JP2004363200A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】パドル方式を採用した基板の処理において、基板の温度を均一に保って処理むらの発生を防止することができる装置を提供する。
装置を提供する。
【解決手段】液供給ノズル１２によって処理液が盛られた基板Ｗを支持して移動させる搬送ローラ１０の直下に液溜め容器３６を配設し、液溜め容器内へ、基板上に盛られた処理液と同等の温度に調節された加温用液体を供給する。搬送ローラが常時回転しつつ、液溜め容器内に貯留された加温用液体中に搬送ローラの周面の一部が浸漬されることにより、搬送ローラが加温される。
【選択図】 図１
装置を提供する。
【解決手段】液供給ノズル１２によって処理液が盛られた基板Ｗを支持して移動させる搬送ローラ１０の直下に液溜め容器３６を配設し、液溜め容器内へ、基板上に盛られた処理液と同等の温度に調節された加温用液体を供給する。搬送ローラが常時回転しつつ、液溜め容器内に貯留された加温用液体中に搬送ローラの周面の一部が浸漬されることにより、搬送ローラが加温される。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、プリント基板、半導体ウエハ等の基板の表面にエッチング液、現像液等の処理液を供給して基板に対しエッチング処理、現像処理等の処理を行う基板処理方法および基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板の表面へエッチング液、現像液等の処理液を供給して基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置において、むらのない均一な基板処理を行うためには、基板表面へ供給する処理液の温度を一定に保つことは勿論のこと、基板の全面にわたって温度を均一に保つ必要がある。すなわち、基板の表面に温度むらが発生すると、基板の表面上の位置によってエッチング、現像等の処理速度に差を生じ、それが処理むらを引き起こす原因となるからである。
【０００３】
基板の温度を全面にわたり均一に保って処理むらの発生を防止する手段として、例えば、処理槽内で基板を搬送ローラによって搬送しつつ、基板搬送路の上方に配置されたシャワー部から処理液を基板の表面に向かって吐出する装置において、シャワー部から基板上へ吐出され基板から垂れ落ちる余剰処理液を受けて溜める上面開口の処理液貯留槽を設けた装置構成が提案されている。このような構成により、基板から垂れ落ちて処理液貯留槽内に一時的に貯留された処理液から放出される輻射熱により、基板の温度を均一に調節して、処理むらの原因となる基板面の温度むらの発生を防止するようにしている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
上記した基板処理装置は、基板を搬送しつつシャワー部から基板の表面へ処理液を吐出して基板表面を処理するものであるが、パドル方式と呼ばれる方式を用いた基板処理装置では、図５に模式的側面図を示すように、基板Ｗの表面へ処理液を供給して基板Ｗの表面全体に処理液１を盛ってから、液盛りされた基板Ｗを、互いに平行に基板搬送路に沿って配列された複数本の搬送ローラ２により支持して移動、例えば直線的に往復移動（水平面内において揺動）させながら、その間にエッチング、現像等の反応を進行させて基板表面の処理が行われる。このパドル式基板処理装置では、基板Ｗの表面へ供給される処理液の温度は一定に保たれ、その処理液が基板Ｗの表面全体に盛られるため、液盛り時点において基板Ｗの温度は全面にわたって均一である。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−３６１１５９号公報（第３頁、図１）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、パドル式基板処理装置では、搬送ローラ２の温度が処理液１の温度（例えば４０℃）より低いために、液盛りされた基板Ｗの下面が搬送ローラ２と当接することにより、基板Ｗおよび処理液の温度が低下する。この場合、基板Ｗの全面にわたって均一に温度が低下すれば、それほど問題とはならない。ところが、図６に平面図を示すように、液盛りされた基板Ｗは、通常、複数本の搬送ローラ２によって往復移動させられながら処理が行われる。このとき、基板Ｗは、基板搬入時や基板反転時に僅かな時間であるが停止状態となる。この基板停止時に、基板Ｗの、搬送ローラ２と接触している部分は、他の部分より温度が低下することとなる。また、基板Ｗの、基板搬送方向における両端部の領域は、他の領域に比べて搬送ローラ２と接触している時間が短くなる。このため、基板面上の位置によって温度低下の程度に差を生じ、この結果、基板面上の位置によってエッチング、現像等の処理速度に差を生じて処理むらを引き起こす、といった問題点がある。
【０００７】
また、図７に示すように、回転支軸４の両端部に基板Ｗの左・右両端縁部を支持する両端支持部５を有するとともに回転支軸４の軸線方向に間隔をあけて複数の中間支持部６を有する搬送ローラ３を備えた装置では、両端支持部５および中間支持部６と接触する基板Ｗの部分における温度が非接触部分における温度に比べて低下する。このため、基板Ｗを連続的に一方向へ搬送しつつ基板Ｗの処理を行う場合であっても、両端支持部５および中間支持部６と接触する部分におけるエッチングレートや現像反応速度が遅くなって、処理後の基板には、複数本の線状の処理むらが発生することとなる。
【０００８】
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、パドル方式を採用した基板の処理において、基板の温度を均一に保って処理むらの発生を防止することができる基板処理方法を提供すること、ならびに、その方法を好適に実施することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、基板の表面全体に処理液を盛り、処理液が盛られた基板を、互いに平行に配列された複数本の搬送ローラにより支持して移動させながら、処理液によって基板表面を処理する基板処理方法において、前記搬送ローラを、基板上に盛られた処理液と同等の温度に加温することを特徴とする。
【００１０】
請求項２に係る発明は、請求項１記載の方法において、処理液がエッチング液であり、エッチング液によって基板の表面がエッチング処理されることを特徴とする。
【００１１】
請求項３に係る発明は、請求項１記載の方法において、処理液が現像液であり、現像液によって基板の表面が現像処理されることを特徴とする。
【００１２】
