JP2009232241A - 弾性波素子、フィルタ、通信装置、および弾性波素子の製造方法 - Google Patents
弾性波素子、フィルタ、通信装置、および弾性波素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009232241A JP2009232241A JP2008076247A JP2008076247A JP2009232241A JP 2009232241 A JP2009232241 A JP 2009232241A JP 2008076247 A JP2008076247 A JP 2008076247A JP 2008076247 A JP2008076247 A JP 2008076247A JP 2009232241 A JP2009232241 A JP 2009232241A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- sog
- electrode
- film
- wave element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
【解決手段】基板4と、基板4上に形成された櫛歯電極2aを含む電極2と、電極2上に形成された誘電体層5とを備えた弾性波素子であって、少なくとも櫛歯電極2a間にSiO2膜6を備え、電極間のSiO2膜6は、SOG(Spin on Glass)で形成されている。
【選択図】図1
Description
〔1.弾性波素子の構成〕
図1は、本実施の形態の弾性波素子の平面図である。図2は、図1におけるY−Y部分の断面である。図1及び図2に示すように、弾性波素子は、圧電基板4上に電極2が形成されている。電極2は、櫛歯電極2aと反射器2bと端子部2cとから構成されている。誘電体層5は、圧電基板4上において櫛歯電極2a及び反射器2bを覆うように形成されている。端子部2cは、誘電体層5に覆われず、露出するように形成されている。誘電体層5の厚さは、電極102よりも厚く、弾性表面波の波長をλとしたときに大凡0.3×λ程度である。
携帯電話端末、PHS(Personal Handy-phone System)端末、無線LANシステムなどの移動体通信(高周波無線通信)には、デュープレクサが搭載されている。デュープレクサは、通信電波などの送信機能及び受信機能を持ち、送信信号と受信信号の周波数が異なる無線装置において用いられる。
図6は、本実施の形態の弾性波素子または図5に示すデュープレクサを備えた通信モジュールの一例を示す。図6に示すように、デュープレクサ62は、受信フィルタ62aと送信フィルタ62bとを備えている。また、受信フィルタ62aには、例えばバランス出力に対応した受信端子63a及び63bが接続されている。また、送信フィルタ62bは、パワーアンプ64を介して送信端子65に接続している。ここで、受信フィルタ62a及び送信フィルタ62bには、本実施の形態における弾性波素子またはデュープレクサが含まれている。
図7は、本実施の形態の弾性波素子、デュープレクサ、または通信モジュールを備えた通信装置の一例として、携帯電話端末のRFブロックを示す。また、図7に示す構成は、GSM(Global System for Mobile Communications)通信方式及びW−CDMA(Wideband Code Divition Multiple Access)通信方式に対応した携帯電話端末の構成を示す。また、本実施の形態におけるGSM通信方式は、850MHz帯、950MHz帯、1.8GHz帯、1.9GHz帯に対応している。また、携帯電話端末は、図7に示す構成以外にマイクロホン、スピーカー、液晶ディスプレイなどを備えているが、本実施の形態における説明では不要であるため図示を省略した。ここで、受信フィルタ73a、77、78、79、80、および送信フィルタ73bには、本実施の形態における弾性波素子、デュープレクサが含まれている。
本実施の形態によれば、電極2を構成している少なくとも櫛歯電極2a間にシリコンアルコキシド系SOGを主成分とする材料で形成されたSiO2膜6を充填したことにより、誘電体層5の表面を平坦化することができ、伝搬損失が少なくフィルタ特性が優れた弾性波素子を実現することができる。
圧電性を有する基板と、
前記基板上に形成された櫛歯電極を含む電極と、
前記電極上に形成された誘電体層とを備えた弾性波素子であって、
少なくとも前記櫛歯電極間にSiO2膜を備え、
前記電極間のSiO2膜は、SOG(Spin on Glass)で形成されている、弾性波素子。
前記SiO2膜は、シリコンアルコキシド系のSOG(Spin on Glass)で構成されている、付記1記載の弾性波素子。
圧電性を有する基板上に、櫛歯電極を含む電極を形成する工程と、
少なくとも前記電極間にSOGを塗布し、乾燥し、焼成してSiO2膜を形成する工程と、
前記電極及び前記SiO2膜上に、SiO2からなる誘電体層をドライプロセスで成膜する工程とを含む、弾性波素子の製造方法。
前記電極間のSOGは、シリコンアルコキシド系の材料を主成分とする、付記3記載の弾性波素子の製造方法。
前記誘電体層は、スパッタ成膜により形成される、付記3記載の弾性波素子の製造方法。
前記誘電体層は、電子サイクロトロン共鳴法(ECR)を用いたスパッタ成膜法により形成される、付記5記載の弾性波素子の製造方法。
前記誘電体層は、化学気相蒸着法(CVD)を用いた成膜法により形成される、付記3記載の弾性波素子の製造方法。
前記誘電体層は、テトラエトキシシラン(TEOS)、テトラメチルシラン(TMS)、あるいは、シラン(SiH4)を用いたプラズマ化学気相蒸着法(プラズマCVD)により形成される、付記7記載の弾性波素子の製造方法。
