schen der Schicht 5 und der Oberfläche 2a noch eine dünne Schicht aus einem reflektierenden Material (Reflexionsschicht) wie z. B. aus Cu, Al oder Au befindet. Ferner ist es günstig, wenn man die Oberfläche 5a der Schicht 5 noch mit einer Anti­ reflexschicht aus einem dielektrischen Material überzieht, um so eine Erhöhung des Kontrastes bei der magnetooptischen Er­ mittlung des Magnetisierungszustandes der Schicht 5 zu errei­ chen. Hierfür geeignete Materialien sind z. B. ZnS, AlN oder Si₃N₄.

Claims (12)

1. Verfahren zum flächenhaften Überprüfen von in einem elektronischen oder elektrischen Bauteil verdeckt und gegenüber einer freien Oberfläche isoliert angeordneten Strompfaden, die bei Stromführung an der freien Oberfläche des Bauteils ein Magnetfeld vorbestimmter Feldstärke hervorrufen, dadurch gekennzeichnet,

• - daß an der freien Oberfläche (2a) des Bauteils (2) eine dünne weichmagnetische Schicht (5) mit magnetooptischen Eigenschaften angeordnet wird, die ausgeprägt magnetisch anisotrop ist und deren Koerzitivfeldstärke (H_c) in der leichten Richtung der Magnetisierung kleiner als die Feldstärke des von den stromführenden Strompfaden (3, 3′) erzeugten Magnetfeldes in dieser Richtung ist,
• - daß die weichmagnetische, magnetooptische Schicht (5) mit polarisiertem Licht (8) vorbestimmter, an das Material der Schicht (5) angepaßter Wellenlänge bestrahlt wird und
• - daß der den magnetooptischen Drehwinkel beeinflussende Magnetisierungszustand in der Schicht (5) als flächenhaftes Kontrastbild (15) der Schicht (5) mittels eines Polarisationsmikroskops sichtbar gemacht wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine weichmagnetische, magnetooptische Schicht (5) mit einer Dicke (d) zwischen 10 nm und 500 nm vorgesehen wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine einzelne Schicht (5) aus einem weichmagnetischen Material aufgebracht wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als weichmagnetische magnetooptische Schicht (5) ein Mehrlagensystem alternierend aus dünnen Lagen aus einzelnen Komponenten aufgebracht wird, wobei das Gesamtsystem die weichmagnetischen Eigenschaften und die magnetische Anisotropie aufweist.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß lagenbildende Einzelkomponenten vorgesehen werden, welche zumindest teilweise keine weichmagnetischen Eigenschaften aufweisen.

6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß innerhalb des Mehrlagensystems an den Grenzflächen zwischen jeweils benachbarten Lagen Zonen aus einem Material mit den weichmagnetischen Eigenschaften ausgebildet werden.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine Dicke der einzelnen Lagen zwischen 0,2 nm und 10 nm vorgesehen wird.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß für die weichmagnetische magnetooptische Schicht (5) eine ionenstrahlgesputterte V-Co-Legierung mit einem gemittelten Anteil der V-Komponente zwischen 10 und 30 Atom-% vorgesehen wird, wobei in der Schicht (5) die leichte Richtung der Magnetisierung senkrecht bezüglich der Oberfläche (5a) der Schicht (5) verläuft.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß als Material für die weichmagnetische Schicht (5), magnetooptische Schicht (5) eine gesputterte Ni-Fe-Legierung mit einem gemittelten Anteil der Fe-Komponente zwischen 15 und 25 Atom-% vorgesehen wird, wobei in der Schicht (5) die leichte Richtung der Magnetisierung parallel zur Oberfläche (5a) der Schicht (5) verläuft.

10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der freien Oberfläche (2a) des Bauteils (2) und der weichmagnetischen, magnetooptischen Schicht (5) eine Reflexionsschicht zur Vergrößerung des magnetooptischen Drehwinkels bei der magnetooptischen Ermittlung des Magnetisierungszustandes in der Schicht (5) vorgesehen wird.

11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche (5a) der weichmagnetischen, magnetooptischen Schicht (5) mit einer Antireflexschicht aus einem dielektrischen Material zur Erhöhung des Kontrastes bei der magnetooptischen Ermittlung des Magnetisierungszustandes in der Schicht (5) vorgesehen wird.

12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die auf einem optisch transparenten Substrat (6) aufgebrachte weichmagnetische, magnetooptische Schicht (5) an das zu untersuchende Bauteil (2) im Bereich der zu detektierenden Strompfade (3, 3′) angesetzt ist.