請求項４に係る発明は、基板の表面へ処理液を供給して基板の表面全体に処理液を盛る処理液供給手段と、互いに平行に配列され、処理液が盛られた基板を支持して移動させる複数本の搬送ローラと、を備えた基板処理装置において、前記搬送ローラを、基板上に盛られた処理液と同等の温度に加温するローラ加温手段を備えたことを特徴とする。
【００１３】
請求項５に係る発明は、請求項４記載の装置において、前記ローラ加温手段は、加温用液体が貯留され、その貯留された加温用液体中に前記搬送ローラの周面の一部が浸漬されるように搬送ローラの直下に配設された液溜め容器と、この液溜め容器内へ、基板上に盛られた処理液と同等の温度に調節された加温用液体を供給する液体供給手段とを備えて構成され、前記液体供給手段により加温用液体を前記液溜め容器内へ供給して液溜め容器内から加温用液体を溢れ出させながら、その液溜め容器内の加温用液体中に前記搬送ローラの周面の一部を浸漬させた状態で搬送ローラを常時回転させて搬送ローラを加温することを特徴とする。
【００１４】
請求項６に係る発明は、請求項４記載の装置において、前記ローラ加温手段は、前記搬送ローラの近傍に吐出口が配置された吐出ノズルと、この吐出ノズルへ、基板上に盛られた処理液と同等の温度に調節された加温用液体を供給する液体供給手段とを備えて構成され、前記搬送ローラを常時回転させながら前記吐出ノズルの吐出口から加温用液体を搬送ローラの周面へ吐出して搬送ローラを加温することを特徴とする。
【００１５】
請求項７に係る発明は、請求項４記載の装置において、前記ローラ加温手段は、前記搬送ローラの内部に液体通路を形成するとともに、その搬送ローラの液体通路へ、基板上に盛られた処理液と同等の温度に調節された加温用液体を供給する液体供給手段と、前記搬送ローラの液体通路から加温用液体を排出する液体排出手段とを備えて構成され、前記液体供給手段により加温用液体を前記搬送ローラの液体通路へ供給して液体通路内に加温用液体を流し、液体通路から加温用液体を前記液体排出手段により排出して搬送ローラを加温することを特徴とする。
【００１６】
請求項８に係る発明は、請求項５または請求項６に記載の装置において、前記加温用液体が、基板の表面へ供給される処理液であることを特徴とする。
【００１７】
請求項９に係る発明は、請求項４ないし請求項８のいずれかに記載の装置において、処理液がエッチング液であり、エッチング液によって基板の表面がエッチング処理されることを特徴とする。
【００１８】
請求項１０に係る発明は、請求項４ないし請求項８のいずれかに記載の装置において、処理液が現像液であり、現像液によって基板の表面が現像処理されることを特徴とする。
【００１９】
請求項１に係る発明の基板処理方法によると、基板上に盛られた処理液と同等の温度に搬送ローラが加温されるので、液盛りされた基板が搬送ローラと接触しても、基板および処理液の温度が低下することはない。したがって、基板の温度は全面にわたって均一となり、温度むらが発生することはない。
【００２０】
請求項２に係る発明の方法では、基板の温度が全面にわたって均一になるため、基板の表面全体においてエッチングレートに差を生じることがなく、基板の表面全体が均一にエッチング処理される。
【００２１】
請求項３に係る発明の方法では、基板の温度が全面にわたって均一になるため、基板の表面全体において現像反応速度に差を生じることがなく、基板の表面全体が均一に現像処理される。
【００２２】
請求項４に係る発明の基板処理装置においては、ローラ加温手段により、基板上に盛られた処理液と同等の温度に搬送ローラが加温されるので、液盛りされた基板が搬送ローラと接触しても、基板および処理液の温度が低下することはない。したがって、基板の温度は全面にわたって均一となり、温度むらが発生することはない。
【００２３】
請求項５に係る発明の装置では、液体供給手段によって液溜め容器内へ加温用液体が供給され、液溜め容器内に貯留された加温用液体中に搬送ローラの周面の一部が浸漬されるとともに、その状態で搬送ローラが常時回転することにより、基板上に盛られた処理液と同等の温度に搬送ローラの周面全体が加温される。
【００２４】
請求項６に係る発明の装置では、液体供給手段によって吐出ノズルへ加温用液体が供給され、吐出ノズルの吐出口から常時回転している搬送ローラの周面へ加温用液体が吐出されることにより、基板上に盛られた処理液と同等の温度に搬送ローラの周面全体が加温される。
【００２５】
請求項７に係る発明の装置では、液体供給手段によって搬送ローラ内部の液体通路へ加温用液体が供給され、液体通路内に加温用液体が流されることにより、基板上に盛られた処理液と同等の温度に搬送ローラ全体が加温される。そして、液体通路内を流れる間に熱交換によって温度が低下した加温用液体は、液体排出手段により液体通路から排出される。
【００２６】
請求項８に係る発明の装置では、処理液供給手段によって基板の表面へ供給される処理液と同じ処理液が加温用液体として、液体供給手段により液溜め容器または吐出ノズルへ供給される。
【００２７】
請求項９に係る発明の装置では、基板の温度が全面にわたって均一になるため、基板の表面全体においてエッチングレートに差を生じることがなく、基板の表面全体が均一にエッチング処理される。
【００２８】
請求項１０に係る発明の装置では、基板の温度が全面にわたって均一になるため、基板の表面全体において現像反応速度に差を生じることがなく、基板の表面全体が均一に現像処理される。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の好適な実施形態について図１ないし図４を参照しながら説明する。
【００３０】
図１は、この発明の１実施形態を示し、基板処理装置の概略構成の１例を示す模式図である。この基板処理装置は、例えば基板のエッチング処理を行うための装置であって、互いに平行に基板搬送路に沿って配列された複数本の搬送ローラ１０を備えており、これら複数本の搬送ローラ１０により、基板Ｗが支持されて直線的に往復移動（水平面内において揺動）させられるようになっている。基板搬送路の一端側には、基板搬送路の直上位置に、下端面にスリット状吐出口が形設された液供給ノズル１２が配設されている。また、基板搬送路の下方には、エッチング液を回収するための液回収槽１４が配設されている。
【００３１】
