JP2004362744A - メモリ素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ビットライン感知増幅器(500)の出力を増幅して第1データライン(503)に出力するメイン増幅器(501)と、第1データライン(503)に接続された入出力マルチプレクサ(506)と、第1データライン(503)に接続されたリピータ(505)と、入力される書き込みデータを第2データライン(504)に出力する入出力書き込み部(507)と、第2データライン(504)に接続され、第2データライン(504)に出力されたデータをビットライン感知増幅器(500)に出力する書き込みドライバー(502)とを備えている。
【選択図】 図5
Description
501 メイン増幅器
502 書き込みドライバー
503 MOBライン
504 DINBライン
506 入出力マルチプレクサ
507 入出力書き込み部
Claims (9)
- ビットライン感知増幅器の出力を増幅して第1データラインに出力するメイン増幅器と、
前記第1データラインに接続された入出力マルチプレクサと、
前記第1データラインに接続された第1リピータと、
入力される書き込みデータを第2データラインに出力する入出力書き込み部と、
前記第2データラインに接続され、前記第2データラインに出力されたデータを前記ビットライン感知増幅器に出力する書き込みドライバーと
を備えていることを特徴とするメモリ素子。 - 前記入出力マルチプレクサが、
前記第1データラインが入力されるクロックドインバータと、該クロックドインバータの出力端子に接続されたラッチとを備えて構成され、
前記ラッチに格納されたデータ及び前記第1データラインの間の電荷共有を阻止することを特徴とする請求項1に記載のメモリ素子。 - 前記入出力マルチプレクサが、
アドレス信号、モード信号及び書き込み動作時に活性化されるイネーブル信号を受信し、前記クロックドインバータを制御するための制御信号を出力する制御部をさらに備えていることを特徴とする請求項2に記載のメモリ素子。 - 前記制御部が、
入力されるアドレス信号を反転させて出力する第1インバータと、
前記モード信号及び前記第1インバータの出力が入力される第1NANDゲートと、
前記モード信号及び前記アドレス信号が入力される第2NANDゲートと、
書き込み動作時に活性化される前記イネーブル信号を反転して出力する第2インバータと、
前記第2NANDゲートの出力を反転して出力する第3インバータと、
前記第1NANDゲートの出力を反転して出力する第4インバータと、
前記第2インバータの出力及び前記第3インバータの出力が入力される第3NANDゲートと、
前記第2インバータの出力及び前記第4インバータの出力が入力される第4NANDゲートと
を備えていることを特徴とする請求項3に記載のメモリ素子。 - 前記入出力書き込み部が、
入力されたデータを選択的に出力する伝送ゲート部と、
該伝送ゲート部の出力を第2データラインに伝達する駆動部と、
前記伝送ゲート部及び前記駆動部を制御する信号を発生する制御部とを備え、
クロックドインバータを備えてスタティックタイプに構成されていることを特徴とする請求項1に記載のメモリ素子。 - 前記制御部が、
入力されるデータ入力ストローブ信号を反転して出力する第10インバータと、
該第10インバータの出力を反転して出力する第11インバータと、
入力される偶数/奇数信号を反転して出力する第12インバータと
を備えていることを特徴とする請求項5に記載のメモリ素子。 - 前記駆動部が、
前記伝送ゲート部の出力を反転して出力する第1クロックドインバータと、
該第1クロックドインバータの出力をラッチする第12インバータ及び第2クロックドインバータと、
前記第1クロックドインバータの出力を反転して出力する第3クロックドインバータと、
該第3クロックドインバータの出力をラッチする第13インバータ及び第4クロックドインバータとを備え、
前記第1〜第4クロックドインバータが、前記第10インバータ及び第11インバータの出力を制御信号として受信することを特徴とする請求項6に記載のメモリ素子。 - 前記第2データラインに接続された第2リピータをさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載のメモリ素子。
- 前記第1データラインと前記第2データラインとが、交互にルーチングされることを特徴とする請求項1に記載のメモリ素子。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2003-0034876A KR100492907B1 (ko) | 2003-05-30 | 2003-05-30 | 글로벌 입출력 스킴을 변경한 메모리 소자 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004362744A true JP2004362744A (ja) | 2004-12-24 |
Family
ID=33448312
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004103091A Pending JP2004362744A (ja) | 2003-05-30 | 2004-03-31 | メモリ素子 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6920068B2 (ja) |
JP (1) | JP2004362744A (ja) |
KR (1) | KR100492907B1 (ja) |
TW (1) | TWI312158B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2003-12-30 TW TW092137420A patent/TWI312158B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-12-31 US US10/749,892 patent/US6920068B2/en not_active Expired - Lifetime
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- 2004-03-31 JP JP2004103091A patent/JP2004362744A/ja active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040240274A1 (en) | 2004-12-02 |
US6920068B2 (en) | 2005-07-19 |
TWI312158B (en) | 2009-07-11 |
KR100492907B1 (ko) | 2005-06-02 |
KR20040103003A (ko) | 2004-12-08 |
TW200426852A (en) | 2004-12-01 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
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