JP2004343087A - 層間絶縁膜の表面改質方法及び表面改質装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 熱処理装置1の反応管2内を昇温用ヒータ12により所定の温度に加熱する。次に、層間絶縁膜が形成された半導体ウエハ10を収容したウエハボート9を蓋体7上に載置し、ボートエレベータ8により蓋体7を上昇させ、半導体ウエハ10を反応室内に収容する。続いて、反応管2を使用する酸化活性ガスの種類に応じた所定の圧力に維持し、酸化活性ガス導入管13から、所定の酸化活性ガスを内管3内に所定量供給する。
【選択図】 図1
Description
また、本発明は、誘電率を維持しつつ、密着性を向上することができる層間絶縁膜の表面改質方法及び表面改質装置を提供することを目的とする。
塗布液を塗布して塗布膜が形成された基板を所定の温度で焼成することにより形成された層間絶縁膜の表面を改質する層間絶縁膜の表面改質方法であって、
前記層間絶縁膜が形成された基板を収容する反応室内を所定の温度に加熱するとともに、前記反応室内に酸化活性ガスを供給する、または、前記層間絶縁膜に紫外線を照射することにより、前記層間絶縁膜の表面を改質する表面改質工程を備える、ことを特徴とする。
塗布液を塗布して塗布膜が形成された基板を所定の温度で焼成することにより形成された層間絶縁膜の表面を改質する層間絶縁膜の表面改質装置であって、
前記層間絶縁膜が形成された基板を収容する反応室内を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記反応室内に酸化活性ガスを供給する酸化活性ガス供給手段と、
前記反応室内を所定の温度に加熱するように前記加熱手段を制御するとともに、前記反応室内に酸化活性ガスを供給するように前記酸化活性ガス供給手段を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする。
塗布液を塗布して塗布膜が形成された基板を所定の温度で焼成することにより形成された層間絶縁膜の表面を改質する層間絶縁膜の表面改質装置であって、
前記層間絶縁膜が形成された基板を収容する反応室内を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記層間絶縁膜に紫外線を照射する紫外線照射手段と、
前記反応室内を所定の温度に加熱するように前記加熱手段を制御するとともに、前記層間絶縁膜に紫外線を照射するように前記紫外線照射手段を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする。
本例では、酸化活性ガス導入管13からのオゾン供給時間を1分、反応管2内の圧力を133Pa(1Torr)、オゾン量を25g/Nm3として、反応管2内の温度を200℃(比較例2)、250℃(実施例1)、及び、300℃(実施例2)に設定し、オゾンによる層間絶縁膜の表面改質を行った場合の層間絶縁膜の純水による接触角を測定した。図3(a)にオゾンによる層間絶縁膜の表面改質の条件を示し、図3(b)に表面改質した層間絶縁膜の純水による接触角を示す。また、表面改質した層間絶縁膜上にハードマスクを成膜してCMPテストを行った。この結果(膜剥がれが発生せず密着性を有する場合を「○」、膜剥がれが発生し密着性を有しない場合を「×」)を図3(a)に示す。さらに、表面改質しない場合(比較例1)についても層間絶縁膜の純水による接触角及びCMPテストを行い、この結果を図3中に示す。
本例では、反応管2内の圧力を常圧として、反応管2内の温度を500℃、酸化活性ガス導入管13からの水蒸気供給時間を30分に設定した場合(実施例3)と、反応管2内の温度を400℃、酸化活性ガス導入管13からの水蒸気供給時間を15分に設定した場合(比較例3)とについて、水蒸気による層間絶縁膜の表面改質を行い、層間絶縁膜の純水による接触角を測定した。図4(a)に水蒸気による層間絶縁膜の表面改質の条件を示し、図4(b)に表面改質した層間絶縁膜の純水による接触角を示す。
本例では、反応管2内の圧力を133Pa(1Torr)として、反応管2内の温度、酸化活性ガス導入管13からの水素及び酸素の供給時間、水素の割合(水素混合比)を変化させた場合(実施例4〜実施例10)について、水素及び酸素による層間絶縁膜の表面改質を行い、層間絶縁膜の純水による接触角を測定した。なお、本例では、別々の酸化活性ガス導入管13から酸素と水素とを供給し、反応管2内で混合した。図5(a)に水素及び酸素による層間絶縁膜の表面改質の条件を示し、図5(b)に表面改質した層間絶縁膜の純水による接触角を示す。
本例では、反応管2内の圧力を常圧、酸化活性ガス導入管13からの酸素供給時間を30分として、反応管2内の温度を300℃(比較例4)、400℃(比較例5)、500℃(実施例11)、及び、600℃(実施例12)に設定し、酸素による層間絶縁膜の表面改質を行った場合の層間絶縁膜の純水による接触角を測定した。図6(a)に酸素による層間絶縁膜の表面改質の条件を示し、図6(b)に表面改質した層間絶縁膜の純水による接触角を示す。
本例では、層間絶縁膜への紫外線照射時間を大気雰囲気中、室温(約25℃)下で10秒(実施例13)、及び、30秒(実施例14)に設定し、紫外線による層間絶縁膜の表面改質を行った場合の層間絶縁膜の純水による接触角を測定した。図7(a)に紫外線による層間絶縁膜の表面改質の条件を示し、図7(b)に表面改質した層間絶縁膜の純水による接触角を示す。
2 反応管
3 内管
4 外管
5 マニホールド
6 支持リング
7 蓋体
8 ボートエレベータ