液供給ノズル１２には、液供給用配管１６が連通接続されており、液供給用配管１６は、エッチング液１８が貯留された液貯留槽２０に流路接続されている。液供給用配管１６には、送液用ポンプ２２が介挿設置されており、また、フィルタ２４および開閉制御弁２６がそれぞれ介挿されている。そして、開閉制御弁２６を開くことにより、液貯留槽２０内からエッチング液１８がポンプ２２によって液供給用配管１６を通り液供給ノズル１２へ供給され、液供給ノズル１２のスリット状吐出口からエッチング液がカーテン状に吐出されて、液供給ノズル１２の直下を通過する基板Ｗの表面全体にエッチング液が盛られる。また、液回収槽１４の底部には、回収用配管２８が連通接続されており、回収用配管２８の先端出口は、液貯留槽２０内に配置されている。
【００３２】
液貯留槽２０には、その底部に一端口が連通接続され他端口が液貯留槽２０内に配置された液循環用配管３０が付設されている。この液循環用配管３０には、液循環用ポンプ３２が介挿設置されており、また、ヒータ３４が介挿されている。そして、液貯留槽２０に貯留されたエッチング液１８を、液循環用配管３０を通して循環させることにより、エッチング液は、ヒータ３４の内部を流通する際に加温され、コントローラ（図示せず）によってヒータ３４を制御することにより、液貯留槽２０内のエッチング液１８の温度が一定温度、例えば４０℃に調節されるようになっている。なお、液貯留槽２０内のエッチング液１８を一定温度に調節して保持する手段は、図示例の構成のものに限らない。
【００３３】
各搬送ローラ１０は、正・逆方向にそれぞれ回転可能であり、基板の処理中においては、基板搬入時や基板反転時の僅かな時間を除いて常時回転駆動している。各搬送ローラ１０の直下には、液溜め容器３６がそれぞれ配設されている。各液溜め容器３６には、液供給用配管１６からフィルタ２４と開閉制御弁２６との間で分岐した分岐配管３８がそれぞれ連通接続されている。そして、基板の処理中においては、液貯留槽２０内から一定温度に調節されたエッチング液が液供給用配管１６および分岐配管３８を通り各液溜め容器３６内へ連続してそれぞれ供給され、各液溜め容器３６内からエッチング液がそれぞれ溢れ出ている状態とされる。液溜め容器３６内から溢れ出たエッチング液は、液回収槽１４内に流下し、液回収槽１４内から回収用配管２８を通って液貯留槽２０内に戻される。
【００３４】
液溜め容器３６は、図２に斜視図を示すように、その内部に貯留されたエッチング液中に搬送ローラ１０の周面の一部がその全長にわたって浸漬されるような形状および大きさを有している。なお、図示例の装置では、搬送ローラ１０ごとに液溜め容器３６を設けているが、複数本の搬送ローラ１０ごとに大き目の液溜め容器を設けて、１つの液溜め容器内に貯留されたエッチング液中に複数本の搬送ローラ１０を浸漬させるようにしてもよいし、また、大型の液溜め容器を設けて、１つの液溜め容器内に貯留されたエッチング液中に全部の搬送ローラ１０を浸漬させるようにしてもよい。
【００３５】
上記した構成を備えた基板処理装置を使用して基板をエッチング処理するときは、各液溜め容器３６内に貯留された一定温度のエッチング液中に各搬送ローラ１０の周面の一部がそれぞれ浸漬されるとともに、その状態で各搬送ローラ１０が常時それぞれ回転することにより、基板Ｗ上に盛られたエッチング液と同等の温度に各搬送ローラ１０の周面全体がそれぞれ加温される。このため、液盛りされた基板Ｗが搬送ローラ１０と接触しても、基板Ｗおよびその表面全体に盛られたエッチング液の温度が低下することはない。したがって、基板Ｗの温度は全面にわたって均一となり、温度むらが発生することがないので、基板Ｗの表面全体にわたってエッチングレートが均一となり、処理むらを生じる恐れがない。
【００３６】
次に、図３は、この発明の別の実施形態を示し、基板処理装置の搬送ローラ付近を示す斜視図である。この実施形態では、搬送ローラ１０の近傍に吐出口が配置された吐出ノズル４０を設けている。装置の全体構成は、図１に示した装置と同様であるが、液溜め容器３６を設置せずに、液供給用配管１６から分岐した分岐配管３８を吐出ノズル４０に連通接続する。
【００３７】
このような構成を備えた装置では、一定温度に調節されたエッチング液が吐出ノズル４０へ供給され、吐出ノズル４０の吐出口から常時回転している搬送ローラ１０の周面へ一定温度のエッチング液が吐出されることにより、基板Ｗ上に盛られたエッチング液と同等の温度に搬送ローラ１０の周面全体が加温されることとなる。このため、液盛りされた基板Ｗが搬送ローラ１０と接触しても、基板Ｗおよびその表面全体に盛られたエッチング液の温度が低下することがなくなり、基板Ｗの温度は全面にわたって均一となる。したがって、エッチングレートが基板Ｗの表面全体にわたって均一となり、処理むらの発生が防止される。なお、吐出ノズル４０から搬送ローラ１０の周面へ吐出されて搬送ローラ１０の周面から垂れ落ちたエッチング液は、液回収槽１４内に流下し、液回収槽１４内から回収用配管２８を通って液貯留槽２０内に戻される。
【００３８】
また、図４は、この発明のさらに別の実施形態を示し、基板処理装置の搬送ローラを、一部破断した状態で示す斜視図である。この搬送ローラ４２は、その内部に液体通路４４が形成されている。また、搬送ローラ４２の左・右の各回転支軸４６ａ、４６ｂの軸心部にも、液体通路４４に連通する液体通路（図示せず）がそれぞれ形成されている。そして、一方の回転支軸４６ａは、ロータリジョイント４８ａに接続され、回転支軸４６ａの液体通路は、ロータリジョイント４８ａを介して、加温用液体、例えば温水の供給装置（図示せず）に接続された温水供給管５０に流路接続されている。また、他方の回転支軸４６ｂは、ロータリジョイント４８ｂに接続され、回転支軸４６ｂの液体通路は、ロータリジョイント４８ａを介して排水管５２に流路接続され、排水管５２は、温水供給装置に流路接続されている。
【００３９】
このような構成の搬送ローラ４２を備えた基板処理装置では、温水供給装置から一定温度、例えば４０℃に調節された温水が、温水供給管５０を通って搬送ローラ４２の内部の液体通路４４へ供給され、液体通路４４内に温水が流されることにより、基板Ｗ上に盛られたエッチング液と同等の温度に搬送ローラ４２の全体が加温される。そして、液体通路４４内を流れる間に熱交換によって温度が低下した温水は、液体通路４４内から排出されて、排水管５２を通り温水供給装置へ戻され、加温されて循環使用される。このように、搬送ローラ４２がその内部から加温されることにより、液盛りされた基板Ｗが搬送ローラ４２と接触しても、基板Ｗおよびその表面全体に盛られたエッチング液の温度が低下することがなくなり、基板Ｗの温度は全面にわたって均一となる。したがって、エッチングレートが基板Ｗの表面全体にわたって均一となり、処理むらが発生することがない。
【００４０】
なお、搬送ローラを加温する手段は、図１ないし図４に示した構成のものに限らない。例えば、ラバーヒータ等によって搬送ローラを直接的に加温するような構成でもよい。また、上記した実施形態では、エッチング処理を行う基板処理装置を例にとって説明したが、それ以外の基板処理装置、例えば現像処理を行う基板処理装置についてもこの発明は適用し得る。