前記誘電体層は、テトラエトキシシラン(TEOS)およびオゾンを用いた熱化学気相蒸着法(熱CVD)により形成される、付記8記載の弾性波素子の製造方法。
前記SOGの塗布工程において、
前記SOGを、その乾燥及び焼成後の膜厚が前記櫛歯電極の厚さに略等しくなるように、塗布する、付記3記載の弾性波素子の製造方法。
前記SOGの乾燥及び焼成後に、少なくとも前記SOGに紫外線照射を行う工程をさらに備えた、付記3記載の弾性波素子の製造方法。
付記1〜2のいずれかに記載の弾性波素子を備えた、フィルタ。
付記12に記載のフィルタを備えた、デュープレクサ。
付記12に記載のフィルタ、または付記13に記載のデュープレクサを備えた、通信モジュール。
付記14に記載の通信モジュールを備えた、通信装置。
2 電極
4 基板
5 誘電体層
6 SiO2膜
Claims (8)
- 圧電性を有する基板と、
前記基板上に形成された櫛歯電極を含む電極と、
前記電極上に形成された誘電体層とを備えた弾性波素子であって、
少なくとも前記櫛歯電極間にSiO2膜を備え、
前記電極間のSiO2膜は、SOG(Spin on Glass)で形成されている、弾性波素子。 - 前記SiO2膜は、シリコンアルコキシド系の材料を主成分とするSOGで構成されている、請求項1記載の弾性波素子。
- 圧電性を有する基板上に、櫛歯電極を含む電極を形成する工程と、
少なくとも前記電極間にSOGを塗布し、乾燥し、焼成してSiO2膜を形成する工程と、
前記電極及び前記SiO2膜上に、SiO2からなる誘電体層をドライプロセスで成膜する工程とを含む、弾性波素子の製造方法。 - 前記電極間に塗布されるSOGは、シリコンアルコキシド系の材料を主成分とする、請求項3記載の弾性波素子の製造方法。
- 前記SOGの塗布工程において、
前記SOGを、その乾燥及び焼成後の膜厚が前記櫛歯電極の厚さに略等しくなるように、塗布する、請求項3記載の弾性波素子の製造方法。 - 前記SOGの乾燥及び焼成後に、少なくとも前記SOGに紫外線照射を行う工程をさらに備えた、請求項3記載の弾性波素子の製造方法。
- 請求項1〜2のいずれかに記載の弾性波素子を備えた、フィルタ。
- 請求項7に記載のフィルタを備えた、通信装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008076247A JP2009232241A (ja) | 2008-03-24 | 2008-03-24 | 弾性波素子、フィルタ、通信装置、および弾性波素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008076247A JP2009232241A (ja) | 2008-03-24 | 2008-03-24 | 弾性波素子、フィルタ、通信装置、および弾性波素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009232241A true JP2009232241A (ja) | 2009-10-08 |
Family
ID=41247121
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008076247A Pending JP2009232241A (ja) | 2008-03-24 | 2008-03-24 | 弾性波素子、フィルタ、通信装置、および弾性波素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009232241A (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0563100A (ja) * | 1991-08-30 | 1993-03-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH07273297A (ja) * | 1994-03-28 | 1995-10-20 | Olympus Optical Co Ltd | 強誘電体メモリ |
JP2004095865A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004228689A (ja) * | 2003-01-20 | 2004-08-12 | Murata Mfg Co Ltd | 端面反射型弾性表面波装置 |
JP2004343087A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-12-02 | Tokyo Electron Ltd | 層間絶縁膜の表面改質方法及び表面改質装置 |
JP2005176152A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Alps Electric Co Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
JP2006104441A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-04-20 | Kobe Steel Ltd | 多孔質膜の形成方法及びその方法によって形成された多孔質膜 |
-
2008