9 ウエハボート
10 半導体ウエハ
11 断熱体
12 昇温用ヒータ
13 酸化活性ガス導入管
14 排気口
15 パージガス供給管
16 排気管
17 バルブ
18 真空ポンプ
19 制御部
Claims (17)
- 塗布液を塗布して塗布膜が形成された基板を所定の温度で焼成することにより形成された層間絶縁膜の表面を改質する層間絶縁膜の表面改質方法であって、
前記層間絶縁膜が形成された基板を収容する反応室内を所定の温度に加熱するとともに、前記反応室内に酸化活性ガスを供給する、または、前記層間絶縁膜に紫外線を照射することにより、前記層間絶縁膜の表面を改質する表面改質工程を備える、ことを特徴とする層間絶縁膜の表面改質方法。 - 前記層間絶縁膜は、有機官能基を有するポリシロキサンを含む塗布液から形成された低誘電率の層間絶縁膜である、ことを特徴とする請求項1に記載の層間絶縁膜の表面改質方法。
- 前記酸化活性ガスにオゾン、水蒸気、酸素、または、水素及び酸素を用いる、ことを特徴とする請求項1または2に記載の層間絶縁膜の表面改質方法。
- 前記表面改質工程では、前記反応室内を250℃〜600℃に加熱するとともに、前記反応室内にオゾンを供給することにより、前記層間絶縁膜の表面を改質する、ことを特徴とする請求項1または2に記載の層間絶縁膜の表面改質方法。
- 前記表面改質工程では、前記反応室内を250℃〜600℃に加熱するとともに、前記反応室内に水素及び酸素を供給することにより、前記層間絶縁膜の表面を改質する、ことを特徴とする請求項1または2に記載の層間絶縁膜の表面改質方法。
- 前記表面改質工程では、前記層間絶縁膜に紫外線を少なくとも10秒照射することにより、前記層間絶縁膜の表面を改質する、ことを特徴とする請求項1または2に記載の層間絶縁膜の表面改質方法。
- 前記表面改質工程では、前記層間絶縁膜を、その表面エネルギーが少なくとも80mN/mとなるように改質する、ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の層間絶縁膜の表面改質方法。
- 前記表面改質工程では、前記層間絶縁膜を、その表面における水の表面接触角が40°よりも小さくなるように改質する、ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の層間絶縁膜の表面改質方法。
- 塗布液を塗布して塗布膜が形成された基板を所定の温度で焼成することにより形成された層間絶縁膜の表面を改質する層間絶縁膜の表面改質装置であって、
前記層間絶縁膜が形成された基板を収容する反応室内を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記反応室内に酸化活性ガスを供給する酸化活性ガス供給手段と、
前記反応室内を所定の温度に加熱するように前記加熱手段を制御するとともに、前記反応室内に酸化活性ガスを供給するように前記酸化活性ガス供給手段を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする層間絶縁膜の表面改質装置。 - 前記酸化活性ガスは、オゾン、水蒸気、酸素、または、水素及び酸素である、ことを特徴とする請求項9に記載の層間絶縁膜の表面改質装置。
- 前記酸化活性ガス供給手段は、前記反応室内にオゾンを供給し、
前記制御手段は、前記反応室内を250℃〜600℃に加熱するように前記加熱手段を制御するとともに、前記反応室内にオゾンを供給するように前記酸化活性ガス供給手段を制御する、ことを特徴とする請求項9に記載の層間絶縁膜の表面改質装置。 - 前記酸化活性ガス供給手段は、前記反応室内に水素及び酸素を供給し、
前記制御手段は、前記反応室内を250℃〜600℃に加熱するように前記加熱手段を制御するとともに、前記反応室内に前記水素及び酸素を供給するように前記酸化活性ガス供給手段を制御する、ことを特徴とする請求項9に記載の層間絶縁膜の表面改質装置。 - 塗布液を塗布して塗布膜が形成された基板を所定の温度で焼成することにより形成された層間絶縁膜の表面を改質する層間絶縁膜の表面改質装置であって、
前記層間絶縁膜が形成された基板を収容する反応室内を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記層間絶縁膜に紫外線を照射する紫外線照射手段と、
前記反応室内を所定の温度に加熱するように前記加熱手段を制御するとともに、前記層間絶縁膜に紫外線を照射するように前記紫外線照射手段を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする層間絶縁膜の表面改質装置。 - 前記制御手段は、前記層間絶縁膜に紫外線を少なくとも10秒照射するように前記紫外線照射手段を制御する、ことを特徴とする請求項13に記載の層間絶縁膜の表面改質装置。
- 前記層間絶縁膜は、有機官能基を有するポリシロキサンを含む塗布液から形成された低誘電率の層間絶縁膜である、ことを特徴とする請求項9乃至14のいずれか1項に記載の層間絶縁膜の表面改質装置。
- 前記制御手段は、前記層間絶縁膜を、その表面エネルギーが少なくとも80mN/mとなるように改質する、ことを特徴とする請求項9乃至15のいずれか1項に記載の層間絶縁膜の表面改質装置。
- 前記制御手段は、前記層間絶縁膜を、その表面における水の表面接触角が40°よりも小さくなるように改質する、ことを特徴とする請求項9乃至16のいずれか1項に記載の層間絶縁膜の表面改質装置。
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