【００４１】
【発明の効果】
請求項１に係る発明の基板処理方法によると、また、請求項４に係る発明の基板処理装置を使用すると、パドル方式での基板の処理において、基板の温度を全面にわたって均一に保つことができ、このため、基板の温度むらに起因する処理むらの発生を防止することができる。
【００４２】
請求項２に係る発明の方法では、また、請求項９に係る発明の装置では、基板の表面全体を均一にエッチング処理することができる。
【００４３】
請求項３に係る発明の方法では、また、請求項１０に係る発明の装置では、基板の表面全体を均一に現像処理することができる。
【００４４】
請求項５および請求項６に係る各発明の装置では、搬送ローラの周面全体を、基板上に盛られた処理液と同等の温度に確実に加温することができる。
【００４５】
請求項７に係る発明の装置では、搬送ローラ全体を、基板上に盛られた処理液と同等の温度に確実に加温することができる。
【００４６】
請求項８に係る発明の装置では、基板の表面へ供給される処理液と同じ処理液を加温用液体として使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の１実施形態を示し、基板処理装置の概略構成の１例を示す模式図である。
【図２】図１に示した基板処理装置に設けられる液溜め容器を示す斜視図である。
【図３】この発明の別の実施形態を示し、基板処理装置の搬送ローラ付近を示す斜視図である。
【図４】この発明のさらに別の実施形態を示し、基板処理装置の搬送ローラを、一部破断した状態で示す斜視図である。
【図５】パドル方式の基板処理方法を説明するための模式的側面図である。
【図６】従来のパドル式基板処理装置における問題点を説明するための基板搬送部の平面図である。
【図７】従来のパドル式基板処理装置における問題点を説明するための図であって、搬送ローラの１構成例を示す正面図である。
【符号の説明】
Ｗ 基板
１０、４２ 搬送ローラ
１２ 液供給ノズル
１４ 液回収槽
１６ 液供給用配管
１８ エッチング液
２０ 液貯留槽
２２ 送液用ポンプ
２８ 回収用配管
３０ 液循環用配管
３２ 液循環用ポンプ
３４ ヒータ
３６ 液溜め容器
３８ 分岐配管
４０ 吐出ノズル
４４ 液体通路
４６ａ、４６ｂ 回転支軸
４８ａ、４８ｂ ロータリジョイント
５０ 温水供給管
５２ 排水管
【発明の属する技術分野】
この発明は、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、プリント基板、半導体ウエハ等の基板の表面にエッチング液、現像液等の処理液を供給して基板に対しエッチング処理、現像処理等の処理を行う基板処理方法および基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板の表面へエッチング液、現像液等の処理液を供給して基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置において、むらのない均一な基板処理を行うためには、基板表面へ供給する処理液の温度を一定に保つことは勿論のこと、基板の全面にわたって温度を均一に保つ必要がある。すなわち、基板の表面に温度むらが発生すると、基板の表面上の位置によってエッチング、現像等の処理速度に差を生じ、それが処理むらを引き起こす原因となるからである。
【０００３】
基板の温度を全面にわたり均一に保って処理むらの発生を防止する手段として、例えば、処理槽内で基板を搬送ローラによって搬送しつつ、基板搬送路の上方に配置されたシャワー部から処理液を基板の表面に向かって吐出する装置において、シャワー部から基板上へ吐出され基板から垂れ落ちる余剰処理液を受けて溜める上面開口の処理液貯留槽を設けた装置構成が提案されている。このような構成により、基板から垂れ落ちて処理液貯留槽内に一時的に貯留された処理液から放出される輻射熱により、基板の温度を均一に調節して、処理むらの原因となる基板面の温度むらの発生を防止するようにしている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
上記した基板処理装置は、基板を搬送しつつシャワー部から基板の表面へ処理液を吐出して基板表面を処理するものであるが、パドル方式と呼ばれる方式を用いた基板処理装置では、図５に模式的側面図を示すように、基板Ｗの表面へ処理液を供給して基板Ｗの表面全体に処理液１を盛ってから、液盛りされた基板Ｗを、互いに平行に基板搬送路に沿って配列された複数本の搬送ローラ２により支持して移動、例えば直線的に往復移動（水平面内において揺動）させながら、その間にエッチング、現像等の反応を進行させて基板表面の処理が行われる。このパドル式基板処理装置では、基板Ｗの表面へ供給される処理液の温度は一定に保たれ、その処理液が基板Ｗの表面全体に盛られるため、液盛り時点において基板Ｗの温度は全面にわたって均一である。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−３６１１５９号公報（第３頁、図１）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、パドル式基板処理装置では、搬送ローラ２の温度が処理液１の温度（例えば４０℃）より低いために、液盛りされた基板Ｗの下面が搬送ローラ２と当接することにより、基板Ｗおよび処理液の温度が低下する。この場合、基板Ｗの全面にわたって均一に温度が低下すれば、それほど問題とはならない。ところが、図６に平面図を示すように、液盛りされた基板Ｗは、通常、複数本の搬送ローラ２によって往復移動させられながら処理が行われる。このとき、基板Ｗは、基板搬入時や基板反転時に僅かな時間であるが停止状態となる。この基板停止時に、基板Ｗの、搬送ローラ２と接触している部分は、他の部分より温度が低下することとなる。また、基板Ｗの、基板搬送方向における両端部の領域は、他の領域に比べて搬送ローラ２と接触している時間が短くなる。このため、基板面上の位置によって温度低下の程度に差を生じ、この結果、基板面上の位置によってエッチング、現像等の処理速度に差を生じて処理むらを引き起こす、といった問題点がある。
【０００７】
また、図７に示すように、回転支軸４の両端部に基板Ｗの左・右両端縁部を支持する両端支持部５を有するとともに回転支軸４の軸線方向に間隔をあけて複数の中間支持部６を有する搬送ローラ３を備えた装置では、両端支持部５および中間支持部６と接触する基板Ｗの部分における温度が非接触部分における温度に比べて低下する。このため、基板Ｗを連続的に一方向へ搬送しつつ基板Ｗの処理を行う場合であっても、両端支持部５および中間支持部６と接触する部分におけるエッチングレートや現像反応速度が遅くなって、処理後の基板には、複数本の線状の処理むらが発生することとなる。