- 2008-03-24 JP JP2008076247A patent/JP2009232241A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0563100A (ja) * | 1991-08-30 | 1993-03-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH07273297A (ja) * | 1994-03-28 | 1995-10-20 | Olympus Optical Co Ltd | 強誘電体メモリ |
JP2004095865A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004228689A (ja) * | 2003-01-20 | 2004-08-12 | Murata Mfg Co Ltd | 端面反射型弾性表面波装置 |
JP2004343087A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-12-02 | Tokyo Electron Ltd | 層間絶縁膜の表面改質方法及び表面改質装置 |
JP2005176152A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Alps Electric Co Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
JP2006104441A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-04-20 | Kobe Steel Ltd | 多孔質膜の形成方法及びその方法によって形成された多孔質膜 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6046656A (en) | Elastic boundary wave device and method of its manufacture | |
US7224101B2 (en) | Elastic boundary wave device and method of manufacturing the same | |
JP4775978B2 (ja) | 弾性波素子、デュープレクサ、通信モジュール、および通信装置 | |
JP5766457B2 (ja) | 弾性波デバイス及びその製造方法 | |
JP5319491B2 (ja) | 圧電薄膜共振子 | |
US8240015B2 (en) | Method of manufacturing thin film resonator | |
KR101087438B1 (ko) | 탄성파 소자, 통신 모듈, 및 통신 장치 | |
JP5226409B2 (ja) | 共振デバイス、通信モジュール、通信装置、共振デバイスの製造方法 | |
JP4385607B2 (ja) | 表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路並びに電子機器 | |
JP2007329584A (ja) | 弾性境界波素子、共振器およびフィルタ | |
JP2006279609A (ja) | 弾性境界波素子、共振子およびラダー型フィルタ | |
JP2013055371A (ja) | 弾性波デバイス | |
JP2007243918A (ja) | 弾性表面波素子および電子機器 | |
JP2011071912A (ja) | 弾性波フィルタ | |
JP4345329B2 (ja) | 弾性表面波デバイス | |
JP5339582B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
JP4345328B2 (ja) | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 | |
JP2011130006A (ja) | 弾性波素子、通信モジュール、通信装置 | |
JP2009232241A (ja) | 弾性波素子、フィルタ、通信装置、および弾性波素子の製造方法 | |
US20090152982A1 (en) | Elastic wave device, filter device, communication module and communication apparatus | |
JP5185004B2 (ja) | 弾性境界波デバイスおよびその製造方法、デュープレクサの製造方法 | |
US20230327630A1 (en) | Method of manufacture of acoustic wave device with trench portions for transverse mode suppression | |
JP2010028459A (ja) | 弾性波デバイス、フィルタ、通信モジュール、通信装置 | |
US12040774B2 (en) | Site-selective piezoelectric-layer trimming | |
US20220311409A1 (en) | Site-Selective Piezoelectric-Layer Trimming |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100527 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100628 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20110628 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111206 |