【０００８】
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、パドル方式を採用した基板の処理において、基板の温度を均一に保って処理むらの発生を防止することができる基板処理方法を提供すること、ならびに、その方法を好適に実施することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、基板の表面全体に処理液を盛り、処理液が盛られた基板を、互いに平行に配列された複数本の搬送ローラにより支持して移動させながら、処理液によって基板表面を処理する基板処理方法において、前記搬送ローラを、基板上に盛られた処理液と同等の温度に加温することを特徴とする。
【００１０】
請求項２に係る発明は、請求項１記載の方法において、処理液がエッチング液であり、エッチング液によって基板の表面がエッチング処理されることを特徴とする。
【００１１】
請求項３に係る発明は、請求項１記載の方法において、処理液が現像液であり、現像液によって基板の表面が現像処理されることを特徴とする。
【００１２】
請求項４に係る発明は、基板の表面へ処理液を供給して基板の表面全体に処理液を盛る処理液供給手段と、互いに平行に配列され、処理液が盛られた基板を支持して移動させる複数本の搬送ローラと、を備えた基板処理装置において、前記搬送ローラを、基板上に盛られた処理液と同等の温度に加温するローラ加温手段を備えたことを特徴とする。
【００１３】
請求項５に係る発明は、請求項４記載の装置において、前記ローラ加温手段は、加温用液体が貯留され、その貯留された加温用液体中に前記搬送ローラの周面の一部が浸漬されるように搬送ローラの直下に配設された液溜め容器と、この液溜め容器内へ、基板上に盛られた処理液と同等の温度に調節された加温用液体を供給する液体供給手段とを備えて構成され、前記液体供給手段により加温用液体を前記液溜め容器内へ供給して液溜め容器内から加温用液体を溢れ出させながら、その液溜め容器内の加温用液体中に前記搬送ローラの周面の一部を浸漬させた状態で搬送ローラを常時回転させて搬送ローラを加温することを特徴とする。
【００１４】
請求項６に係る発明は、請求項４記載の装置において、前記ローラ加温手段は、前記搬送ローラの近傍に吐出口が配置された吐出ノズルと、この吐出ノズルへ、基板上に盛られた処理液と同等の温度に調節された加温用液体を供給する液体供給手段とを備えて構成され、前記搬送ローラを常時回転させながら前記吐出ノズルの吐出口から加温用液体を搬送ローラの周面へ吐出して搬送ローラを加温することを特徴とする。
【００１５】
請求項７に係る発明は、請求項４記載の装置において、前記ローラ加温手段は、前記搬送ローラの内部に液体通路を形成するとともに、その搬送ローラの液体通路へ、基板上に盛られた処理液と同等の温度に調節された加温用液体を供給する液体供給手段と、前記搬送ローラの液体通路から加温用液体を排出する液体排出手段とを備えて構成され、前記液体供給手段により加温用液体を前記搬送ローラの液体通路へ供給して液体通路内に加温用液体を流し、液体通路から加温用液体を前記液体排出手段により排出して搬送ローラを加温することを特徴とする。
【００１６】
請求項８に係る発明は、請求項５または請求項６に記載の装置において、前記加温用液体が、基板の表面へ供給される処理液であることを特徴とする。
【００１７】
請求項９に係る発明は、請求項４ないし請求項８のいずれかに記載の装置において、処理液がエッチング液であり、エッチング液によって基板の表面がエッチング処理されることを特徴とする。
【００１８】
請求項１０に係る発明は、請求項４ないし請求項８のいずれかに記載の装置において、処理液が現像液であり、現像液によって基板の表面が現像処理されることを特徴とする。
【００１９】
請求項１に係る発明の基板処理方法によると、基板上に盛られた処理液と同等の温度に搬送ローラが加温されるので、液盛りされた基板が搬送ローラと接触しても、基板および処理液の温度が低下することはない。したがって、基板の温度は全面にわたって均一となり、温度むらが発生することはない。
【００２０】
請求項２に係る発明の方法では、基板の温度が全面にわたって均一になるため、基板の表面全体においてエッチングレートに差を生じることがなく、基板の表面全体が均一にエッチング処理される。
【００２１】
請求項３に係る発明の方法では、基板の温度が全面にわたって均一になるため、基板の表面全体において現像反応速度に差を生じることがなく、基板の表面全体が均一に現像処理される。
【００２２】
請求項４に係る発明の基板処理装置においては、ローラ加温手段により、基板上に盛られた処理液と同等の温度に搬送ローラが加温されるので、液盛りされた基板が搬送ローラと接触しても、基板および処理液の温度が低下することはない。したがって、基板の温度は全面にわたって均一となり、温度むらが発生することはない。
【００２３】
請求項５に係る発明の装置では、液体供給手段によって液溜め容器内へ加温用液体が供給され、液溜め容器内に貯留された加温用液体中に搬送ローラの周面の一部が浸漬されるとともに、その状態で搬送ローラが常時回転することにより、基板上に盛られた処理液と同等の温度に搬送ローラの周面全体が加温される。
【００２４】
請求項６に係る発明の装置では、液体供給手段によって吐出ノズルへ加温用液体が供給され、吐出ノズルの吐出口から常時回転している搬送ローラの周面へ加温用液体が吐出されることにより、基板上に盛られた処理液と同等の温度に搬送ローラの周面全体が加温される。
【００２５】
請求項７に係る発明の装置では、液体供給手段によって搬送ローラ内部の液体通路へ加温用液体が供給され、液体通路内に加温用液体が流されることにより、基板上に盛られた処理液と同等の温度に搬送ローラ全体が加温される。そして、液体通路内を流れる間に熱交換によって温度が低下した加温用液体は、液体排出手段により液体通路から排出される。
【００２６】
請求項８に係る発明の装置では、処理液供給手段によって基板の表面へ供給される処理液と同じ処理液が加温用液体として、液体供給手段により液溜め容器または吐出ノズルへ供給される。
【００２７】
請求項９に係る発明の装置では、基板の温度が全面にわたって均一になるため、基板の表面全体においてエッチングレートに差を生じることがなく、基板の表面全体が均一にエッチング処理される。
【００２８】
請求項１０に係る発明の装置では、基板の温度が全面にわたって均一になるため、基板の表面全体において現像反応速度に差を生じることがなく、基板の表面全体が均一に現像処理される。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の好適な実施形態について図１ないし図４を参照しながら説明する。
【００３０】
図１は、この発明の１実施形態を示し、基板処理装置の概略構成の１例を示す模式図である。この基板処理装置は、例えば基板のエッチング処理を行うための装置であって、互いに平行に基板搬送路に沿って配列された複数本の搬送ローラ１０を備えており、これら複数本の搬送ローラ１０により、基板Ｗが支持されて直線的に往復移動（水平面内において揺動）させられるようになっている。基板搬送路の一端側には、基板搬送路の直上位置に、下端面にスリット状吐出口が形設された液供給ノズル１２が配設されている。また、基板搬送路の下方には、エッチング液を回収するための液回収槽１４が配設されている。
【００３１】
液供給ノズル１２には、液供給用配管１６が連通接続されており、液供給用配管１６は、エッチング液１８が貯留された液貯留槽２０に流路接続されている。液供給用配管１６には、送液用ポンプ２２が介挿設置されており、また、フィルタ２４および開閉制御弁２６がそれぞれ介挿されている。そして、開閉制御弁２６を開くことにより、液貯留槽２０内からエッチング液１８がポンプ２２によって液供給用配管１６を通り液供給ノズル１２へ供給され、液供給ノズル１２のスリット状吐出口からエッチング液がカーテン状に吐出されて、液供給ノズル１２の直下を通過する基板Ｗの表面全体にエッチング液が盛られる。また、液回収槽１４の底部には、回収用配管２８が連通接続されており、回収用配管２８の先端出口は、液貯留槽２０内に配置されている。
【００３２】
液貯留槽２０には、その底部に一端口が連通接続され他端口が液貯留槽２０内に配置された液循環用配管３０が付設されている。この液循環用配管３０には、液循環用ポンプ３２が介挿設置されており、また、ヒータ３４が介挿されている。そして、液貯留槽２０に貯留されたエッチング液１８を、液循環用配管３０を通して循環させることにより、エッチング液は、ヒータ３４の内部を流通する際に加温され、コントローラ（図示せず）によってヒータ３４を制御することにより、液貯留槽２０内のエッチング液１８の温度が一定温度、例えば４０℃に調節されるようになっている。なお、液貯留槽２０内のエッチング液１８を一定温度に調節して保持する手段は、図示例の構成のものに限らない。
【００３３】
各搬送ローラ１０は、正・逆方向にそれぞれ回転可能であり、基板の処理中においては、基板搬入時や基板反転時の僅かな時間を除いて常時回転駆動している。各搬送ローラ１０の直下には、液溜め容器３６がそれぞれ配設されている。各液溜め容器３６には、液供給用配管１６からフィルタ２４と開閉制御弁２６との間で分岐した分岐配管３８がそれぞれ連通接続されている。そして、基板の処理中においては、液貯留槽２０内から一定温度に調節されたエッチング液が液供給用配管１６および分岐配管３８を通り各液溜め容器３６内へ連続してそれぞれ供給され、各液溜め容器３６内からエッチング液がそれぞれ溢れ出ている状態とされる。液溜め容器３６内から溢れ出たエッチング液は、液回収槽１４内に流下し、液回収槽１４内から回収用配管２８を通って液貯留槽２０内に戻される。
【００３４】
液溜め容器３６は、図２に斜視図を示すように、その内部に貯留されたエッチング液中に搬送ローラ１０の周面の一部がその全長にわたって浸漬されるような形状および大きさを有している。なお、図示例の装置では、搬送ローラ１０ごとに液溜め容器３６を設けているが、複数本の搬送ローラ１０ごとに大き目の液溜め容器を設けて、１つの液溜め容器内に貯留されたエッチング液中に複数本の搬送ローラ１０を浸漬させるようにしてもよいし、また、大型の液溜め容器を設けて、１つの液溜め容器内に貯留されたエッチング液中に全部の搬送ローラ１０を浸漬させるようにしてもよい。
【００３５】
上記した構成を備えた基板処理装置を使用して基板をエッチング処理するときは、各液溜め容器３６内に貯留された一定温度のエッチング液中に各搬送ローラ１０の周面の一部がそれぞれ浸漬されるとともに、その状態で各搬送ローラ１０が常時それぞれ回転することにより、基板Ｗ上に盛られたエッチング液と同等の温度に各搬送ローラ１０の周面全体がそれぞれ加温される。このため、液盛りされた基板Ｗが搬送ローラ１０と接触しても、基板Ｗおよびその表面全体に盛られたエッチング液の温度が低下することはない。したがって、基板Ｗの温度は全面にわたって均一となり、温度むらが発生することがないので、基板Ｗの表面全体にわたってエッチングレートが均一となり、処理むらを生じる恐れがない。
【００３６】
次に、図３は、この発明の別の実施形態を示し、基板処理装置の搬送ローラ付近を示す斜視図である。この実施形態では、搬送ローラ１０の近傍に吐出口が配置された吐出ノズル４０を設けている。装置の全体構成は、図１に示した装置と同様であるが、液溜め容器３６を設置せずに、液供給用配管１６から分岐した分岐配管３８を吐出ノズル４０に連通接続する。
【００３７】
このような構成を備えた装置では、一定温度に調節されたエッチング液が吐出ノズル４０へ供給され、吐出ノズル４０の吐出口から常時回転している搬送ローラ１０の周面へ一定温度のエッチング液が吐出されることにより、基板Ｗ上に盛られたエッチング液と同等の温度に搬送ローラ１０の周面全体が加温されることとなる。このため、液盛りされた基板Ｗが搬送ローラ１０と接触しても、基板Ｗおよびその表面全体に盛られたエッチング液の温度が低下することがなくなり、基板Ｗの温度は全面にわたって均一となる。したがって、エッチングレートが基板Ｗの表面全体にわたって均一となり、処理むらの発生が防止される。なお、吐出ノズル４０から搬送ローラ１０の周面へ吐出されて搬送ローラ１０の周面から垂れ落ちたエッチング液は、液回収槽１４内に流下し、液回収槽１４内から回収用配管２８を通って液貯留槽２０内に戻される。
【００３８】
また、図４は、この発明のさらに別の実施形態を示し、基板処理装置の搬送ローラを、一部破断した状態で示す斜視図である。この搬送ローラ４２は、その内部に液体通路４４が形成されている。また、搬送ローラ４２の左・右の各回転支軸４６ａ、４６ｂの軸心部にも、液体通路４４に連通する液体通路（図示せず）がそれぞれ形成されている。そして、一方の回転支軸４６ａは、ロータリジョイント４８ａに接続され、回転支軸４６ａの液体通路は、ロータリジョイント４８ａを介して、加温用液体、例えば温水の供給装置（図示せず）に接続された温水供給管５０に流路接続されている。また、他方の回転支軸４６ｂは、ロータリジョイント４８ｂに接続され、回転支軸４６ｂの液体通路は、ロータリジョイント４８ａを介して排水管５２に流路接続され、排水管５２は、温水供給装置に流路接続されている。
【００３９】
このような構成の搬送ローラ４２を備えた基板処理装置では、温水供給装置から一定温度、例えば４０℃に調節された温水が、温水供給管５０を通って搬送ローラ４２の内部の液体通路４４へ供給され、液体通路４４内に温水が流されることにより、基板Ｗ上に盛られたエッチング液と同等の温度に搬送ローラ４２の全体が加温される。そして、液体通路４４内を流れる間に熱交換によって温度が低下した温水は、液体通路４４内から排出されて、排水管５２を通り温水供給装置へ戻され、加温されて循環使用される。このように、搬送ローラ４２がその内部から加温されることにより、液盛りされた基板Ｗが搬送ローラ４２と接触しても、基板Ｗおよびその表面全体に盛られたエッチング液の温度が低下することがなくなり、基板Ｗの温度は全面にわたって均一となる。したがって、エッチングレートが基板Ｗの表面全体にわたって均一となり、処理むらが発生することがない。
【００４０】
なお、搬送ローラを加温する手段は、図１ないし図４に示した構成のものに限らない。例えば、ラバーヒータ等によって搬送ローラを直接的に加温するような構成でもよい。また、上記した実施形態では、エッチング処理を行う基板処理装置を例にとって説明したが、それ以外の基板処理装置、例えば現像処理を行う基板処理装置についてもこの発明は適用し得る。
【００４１】
【発明の効果】
請求項１に係る発明の基板処理方法によると、また、請求項４に係る発明の基板処理装置を使用すると、パドル方式での基板の処理において、基板の温度を全面にわたって均一に保つことができ、このため、基板の温度むらに起因する処理むらの発生を防止することができる。
【００４２】
請求項２に係る発明の方法では、また、請求項９に係る発明の装置では、基板の表面全体を均一にエッチング処理することができる。
【００４３】
請求項３に係る発明の方法では、また、請求項１０に係る発明の装置では、基板の表面全体を均一に現像処理することができる。
【００４４】
請求項５および請求項６に係る各発明の装置では、搬送ローラの周面全体を、基板上に盛られた処理液と同等の温度に確実に加温することができる。
【００４５】
請求項７に係る発明の装置では、搬送ローラ全体を、基板上に盛られた処理液と同等の温度に確実に加温することができる。
【００４６】
請求項８に係る発明の装置では、基板の表面へ供給される処理液と同じ処理液を加温用液体として使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の１実施形態を示し、基板処理装置の概略構成の１例を示す模式図である。
【図２】図１に示した基板処理装置に設けられる液溜め容器を示す斜視図である。
【図３】この発明の別の実施形態を示し、基板処理装置の搬送ローラ付近を示す斜視図である。
【図４】この発明のさらに別の実施形態を示し、基板処理装置の搬送ローラを、一部破断した状態で示す斜視図である。
【図５】パドル方式の基板処理方法を説明するための模式的側面図である。
【図６】従来のパドル式基板処理装置における問題点を説明するための基板搬送部の平面図である。
【図７】従来のパドル式基板処理装置における問題点を説明するための図であって、搬送ローラの１構成例を示す正面図である。
【符号の説明】
Ｗ 基板
１０、４２ 搬送ローラ
１２ 液供給ノズル
１４ 液回収槽
１６ 液供給用配管
１８ エッチング液
２０ 液貯留槽
２２ 送液用ポンプ
２８ 回収用配管
３０ 液循環用配管
３２ 液循環用ポンプ
３４ ヒータ
３６ 液溜め容器
３８ 分岐配管
４０ 吐出ノズル
４４ 液体通路
４６ａ、４６ｂ 回転支軸
４８ａ、４８ｂ ロータリジョイント
５０ 温水供給管
５２ 排水管
Claims (10)
- 基板の表面全体に処理液を盛り、処理液が盛られた基板を、互いに平行に配列された複数本の搬送ローラにより支持して移動させながら、処理液によって基板表面を処理する基板処理方法において、
前記搬送ローラを、基板上に盛られた処理液と同等の温度に加温することを特徴とする基板処理方法。 - 処理液がエッチング液であり、エッチング液によって基板の表面がエッチング処理される請求項１記載の基板処理方法。
- 処理液が現像液であり、現像液によって基板の表面が現像処理される請求項１記載の基板処理方法。
- 基板の表面へ処理液を供給して基板の表面全体に処理液を盛る処理液供給手段と、
互いに平行に配列され、処理液が盛られた基板を支持して移動させる複数本の搬送ローラと、
を備えた基板処理装置において、
前記搬送ローラを、基板上に盛られた処理液と同等の温度に加温するローラ加温手段を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記ローラ加温手段は、
加温用液体が貯留され、その貯留された加温用液体中に前記搬送ローラの周面の一部が浸漬されるように搬送ローラの直下に配設された液溜め容器と、この液溜め容器内へ、基板上に盛られた処理液と同等の温度に調節された加温用液体を供給する液体供給手段とを備えて構成され、
前記液体供給手段により加温用液体を前記液溜め容器内へ供給して液溜め容器内から加温用液体を溢れ出させながら、その液溜め容器内の加温用液体中に前記搬送ローラの周面の一部を浸漬させた状態で搬送ローラを常時回転させて搬送ローラを加温する請求項４記載の基板処理装置。 - 前記ローラ加温手段は、
前記搬送ローラの近傍に吐出口が配置された吐出ノズルと、この吐出ノズルへ、基板上に盛られた処理液と同等の温度に調節された加温用液体を供給する液体供給手段とを備えて構成され、
前記搬送ローラを常時回転させながら前記吐出ノズルの吐出口から加温用液体を搬送ローラの周面へ吐出して搬送ローラを加温する請求項４記載の基板処理装置。 - 前記ローラ加温手段は、
前記搬送ローラの内部に液体通路を形成するとともに、その搬送ローラの液体通路へ、基板上に盛られた処理液と同等の温度に調節された加温用液体を供給する液体供給手段と、前記搬送ローラの液体通路から加温用液体を排出する液体排出手段とを備えて構成され、
前記液体供給手段により加温用液体を前記搬送ローラの液体通路へ供給して液体通路内に加温用液体を流し、液体通路から加温用液体を前記液体排出手段により排出して搬送ローラを加温する請求項４記載の基板処理装置。 - 前記加温用液体が、基板の表面へ供給される処理液である請求項５または請求項６に記載の基板処理装置。
- 処理液がエッチング液であり、エッチング液によって基板の表面がエッチング処理される請求項４ないし請求項８のいずれかに記載の基板処理装置。
- 処理液が現像液であり、現像液によって基板の表面が現像処理される請求項４ないし請求項８のいずれかに記載の基板処理装置。
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Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100779949B1 (ko) | 2006-12-27 | 2007-11-28 | 세메스 주식회사 | 기판 이송 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| KR100803686B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2008-02-20 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| JP2009119408A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 薬液処理槽及びそれを用いた薬液処理装置 |
| JP2009135218A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 薬液処理槽及びそれを用いた薬液処理装置 |
| US7823595B2 (en) | 2006-07-04 | 2010-11-02 | Nec Corporation | Apparatus for etching substrate and method of fabricating thin-glass substrate |
| US7938129B2 (en) | 2006-02-07 | 2011-05-10 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| KR101100961B1 (ko) | 2009-03-16 | 2011-12-29 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| CN103021905A (zh) * | 2011-07-20 | 2013-04-03 | 显示器生产服务株式会社 | 基板处理装置 |
| KR101279378B1 (ko) | 2011-07-20 | 2013-07-24 | 주식회사 디엠에스 | 기판처리장치 |
| KR20130123675A (ko) * | 2012-05-03 | 2013-11-13 | 주식회사 탑 엔지니어링 | 기판 식각 장치 |
| KR101467054B1 (ko) * | 2012-10-31 | 2014-12-01 | 현대제철 주식회사 | 변형량 분석용 시편 에칭 장치 |
| CN107195573A (zh) * | 2017-07-14 | 2017-09-22 | 通威太阳能（合肥）有限公司 | 一种可降低酸耗的schmid刻蚀槽及其使用方法 |
| JP2022112587A (ja) * | 2021-01-22 | 2022-08-03 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板搬送装置、現像装置および現像方法 |
| KR20230077580A (ko) * | 2021-11-25 | 2023-06-01 | 주식회사 에스이에이 | 롤러에 하우징이 구비되는 식각 장치 및 식각 공정 |
-
2003
- 2003-06-03 JP JP2003157433A patent/JP4156975B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7938129B2 (en) | 2006-02-07 | 2011-05-10 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| US7823595B2 (en) | 2006-07-04 | 2010-11-02 | Nec Corporation | Apparatus for etching substrate and method of fabricating thin-glass substrate |
| US8409451B2 (en) | 2006-07-04 | 2013-04-02 | Nec Corporation | Apparatus for etching substrate and method of fabricating thin-glass substrate |
| KR100779949B1 (ko) | 2006-12-27 | 2007-11-28 | 세메스 주식회사 | 기판 이송 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| KR100803686B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2008-02-20 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| JP2009119408A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 薬液処理槽及びそれを用いた薬液処理装置 |
| JP2009135218A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 薬液処理槽及びそれを用いた薬液処理装置 |
| KR101100961B1 (ko) | 2009-03-16 | 2011-12-29 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US9214366B2 (en) | 2011-07-20 | 2015-12-15 | Dms Co., Ltd. | Apparatus for treating substrate by applying chemical solution on substrate using plural rollers |
| CN103021905A (zh) * | 2011-07-20 | 2013-04-03 | 显示器生产服务株式会社 | 基板处理装置 |
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